JPS6181651A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6181651A JPS6181651A JP59203251A JP20325184A JPS6181651A JP S6181651 A JPS6181651 A JP S6181651A JP 59203251 A JP59203251 A JP 59203251A JP 20325184 A JP20325184 A JP 20325184A JP S6181651 A JPS6181651 A JP S6181651A
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- semiconductor
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- resin
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体装置の製造方法に関するもので、特に
半導体ウェーハから半導体ペレットを得、これを半導体
装置内に収納する工程の改良に関する。
半導体ウェーハから半導体ペレットを得、これを半導体
装置内に収納する工程の改良に関する。
半導体装置、特に集積回路装置にあっては、シリコンウ
ェーハの上にウェーハプロセスにより多数の素子を形成
し、これを素子ごとに分離して半導体ペレット（チップ
）を得、モールドパッケージの場合であれば半導体ペレ
ットをリードフレームのベッド上にダイボンディングに
よりマウントし、リードとワイヤボンディングを行った
後に樹脂封止を行う製造工程が採用される。
ェーハの上にウェーハプロセスにより多数の素子を形成
し、これを素子ごとに分離して半導体ペレット（チップ
）を得、モールドパッケージの場合であれば半導体ペレ
ットをリードフレームのベッド上にダイボンディングに
よりマウントし、リードとワイヤボンディングを行った
後に樹脂封止を行う製造工程が採用される。
このうち、ウェーへの分離を行うダイシングからリード
フレームへの搭載を行うマウンティングまでの工程につ
いては第８図から第１３図を参照して次のように行われ
る。
フレームへの搭載を行うマウンティングまでの工程につ
いては第８図から第１３図を参照して次のように行われ
る。
第８図および第９図はダイシングの様子を表わした断面
図であって、第８図はダイシングプレート６に平行な面
で切断した様子、第９図はこれと直角な平面で切断した
様子を示している。これによればダイシングステージ１
の外方に設けられた一対のシート固定リング２および３
によって粘着シート４が緊張状態に張設され、その上に
ダイシングを行うべきウェーハ５が粘着固定される。ダ
イシングステージ１の内部には真空吸引のための吸引孔
１ａが設けられており、ダイシング中につ工−ハが移動
しないよう、粘着シートおよびウェーハを強固に固定す
る。ダイシングブレード７はダイヤモンド粉を結合材と
共に薄く成形したものであって回転軸の周りを高速で回
転し、ノズル８から供給される水９で冷却を行いながら
徐々にダイシングステージ１をブレード７の面に平行に
移動させ、ウェーハ５に切込み溝５ａを入れる。ダイシ
ングが完了した時点では、第１０図の側面図に示される
ようにウェーハ厚の約半分まで切込み溝５ａが形成され
たウェーハ５が粘着シート４上に固着された状態となる
。
図であって、第８図はダイシングプレート６に平行な面
で切断した様子、第９図はこれと直角な平面で切断した
様子を示している。これによればダイシングステージ１
の外方に設けられた一対のシート固定リング２および３
によって粘着シート４が緊張状態に張設され、その上に
ダイシングを行うべきウェーハ５が粘着固定される。ダ
イシングステージ１の内部には真空吸引のための吸引孔
１ａが設けられており、ダイシング中につ工−ハが移動
しないよう、粘着シートおよびウェーハを強固に固定す
る。ダイシングブレード７はダイヤモンド粉を結合材と
共に薄く成形したものであって回転軸の周りを高速で回
転し、ノズル８から供給される水９で冷却を行いながら
徐々にダイシングステージ１をブレード７の面に平行に
移動させ、ウェーハ５に切込み溝５ａを入れる。ダイシ
ングが完了した時点では、第１０図の側面図に示される
ようにウェーハ厚の約半分まで切込み溝５ａが形成され
たウェーハ５が粘着シート４上に固着された状態となる
。
次に、ダイシングステージ１を上昇させて粘るシート４
を引張っておき、第１１図に示すように下方より先端の
尖った棒状の突上げ治具１ｏによ □リマウントす
べきペレット５を押上げ、このペレット５の上方に近接
して位置決めされた真空チャックノズル１１にペレット
６を吸着させる。この真空チャックノズル１１は半導体
ペレットを所定のマウント位置まで運ぶアーム（図示せ
ず）に固定されており、したがって真空で吸着されたペ
レット６はあらかじめリードフレーム１２のベッド部の
所定マウント位置に供給された銀ペースト等の導電性接
着剤１３上に載置され（第１２図）、ダイマウントが完
了する（第１３図）。このようにダイシングにより得ら
れたペレットをそのままダイマウントするためダイレク
トマウントと称されている。
を引張っておき、第１１図に示すように下方より先端の
尖った棒状の突上げ治具１ｏによ □リマウントす
べきペレット５を押上げ、このペレット５の上方に近接
して位置決めされた真空チャックノズル１１にペレット
６を吸着させる。この真空チャックノズル１１は半導体
ペレットを所定のマウント位置まで運ぶアーム（図示せ
ず）に固定されており、したがって真空で吸着されたペ
レット６はあらかじめリードフレーム１２のベッド部の
所定マウント位置に供給された銀ペースト等の導電性接
着剤１３上に載置され（第１２図）、ダイマウントが完
了する（第１３図）。このようにダイシングにより得ら
れたペレットをそのままダイマウントするためダイレク
トマウントと称されている。
しかしながら、このようなダイレクトマウントにＪ５い
てはウェーハを粘着シートで位置決めしており、ウェー
ハを安定して分離するためには粘着シートの厚さ、粘着
シートの粘着力による限界からベレン１−の飛散を防止
するためウェーハをダイシングブレードで完全に切断す
ることはできず、ダイシングによりウェーハ面に傷を付
けておきダイシング後改めて撓屈力を加えてペレットの
分離（ブレーキング）を行わなければならない。このよ
うなペレットの分離作業の結果、粘着シート上のペレッ
トの配列状態に乱れが生じダイレクトマウントを行うに
際してはペレットの位置、回転等を検出し補正を適当な
位置決め装置を用いて行わなければならず、マウントを
行う装置のコストを上昇させる。さらに、ウェーハを完
全に切断せず、ブレーキングを伴うことからペレットの
下部の切断面は第１２図に６ａで示されるように一様で
はなく、ここから割れ、欠けを引き起し、さらにシリコ
ン屑を発生させて半導体装置の品質を低下させるという
問題がある。
てはウェーハを粘着シートで位置決めしており、ウェー
ハを安定して分離するためには粘着シートの厚さ、粘着
シートの粘着力による限界からベレン１−の飛散を防止
するためウェーハをダイシングブレードで完全に切断す
ることはできず、ダイシングによりウェーハ面に傷を付
けておきダイシング後改めて撓屈力を加えてペレットの
分離（ブレーキング）を行わなければならない。このよ
うなペレットの分離作業の結果、粘着シート上のペレッ
トの配列状態に乱れが生じダイレクトマウントを行うに
際してはペレットの位置、回転等を検出し補正を適当な
位置決め装置を用いて行わなければならず、マウントを
行う装置のコストを上昇させる。さらに、ウェーハを完
全に切断せず、ブレーキングを伴うことからペレットの
下部の切断面は第１２図に６ａで示されるように一様で
はなく、ここから割れ、欠けを引き起し、さらにシリコ
ン屑を発生させて半導体装置の品質を低下させるという
問題がある。
このような問題を解決するため、つ丁−八をダイシング
ステージ上にろう材で固着さけ１ウエーハを完全に切断
する方法が知られている（例えば特開昭５４−６９９５
７号公報）。
ステージ上にろう材で固着さけ１ウエーハを完全に切断
する方法が知られている（例えば特開昭５４−６９９５
７号公報）。
しかしながら、このような３１着方法ではろう材表面か
ら分離したペレットを外すのに加熱や機械力を伴うため
、このペレット取外しの際に整列状態に乱れが生じやす
く、ダイレクトマウントに必要な位置精度が得られない
。
ら分離したペレットを外すのに加熱や機械力を伴うため
、このペレット取外しの際に整列状態に乱れが生じやす
く、ダイレクトマウントに必要な位置精度が得られない
。
本発明はこのような従来技術の問題点に鑑みてなされた
もので、ダイレクトマウントを高精度で行うことのでき
る半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
もので、ダイレクトマウントを高精度で行うことのでき
る半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
上記目的達成のため、本発明においては、半導体ウェー
ハをろう材を介して支持台に固着する工程と、前記半導
体ウェーハを所定の位置で回転刃により完全に切断し、
半導体ペレットを形成する工程と、切断状態の前記半導
体ペレットの上面および切断面に、剥離が容易な樹脂を
流し込み、前記半導体ペレットが整列状態のままである
ように固化させる工程と、前記半導体ペレットを前記固
化した樹脂とともに前記ろう材から分離する工程と、前
記半導体ペレットを前記固化した樹脂から分離して取出
し、リードフレームのベッドに直接搭載する工程を備え
たことを特徴としており、高精度のダイレクトマウント
を実現できるものである。
ハをろう材を介して支持台に固着する工程と、前記半導
体ウェーハを所定の位置で回転刃により完全に切断し、
半導体ペレットを形成する工程と、切断状態の前記半導
体ペレットの上面および切断面に、剥離が容易な樹脂を
流し込み、前記半導体ペレットが整列状態のままである
ように固化させる工程と、前記半導体ペレットを前記固
化した樹脂とともに前記ろう材から分離する工程と、前
記半導体ペレットを前記固化した樹脂から分離して取出
し、リードフレームのベッドに直接搭載する工程を備え
たことを特徴としており、高精度のダイレクトマウント
を実現できるものである。
以下添付図面を参照しながら本発明の実施例について詳
細に説明する。
細に説明する。
まず、第１図の断面図に示すようにウェーハプロセスが
完了し裏面処理を行わずシリコンのままとしたウェーハ
５３をベース５２上にはんだ５４を使用して固着する。
完了し裏面処理を行わずシリコンのままとしたウェーハ
５３をベース５２上にはんだ５４を使用して固着する。
このベースははんだに対し濡れ性の良い例えば銅または
銅合金等より成る板でであることが望ましい。また、は
んだ５４の厚みは４０〜５０μが一般的であり、ディッ
プ法、印刷法等により形成される。ウェーハ５３をはん
だ５４を介して固着したベース５２はダイシングステー
ジ５１上に載置され、吸引孔５１ａによる真空吸引でダ
イシングステージ５１上に強固に固着される。
銅合金等より成る板でであることが望ましい。また、は
んだ５４の厚みは４０〜５０μが一般的であり、ディッ
プ法、印刷法等により形成される。ウェーハ５３をはん
だ５４を介して固着したベース５２はダイシングステー
ジ５１上に載置され、吸引孔５１ａによる真空吸引でダ
イシングステージ５１上に強固に固着される。
次に第２図の側面図に示されるように、ダイシングステ
ージ５１を移動させながら高速で回転するダイシングブ
レード５５によりはんだ層５４にブレード５５の先端部
が達するようにｉＡ ５３ ａを形成しながらウェーハ
５３を完全に切断していく。
ージ５１を移動させながら高速で回転するダイシングブ
レード５５によりはんだ層５４にブレード５５の先端部
が達するようにｉＡ ５３ ａを形成しながらウェーハ
５３を完全に切断していく。
このようなウェーハ切断が終了した時点では、第３図に
示されるように、ペレット５６が完全に切離されており
、溝５３８の最下部とベース５２の上面間には約１０μ
程度のはんだ５４が残った状態となっている。
示されるように、ペレット５６が完全に切離されており
、溝５３８の最下部とベース５２の上面間には約１０μ
程度のはんだ５４が残った状態となっている。
次に、これらペレット５６の上面および溝５３ａにシリ
コンゴム樹脂を流し込んで硬化させてシリコンゴム層５
７を形成する。この際、後にシリコンゴム層５７を保持
するための固定用リング５８をあらかじめペレット周囲
に配置しておくことが望ましい。シリコンゴム層５７の
形成後、この上に他の固定用リング５９を載置し、固定
用リング５８とねじ等により締着する。これによりシリ
コンゴム層を単独で保持することができるので、第５図
に示すようにはんだを加熱溶融した状態で固定用リング
５８および５９を上方に持上げるとペレット５６ははん
だ５４から分離される。このペレット５６のはんだ５４
からの分離を行うには全体に超音波振動を加えることし
効果的であり、加熱との併用を行ってもよい。各ペレッ
ト５６はシリコンゴム層５７で上面および周囲を囲まれ
ているため、ウェーハ切断時と同様の良好な整列状態が
維持される。
コンゴム樹脂を流し込んで硬化させてシリコンゴム層５
７を形成する。この際、後にシリコンゴム層５７を保持
するための固定用リング５８をあらかじめペレット周囲
に配置しておくことが望ましい。シリコンゴム層５７の
形成後、この上に他の固定用リング５９を載置し、固定
用リング５８とねじ等により締着する。これによりシリ
コンゴム層を単独で保持することができるので、第５図
に示すようにはんだを加熱溶融した状態で固定用リング
５８および５９を上方に持上げるとペレット５６ははん
だ５４から分離される。このペレット５６のはんだ５４
からの分離を行うには全体に超音波振動を加えることし
効果的であり、加熱との併用を行ってもよい。各ペレッ
ト５６はシリコンゴム層５７で上面および周囲を囲まれ
ているため、ウェーハ切断時と同様の良好な整列状態が
維持される。
次にこのペレット５６をシリコンゴム層５７１３よび固
定リング５８．５９と共にリードフレーム１２上に搬送
し、第６図に示すように、リードフレーム１２のベッド
上に正確に位置決めされたペレット５６を固定リング５
９の上方から押下げ治具６０によって押下げ、あらかじ
め供給されである銀ペースト等の導電性接着剤１３上に
載せ、ダイボンディングを行う。
定リング５８．５９と共にリードフレーム１２上に搬送
し、第６図に示すように、リードフレーム１２のベッド
上に正確に位置決めされたペレット５６を固定リング５
９の上方から押下げ治具６０によって押下げ、あらかじ
め供給されである銀ペースト等の導電性接着剤１３上に
載せ、ダイボンディングを行う。
以上のようなダイシングおよびマウンティングにおいて
はウェーハがはんだで強固に支持された状態で完全に切
断されブレーキングを必要とせず、しかもこのデツプの
整列状態がシリコンゴム樹脂によりそのまま維持される
ため、ウェーハ上での各チップの整列精度がマウンティ
ングの際まで保たれ、高精度のダイレクトマウンティン
グが可能になる。すなわら、本発明のダイレクトマウン
ティングによる位置精度は１０〜２０μの範囲であリ、
従来方法の数分の１となる。
はウェーハがはんだで強固に支持された状態で完全に切
断されブレーキングを必要とせず、しかもこのデツプの
整列状態がシリコンゴム樹脂によりそのまま維持される
ため、ウェーハ上での各チップの整列精度がマウンティ
ングの際まで保たれ、高精度のダイレクトマウンティン
グが可能になる。すなわら、本発明のダイレクトマウン
ティングによる位置精度は１０〜２０μの範囲であリ、
従来方法の数分の１となる。
以上の実施例において、ウェーハをベースに固着させる
のにはんだを用いたが、低融点でかつダイシングの際に
加わる力に抗してウェーハをベース上に保持できるもの
であれば他のろう材でも使用することができる。
のにはんだを用いたが、低融点でかつダイシングの際に
加わる力に抗してウェーハをベース上に保持できるもの
であれば他のろう材でも使用することができる。
また、ウェーハ切断後にペレット間とペレット表面に流
し込む樹脂はシリコンゴムに限らずダイレクトマウント
の際までペレットを保持しその後剥離が容易な樹脂であ
ればいずれも使用することができ、また剥離を容易にす
るために離型剤を併用することができる。
し込む樹脂はシリコンゴムに限らずダイレクトマウント
の際までペレットを保持しその後剥離が容易な樹脂であ
ればいずれも使用することができ、また剥離を容易にす
るために離型剤を併用することができる。
さらに固化した樹脂を支持する支持体は実施例では２つ
の同心リングであったが、上側のものはペレット位置に
対応した押下げ用の穴を有する板あるいは格子板等を使
用することができる。
の同心リングであったが、上側のものはペレット位置に
対応した押下げ用の穴を有する板あるいは格子板等を使
用することができる。
以上のように、本発明においてはダイシングの際ろう材
で固定した状態で完全切断によりペレットを形成し、こ
の整列状態を乱さないよう樹脂で固めた上、ろう材から
分離し、ダイレクトマウントを行うようにしているので
、リードフレームへのマウント精度が向上し、従来のよ
うな位置ずれ検出が不要となり、工程短縮および設（＃
ｉｉ費の低減が可能になる。
で固定した状態で完全切断によりペレットを形成し、こ
の整列状態を乱さないよう樹脂で固めた上、ろう材から
分離し、ダイレクトマウントを行うようにしているので
、リードフレームへのマウント精度が向上し、従来のよ
うな位置ずれ検出が不要となり、工程短縮および設（＃
ｉｉ費の低減が可能になる。
また、完全切断したペレットを用いてダイレクトマウン
トを行うため、ペレットのブレーキング工程が不要であ
る他、ペレット側面での割れや欠けが発生せず、７９２
１〜時にシリコン屑が混入しないことにより品質の向上
を図ることができる。
トを行うため、ペレットのブレーキング工程が不要であ
る他、ペレット側面での割れや欠けが発生せず、７９２
１〜時にシリコン屑が混入しないことにより品質の向上
を図ることができる。
第１図ないし４第７図は本発明の一実施例にかが説明図
である。 １．５１・・・ダイシンゲスデージ、４・・・粘右シー
ト、５，５３・・・ウェーハ、５ａ、５３ａ・・・溝、
５４・・・はんだ、６．５６・・・ペレット、７．５５
・・・ダイシングブレード、１２・・・リードフレーム
、１３・・・導電性接着剤、５７・・・シリコンゴム層
、５８．５９・・・固定リング、６０・・・押下げ治具
。 出願人代理人 猪 股 清 第１図 第３図
である。 １．５１・・・ダイシンゲスデージ、４・・・粘右シー
ト、５，５３・・・ウェーハ、５ａ、５３ａ・・・溝、
５４・・・はんだ、６．５６・・・ペレット、７．５５
・・・ダイシングブレード、１２・・・リードフレーム
、１３・・・導電性接着剤、５７・・・シリコンゴム層
、５８．５９・・・固定リング、６０・・・押下げ治具
。 出願人代理人 猪 股 清 第１図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体ウェーハをろう材を介して支持台に固着する
工程と、前記半導体ウェーハを所定の位置で回転刃によ
り完全に切断し、半導体ペレットを形成する工程と、切
断状態の前記半導体ペレットの上面および切断面に、剥
離が可能な状態で樹脂を流し込み、前記半導体ペレット
が整列状態のままであるように固化させる工程と、前記
半導体ペレットを前記固化した樹脂とともに前記ろう材
から分離する工程と、前記半導体ペレットを前記固化し
た樹脂から分離して取出し、リードフレームのベッドに
直接搭載する工程と、を備えたことを特徴とする半導体
装置の製造方法。 ２、樹脂が耐熱性のある樹脂である特許請求の範囲第１
項記載の半導体装置の製造方法。３、耐熱性のある樹脂
がシリコンゴム系の樹脂である特許請求の範囲第２項記
載の半導体装置の製造方法。 ４、ろう材がはんだである特許請求の範囲第１項記載の
半導体装置の製造方法。 ５、半導体ペレットのろう材からの分離が加熱によるは
んだの溶融によって行われる特許請求の範囲第４項記載
の半導体装置の製造方法。 ６、半導体ペレットのろう材からの分離が超音波振動を
加えることにより行われる特許請求の範囲第１項記載の
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59203251A JPS6181651A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59203251A JPS6181651A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6181651A true JPS6181651A (ja) | 1986-04-25 |
Family
ID=16470929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59203251A Pending JPS6181651A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6181651A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5219796A (en) * | 1991-11-04 | 1993-06-15 | Xerox Corporation | Method of fabricating image sensor dies and the like for use in assembling arrays |
| JP2013235622A (ja) * | 2012-05-07 | 2013-11-21 | Nhk Spring Co Ltd | スライダの取り外し方法 |
-
1984
- 1984-09-28 JP JP59203251A patent/JPS6181651A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5219796A (en) * | 1991-11-04 | 1993-06-15 | Xerox Corporation | Method of fabricating image sensor dies and the like for use in assembling arrays |
| JP2013235622A (ja) * | 2012-05-07 | 2013-11-21 | Nhk Spring Co Ltd | スライダの取り外し方法 |
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