JPS61287136A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS61287136A JPS61287136A JP60128727A JP12872785A JPS61287136A JP S61287136 A JPS61287136 A JP S61287136A JP 60128727 A JP60128727 A JP 60128727A JP 12872785 A JP12872785 A JP 12872785A JP S61287136 A JPS61287136 A JP S61287136A
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- junction
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- semiconductor element
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は半導体素子の電極に、インナーリードの一端
を接合する構造を有する半導体装置に関する。
を接合する構造を有する半導体装置に関する。
従来の技術
従来のこの種の半導体構造において、第３図に示すよう
な配線基板が用いられてｈる。
な配線基板が用いられてｈる。
この配線基板は、ポリイミドのような絶縁フィルム１に
接着剤２を用いて、先端部に突起３をもつインナーリー
ド４を接着してなり、その銅製本体４ａの外周にニッケ
ルメッキ層６と金メッキ層ｅを数ミクロンの厚さで形成
している。
接着剤２を用いて、先端部に突起３をもつインナーリー
ド４を接着してなり、その銅製本体４ａの外周にニッケ
ルメッキ層６と金メッキ層ｅを数ミクロンの厚さで形成
している。
発明が解決しようとする問題点
しかし、このような構造のものでは、金メッキ層６が薄
すぎて、半導体素子７のアルミニウム電極８の表面に形
成されている酸化膜を十分に破りアルミニウムの真性層
を出すことができないので、半導体素子７の前記電極８
と金メッキ層６を十分な強度で接続できないという問題
があった。また、電気メッキで金メッキ層ｅを形成する
ため、前記突起３以外の部分にも金メッキが施されるの
で、全使用量が増大してコストアップの要因になってい
た。
すぎて、半導体素子７のアルミニウム電極８の表面に形
成されている酸化膜を十分に破りアルミニウムの真性層
を出すことができないので、半導体素子７の前記電極８
と金メッキ層６を十分な強度で接続できないという問題
があった。また、電気メッキで金メッキ層ｅを形成する
ため、前記突起３以外の部分にも金メッキが施されるの
で、全使用量が増大してコストアップの要因になってい
た。
本発明は、上記問題点を解決することを目的とするもの
である。
である。
問題点を解決するための手段
そして上記問題点を解決する本発明の技術的な手段は、
半導体素子の電極に、インナーリードの一端を接合する
ものにおいて、インナーリードの一端に金製バンプを取
付けると共に、金製バンプの前記電極に対する接合面に
小突起を形成し、前記電極に前記金製バンプを介してイ
ンナーリードの一端を接合したことを特徴とするもので
ある。
半導体素子の電極に、インナーリードの一端を接合する
ものにおいて、インナーリードの一端に金製バンプを取
付けると共に、金製バンプの前記電極に対する接合面に
小突起を形成し、前記電極に前記金製バンプを介してイ
ンナーリードの一端を接合したことを特徴とするもので
ある。
作 用
この技術的手段による作用は次のようになる。
すなわち、インナーリードを半導体素子の電極に接合す
るとき、金製バンプはその接合面に形成されている小突
起でまず半導体素子の電極の表面酸化物を破って、つぎ
に接合面全体で前記電極と接合するために、接合面積が
大きくなって接合強度が増大する。
るとき、金製バンプはその接合面に形成されている小突
起でまず半導体素子の電極の表面酸化物を破って、つぎ
に接合面全体で前記電極と接合するために、接合面積が
大きくなって接合強度が増大する。
実施例
以下、本発明の一実施例を添付図面にもとづいて説明す
る。
る。
第１図において、１１はポリイミドなどの絶縁フィルム
で、この絶縁フィルム１１の片面に接着剤１２を用いて
インナーリード１６が接着されていて、さらにインナー
リード１６の全面に０．２μｍ〜１．０μｍ の厚みで
錫メッキ層１６が形成されている。電気メッキ等の手段
によって四角錐台状に形成された金製バンプ１３はその
接合面１９に小突起１４を有している。この金製バンプ
１３は熱圧着等によってインナーリード１６の先端部下
面に前記メッキ層１６を介して取付けられている。
で、この絶縁フィルム１１の片面に接着剤１２を用いて
インナーリード１６が接着されていて、さらにインナー
リード１６の全面に０．２μｍ〜１．０μｍ の厚みで
錫メッキ層１６が形成されている。電気メッキ等の手段
によって四角錐台状に形成された金製バンプ１３はその
接合面１９に小突起１４を有している。この金製バンプ
１３は熱圧着等によってインナーリード１６の先端部下
面に前記メッキ層１６を介して取付けられている。
前記金製バンプ１３は、例えばその上辺Ａを２６ｐｍ、
下辺Ｂを８５μｍ、高さＨを３０ ｐｍに夫々形成し、
又前記小突起１４の一辺Ｃを２６μｍ 、その高さＨを
０．１〜２．０μ常に夫々形成すると好適である。
下辺Ｂを８５μｍ、高さＨを３０ ｐｍに夫々形成し、
又前記小突起１４の一辺Ｃを２６μｍ 、その高さＨを
０．１〜２．０μ常に夫々形成すると好適である。
半導体素子１７の上面適所には、アルミニウム電極１８
が形成されていると共に、この電極１８の周囲はバック
ベージタン膜２ｏで被覆されている。
が形成されていると共に、この電極１８の周囲はバック
ベージタン膜２ｏで被覆されている。
前記インナーリード１６の一端を前記電極１８に接合す
るに際しては、加圧ツールを用い、前記金製バンプ１３
に押圧力と熱を与えることによって、この金製バンプ１
３を前記電極１８に溶融一体化させる。この結果、第２
図に示す半導体装置が得られる。
るに際しては、加圧ツールを用い、前記金製バンプ１３
に押圧力と熱を与えることによって、この金製バンプ１
３を前記電極１８に溶融一体化させる。この結果、第２
図に示す半導体装置が得られる。
次に、この一実施例の構成における作用を説明する。イ
ンナーリード１６の一端に取付けた金製バンプ１３を半
導体素子１７の前記電極１８に接合するときに、金製バ
ンプ１３の接合面１９の小突起１４がまず前記電極１８
に接触しここに押圧力が集中的に作用する結果押し広げ
られ、前記電極１８の表面酸化膜を破シ、前記電極１８
の真生面との接触が図られ、さらに金製バンプ１３の接
合面１９全体が前記電極１８に接合される。
ンナーリード１６の一端に取付けた金製バンプ１３を半
導体素子１７の前記電極１８に接合するときに、金製バ
ンプ１３の接合面１９の小突起１４がまず前記電極１８
に接触しここに押圧力が集中的に作用する結果押し広げ
られ、前記電極１８の表面酸化膜を破シ、前記電極１８
の真生面との接触が図られ、さらに金製バンプ１３の接
合面１９全体が前記電極１８に接合される。
以上のように本実施例では、金製バンプ１３の接合面１
９に小突起１４を形成しているため、加圧ツールからの
押圧力が小突起１４に集中して作用する結果、半導体素
子１７の前記電極１８の表面酸化膜を破シ易く、接合強
度が増して、信頼性の高い接合ができる。又インナーリ
ード１６の一端にのみ金製バンプ１３を堆付けた構成に
しているため、第３図に示す従来例に比較して、高価な
金の使用量を節減できる。特に本実施例に示すように金
製バンプ１３を四角錐台形状等の錐台形状に形成すると
全使用量の節減効果が大になる。
９に小突起１４を形成しているため、加圧ツールからの
押圧力が小突起１４に集中して作用する結果、半導体素
子１７の前記電極１８の表面酸化膜を破シ易く、接合強
度が増して、信頼性の高い接合ができる。又インナーリ
ード１６の一端にのみ金製バンプ１３を堆付けた構成に
しているため、第３図に示す従来例に比較して、高価な
金の使用量を節減できる。特に本実施例に示すように金
製バンプ１３を四角錐台形状等の錐台形状に形成すると
全使用量の節減効果が大になる。
なお、前記インナーリード１６の形状は、ストレートな
ものでも、金製バンプ１３を取付ける部分を広幅に形成
したものでもよい。
ものでも、金製バンプ１３を取付ける部分を広幅に形成
したものでもよい。
発明の効果
以上のように本発明は、インナーリードの一端に金製バ
ンプを取付けると共に金製バンプの接合面に小突起を形
成していることによって、接合時に半導体素子の電極の
表面酸化膜を容易に破壊してその真生面と前記金製バン
プとの接触を容易にすることができる結果、インナーリ
ードと前記電極との接合を確実にできるという効果があ
シ、また、インナーリードの先端部にのみ金製バンプを
取付けた構成としているので、高価な金の使用量を節減
でき、コストダウンが可能であるという効果がある。
ンプを取付けると共に金製バンプの接合面に小突起を形
成していることによって、接合時に半導体素子の電極の
表面酸化膜を容易に破壊してその真生面と前記金製バン
プとの接触を容易にすることができる結果、インナーリ
ードと前記電極との接合を確実にできるという効果があ
シ、また、インナーリードの先端部にのみ金製バンプを
取付けた構成としているので、高価な金の使用量を節減
でき、コストダウンが可能であるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例において、接合前の状態を示
す主要部拡大断面図、第２図はその実施例の接合後の状
態を示す主要部拡大断面図、第３図は従来例の主要部拡
大断面図である。 １３・・・・・・金製バンプ、１４・・・・・・小突起
、１６・・・・・・インナーリード、１７・・・・・・
半導体素子、１８・・・・・・電極、１９・・・・・・
接合面。
す主要部拡大断面図、第２図はその実施例の接合後の状
態を示す主要部拡大断面図、第３図は従来例の主要部拡
大断面図である。 １３・・・・・・金製バンプ、１４・・・・・・小突起
、１６・・・・・・インナーリード、１７・・・・・・
半導体素子、１８・・・・・・電極、１９・・・・・・
接合面。
Claims (2)
- （１）半導体素子の電極に、インナーリードの一端を接
合した半導体装置において、インナーリードの一端に金
製バンプを取付けると共に、金製バンプの前記電極に対
する接合面に小突起を形成し、前記電極に前記金製バン
プを介してインナーリードの一端を接合したことを特徴
とする半導体装置。 - （２）金製バンプを錐台形状に形成し、その接合面側が
広面積になるようにした特許請求の範囲第１項記載の半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60128727A JPS61287136A (ja) | 1985-06-13 | 1985-06-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60128727A JPS61287136A (ja) | 1985-06-13 | 1985-06-13 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61287136A true JPS61287136A (ja) | 1986-12-17 |
Family
ID=14991946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60128727A Pending JPS61287136A (ja) | 1985-06-13 | 1985-06-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61287136A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0320244A2 (en) * | 1987-12-08 | 1989-06-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrical contact bump and a package provided with the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5987849A (ja) * | 1982-11-10 | 1984-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属突起物付テ−プキヤリアの製造方法 |
-
1985
- 1985-06-13 JP JP60128727A patent/JPS61287136A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5987849A (ja) * | 1982-11-10 | 1984-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属突起物付テ−プキヤリアの製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0320244A2 (en) * | 1987-12-08 | 1989-06-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrical contact bump and a package provided with the same |
| US5014111A (en) * | 1987-12-08 | 1991-05-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrical contact bump and a package provided with the same |
| US5090119A (en) * | 1987-12-08 | 1992-02-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of forming an electrical contact bump |
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