JPH0228935A - 実装用接合金属粒の形成法 - Google Patents
実装用接合金属粒の形成法Info
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- JPH0228935A JPH0228935A JP63179378A JP17937888A JPH0228935A JP H0228935 A JPH0228935 A JP H0228935A JP 63179378 A JP63179378 A JP 63179378A JP 17937888 A JP17937888 A JP 17937888A JP H0228935 A JPH0228935 A JP H0228935A
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- 239000002923 metal particle Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 25
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 4
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、例えば制御機器のプリント基板上に実装さ
れる実装部材を接合するための接合金属粒の形成法に関
し、さらに詳しくは基板上への接合に適した接合金属粒
を簡単に形成することができる実装用接合金属粒の形成
法に関する。
れる実装部材を接合するための接合金属粒の形成法に関
し、さらに詳しくは基板上への接合に適した接合金属粒
を簡単に形成することができる実装用接合金属粒の形成
法に関する。
（ロ）従来の技術
一般に、半導体素子等の実装部材を基板上に実装する際
は、例えば実装部材の電極対応上に導電性の加熱した小
さな接合金属粒を付着し、この接合金属粒を接着削代り
に使用して、実装部材を基板上に接合固定している。
は、例えば実装部材の電極対応上に導電性の加熱した小
さな接合金属粒を付着し、この接合金属粒を接着削代り
に使用して、実装部材を基板上に接合固定している。
ところで、この接合金属粒の形成に際しては、ハンダボ
ール形成、蒸着形成、メツキ形成、デイツプ形成、エツ
チング形成、熱転写形成等の種々の形成法が知られてい
る。
ール形成、蒸着形成、メツキ形成、デイツプ形成、エツ
チング形成、熱転写形成等の種々の形成法が知られてい
る。
しかし、これらはいずれも実装部材上に設けられた電極
との密着性を良くするなめに、接着金属層や拡散防止金
属層を必要として形成が複雑化し、また高価な設備を要
してコスト高となっていた。
との密着性を良くするなめに、接着金属層や拡散防止金
属層を必要として形成が複雑化し、また高価な設備を要
してコスト高となっていた。
そこで、超音波熱圧着形成法を用いれば、上述した接着
金属層や拡散防止金属層を要せずに良好な密着接合が可
能であるが、この場合は接合金属粒の高さが低く制約さ
れてしまい、接合に適した高さを十分にとれない問題を
有していた。
金属層や拡散防止金属層を要せずに良好な密着接合が可
能であるが、この場合は接合金属粒の高さが低く制約さ
れてしまい、接合に適した高さを十分にとれない問題を
有していた。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
この発明は、接合金属粒の形成に際して超音波熱圧着形
成法にハンダ被覆手段を加味することで、接合金属粒の
形成高さを十分に高くとることができる実装用接合金属
粒の形成法であることを目的とする。
成法にハンダ被覆手段を加味することで、接合金属粒の
形成高さを十分に高くとることができる実装用接合金属
粒の形成法であることを目的とする。
（ニ）問題点を解決するための手段
この発明は、基板上に実装すべき実装部材を接合金属粒
を介して実装する実装用接合金属粒の形成法であって、
前記接合金属粒素材としてのワイヤの先端を加熱して溶
融球状化部を形成し、この溶融球状化部を実装部材の電
極対応上に超音波熱圧着して小さな接合金属粒を形成し
、この形成された接合金属粒の外表面に、ハンダ被覆手
段によってハンダ層を被覆形成する実装用接合金属粒の
形成法である。
を介して実装する実装用接合金属粒の形成法であって、
前記接合金属粒素材としてのワイヤの先端を加熱して溶
融球状化部を形成し、この溶融球状化部を実装部材の電
極対応上に超音波熱圧着して小さな接合金属粒を形成し
、この形成された接合金属粒の外表面に、ハンダ被覆手
段によってハンダ層を被覆形成する実装用接合金属粒の
形成法である。
（ホ）発明の作用
この発明によれば、接合金属粒素材としてワイヤを用い
、これを加熱して形成した溶融球状化部を実装部材の電
極対応上に超音波熱圧着し、この超音波熱圧着によって
形成した小さな接合金属粒の外表面に、さらにハンダ被
覆手段によってハンダ層を被覆形成することにより、接
合に必要な高さを有する接合金属粒を形成する。
、これを加熱して形成した溶融球状化部を実装部材の電
極対応上に超音波熱圧着し、この超音波熱圧着によって
形成した小さな接合金属粒の外表面に、さらにハンダ被
覆手段によってハンダ層を被覆形成することにより、接
合に必要な高さを有する接合金属粒を形成する。
（へ）発明の効果
このように、接着金属層や拡散防止金属層を要せずに良
好な密着接合が得られる超音波熱圧着形成手段と、接合
に必要な高さを有する接合金属粒を形成可能なハンダ被
覆手段とを併用することによって、所望の接合金属粒を
簡単に形成することができ、現状のように複雑な形成や
高価な設備を要せず、能率よく低コストで接合金属粒を
形成することができる。
好な密着接合が得られる超音波熱圧着形成手段と、接合
に必要な高さを有する接合金属粒を形成可能なハンダ被
覆手段とを併用することによって、所望の接合金属粒を
簡単に形成することができ、現状のように複雑な形成や
高価な設備を要せず、能率よく低コストで接合金属粒を
形成することができる。
また、接合金属粒にはハンダ被覆層を有しているため、
この接合金属粒を介して接合する基板表面への接着性が
良好であり、また基板表面に対するハンダの有無に拘ら
ず、全ての基板に適用でき、基板の制約を受けなくなる
。
この接合金属粒を介して接合する基板表面への接着性が
良好であり、また基板表面に対するハンダの有無に拘ら
ず、全ての基板に適用でき、基板の制約を受けなくなる
。
（ト）実施例
この発明の一実施例を以下図面に基づいて詳述する。
図面は実装用接合金属粒の形成法を示し、これはワイヤ
の溶融球状化手段と、超音波熱圧着形成手段と、ハンダ
被覆手段とを用いて形成する。
の溶融球状化手段と、超音波熱圧着形成手段と、ハンダ
被覆手段とを用いて形成する。
先ず、ワイヤの溶融球状化手段は、第２図に示すように
、接合金属粒素材としての導電性のワイヤ１１を用い、
このワイヤ１１の下端部を放電発生用のトーチ１２に近
づけて、このワイヤ１１の下端部を加熱して所定の大き
さの溶融球状化部１３を形成する。
、接合金属粒素材としての導電性のワイヤ１１を用い、
このワイヤ１１の下端部を放電発生用のトーチ１２に近
づけて、このワイヤ１１の下端部を加熱して所定の大き
さの溶融球状化部１３を形成する。
この溶融球状化部１３に対し、図示しない超音波熱圧着
装置を用いて、半導体素子１４の上面に熱圧着させる。
装置を用いて、半導体素子１４の上面に熱圧着させる。
この超音波熱圧着形成手段は、第３図に示すように、平
板状を有する半導体素子１４の上面に、薄い保護膜１５
により支持された左右一対のアルミニウム電極１６．１
６を設け、このアルミニウム電極１６．１６上に、上述
した溶融球状化部１３を超音波熱圧着装置を用いて、例
えば断面台形状に小さく突出させた小接合金属粒１７．
１７を付着する。
板状を有する半導体素子１４の上面に、薄い保護膜１５
により支持された左右一対のアルミニウム電極１６．１
６を設け、このアルミニウム電極１６．１６上に、上述
した溶融球状化部１３を超音波熱圧着装置を用いて、例
えば断面台形状に小さく突出させた小接合金属粒１７．
１７を付着する。
この付着された小接合金属粒１７．１７の外表面に、ハ
ンダ被覆手段によって、ハンダ層１８を被覆形成する。
ンダ被覆手段によって、ハンダ層１８を被覆形成する。
このハンダ被覆手段は、第４図（Ａ）に示すように、半
導体素子１４上に形成された小接合金属粒１７．１７側
を下面側に向けた状態で、第４図（Ｂ）（Ｃ）に示すよ
うに、両側に突出する小接合金属粒１７．１７のみをハ
ンダ浴としての例えば錫−鉛（６０−４０ｗｔ％）のハ
ンダ処理槽１９中に数秒間浸漬した後、引上げる。これ
により、小接合金属粒１７．１７の外表面には、第１図
に示すように、図示しない基板上への接合に適した所定
厚さのハンダ層１８を被覆した接合金属粒２０を形成す
ることができる。
導体素子１４上に形成された小接合金属粒１７．１７側
を下面側に向けた状態で、第４図（Ｂ）（Ｃ）に示すよ
うに、両側に突出する小接合金属粒１７．１７のみをハ
ンダ浴としての例えば錫−鉛（６０−４０ｗｔ％）のハ
ンダ処理槽１９中に数秒間浸漬した後、引上げる。これ
により、小接合金属粒１７．１７の外表面には、第１図
に示すように、図示しない基板上への接合に適した所定
厚さのハンダ層１８を被覆した接合金属粒２０を形成す
ることができる。
この場合、ハンダ被覆前処理として、小接合金属粒１７
．１７の表面に予めロジン等の７ラツクスを塗布してお
けば、ハンダ層１８を均一に被覆することができる、ま
た、このフラックスを使用した場合は、ハンダ被覆後処
理として、トリクロルエチレンやフレオン等の有機溶剤
を用いて洗浄する。
．１７の表面に予めロジン等の７ラツクスを塗布してお
けば、ハンダ層１８を均一に被覆することができる、ま
た、このフラックスを使用した場合は、ハンダ被覆後処
理として、トリクロルエチレンやフレオン等の有機溶剤
を用いて洗浄する。
このようにハンダ層１８の被覆形成によって、接合に適
した所定高さを有する接合金属粒２０を形成することが
でき、またこのハンダ層１８を外表面に有することで、
このハンダ層１８が基板上への接合に適した接着性を発
揮し、しかも表面にハンダ層１８を有していない基板で
あっても容易に実装することができる。
した所定高さを有する接合金属粒２０を形成することが
でき、またこのハンダ層１８を外表面に有することで、
このハンダ層１８が基板上への接合に適した接着性を発
揮し、しかも表面にハンダ層１８を有していない基板で
あっても容易に実装することができる。
さらに、小突起の接合金属粒２０を簡単に形成できるた
め、半導体素子１４が大きなウェハ状態でなく、小さな
チップ状態であっても簡単に形成することができる。
め、半導体素子１４が大きなウェハ状態でなく、小さな
チップ状態であっても簡単に形成することができる。
上述のように、接着金属層や拡散防止金属層を要せずに
良好な密着接合が得られる超音波熱圧着形成手段と、接
合に必要な高さを有する接合金属粒を形成可能なハンダ
被覆手段との併用化によって、所望の接合金属粒を簡単
に形成することができ、現状のように複雑な形成や高価
な設備を要せず、能率よく低コスト化して接合金属粒を
形成することができる。
良好な密着接合が得られる超音波熱圧着形成手段と、接
合に必要な高さを有する接合金属粒を形成可能なハンダ
被覆手段との併用化によって、所望の接合金属粒を簡単
に形成することができ、現状のように複雑な形成や高価
な設備を要せず、能率よく低コスト化して接合金属粒を
形成することができる。
また、接合金属粒にはハンダ被覆層を有しているため、
この接合金属粒を介して接合する基板表面への接着性が
良好であり、また基板表面に対するハンダの有無に拘ら
ず、全ての基板に適用でき、基板の制約を受けなくなる
。
この接合金属粒を介して接合する基板表面への接着性が
良好であり、また基板表面に対するハンダの有無に拘ら
ず、全ての基板に適用でき、基板の制約を受けなくなる
。
この発明と、上述の一実施例の構成との対応において、
この発明の実装部材は、実施例の半導体素子１４に対応
し、以下同様に、 電極は、アルミニウム電極１６に対応し、小さな接合金
属粒は、小接合金属粒１７に対応し、 ハンダ被覆手段は、ハンダ処理槽１９に対応するも、 この発明は、上述の一実施例の構成のみに限定されるも
のではない。
し、以下同様に、 電極は、アルミニウム電極１６に対応し、小さな接合金
属粒は、小接合金属粒１７に対応し、 ハンダ被覆手段は、ハンダ処理槽１９に対応するも、 この発明は、上述の一実施例の構成のみに限定されるも
のではない。
図面はこの発明の一実施例を示し、
第１図は接合金属粒を形成した要部縦断正面図、第２図
は溶融球状化部の形成状態を示す説明図、第３図は小接
合金属粒を形成した要部縦断正面図、第４図（Ａ）〜（
Ｃ）はハンダ被覆処理工程を示す説明図である。 １１・・・ワイヤ １４・・・半導体素子 １７・・・小接合金属粒 １９・・・ハンダ処理槽 １３・・・溶融球状化部 １６・・・アルミニウム電極 １８・・・ハンダ層 ２０・・・接合金属粒 第１図
は溶融球状化部の形成状態を示す説明図、第３図は小接
合金属粒を形成した要部縦断正面図、第４図（Ａ）〜（
Ｃ）はハンダ被覆処理工程を示す説明図である。 １１・・・ワイヤ １４・・・半導体素子 １７・・・小接合金属粒 １９・・・ハンダ処理槽 １３・・・溶融球状化部 １６・・・アルミニウム電極 １８・・・ハンダ層 ２０・・・接合金属粒 第１図
Claims (1)
- （１）基板上に実装すべき実装部材を接合金属粒を介し
て実装する実装用接合金属粒の形成 法であって、 前記接合金属粒素材としてのワイヤの先端 を加熱して溶融球状化部を形成し、 この溶融球状化部を実装部材の電極対応上 に超音波熱圧着して小さな接合金属粒を形 成し、 この形成された接合金属粒の外表面に、ハ ンダ被覆手段によってハンダ層を被覆形成 する 実装用接合金属粒の形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63179378A JPH0228935A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 実装用接合金属粒の形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63179378A JPH0228935A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 実装用接合金属粒の形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0228935A true JPH0228935A (ja) | 1990-01-31 |
Family
ID=16064813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63179378A Pending JPH0228935A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 実装用接合金属粒の形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0228935A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07176534A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Nec Corp | バンプ並びにその製造方法及び製造装置 |
| US8733876B2 (en) | 2011-11-29 | 2014-05-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Printing apparatus |
| US8845064B2 (en) | 2011-11-29 | 2014-09-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Printing apparatus |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62206857A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 突起状電極の形成方法 |
| JPS62285447A (ja) * | 1986-06-03 | 1987-12-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電気的接続接点の形成方法 |
-
1988
- 1988-07-19 JP JP63179378A patent/JPH0228935A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62206857A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 突起状電極の形成方法 |
| JPS62285447A (ja) * | 1986-06-03 | 1987-12-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電気的接続接点の形成方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07176534A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Nec Corp | バンプ並びにその製造方法及び製造装置 |
| US8733876B2 (en) | 2011-11-29 | 2014-05-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Printing apparatus |
| US8845064B2 (en) | 2011-11-29 | 2014-09-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Printing apparatus |
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