JPS62285446A - 電気的接続接点の形成方法 - Google Patents
電気的接続接点の形成方法Info
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- H01L2224/11822—Applying permanent coating, e.g. in-situ coating by dipping, e.g. in a solder bath
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- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
産業上の利用分野
本発明は、ICチップに代表されるチップ状の電子部品
を基板上の端子電極群と接続するために、電気的接続接
点を基板上の端子電極上のみに正確に形成する電気的接
続接点の形成方法に関するものである。
を基板上の端子電極群と接続するために、電気的接続接
点を基板上の端子電極上のみに正確に形成する電気的接
続接点の形成方法に関するものである。
従来の技術
従来、電子部品の接続端子と基板上の回路パターン端子
との接続には半田付けがよ(利用されていたが、近年、
例えばICフラントパッケージ等の小型化と、接続端子
の増加により、接続端子間、いわゆるピッチ間隔が次第
に狭くなり、従来の半田付は技術で対処することが次第
に困難になってきた。又、最近では電卓、電子時計ある
いは液晶ディスプレイ等にあっては、裸のICチップを
ガラス基板上の電極に直付けして実装面積の効率的使用
を図ろうとする動きがあり、半田付けに代わる有効かつ
微細な電気的接続手段が強(望まれている。裸のICチ
ップを基板の電極と電気的に接続する方法としては、メ
ッキ技術によりrcチ。
との接続には半田付けがよ(利用されていたが、近年、
例えばICフラントパッケージ等の小型化と、接続端子
の増加により、接続端子間、いわゆるピッチ間隔が次第
に狭くなり、従来の半田付は技術で対処することが次第
に困難になってきた。又、最近では電卓、電子時計ある
いは液晶ディスプレイ等にあっては、裸のICチップを
ガラス基板上の電極に直付けして実装面積の効率的使用
を図ろうとする動きがあり、半田付けに代わる有効かつ
微細な電気的接続手段が強(望まれている。裸のICチ
ップを基板の電極と電気的に接続する方法としては、メ
ッキ技術によりrcチ。
プの電極パッド上に形成した突出接点(バンプ)を用い
たものが知られている。既知の突出接点の形成方法は、
最初にIC基板上の電極パッド上に、Cr、Cu、Au
等の金属蒸着膜部を形成し、更にレジストをかけて、C
r、Au等の金属メッキ部を形成した後、余分なレジス
トと金属蒸着膜を除去して、突出接点を形成するという
ものである。
たものが知られている。既知の突出接点の形成方法は、
最初にIC基板上の電極パッド上に、Cr、Cu、Au
等の金属蒸着膜部を形成し、更にレジストをかけて、C
r、Au等の金属メッキ部を形成した後、余分なレジス
トと金属蒸着膜を除去して、突出接点を形成するという
ものである。
発明が解決しようとする問題点
しかしながらかかる方法においては、突出接点の形成方
法はかなり複雑で、多数の処理工程及び高度のエツチン
グ、メッキ技術が必要であった。
法はかなり複雑で、多数の処理工程及び高度のエツチン
グ、メッキ技術が必要であった。
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とする所は微細かつ密に電子部品の電極パッドと
基板上の電極群とを信頼性良く直付けするために、基板
上の電極群、あるいは電子部品、例えばICチップの電
極パッド上に電気的接続接点を簡易に、かつ、信豪頁性
良く形成しようとすることにある。
の目的とする所は微細かつ密に電子部品の電極パッドと
基板上の電極群とを信頼性良く直付けするために、基板
上の電極群、あるいは電子部品、例えばICチップの電
極パッド上に電気的接続接点を簡易に、かつ、信豪頁性
良く形成しようとすることにある。
問題点を解決するための手段
本発明は上記の問題点を解決するため、微細ビフチ、微
細端子電極が形成されている基板の微細端子電極上への
電気的接続接点の形成において、金属ワイヤの先端に熱
によるエネルギーを加えることによってボールを形成す
る。このボールを前記微細ピッチ、微細端子電極が形成
されている基板の微細端子電極部に押圧して接続した後
、前記金属ワイヤをボールのつけ根の部分で切断して突
出接点を形成する。しかる後に別に用意した支持基材上
に塗工した導電性接着剤付基材の導電性接着剤面を、前
記微細端子電橋群上に突出接点が形成された基板の突出
接点面に合わせて圧着し、この導電性接着剤付基材を剥
離して導電性接着剤を突出接点上のみに転写することを
特徴として電気的接続接点の形成を実現しようとするも
のである。
細端子電極が形成されている基板の微細端子電極上への
電気的接続接点の形成において、金属ワイヤの先端に熱
によるエネルギーを加えることによってボールを形成す
る。このボールを前記微細ピッチ、微細端子電極が形成
されている基板の微細端子電極部に押圧して接続した後
、前記金属ワイヤをボールのつけ根の部分で切断して突
出接点を形成する。しかる後に別に用意した支持基材上
に塗工した導電性接着剤付基材の導電性接着剤面を、前
記微細端子電橋群上に突出接点が形成された基板の突出
接点面に合わせて圧着し、この導電性接着剤付基材を剥
離して導電性接着剤を突出接点上のみに転写することを
特徴として電気的接続接点の形成を実現しようとするも
のである。
作用
しかして本発明の上記した方法によれば、基板上の微細
端子電極上に簡易に突出接点を信頼性良く形成すること
ができ、かつ、上記突出接点にのみ選択的に導電性接着
剤を転写することができ、簡易で信頼性の高い電気的接
続接点が形成できる。
端子電極上に簡易に突出接点を信頼性良く形成すること
ができ、かつ、上記突出接点にのみ選択的に導電性接着
剤を転写することができ、簡易で信頼性の高い電気的接
続接点が形成できる。
実施例
以下、本発明の一実施例の電気的接続接点の形成方法に
ついて図面に基づいて詳細に説明する。
ついて図面に基づいて詳細に説明する。
第1図から第4図は本発明の第1の実施例を示す工程断
面口である。又、第5図は本発明の電気的接続接点の形
成方法を用いてICチップを基板上に実装した時の断面
図を示す。
面口である。又、第5図は本発明の電気的接続接点の形
成方法を用いてICチップを基板上に実装した時の断面
図を示す。
図において、1はIC基板、2はICチップの電極バン
ド、3はボール、4はキャピラリ、5はバンプ(突出接
点)、6はICチップ、7は支持基材、8は導電性接着
剤、9はつぶれたバンプ、10はガラス基板、11は透
明端子電極(ITO電極)である。
ド、3はボール、4はキャピラリ、5はバンプ(突出接
点)、6はICチップ、7は支持基材、8は導電性接着
剤、9はつぶれたバンプ、10はガラス基板、11は透
明端子電極(ITO電極)である。
本発明の第1の実施例では、先ず第1図に示すようにキ
ャピラリ4を通した金属ワイヤの先端に熱によるエネル
ギーを加えてボール3を形成する。
ャピラリ4を通した金属ワイヤの先端に熱によるエネル
ギーを加えてボール3を形成する。
このボール3は既知のようにガス炎又は静電放電等によ
って形成される。金属ワイヤの材質としては通常は金又
はアルミニウムが一般的であるが、銅などの他の材料を
用いることも可能である。このようにして形成したボー
ル3をIC基板l上の100μm口の電極バンド2部に
熱圧着又は超音波又はその併用によって固着した後、ボ
ール3のつけ根の金属ワイヤの部分で切断することによ
って、第2図に示すように突出接点5を形成する。
って形成される。金属ワイヤの材質としては通常は金又
はアルミニウムが一般的であるが、銅などの他の材料を
用いることも可能である。このようにして形成したボー
ル3をIC基板l上の100μm口の電極バンド2部に
熱圧着又は超音波又はその併用によって固着した後、ボ
ール3のつけ根の金属ワイヤの部分で切断することによ
って、第2図に示すように突出接点5を形成する。
以上のようにしてICチップ6上の全ての電極パッド2
上に突出接点5を形成した後、第3図に示すように別に
用意された支持基材7上に導電性接着剤8を数十μm厚
形成した導電性接着剤付基材をICチップ6上の突出接
点5と対向させて圧着する。その後、第4図に示すよう
に支持基材7を剥がすと、つぶれた突出接点9上のみに
導電性接着剤8が転写され、電気的接続接点が形成され
る。又、第1の実施例で得たICチップ6の電極パッド
2上に形成された金等からなる突出接点と導電性接着剤
とからムる電気的接続接点と、ガラス基板10上のl1
00p口のITO電極11とを対向させ圧着した後、固
着すると、第5図に示すようなICチップとガラス基士
反との接続ができる。
上に突出接点5を形成した後、第3図に示すように別に
用意された支持基材7上に導電性接着剤8を数十μm厚
形成した導電性接着剤付基材をICチップ6上の突出接
点5と対向させて圧着する。その後、第4図に示すよう
に支持基材7を剥がすと、つぶれた突出接点9上のみに
導電性接着剤8が転写され、電気的接続接点が形成され
る。又、第1の実施例で得たICチップ6の電極パッド
2上に形成された金等からなる突出接点と導電性接着剤
とからムる電気的接続接点と、ガラス基板10上のl1
00p口のITO電極11とを対向させ圧着した後、固
着すると、第5図に示すようなICチップとガラス基士
反との接続ができる。
なお、上の実施例においては、電気的接続接点が形成さ
れたICチップ6をガラス基板10に実装した例を示し
たが、ICチップを実装する基板はガラス基板に限定さ
れるものでなく、例えばガラスエポキシの基板でもよい
ことは云うまでもない。
れたICチップ6をガラス基板10に実装した例を示し
たが、ICチップを実装する基板はガラス基板に限定さ
れるものでなく、例えばガラスエポキシの基板でもよい
ことは云うまでもない。
発明の効果
以上に説明したように、本発明の電気的接続接点の形成
方法によれば、ICチップの電極パッド部に電気的接続
接点を従来のネイルヘッドボンディングの技術を用いて
形成した突出接点上に、選択的に精度よく導電性接着剤
を転写することにより簡易に形成することができ、IC
チップのガラス基板上の電極への接続に限らず、各種基
板への電気的接読において、半田付は接続が困難な超微
細接続に効果を発揮するので、極めて実用価値が高い。
方法によれば、ICチップの電極パッド部に電気的接続
接点を従来のネイルヘッドボンディングの技術を用いて
形成した突出接点上に、選択的に精度よく導電性接着剤
を転写することにより簡易に形成することができ、IC
チップのガラス基板上の電極への接続に限らず、各種基
板への電気的接読において、半田付は接続が困難な超微
細接続に効果を発揮するので、極めて実用価値が高い。
第1図、第2図、第3図、第4図は本発明の第1の実施
例を示す工程断面図、第5図は本発明の第1の実施例に
基づいてICチップを基板上へ実装した時の断面図であ
る。 1・・・・・・ICCランプ板、2・・・・・・ICチ
ップの電極バッド、3・・・・・・ボール、4・・・・
・・キャピラリ、5・・・・・・突出接点(バンブ)、
6・・・・・・ICチップ、7・・・・・・支持基材、
8・・・・・・導電性接着剤、9・・・・・・つぶれた
突出接点、lO・・・・・・ガラス基板、11・・・・
・・透明端子電極(ITO電極)。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか1名−へ 味 鞍 ζ≧ 一
例を示す工程断面図、第5図は本発明の第1の実施例に
基づいてICチップを基板上へ実装した時の断面図であ
る。 1・・・・・・ICCランプ板、2・・・・・・ICチ
ップの電極バッド、3・・・・・・ボール、4・・・・
・・キャピラリ、5・・・・・・突出接点(バンブ)、
6・・・・・・ICチップ、7・・・・・・支持基材、
8・・・・・・導電性接着剤、9・・・・・・つぶれた
突出接点、lO・・・・・・ガラス基板、11・・・・
・・透明端子電極(ITO電極)。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか1名−へ 味 鞍 ζ≧ 一
Claims (1)
- 微細ピッチ、微細端子電極が形成されている基板の微
細端子電極上への電気的接続接点の形成において、金属
ワイヤの先端に熱によるエネルギーを加えることによっ
てボールを形成する工程と、前記ボールを前記微細ピッ
チ、微細端子電極が形成されている基板の微細端子電極
部に押圧して接続する工程と、前記金属ワイヤをボール
のつけ根の部分で切断して突出接点を形成する工程と、
別に用意した支持基材上に塗工した導電性接着剤付基材
の導電性接着剤面を、前記微細端子電極群上に突出接点
が形成された基板の突出接点面に合わせて圧着する工程
と、前記導電性接着剤付基材を剥離して導電性接着剤を
突出接点上のみに転写する工程とを含むことを特徴とす
る電気的接続接点の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61128653A JPS62285446A (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 | 電気的接続接点の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61128653A JPS62285446A (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 | 電気的接続接点の形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62285446A true JPS62285446A (ja) | 1987-12-11 |
Family
ID=14990127
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61128653A Pending JPS62285446A (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 | 電気的接続接点の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62285446A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5545589A (en) * | 1993-01-28 | 1996-08-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of forming a bump having a rugged side, a semiconductor device having the bump, and a method of mounting a semiconductor unit and a semiconductor device |
-
1986
- 1986-06-03 JP JP61128653A patent/JPS62285446A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5545589A (en) * | 1993-01-28 | 1996-08-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of forming a bump having a rugged side, a semiconductor device having the bump, and a method of mounting a semiconductor unit and a semiconductor device |
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