JPS6158246A - ワイヤボンデイング方法 - Google Patents

ワイヤボンデイング方法

Info

Publication number
JPS6158246A
JPS6158246A JP59179240A JP17924084A JPS6158246A JP S6158246 A JPS6158246 A JP S6158246A JP 59179240 A JP59179240 A JP 59179240A JP 17924084 A JP17924084 A JP 17924084A JP S6158246 A JPS6158246 A JP S6158246A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
gas
capillary
bonding
tip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59179240A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichiro Atsumi
幸一郎 渥美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP59179240A priority Critical patent/JPS6158246A/ja
Publication of JPS6158246A publication Critical patent/JPS6158246A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147Copper (Cu) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/78268Discharge electrode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301Capillary
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/786Means for supplying the connector to be connected in the bonding apparatus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8503Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
    • H01L2224/85035Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
    • H01L2224/85045Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85053Bonding environment
    • H01L2224/85054Composition of the atmosphere
    • H01L2224/85065Composition of the atmosphere being reducing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85053Bonding environment
    • H01L2224/85054Composition of the atmosphere
    • H01L2224/85075Composition of the atmosphere being inert
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/851Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector the connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01007Nitrogen [N]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は卑金属ワイヤを、用いたワイヤボンディング
方法に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
IC,L8Iなどのツルオートワイヤボンディングにお
いては金ワイヤを用いたものが実用されている。このワ
イヤ材料も半導体素子の低コスト化に伴ないコスト高の
要因となり、全代替ワイヤを用いてボンディングすると
とが要望されている。
その代表的なものに銅ワイヤやアルミニウムワイヤを用
いることが試みられているが、なかなか実用されていな
い。特に、銅などの卑金属ワイヤを用いた場合、ワーク
ステージを加熱し、ICのペレットやリードフレームな
どの被接合部材を200℃〜350℃程度に昇温する必
要があるため、この熱によシワイヤが酸化され、この酸
化によシボンディング不良が発生することである。
ワイヤの酸化に対する対策として実開昭59−2624
6号に記載されているようにワイヤの先端部に不活性ガ
スを吹き付け、この不活性ガスで遍蔽した状態でワイヤ
先端にボールを形成して酸化防止を行うことが提案され
ている。
しかし、この提案によっても、本件出願人の研究による
と、ワークステージに組み込まれたヒータ台の熱によっ
てヒータ台上方の近接したワイヤが酸化される。特にキ
ャピラリーやワイヤクランパも加熱されるためワイヤ走
行中このワイヤクランパ部にて接触時熱酸化され、ワイ
ヤが被接合部材近傍に走行される時にはすでに酸化が進
行していることが判った。
従って被接合部材近傍に走行されて、電気トーチ法また
は酸水素トーチ法などでボールを形成しようとしても、
ボール形成が困難となる場合が多いと−う問題があった
〇 〔発明の目的〕 この発明は、上記点に鑑みなされたもので、走行中のワ
イヤの酸化を防止し、ボール形成を安定化ならしめかつ
接合強度の高いワイヤボンディング方法を提供するもの
である。
〔発明の概要〕
すなわち、卑金属ワイヤをワイヤ繰り出し部から導出し
、クランパを順次介しキャピラリを挿通して被接合部材
に圧着してボンディングするに際し、上記クランパおよ
びキャピラリー間にN2ガス、不活性ガス又は還元性ガ
ス流入路を設け、上記卑金属ワイヤ走行路に沿って不活
性ガス又は還元性ガスを流通させることを特徴とするワ
イヤボンディング方法を得るものである。
〔発明の実施例〕
次にこの発明方法を銅ワイヤを用いた電気トーチ法によ
るワイヤボンディングに適用した実施例を図面を参照し
て説明する。
電気トーチ法によるフルオートワイヤボンディング装置
は当業者において周知であるから、その説明は省略する
。即ち、ワイヤボンディング装置のボンディングアーム
系を第1図に示す。ボンディング用ワイヤ例えば銅ワイ
ヤがワイヤ繰り出し部例えばワイヤスプール(1)に巻
装されてボンディング装置に設置される。このワイヤス
プール(1)から導出された銅ワイヤ(2)はワイヤガ
イド(3)を径てクランパ例えば第1のクランパ(4)
、第2のクランパ(5)を走行し、ボンディングシール
であるキャピラリー(6)を挿通して、銅ワイヤ(2)
の先端がキャピラ!j−(6)から突出した状態に導び
かれる。
この銅ワイヤ(2)の突出した先端近傍には電気トーチ
棒(7)が設置され、銅ワイヤ(2)の先端にボールを
形成する時のみ、銅ワイヤ(2)の先端との間で放電を
発生させるように相対的に移動例えばトーチ棒(7)を
移動させてボール(8)を形成する、この際、電気トー
チとワイヤ近傍は酸化防止のために不活性ガスや還元性
ガスなどでおおわれている。このボール(8)の下方に
は被接合部材例えば集積回路(I C’) (9)が取
着されたリードフレームaeを設置するワークステージ
圓が設けられている。このワークステージIにはヒータ
ーαりが組み込まれておシ、銅ワイヤ(2)のボンディ
ングを良好に促進させるように温度例えば200°0を
発生する。このヒータa′!Jはボンディング開始前か
ら加温され、ボンディング中は連続して−1作を実行す
るが、この加熱は直流交流いずれでもよい。
上記したボンディングアームは、ワークステージαυと
は別のX−Y駆動テーブル〔図示せず)上に設置される
が、さらにキャピラリー(6)をボンディングアーム(
13を介して上下方向(Z軸方向)にも駆動されるよう
に夫々直接カム機構を係合せずリニアモータ(図示せず
)に接続される。
さらに上記テーブルにはポンディング位置全視覚認識す
るためのカメラ(図示せず)も設置され出力をコンビエ
ータ(図示せず)に入力して、とのコンビエータにより
ボンディング位置制御を行う。
このような装置において、この発明方法は、上記ヒータ
αりKよる熱によシ銅ワイヤ(2)が特KM著に酸化さ
れる領域のワイヤ走行路を窒素ガス(N2ガス)又は不
活性ガス又は還元性ガス雰囲気にすることでらるっ即ち
、第2のクランパ(5)とキャピラリ(6)間の銅ワイ
ヤ走行路αくを不活性ガス又は還元性ガス雰囲気にする
。即ち、第2のクランパ(5)とキャピラリ(6)間の
銅ワイヤ(2)の走行路に断面T字状ダクト(t9を上
記ガスの流路を形成する如くする。このダクトα9は側
方から上記ガスが流入する流入口αυを設け、銅ワイヤ
(2)の走行路穴αカと貫通する構造になっている。こ
のガス流入0翰から不活性ガス又は還元性ガス例えば水
素混合ガスを流入させ、ワイヤの走行方向に溢って流路
を形成し、キャピラリ(6)の内部にもガスが充満する
ようにガス流路を形成して銅ワイヤ(2)の走行路に水
素混合ガス雰囲気を形成する。このように水素混合ガス
流路を形成すると、吹き出しガスによシキャピラ+7−
(61から突出した銅ワイヤ(2)の先端も形状に応じ
てかな9水素混合ガスでシールドされると共に熱気流の
上昇をも防止できる効果がある。また鋼ワイヤ先端には
別にシールドガスを吹き付ける手段と併用するようにし
てもよい。さらに供給するガスの流量は一定の例えば0
.31/m1 nでもよいが、流量を時間で可変し工も
よいし、ヒータの温度に応じて流量を可変できるようK
してもよい0さらにまた。ガスは連続吹き出しでなく適
宜の間隔で断続してパルス運転してもよい。また水素混
合ガスはキャピラリ(6)中で必ずしも気体流を作る必
要はなく、充満する程度にガスを供給するようにしても
よい。このような構成で、ボンディングの実行に際し、
ボンディングに先行してワイヤ(2)の導出設定後ヒー
タα2えの電源投入とともにガス流入口α0から水素混
合ガスを流入するように制御後、ボンディング作業を開
始するように上記コンビー−タによシブログラムコント
ロールを実施する。
ボンディング作業は周知の通D)−チ棒(7)にょ)銅
ワイヤ先端にボール(8)を形成後、ボンディング位置
にキャピラリー(6)によ)押圧して、ヒータαaによ
る熱との共働作業にょシ超音波竹用の熱圧着を行う。
このように銅ワイヤ(2)の走行路のキャピラリ入口側
を水素混合ガス雰囲気で形成することにょシにボールボ
ンディングを実行できる効果がある〇特にポールポンデ
ィング後のウェッジボンディングにおいて従来の先端の
みのガスシールドでは強固なボンディング得られなかう
たが、との実施例によれば良好な接合強度が得られてい
る。
なお上記実施例では水素混合ガスを用いた例について説
明したが、ワイヤが熱酸化するのをシールドする効果の
あるガス不活性ガス又は還元性ガスであれば例えばアル
ゴンガスや窒素ガスな−どでワイヤを大気からシールド
しても同様な効果がある。
さらにまた上記実施例では卑金属として銅ワイヤを用い
た例について説明したが卑金属であれば例えば銅系合金
ワ、イヤ、アルミニウムワイヤ、アルミニウム系合金ワ
イヤなど何れでもワイヤボンディングに実用できる卑金
属であればよい。
さらにまたダク) (119は第2図に示すようにキャ
ピラリ(6)と連動するようにアームα尋を駆動する駆
動源Qυにアーム器を介して固定させてもよいし、又は
第2クランパ(5)Kアーム(2)を取着してもよい。
さらにまたダクト(L5の設置によシ銅ワイヤ(2)の
セツティングKVAL、キャピラリー(6)への挿入が
一五(2)の途中に関節0υを設けて、ワイヤ(2)の
セツティング時のみ、キャピラリ(6)へのワイヤ(2
)の挿通動作が可能な如く回転させる機構にしてもよい
さらlctたダク) (1Sは外観的に外方からダクト
(L9を走行するワイヤ(2)の走行状態が監視できる
よさらにまたダクトa5を第2のクランパおよびキャピ
ラリー間に設けた例について説明したが、クランパが一
系統のみで構成されている場合や多数で構成される場合
にも適用できることは説明するまでもないことで、要す
るにクランパとキャピラリー間に配設すれば良い。
〔発明の効果〕
以上説明したようにこの発明によれば、ボンディング用
卑金属ワイヤ走行路のキャピラリの入口側を不活性ガス
又は還元性ガス雰囲気にするのでワイヤ先端へのポール
形成時ワイヤが酸化されてないため、良好なボールが形
成でき、強固なボンさらにポールボンディング後のウェ
ッジボンディングについても卑金属ワイヤが酸化されて
ないので、ワイヤと被接合面との接合強度が向上するな
どの効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明方法の実施例を説明するための側面図、
第2図は第1図のダクト支持例を説明するための側面図
、第3図は第2図ダクトの他の実施例説明図である。 1・・・スプール、  2・・・ワイヤ。 6・・・キャピラリ、16・・・ガス流入口。 第1図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)卑金属ワイヤをワイヤ繰り出し部から導出しクラ
    ンパを順次介しキャピラリーを挿通して被接合部材に圧
    着してボンディングするに際し、上記クランパおよびキ
    ャピラリー間に不活性ガス、窒素ガス又は還元性ガス流
    入路を設け、上記卑金属ワイヤの走行路に沿って不活性
    ガス又は還元性ガスを流通させることを特徴とするワイ
    ヤボンディング方法。
  2. (2)上記卑金属ワイヤの走行路に沿って不活性ガス又
    は還元性ガスを流入させる手段は卑金属ワイヤ走行穴を
    有し、この穴に貫通するガス流入路を設けたダクトであ
    る特許請求の範囲第1項記載のワイヤボンディング方法
  3. (3)上記ダクトは透明な材料で形成され、外方からワ
    イヤの走行状態が監視できるように構成されたものであ
    る特許請求の範囲第2項記載のワイヤボンディング方法
JP59179240A 1984-08-30 1984-08-30 ワイヤボンデイング方法 Pending JPS6158246A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59179240A JPS6158246A (ja) 1984-08-30 1984-08-30 ワイヤボンデイング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59179240A JPS6158246A (ja) 1984-08-30 1984-08-30 ワイヤボンデイング方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6158246A true JPS6158246A (ja) 1986-03-25

Family

ID=16062390

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59179240A Pending JPS6158246A (ja) 1984-08-30 1984-08-30 ワイヤボンデイング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6158246A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4983079A (en) * 1987-12-14 1991-01-08 Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha Twist drill
US5065932A (en) * 1990-09-24 1991-11-19 International Business Machines Corporation Solder placement nozzle with inert cover gas and inert gas bleed
US5230593A (en) * 1987-12-14 1993-07-27 Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha Twist drill
US7737382B2 (en) * 2004-04-01 2010-06-15 Lincoln Global, Inc. Device for processing welding wire
EP2366478A2 (en) 2001-07-10 2011-09-21 Mitsubishi Materials Corporation Drill
US8283593B2 (en) 2007-02-15 2012-10-09 Kabushiki Kaisha Shinkawa Wire cleaning guide
WO2013118340A1 (ja) * 2012-02-07 2013-08-15 株式会社新川 ワイヤボンディング装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4983079A (en) * 1987-12-14 1991-01-08 Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha Twist drill
US5088863A (en) * 1987-12-14 1992-02-18 Mitsubishi Materials Corporation Twist drill
US5230593A (en) * 1987-12-14 1993-07-27 Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha Twist drill
US5065932A (en) * 1990-09-24 1991-11-19 International Business Machines Corporation Solder placement nozzle with inert cover gas and inert gas bleed
EP2366478A2 (en) 2001-07-10 2011-09-21 Mitsubishi Materials Corporation Drill
US7737382B2 (en) * 2004-04-01 2010-06-15 Lincoln Global, Inc. Device for processing welding wire
US8283593B2 (en) 2007-02-15 2012-10-09 Kabushiki Kaisha Shinkawa Wire cleaning guide
WO2013118340A1 (ja) * 2012-02-07 2013-08-15 株式会社新川 ワイヤボンディング装置
JP2013161994A (ja) * 2012-02-07 2013-08-19 Shinkawa Ltd ワイヤボンディング装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0072113B1 (en) Apparatus and method for forming aluminum balls for ball bonding
KR100874328B1 (ko) 와이어 본딩용의 감소된 산화 시스템
US8066170B2 (en) Gas delivery system for reducing oxidation in wire bonding operations
US10022821B2 (en) Bonding method and bonding device
JPS6158246A (ja) ワイヤボンデイング方法
JPH0564459B2 (ja)
JPH0587976B2 (ja)
JPS6154638A (ja) ワイヤボンデイング装置
JPS607137A (ja) ワイヤボンダ用ボ−ル形成装置
JPH0325020B2 (ja)
JPH0530060B2 (ja)
JPS6215828A (ja) ワイヤボンデイング方法
JPS62179733A (ja) ワイヤボンデイング方式
JPS5925232A (ja) ワイヤボンディング装置
JPH0530059B2 (ja)
JPS62104126A (ja) ワイヤボンデイング方法
JP2776100B2 (ja) ワイヤボンディング装置
JP2586679B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JPH0837203A (ja) ワイヤボンデイング装置及び方法
JP2682146B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JPH01251628A (ja) ボンディング装置
JPH02194540A (ja) ワイヤボンデイング方法
JPS62130532A (ja) ボンデイング方法及びその装置
JPH0310228B2 (ja)
JPS58111331A (ja) ワイヤボンデイング用金属ボ−ルの形成方法および装置