JPS6286736A - ボンデイング方法 - Google Patents

ボンデイング方法

Info

Publication number
JPS6286736A
JPS6286736A JP60226366A JP22636685A JPS6286736A JP S6286736 A JPS6286736 A JP S6286736A JP 60226366 A JP60226366 A JP 60226366A JP 22636685 A JP22636685 A JP 22636685A JP S6286736 A JPS6286736 A JP S6286736A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
capillary
wire
metal wire
lead frame
wall
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60226366A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiyuki Furui
古井 義之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP60226366A priority Critical patent/JPS6286736A/ja
Publication of JPS6286736A publication Critical patent/JPS6286736A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301Capillary
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8503Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
    • H01L2224/85035Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
    • H01L2224/85045Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512Aligning
    • H01L2224/85148Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518Translational movements
    • H01L2224/85181Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201Compression bonding
    • H01L2224/85205Ultrasonic bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕。
この発明i、工(j、その他生導体を金夙刺腺で接合、
結線を行うボンディング方法に関するものである。
〔従来の技術〕
$B図Tri、ワイヤボンディング時のルーピング動作
を細かく分解したものである。図において。
(1)クエC4−qプ、 (2)はリードフレーム、 
(3)Hシャピラ!J 、 (4)セ金PA細線、(5
)に金属細線(4)を出題ぜしめて作られた金属ポー&
、(6)H金属細#I(4)との間に高電圧を誘起し、
枚重させて金属ポールを作る為のトーチ%!極、(7)
は金属細線(4)を(2さみ込むクランパーである。
次に動作について説明する。第3図四において。
キャピラリ(3)の先端には、金属ボーア’ (5)が
作られている事を前提として以下説明する。まず、キャ
ピラリ(3)ハ下降し、@(2)の如くIC+ツブ(1
)上に着地する。この時1図には示されでいないが、超
音波振#jJ装置によりキャピラリ(3)は水平方向に
加振され、ヒーターに工9加熱された工Cチップ(1)
と金属ポーA/ (5)は接合される。次に(Q)図の
ように。
キャピラリ(3)は上昇し、任怠の高さまで上昇した所
で、働図のようにリードフレーム(2)の方に水平方向
に移動する。次に(e)図のごとく、再びギヤビプリ(
3)は下降を始め、(ト)図のように、リードフレーム
(2)上に1地する。ここでも、工CチーIデ(1)ト
同様に、超音波振動が加えられ、リードフレーム(2)
と金1寓細線(4) t−j接合されろ。次に(ののよ
うに。
キャピラリ(3)が任意の高さまで上昇した所で、クラ
ツパ(7)が金属軸@(4)をクリンプし、キャピラリ
(3)とクラツパ(7)が同時に上昇することで金af
li線(4)は、引きちぎられ、その後、(5)肉のよ
うに、トーチ電極(6ンが振り込んできて、スパークを
行うことにより、α)図のように、キャビ岬り(3)先
端に。
金属ポール(5)を作ることができろ。
以上でボンディングの1劾作が終了する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記のようζC従来のボンディング方法では、良好なワ
イヤループを得ろために第2図れ)で示すように、工C
チップ(])に金金納細線4)が接合でれた後。
やや余分に金属細線(4)を出す必要がある。そしてこ
の余分に出され六合属#1線(4)は第2図(至)で示
すごとくキャピラリ(3)を通して再び上方に戻さなけ
れば、7らない為に、ボンディング回数が増えてキャビ
プリ内壁に金属粒子やスパーク時の煤が付着する。この
ため金属細線(4)がキャピラリ(3)内を流通するの
に摩擦が大きくなり、戻りが悪くなり。
よって第2図(0)で示すごとく金属細線(4)の出過
ぎによるループ不良になると匹っだ問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消する為になされ
たもので、余分に出た金属細線を安定にキャピラリ上に
引き戻し、良好なボンディングループを得ることを目的
としている。
〔問題点を解決するたd)の手段〕
この発明に係るボンディング方法は、金属細線の一端部
がIC4−7プに接合でれた後、ギヤピラリに工ってこ
の金属細組が保持さねかつキャピラリが、このキャピラ
リ内を金属i線を流通させながら上昇し後、キャピラリ
がリードフレームの方向へ千行棧蝙し後、ギヤピラリが
徐々に下降1−るとともにキャピラリが振(てれ後、ギ
ヤピラリによって金属flftl線がリードフレームの
所定接合部位置に接合されるものである。
〔作 用〕
この発明においては、ワイヤルーピング途中でキャピラ
リが振動するので、キャピラリ内壁と金属細線との摩擦
を軽減し、金属細線がキャピラリ上方へ戻りやすくする
〔発明の冥施例〕
以下、この発明の一賽施例を図について説明する。第1
図において(1)〜(7)汀上記従来のものと全く同一
のものであり、(8)はキャピラリに対し、[多に示さ
れていない超音波振動装置により加曖された超音波振動
、(9)は、金に、M線(4)を上方にテンシランを加
えるバックテンション装費 Q(%づ金、3細M(4)
に加わるバックテンションでアル。
ボンディング動作に、従来技術の評明で使用した第8図
の(4)寸では従来技術と同様である。酊1図中軽)が
第3図中(山に相当する。第1図れ)汀、工Cチップ(
1)に金属ポーA/ (5)を接合した。移、ヤ・ヤビ
ラリ(3)が上昇して、金f1g’AP線(4)に懇い
影響を与えないように、/L/−ピングに使用する分よ
り余分に合属MJ線(4)をキャビ’? リ(3)下に
出して水平方向に移動する。次に(b)−のごとく再び
キャピラリ(3)す徐々に下降を行うと同時に、超音波
振動装置(図示せず)によってキャピラリ(3)に超音
波振動が加振される。このキャピラリ(3)に超音波振
動が加振されることにより、使用時間が長くなって、ス
パークの煤などで内壁がよごれて金属M線(4)との摩
擦が増えたキャピラリ(3)でも、余分に引き出された
金属#m(4)セ、キャピラリ(3)を通ってパ・フク
テンシ璽ン装置(9)によりバックテンション00が作
用し上方にスムーズに引き戻さハる。この超音波振動装
置(図示せず)によって超音波振動(8)がキャピラリ
(3)に加振され、良好なル−プのボンディングを行う
ために、キャピラリ(3)に対して与える超音波のタイ
ミングとパワー、そして印加時間は。
ワイヤの長さ、キャピラリ(3)の上昇高さに応じてコ
ンピュータで制御されて、超音波振動が印加される。そ
して、キャビ゛う!JC3)rc上下降行い、(C)図
のように、リードフレーム(2)上に溜池する。この時
、超音波振動装@(図示せず)によりギヤビラ!J (
3) fl水平方向に加振され、リードフレーム(2)
と金属細線(4)が接合される。そして、これ以降の動
作については、第3図り図以降の動作が行われてボンデ
ィングの1動作が終了する。
なお、上記実施例でに、キャピラリ(3)に与えるi劾
は、超皆波振0の装置から加えられる超音波振動である
場合について説明したが、池の加擾器によってキャピラ
リに振動を加えるものであってもよく、上記夾施例と同
様の効果を奏する。
[発明の効果〕 この発明は以上説明したとおり、金属細線の一端部が工
Cチップに接合された後、キャピラリによってこの金属
細線が保持され、かつキャピラリがこのキャピラリ内を
金属細線を流通さ一+!″rJがら上昇し後、キャピラ
リがリードフレームの方向へ平行移動し後、キャピラリ
が徐々に下降するとともにキャピラリが摂動し後、キャ
ピラリによって金属細線がリードフレームの所定接合部
位置に接合されるボンディング方法としたので金属細線
の戻りが良くなり、ループの出すぎといった異常ループ
を減少することが可能とy7り、良好な形状のループの
ボンディングを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示すボンディング方法の
動作図、第2図は従来のボンディング方法の問題、(を
説明ずろ動作図、第3図に従来のボンディング方法の動
作図である。 図において、(11げ工C+ヮプ、(21t!リードフ
レーム、(3)はギヤビラ!J、(4)は金属細線、(
5)は金属ポール、(8)に超音波振動である。 なお、各図中同一符号は同一またげ相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ICチップとリードフレームとを金属細線によつて接合
    配線するボンディング方法において、金属細線の一端部
    がICチップに接合された後、キャピラリによってこの
    金属細線が保持され、かつキャピラリがこのキャピラリ
    内を金属細線を流通させながら上昇し後、キャピラリが
    リードフレームの方向へ平行移動し後、キャピラリが徐
    々に下降するとともにキャピラリが振動し後、キャピラ
    リによって金属細線が上記リードフレームの所定接合部
    位置に接合されてなることを特徴とするボンディング方
    法。
JP60226366A 1985-10-11 1985-10-11 ボンデイング方法 Pending JPS6286736A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60226366A JPS6286736A (ja) 1985-10-11 1985-10-11 ボンデイング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60226366A JPS6286736A (ja) 1985-10-11 1985-10-11 ボンデイング方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6286736A true JPS6286736A (ja) 1987-04-21

Family

ID=16844015

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60226366A Pending JPS6286736A (ja) 1985-10-11 1985-10-11 ボンデイング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6286736A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01103845A (ja) * 1987-10-16 1989-04-20 Nec Corp ベアーボンディングの組立方法
JPH01151182A (ja) * 1987-12-08 1989-06-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電気的接続接点の形成方法
JPH03101143A (ja) * 1989-09-14 1991-04-25 Marine Instr Co Ltd ワイヤボンディング方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01103845A (ja) * 1987-10-16 1989-04-20 Nec Corp ベアーボンディングの組立方法
JPH01151182A (ja) * 1987-12-08 1989-06-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電気的接続接点の形成方法
JPH03101143A (ja) * 1989-09-14 1991-04-25 Marine Instr Co Ltd ワイヤボンディング方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS60223137A (ja) 増加したボンデイング表面積を有するリ−ドワイヤボンデイング
EP0983607B1 (en) Bump forming method and bump bonder
JPS6286736A (ja) ボンデイング方法
JP2736914B2 (ja) ワイヤボンデイング方法
JPH04370941A (ja) ワイヤボンデイング方法
KR970067730A (ko) 미리 결정된 형상으로 와이어를 연결하기 위한 방법
JPS6158246A (ja) ワイヤボンデイング方法
JPH1116934A (ja) ワイヤボンディング方法
JPS6265341A (ja) ボンデイング方法
JPH039525A (ja) バンプ形成方法及びその形成装置
JPH02161737A (ja) ワイヤボンディング方法
JP2586679B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JPS62140428A (ja) ワイヤボンデイング方法
JPS57132335A (en) Wire bonding method
JPH10125710A (ja) ワイヤボンディング方法
JPS62181449A (ja) バンプ形成方法
KR850002945Y1 (ko) 반도체 연결선의 접착여부 검색장치
JPH04372146A (ja) ワイヤボンディング装置
JPS62140427A (ja) ワイヤボンデイング方法
JP2004303952A (ja) 接合方法および接合装置
JPS61102054A (ja) リ−ドフレ−ム
JPH03101143A (ja) ワイヤボンディング方法
JPH01278958A (ja) 電子部品の半田付け方法
JPH0590320A (ja) ボール式ワイヤーボンデイング方法
JP3615934B2 (ja) バンプ形成方法及びバンプボンダー