JPH1022337A - 半導体チップの接合方法 - Google Patents

半導体チップの接合方法

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JPH1022337A
JPH1022337A JP8174580A JP17458096A JPH1022337A JP H1022337 A JPH1022337 A JP H1022337A JP 8174580 A JP8174580 A JP 8174580A JP 17458096 A JP17458096 A JP 17458096A JP H1022337 A JPH1022337 A JP H1022337A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体チップをプリント基板に強固に金属接合
させるに好適な金バンプへの低融点金属の転写方法と、
これをプリント回路基板に接合する方法。 【解決手段】半導体シリコンチップに金バンプを形成
し、低融点金属特にインジウムや鉛−インジウム箔の上
に金バンプを加圧加熱することにより、半溶融状態にし
た低融点金属を金バンプの先端部に転写した後、プリン
ト基板のパッドと加熱接合して金属接合層を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体チップの接合
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体シリコンチップ（以下チップとい
う）はアルミニウム系メタライズ層の上に金線のワイヤ
ボンディングによる接続が主流である。この技術は金線
を加熱してボールを形成し、アルミニウム系メタライズ
層の上で加圧することによる塑性流動でもって金−アル
ミニウム合金層を形成せしめることにある。最近のこの
技術の応用は、ワイヤボンディングした後にその加圧部
の上で線を切断した、いわゆる金バンプを形成する方法
として発展した。
【０００３】この技術はウェハについて選別した後の個
片に切断分離したチップにバンプを形成でき、またワイ
ヤボンディング用金ワイヤの細線化が容易なため、微細
かつ不等ピッチのパッドにバンプを容易に形成できる利
点を有している。さらに金バンプをプリント回路基板に
接合する方法には、主として銀合金系の導電ペーストを
介して接合する方法が知られている。
【０００４】しかし、導電ペーストを用いる方法は工程
が複雑であり、導電ペーストの金属粒子を加圧により連
続体にしなければならないため、大きな加圧力が必要で
ある。このためプリント回路基板の極薄の銅パッドを変
形したり、銅パッドの裏側を平坦にしなければならない
等の障害がある。これに対して金バンプを、プリント回
路基板基板パッド上に形成したメタライズ層との間では
んだ材料により溶融接合する方法は無荷重で済むため、
前述の障害がなくなり、また工程簡略化に利点がある。
すなわち基板パッドの材質は一般に銅であり、あるいは
その上にメタライズ層としてニッケル下地の金や銀めっ
き、はんだ金属層などが普及しているため、これらのメ
タライズ層との間に金バンプをはんだ接続する技術が求
められる。
【０００５】しかしこれらのメタライズ層と金バンプと
の間を直接接合する場合、例えばメタライズ層が金や銀
めっきの場合、接合のための加熱温度がプラスチック系
プリント基板の耐熱性を越えた高温になる欠陥がある。
またメタライズ層が低温で接合できるはんだ材料、なか
んずく錫合金の場合には、金と錫合金の反応で生成する
金属間化合物層だけでは機械的に脆弱なことが知られて
いる。
【０００６】これらの弱点の解決のための一つの手段
は、金−インジウム、インジウム−錫および金−錫の３
合金系からなる接合層を形成することが、温度および機
械的性質について好適である。すなわちインジウムと
金、銀、錫およびニッケルとの合金の金属状態図を図１
から図４に示すが、いずれもインジウムとは金属間化合
物を生成し、かつ強固に接続できることが知られてい
る。しかしインジウムをプリント基板パッド上に供給す
るには無電解めっき法がもっとも工業的と考えられる
が、インジウム無電解めっき技術は得られていない。ま
た蒸着法その他の物理化学的方法でインジウム合金層を
形成すると、極めて高価なものになり、半導体チップの
接合への応用が制約されている。
【０００７】さらに金属インジウム成分を供給する他の
方法は融点の低い鉛−インジウム合金であるが、この場
合も微細なプリント基板パッド上に塗布する方法が限ら
れる。すなわち、溶融したインジウムや鉛−インジウム
合金に浸浸する方法はその一の方法であるが、パッドピ
ッチが100μ程度の微細ピッチの場合に、塗布厚さを均
一に得ることが困難である。また粒子状鉛−インジウム
合金をフラックスと混練したはんだペーストが入手可能
であるが、パッドピッチが100μ程度の微細ピッチの場
合には印刷困難である。
【０００８】さらに他の方法として溶融した低融点金属
に金バンプを浸漬する方法が想定されるが、金バンプ形
成部の強度低下を防ぐためには先端部だけに付着せしめ
る必要があり、溶融金属液上の浸漬方法について20μ前
後の微細高さを制御することは困難である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体チッ
プをプリント基板に強固に金属接合させるに好適な金バ
ンプへの低融点金属の転写方法と、これをプリント回路
基板に接合する方法。を提供するにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、主として半導
体シリコンチップのパッド上に形成した金バンプを主と
してインジウムないし同鉛合金等の低融点金属箔上に加
圧加熱し、金バンプの先端部に半溶融状金属を転写せし
め、これをプリント回路基板の主として錫系メタライズ
層との間に強固に接続することを容易にする。その原理
は、インジウムや鉛インジウム合金の供給の困難さに対
して、入手容易な薄い箔を利用し、半溶融になした金属
インジウムないし同鉛合金を転写することにより厚さ制
御を容易ならしめようとするものである。かつ低融点金
属を転写した金バンプをプリント回路基板に搭載して、
主として金−インジウム、インジウム−錫合金、金−錫
の３合金系よりなる接合層を形成することである。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の原理を、図５、図６につ
いて説明する。図５において半導体チップ１に形成され
た金バンプ２の断面形状は円形の凸体であり、先端部３
に図６に示すように主として半溶融状のインジウムない
し鉛−インジウム等の低融点金属１１を転写、付着させ
ることにある。以下はインジウムについて説明する。
【００１２】まず図７においてチップ１を加熱ヒータ４
の先端のノズル５で吸着したまま、定盤６の位置７上に
真空吸引して固定したインジウム箔８の上におく。つい
で加熱ヒータ４の取付け軸９に取り付けた荷重計１０に
より荷重を制御しながら金バンプ先端部３下のインジウ
ム箔８に押し当てて加熱し、インジウム箔を局部的に半
溶融状にすることにより金バンプ先端部３に転写せしめ
る。加熱ヒータ４の設定温度は、ヒータ４やチップ１、
さらにインジウム箔８を置く定盤６等の構成体により異
なるから、インジウム箔が部分的に半溶融状態になる温
度、すなわち融点直上の温度になるように予め条件決定
しておく。また荷重値の最小値は、金バンプの先端部３
がインジウム箔８に接触する荷重値に加えて、インジウ
ム箔を半溶融状態にしながら底部まで押し圧するための
荷重であり、系によって異なる。本実施例ではバンプ数
当たり0.1−0.2Paで、金バンプの先端部３を変形させな
い十分に低荷重である。
【００１３】本発明の１実施例は、金バンプの先端部３
の高さが約25μであるため、インジウム箔８の厚さを20
〜30μとした。チップ厚さは0.45mmで加熱ヒータ３の設
定温度は180℃である。条件で金バンプ先端部３とイン
ジウム箔８との間に微細熱電対を挟んで得られた温度は
約160℃であり、金属インジウムの融点（156.3℃）より
わずかに高い程度である。なお加熱ヒータ３の設定温度
条件の良否を検証する目的で、同様厚さの鉛−錫共晶は
んだ(融点183℃)について測定した結果は、加熱ヒータ
３の設定温度が250℃のときに、熱電対温度は約195℃で
ある。このことは、金属箔の表面温度を融点の5−10℃
になるように加熱ヒータ３の温度を設定して加圧すれ
ば、十分に半溶融状態が得られることを意味する。この
ような条件により金バンプ先端部３に転写後のインジウ
ム11が先端部３を越えることなく付着させることができ
た。なお金バンプの先端部３の高さばらつきは、予め加
圧して平坦化しており、高さばらつきは±２μである。
【００１４】ついでプリント回路基板表面に錫合金層を
有するパッド上にフラックスを塗布し、金バンプ先端に
インジウム11を転写したチップ１を搭載した後、炉中で
加熱し、金−インジウム、インジウム−錫、金−錫合金
層よりなる接合層を形成した。
【００１５】本発明の他の実施例を図８について説明す
る。
【００１６】第一実施例により金バンプ先端3にインジ
ウム11を加熱転写せしめる位置７とは別の同一の設備内
の位置12にプリント回路基板１３を真空吸着し、基板13
のパッド14上に予めフラックスを塗布した後、チップ１
を搭載し、直ちに加熱ヒータ３により加圧加熱して、金
−インジウム、インジウム−錫、金−錫合金層よりなる
接合層を形成した。なお、加熱ヒータ３の温度ならびに
荷重設定条件は予め最適値を求めておく必要のあること
は、先に述べたと同様である。なお本実施例から想定さ
れる他の方法は、低融点金属箔全体を予め融点直上の温
度に加熱しておくことにより、加熱ヒータ３の温度を制
御しなくて良いとの利点が想定されるが、金属を半溶融
状態で長時間加熱保持する弊害は、その酸化である。し
たがって本実施例のように部分的、かつ短時間の加熱に
よる方が好適である。
【００１７】本発明の実施例は主として低融点金属に関
してインジウムについて説明したが、鉛−インジウムに
も同様であり、さらに箔状に入手可能な鉛−錫はんだ系
その他の低融点金属材料についても応用可能である。さ
らに低融点金属箔の使用量は極めて少なく、金バンプに
転写された個所以外は再生可能な利点がある。
【００１８】また本実施形態の例はプリント回路基板と
の接合層が３合金系の場合を説明したが、低融点金属と
して鉛−インジウムを用いる場合のように４合金以上の
系であっても構わない。さらにプリント回路基板のパッ
ドメタライズ層が主として錫について説明したが、ほか
に鉛−錫ないし銀−錫系のほかに金・銀合金あるいはパ
ラジウム合金であっても良い。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、半導体チップの金バン
プに低融点金属を簡単な工程で転写でき、プリント基板
との接続が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の接続体の利点を示すための金−インジ
ウム金属合金の状態図。
【図２】本発明の接続体の利点を示すための銀−インジ
ウム金属合金の状態図。
【図３】本発明の接続体の利点を示すための錫−インジ
ウム金属合金の状態図。
【図４】本発明の接続体の利点を示すためのニッケル−
インジウム金属合金の状態図。
【図５】本発明の対象とする金バンプの形態を示す説明
図。
【図６】本発明の原理を示す説明図。
【図７】本発明の実施例１の説明図。
【図８】本発明の他の実施例２の説明図。
【符号の説明】
１…半導体チップ、 ２…金バンプ、 ３…金バンプ先端部。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】プリント基板のパッド上に表面実装はんだ
    付けする半導体チップにおいて、上記半導体チップに形
    成した金バンプの先端を低融点金属箔上に加圧加熱し、
    上記金バンプ先端部に半溶融状態の低融点金属を転写し
    た後、上記プリント基板の上記パッド上に形成した固形
    状はんだとの間で溶融接合することにより、上記金バン
    プとはんだとの接続層を形成することを特徴とする半導
    体チップの接合方法。
  2. 【請求項２】請求項１において、上記金バンプの先端を
    上記低融点金属箔上に加圧加熱する工程と、上記工程で
    上記金バンプの先端に上記低融点金属を転写したチップ
    を上記プリント基板のパッド上に接合する工程とを、同
    一の設備内で行う半導体チップの接合方法。
JP8174580A 1996-07-04 1996-07-04 半導体チップの接合方法 Pending JPH1022337A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002071489A1 (en) * 2001-03-01 2002-09-12 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Image sensor and production method therefore
WO2003041175A1 (fr) * 2001-11-05 2003-05-15 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Capteur d'images et son procede de fabrication

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002071489A1 (en) * 2001-03-01 2002-09-12 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Image sensor and production method therefore
EP1365453A1 (en) * 2001-03-01 2003-11-26 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Image sensor and production method therefore
US6992297B2 (en) 2001-03-01 2006-01-31 Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Image sensor and manufacturing method thereof
US7041981B2 (en) 2001-03-01 2006-05-09 Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Image sensor and manufacturing method thereof
EP1365453A4 (en) * 2001-03-01 2008-04-30 Mitsubishi Heavy Ind Ltd IMAGE SENSOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
WO2003041175A1 (fr) * 2001-11-05 2003-05-15 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Capteur d'images et son procede de fabrication
US7042008B2 (en) 2001-11-05 2006-05-09 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Image sensor and method of manufacturing the same

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