JPH01151182A - 電気的接続接点の形成方法 - Google Patents
電気的接続接点の形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ＩＣチップに代表される電気マイクロ回路素
子を基板上の端子電極群と接続するために用いる電気的
接続接点の形成方法に関するものである。
子を基板上の端子電極群と接続するために用いる電気的
接続接点の形成方法に関するものである。
従来の技術
従来、電気マイクロ回路素子の接点領域と回路基板上の
導体端子部との接続には、半田付けがよく利用されてい
た。近年たとえばＩＣフラントパッケージ等の小型化と
接続端子の増加により接続端子間、いわゆるピッチ間隔
が次第に狭くなり、従来の半田付は技術で対処すること
が困難になってきた。また最近では電卓、電子時計ある
いは、液晶デイスプレィ等にあっては、裸のＩＣチップ
をガラス基板上の電極に直付けして実装面積の効率的使
用を図ろうとする動きがあり、半田付けに代わる有効か
つ微細な電気的接続手段が強く望まれている。裸のＩＣ
チップを基板の電極と電気的に接続する方法としては、
ポールボンディング法によりＩＣチップの電極パッド上
に形成した突出接点（バンブ）を用いたものが知られて
いる。既知の突出接点の形成方法としては、特願昭６０
−１５４５４０号に示されているようにｒＣチップの電
極パッド上にボールポンディング法を用いてボールを固
着させ、その後ポールのネック部で金属ワイヤを引きち
ぎることにより突出接点を形成しようとする方法が提案
されている。
導体端子部との接続には、半田付けがよく利用されてい
た。近年たとえばＩＣフラントパッケージ等の小型化と
接続端子の増加により接続端子間、いわゆるピッチ間隔
が次第に狭くなり、従来の半田付は技術で対処すること
が困難になってきた。また最近では電卓、電子時計ある
いは、液晶デイスプレィ等にあっては、裸のＩＣチップ
をガラス基板上の電極に直付けして実装面積の効率的使
用を図ろうとする動きがあり、半田付けに代わる有効か
つ微細な電気的接続手段が強く望まれている。裸のＩＣ
チップを基板の電極と電気的に接続する方法としては、
ポールボンディング法によりＩＣチップの電極パッド上
に形成した突出接点（バンブ）を用いたものが知られて
いる。既知の突出接点の形成方法としては、特願昭６０
−１５４５４０号に示されているようにｒＣチップの電
極パッド上にボールポンディング法を用いてボールを固
着させ、その後ポールのネック部で金属ワイヤを引きち
ぎることにより突出接点を形成しようとする方法が提案
されている。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、かがる方法においては、金属ワイヤを固
着したボールの上方でクランプして引きちぎることによ
りワイヤを破断させて形成するというものである。この
ため金属ワイヤの切断個所が一定せず、固着したポール
上のワイヤの高さを一定に揃えることに困難さをともな
うものであった。
着したボールの上方でクランプして引きちぎることによ
りワイヤを破断させて形成するというものである。この
ため金属ワイヤの切断個所が一定せず、固着したポール
上のワイヤの高さを一定に揃えることに困難さをともな
うものであった。
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、その
目的とする所は固着させたボールと一体に高さの揃った
頂部を形成することにより均一な高さの突出部を備えた
電気的接続接点を形成する方法を提供しようとするもの
である。
目的とする所は固着させたボールと一体に高さの揃った
頂部を形成することにより均一な高さの突出部を備えた
電気的接続接点を形成する方法を提供しようとするもの
である。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明の電気的接続接点の
形成方法は、半導体チップの入出力電極パッド上にボー
ルボンディング法を用いてボールを固着して、突起状接
点の底部を形成し、この後その上部に金属ワイヤをルー
ピングし、さらに前記金属ワイヤの端部を突起状接点の
底部と隣接させて同一の入出力電極パッド上に固着して
、金属ワイヤからなる高さの揃った逆Ｕ字型の突起状接
点の頂部を底部と一体に形成することにより固着したボ
ールの先端部を均一な高さに揃え、がっ、２段状に突出
した電気的接続接点を実現しようとするものである。
形成方法は、半導体チップの入出力電極パッド上にボー
ルボンディング法を用いてボールを固着して、突起状接
点の底部を形成し、この後その上部に金属ワイヤをルー
ピングし、さらに前記金属ワイヤの端部を突起状接点の
底部と隣接させて同一の入出力電極パッド上に固着して
、金属ワイヤからなる高さの揃った逆Ｕ字型の突起状接
点の頂部を底部と一体に形成することにより固着したボ
ールの先端部を均一な高さに揃え、がっ、２段状に突出
した電気的接続接点を実現しようとするものである。
作用
しかして本発明の上記した方法によれば、固着した突起
状接点の底部と一体に金属ワイヤからなる高さが揃った
突起状接点の頂部を形成することから、均一な高さで安
定した形状の２段状の突出部を備えた電気的接続接点を
形成できることとなる。
状接点の底部と一体に金属ワイヤからなる高さが揃った
突起状接点の頂部を形成することから、均一な高さで安
定した形状の２段状の突出部を備えた電気的接続接点を
形成できることとなる。
実施例
以下本発明の一実施例の電気的接続接点の形成方法につ
いて図面を参照しながら説明する。
いて図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の一実施例における電気的接続接点の形
成法によって形成された電気的接続接点を示す断面図で
ある。第２図（ａｌ、 （ｂ）、 （ｃ）、 （ｄｌ、
（ｅｌは、本発明の一実施例における電気的接続接点
の形成法を工程順に図示した断面図である。第３図はボ
ールボンディング法を用いて既知の方法により形成した
突出接点を示す断面図である。
成法によって形成された電気的接続接点を示す断面図で
ある。第２図（ａｌ、 （ｂ）、 （ｃ）、 （ｄｌ、
（ｅｌは、本発明の一実施例における電気的接続接点
の形成法を工程順に図示した断面図である。第３図はボ
ールボンディング法を用いて既知の方法により形成した
突出接点を示す断面図である。
第１図、第２図、第３図において、１は半導体チップ、
２は入出力電極パッド、３はキャピラリ、４は孔、５は
金線、６はボール、７は突起状接点の底部、８は突起状
接点の頂部である。
２は入出力電極パッド、３はキャピラリ、４は孔、５は
金線、６はボール、７は突起状接点の底部、８は突起状
接点の頂部である。
以上のような電気的接続接点の形成方法について以下第
１図、第２図、第３図を用いて説明する。
１図、第２図、第３図を用いて説明する。
まず、第２図（ａｌに示すようにセラミック材料や、人
工ルビーなどにより作られたキャピラリ３の孔４に２５
μｍφの金線５を通し、その先端にガス炎や電気的放電
などの熱エネルギーにより金線５の径の約２〜３倍の径
にボールを形成する。
工ルビーなどにより作られたキャピラリ３の孔４に２５
μｍφの金線５を通し、その先端にガス炎や電気的放電
などの熱エネルギーにより金線５の径の約２〜３倍の径
にボールを形成する。
次に第２図（ｂ）に示すように前記金線５の先端に形成
したボール６をキャピラリ３を介して半導体チップ１の
入出力電極パッド２に当接し、熱圧着や超音波振動によ
って固着させて外径が８０〜１００μｍφ程度で、高さ
が３５〜４５μｍφ程度の突起状接点の底部７を形成す
る。
したボール６をキャピラリ３を介して半導体チップ１の
入出力電極パッド２に当接し、熱圧着や超音波振動によ
って固着させて外径が８０〜１００μｍφ程度で、高さ
が３５〜４５μｍφ程度の突起状接点の底部７を形成す
る。
次に第２図（Ｃ１に示すように、前記した突起状接点の
底部７とつながっている金線５をキャピラリ３の孔４に
通した状態でキャピラリ３を第２図（ｄ）のように突起
状接点の底部７の上方で垂直方向にループ状軌道を描い
て移動させる。つづいて第２図（ｅｌのようにキャピラ
リ３を前記した突起状接点の底部７が固着されたものと
同一の入出力電極パッド２に当接し、金線５を熱圧着や
超音波振動により固着切欠し突起状接点の底部７よりさ
らに３０〜６０μｍｔ程度突出した逆Ｕ字型の形状の突
起状接点頂部８を形成する。
底部７とつながっている金線５をキャピラリ３の孔４に
通した状態でキャピラリ３を第２図（ｄ）のように突起
状接点の底部７の上方で垂直方向にループ状軌道を描い
て移動させる。つづいて第２図（ｅｌのようにキャピラ
リ３を前記した突起状接点の底部７が固着されたものと
同一の入出力電極パッド２に当接し、金線５を熱圧着や
超音波振動により固着切欠し突起状接点の底部７よりさ
らに３０〜６０μｍｔ程度突出した逆Ｕ字型の形状の突
起状接点頂部８を形成する。
上記方法によって形成した第１図に示す２段突出形状の
電気的接続接点は、外形が８０〜１００μｍφ程度で全
体の高さは６５〜１０５μｍｔ程度の高さのバラツキの
少ないものが得られた。
電気的接続接点は、外形が８０〜１００μｍφ程度で全
体の高さは６５〜１０５μｍｔ程度の高さのバラツキの
少ないものが得られた。
なお実施例では金属ワイヤの材質を金としたが、その材
質は金に限定されるものではなくボールボンディング可
能なものであればアルミ、銅なども使用することができ
る。またその線径についても形成する突起状接点の外径
や高さなどの目的に応じて選定することが可能である。
質は金に限定されるものではなくボールボンディング可
能なものであればアルミ、銅なども使用することができ
る。またその線径についても形成する突起状接点の外径
や高さなどの目的に応じて選定することが可能である。
また形成する突起状接点の形状についても同一人出力電
極パッド上において、底部と頂部が一体となった２段突
出形状であれば特に制限を加えるものではない。
極パッド上において、底部と頂部が一体となった２段突
出形状であれば特に制限を加えるものではない。
発明の効果
以上のように本発明の電気的接続接点の形成方法によれ
ば、ＩＣチップの電極パッド部にポールボンディング法
を用いてポールを固着した突起状接点の底部と同一電極
パッド部に形成する金属ワイヤからなる高さの揃った突
起状接点の頂部とを一体に形成するので既知の方法に比
べて均一な高さの突起状接点が形成できる。
ば、ＩＣチップの電極パッド部にポールボンディング法
を用いてポールを固着した突起状接点の底部と同一電極
パッド部に形成する金属ワイヤからなる高さの揃った突
起状接点の頂部とを一体に形成するので既知の方法に比
べて均一な高さの突起状接点が形成できる。
加えて本発明の電気的接続接点の形成方法は、−船釣な
ポールボンディング用ポンダの一連の動作と合致してお
り形成が容易で実用上価値が高い。
ポールボンディング用ポンダの一連の動作と合致してお
り形成が容易で実用上価値が高い。
第１図は本発明の一実施例における電気的接続接点の断
面図、第２図（ａｌ、 （ｂｌ、 （Ｃ１，（ｄ＋、
（ｅｌは第１図の電気的接続接点の形成法を工程順に示
し説明をする断面図、第３図はポールボンディング法を
用いて既知の方法により形成した従来の突起状接点を示
す断面図である。 ■・・・・・・半導体チップ、２・・・・・・入出力電
極パッド、３・・・・・・キャピラリ、４・・・・・・
孔、５・・・・・・金線、６・・・・・・ポール、７・
・・・・・突起状接点の底部、８・・・・・・突起状接
点の頂部。 代理人の氏名 弁理士 中屋敷男 はか１名（ｂ）
面図、第２図（ａｌ、 （ｂｌ、 （Ｃ１，（ｄ＋、
（ｅｌは第１図の電気的接続接点の形成法を工程順に示
し説明をする断面図、第３図はポールボンディング法を
用いて既知の方法により形成した従来の突起状接点を示
す断面図である。 ■・・・・・・半導体チップ、２・・・・・・入出力電
極パッド、３・・・・・・キャピラリ、４・・・・・・
孔、５・・・・・・金線、６・・・・・・ポール、７・
・・・・・突起状接点の底部、８・・・・・・突起状接
点の頂部。 代理人の氏名 弁理士 中屋敷男 はか１名（ｂ）
Claims (1)
- 半導体チップの入出力電極パッド上に電気的接続接点
を形成するに当り、金属ワイヤの先端に形成したポール
をキャピラリによって半導体チップの入出力電極パッド
上に固着して突起状接点の底部を形成する第１の工程と
、金属ワイヤを突起状接点の底部の上方でルーピングし
てその端部を前記形成した突起状接点の底部と隣接させ
て同一の入出力電極パッド上に固着切断し、突起状接点
の頂部を形成する第２の工程とを具備することを特徴と
する電気的接続接点の形成方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62309805A JP2506861B2 (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | 電気的接続接点の形成方法 |
| US07/279,101 US5014111A (en) | 1987-12-08 | 1988-12-02 | Electrical contact bump and a package provided with the same |
| DE3888476T DE3888476T2 (de) | 1987-12-08 | 1988-12-07 | Elektrische Kontaktstellen und damit versehene Gehäuse. |
| EP88311598A EP0320244B1 (en) | 1987-12-08 | 1988-12-07 | Electrical contact bump and a package provided with the same |
| KR1019880016318A KR910009780B1 (ko) | 1987-12-08 | 1988-12-08 | 전기적 접속접점과 그 형성방법 및 그것을 사용한 실장기판 |
| US07/605,096 US5090119A (en) | 1987-12-08 | 1990-10-30 | Method of forming an electrical contact bump |
| HK89096A HK89096A (en) | 1987-12-08 | 1996-05-23 | Electrical contact bump and a package provided with the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62309805A JP2506861B2 (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | 電気的接続接点の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01151182A true JPH01151182A (ja) | 1989-06-13 |
| JP2506861B2 JP2506861B2 (ja) | 1996-06-12 |
Family
ID=17997457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62309805A Expired - Lifetime JP2506861B2 (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | 電気的接続接点の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2506861B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6677677B2 (en) | 2001-09-25 | 2004-01-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| US6894387B2 (en) | 1996-10-01 | 2005-05-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor element having protruded bump electrodes |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5583244A (en) * | 1978-12-19 | 1980-06-23 | Mitsubishi Electric Corp | Wire bonding apparatus |
| JPS57163919A (en) * | 1981-03-20 | 1982-10-08 | Philips Nv | Method of forming protruded contact |
| JPS6286736A (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | ボンデイング方法 |
-
1987
- 1987-12-08 JP JP62309805A patent/JP2506861B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5583244A (en) * | 1978-12-19 | 1980-06-23 | Mitsubishi Electric Corp | Wire bonding apparatus |
| JPS57163919A (en) * | 1981-03-20 | 1982-10-08 | Philips Nv | Method of forming protruded contact |
| JPS6286736A (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | ボンデイング方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6894387B2 (en) | 1996-10-01 | 2005-05-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor element having protruded bump electrodes |
| US7071090B2 (en) | 1996-10-01 | 2006-07-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor element having protruded bump electrodes |
| US6677677B2 (en) | 2001-09-25 | 2004-01-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2506861B2 (ja) | 1996-06-12 |
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