JPS62285447A - 電気的接続接点の形成方法 - Google Patents
電気的接続接点の形成方法Info
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- JPS62285447A JPS62285447A JP61128655A JP12865586A JPS62285447A JP S62285447 A JPS62285447 A JP S62285447A JP 61128655 A JP61128655 A JP 61128655A JP 12865586 A JP12865586 A JP 12865586A JP S62285447 A JPS62285447 A JP S62285447A
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- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
産業上の利用分野
本発明は、ＩＣチップに代表されるチップ状の電子部品
を基板上の端子電極群と接続するために、電気的接続接
点を基板上の端子電極上のみに正確に形成する電気的接
続接点の形成方法に関するものである。
を基板上の端子電極群と接続するために、電気的接続接
点を基板上の端子電極上のみに正確に形成する電気的接
続接点の形成方法に関するものである。
従来の技術
従来、電子部品の接続端子と基板上の回路パターン端子
との接続には半田付けがよく利用されていたが、近年、
たとえばＩＣフラットパッケージ等の小型化と、接続端
子の増加により、接続端子間、いわゆるピッチ間隔が次
第に狭くなり、従来の半田付は技術で対処することが次
第に困難になってきた。また、最近では電卓、電子時計
あるいは液晶ディスプレイ等にあっては、裸のＩｃチッ
プをガラス基板上の電極に直付けして実装面積の効率的
使用を図ろうとする動きがあり、半田付けに代わる有効
かつ微細な電気的接続手段が強く望まれている。裸のＩ
Ｃチップを基板の電極と電気的に接続する方法としては
、メッキ技術によりＩＣチップの電極パッド上に形成し
た突出接点（バンブ）を用いたものが知られている。既
知の突出接点の形成方法は、最初にＩＣ基板上の電極パ
ッド上に、クロム（Ｃｒ）、！Ｒ（Ｃｕ）、金（Ａｕ）
等の金属蒸着膜部を形成し、さらにレジストをかけて、
クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）等の金属メブキ部を形成し
た後、余分なレジストと金属薫着膜を除去して、突出接
点を形成するというものである。
との接続には半田付けがよく利用されていたが、近年、
たとえばＩＣフラットパッケージ等の小型化と、接続端
子の増加により、接続端子間、いわゆるピッチ間隔が次
第に狭くなり、従来の半田付は技術で対処することが次
第に困難になってきた。また、最近では電卓、電子時計
あるいは液晶ディスプレイ等にあっては、裸のＩｃチッ
プをガラス基板上の電極に直付けして実装面積の効率的
使用を図ろうとする動きがあり、半田付けに代わる有効
かつ微細な電気的接続手段が強く望まれている。裸のＩ
Ｃチップを基板の電極と電気的に接続する方法としては
、メッキ技術によりＩＣチップの電極パッド上に形成し
た突出接点（バンブ）を用いたものが知られている。既
知の突出接点の形成方法は、最初にＩＣ基板上の電極パ
ッド上に、クロム（Ｃｒ）、！Ｒ（Ｃｕ）、金（Ａｕ）
等の金属蒸着膜部を形成し、さらにレジストをかけて、
クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）等の金属メブキ部を形成し
た後、余分なレジストと金属薫着膜を除去して、突出接
点を形成するというものである。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら斯かる方法においては、突出接点の形成方
法はかなり複雑で、多数の処理工程および高度のエツチ
ング、メッキ技術が必要であった。
法はかなり複雑で、多数の処理工程および高度のエツチ
ング、メッキ技術が必要であった。
本発明は上記の問題点に濫みてなされたものであり、そ
の目的とする所は微細かつ密に電子部品の電極バンドと
基板上の電極群とを信頼性よく直付けするために、基板
上の電極群、あるいは電子部品、たとえばＩＣチップの
電極パッド上に電気的接続接点を簡易に、かつ、信頼性
よく形成しようとすることにある。
の目的とする所は微細かつ密に電子部品の電極バンドと
基板上の電極群とを信頼性よく直付けするために、基板
上の電極群、あるいは電子部品、たとえばＩＣチップの
電極パッド上に電気的接続接点を簡易に、かつ、信頼性
よく形成しようとすることにある。
問題点を解決するための手段
本発明は上記の問題点を解決するため、微細ピッチ２微
細端子電極が形成されている基板の微細端子電極上への
電気的接続接点の形成において、金属ワイヤの先端に熱
によるエネルギーを加えることによってボールを形成す
る。このボールを前記微細ピンチ、微細端子電極が形成
されている基板の微細端子電極部に押圧して接続した後
、前記金属ワイヤをボールのつけ根の部分で切断して突
出接点を形成する。しかる後に前記微細端子電極群上に
突出接点が形成された基板の突出接点面を、別に用意し
た支持基材上で熱により溶融した低融点合金または金属
面に合わせて圧着して、前記低融点合金または金属を突
出接点上のみに転写することを特徴として電気的接続接
点の形成を実現しようとするものである。
細端子電極が形成されている基板の微細端子電極上への
電気的接続接点の形成において、金属ワイヤの先端に熱
によるエネルギーを加えることによってボールを形成す
る。このボールを前記微細ピンチ、微細端子電極が形成
されている基板の微細端子電極部に押圧して接続した後
、前記金属ワイヤをボールのつけ根の部分で切断して突
出接点を形成する。しかる後に前記微細端子電極群上に
突出接点が形成された基板の突出接点面を、別に用意し
た支持基材上で熱により溶融した低融点合金または金属
面に合わせて圧着して、前記低融点合金または金属を突
出接点上のみに転写することを特徴として電気的接続接
点の形成を実現しようとするものである。
作用
しかし本発明の上記した方法によれば、基板上の微細端
子電極上に簡易に突出接点を信頼性よく形成することが
でき、かつ、上記突出接点にのみ選択的に低融点合金ま
たは金属を転写することができ、簡易で信頼性の高い電
気的接続接点が形成できる。
子電極上に簡易に突出接点を信頼性よく形成することが
でき、かつ、上記突出接点にのみ選択的に低融点合金ま
たは金属を転写することができ、簡易で信頼性の高い電
気的接続接点が形成できる。
実施例
以下、本発明の一実施例の電気的接続接点の形成方法に
ついて図面に基づいて詳細に説明する。
ついて図面に基づいて詳細に説明する。
第１図から第４図は本発明の電気的接続接点の形成方法
め第１の実施例を示す工程断面図である。
め第１の実施例を示す工程断面図である。
また、第５図は本発明の電気的接続接点の形成方法を用
いて］Ｃチップを基板上に実装する工程断面図を示す。
いて］Ｃチップを基板上に実装する工程断面図を示す。
図において、１はＩＣ基板、２はＩＣチップの電極パッ
ド、３はボール、４はキャピラリ、５はバンブ（突出接
点）、６はＩＣチップ、７は支持基材、８は低融点合金
または金属、９および１３は加熱へラド、１０はつぶれ
たバンブ、１１はガラス基板、１２は透明端子電極（Ｉ
ＴＯ電極）である。
ド、３はボール、４はキャピラリ、５はバンブ（突出接
点）、６はＩＣチップ、７は支持基材、８は低融点合金
または金属、９および１３は加熱へラド、１０はつぶれ
たバンブ、１１はガラス基板、１２は透明端子電極（Ｉ
ＴＯ電極）である。
本発明の第１の実施例では、まず第１図に示すようにキ
ャピラリ４を通した金属ワイヤの先端に熱によるエネル
ギーを加えてボール３を形成する。
ャピラリ４を通した金属ワイヤの先端に熱によるエネル
ギーを加えてボール３を形成する。
このボール３は既知のようにガス炎または静電放電等に
よって形成される。金属ワイヤの材質としては通常は金
（Ａｕ）またはアルミニウム（Ａ＃）が一般的であるが
、銅（Ｃｕ）などの他の材料を用いることも可能である
。このようにして形成したボール３をＩＣ基板１上の１
００μｍ口の電極パッド２部に熱圧着または超音波また
はその併用によって固着した後、ボール３のつけ根の金
属ワイヤの部分で切断することによって、第２図に示す
ように突出接点５を形成する。
よって形成される。金属ワイヤの材質としては通常は金
（Ａｕ）またはアルミニウム（Ａ＃）が一般的であるが
、銅（Ｃｕ）などの他の材料を用いることも可能である
。このようにして形成したボール３をＩＣ基板１上の１
００μｍ口の電極パッド２部に熱圧着または超音波また
はその併用によって固着した後、ボール３のつけ根の金
属ワイヤの部分で切断することによって、第２図に示す
ように突出接点５を形成する。
以上のようにしてＩＣチップ６上の全ての電極パッド２
上に突出接点５を形成した後、第３図に示すように別に
用意された支持基材７上に低融点合金または金属８を数
十μｍ厚形成した低融点合金または金属付基材を加熱ヘ
ッド９上で低融点合金または金属８を溶融させる。低融
点合金または金属８の材質としてはインジウム（Ｉｎ）
を主とする合金またはその単体を用いることができるが
、他の低融点合金または金属でもよい、その後、全ての
電極パッド２上に突出接点５が形成されたＩＣチンプロ
上の突出接点５を？８融した低融点合金または金属８と
対向させて圧着すると、第４図に示すようにつぶれた突
出接点ＩＣ上のみに低融点合金または金属８が転写され
、電気的接続接点が形成される。また、第５図に示すよ
うに第１の実施例で得たＩＣチップ６の電極パッド２上
に形成された金（Ａｕ）等からなる突出接点と低融点合
金または金属８とからなる電気的接続接点と、ガラス基
板１１上の１００μｍ口のＩＴＯ電極１２とを対向させ
圧着した後、加熱ヘッド１３によってつぶれた突出接点
１０上の低融点合金または金属８を溶融させて固着する
と、ＩＣチップとガラス基板との接続ができる。
上に突出接点５を形成した後、第３図に示すように別に
用意された支持基材７上に低融点合金または金属８を数
十μｍ厚形成した低融点合金または金属付基材を加熱ヘ
ッド９上で低融点合金または金属８を溶融させる。低融
点合金または金属８の材質としてはインジウム（Ｉｎ）
を主とする合金またはその単体を用いることができるが
、他の低融点合金または金属でもよい、その後、全ての
電極パッド２上に突出接点５が形成されたＩＣチンプロ
上の突出接点５を？８融した低融点合金または金属８と
対向させて圧着すると、第４図に示すようにつぶれた突
出接点ＩＣ上のみに低融点合金または金属８が転写され
、電気的接続接点が形成される。また、第５図に示すよ
うに第１の実施例で得たＩＣチップ６の電極パッド２上
に形成された金（Ａｕ）等からなる突出接点と低融点合
金または金属８とからなる電気的接続接点と、ガラス基
板１１上の１００μｍ口のＩＴＯ電極１２とを対向させ
圧着した後、加熱ヘッド１３によってつぶれた突出接点
１０上の低融点合金または金属８を溶融させて固着する
と、ＩＣチップとガラス基板との接続ができる。
なお、上の実施例においては、電気的接続接点が形成さ
れたＩＣチップ６をガラス基板ＩＩに実装した例を示し
たが、ＩＣチップを実装する基板はガラス基板に限定さ
れるものでなく、たとえばガラスエポキシの基板等でも
よいことは云うまでもない。
れたＩＣチップ６をガラス基板ＩＩに実装した例を示し
たが、ＩＣチップを実装する基板はガラス基板に限定さ
れるものでなく、たとえばガラスエポキシの基板等でも
よいことは云うまでもない。
発明の効果
以上に説明したように、本発明の電気的接続接点の形成
方法によれば、ＩＣチップの電極パッド部に電気的接続
接点を従来のネイルヘッドボンディングの技術を用いて
形成した突出接点上に、選択的に精度よく低融点合金ま
たは金属を転写することにより簡易に形成することがで
き、ＩＣチップのガラス基板上の電極への接続に限らず
、各種基板への電気的接続において、半田付は接続が困
難な超微細接続に効果を発揮するので、極めて実用価値
が高い。
方法によれば、ＩＣチップの電極パッド部に電気的接続
接点を従来のネイルヘッドボンディングの技術を用いて
形成した突出接点上に、選択的に精度よく低融点合金ま
たは金属を転写することにより簡易に形成することがで
き、ＩＣチップのガラス基板上の電極への接続に限らず
、各種基板への電気的接続において、半田付は接続が困
難な超微細接続に効果を発揮するので、極めて実用価値
が高い。
第１図、第２図、第３図、第４図は本発明の第１の実施
例を示す工程断面図、第５図は本発明の第１の実施例に
基づいてＩＣチップを基板上へ実装する工程断面図であ
る。 ｌ・・・・・・ＩＣチップ基板、２・・・・・・ＩＣチ
ップの電極パッド、３・・・・・・ポール、４・・・・
・・キャピラリ、５・・・・・・突出接点（バンプ）、
６・・・・・・ＩＣチップ、７・・・・・・支持基材、
８・・・・・・低融点合金または金属、９゜１３・・・
・・・加熱ヘッド、１０・・・・・・つぶれた突出接点
、１１・・・・・・ガラス基板、１２・・・・・・透明
端子電極（ＩＴＯ電極）。
例を示す工程断面図、第５図は本発明の第１の実施例に
基づいてＩＣチップを基板上へ実装する工程断面図であ
る。 ｌ・・・・・・ＩＣチップ基板、２・・・・・・ＩＣチ
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・・キャピラリ、５・・・・・・突出接点（バンプ）、
６・・・・・・ＩＣチップ、７・・・・・・支持基材、
８・・・・・・低融点合金または金属、９゜１３・・・
・・・加熱ヘッド、１０・・・・・・つぶれた突出接点
、１１・・・・・・ガラス基板、１２・・・・・・透明
端子電極（ＩＴＯ電極）。
Claims (1)
- 微細ピッチ、微細端子電極が形成されている基板の微
細端子電極上への電気的接続接点の形成において、金属
ワイヤの先端に熱によるエネルギーを加えることによっ
てボールを形成する工程と、前記ボールを前記微細ピッ
チ、微細端子電極が形成されている基板の微細端子電極
部に押圧して接続する工程と、前記金属ワイヤをボール
のつけ根の部分で切断して突出接点を形成する工程と、
前記微細端子電極群上に突出接点が形成された基板の突
出接点面を、別に用意した支持基材上で加熱により溶融
した低融点合金または金属面に合わせて圧着して前記低
融点合金または金属を突出接点上のみに転写する工程と
を含むことを特徴とする電気的接続接点の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61128655A JPS62285447A (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 | 電気的接続接点の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61128655A JPS62285447A (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 | 電気的接続接点の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62285447A true JPS62285447A (ja) | 1987-12-11 |
Family
ID=14990176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61128655A Pending JPS62285447A (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 | 電気的接続接点の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62285447A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0228935A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-01-31 | Omron Tateisi Electron Co | 実装用接合金属粒の形成法 |
-
1986
- 1986-06-03 JP JP61128655A patent/JPS62285447A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0228935A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-01-31 | Omron Tateisi Electron Co | 実装用接合金属粒の形成法 |
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