JPH02194540A - ワイヤボンデイング方法 - Google Patents

ワイヤボンデイング方法

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JPH02194540A
JPH02194540A JP1014556A JP1455689A JPH02194540A JP H02194540 A JPH02194540 A JP H02194540A JP 1014556 A JP1014556 A JP 1014556A JP 1455689 A JP1455689 A JP 1455689A JP H02194540 A JPH02194540 A JP H02194540A
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wiring
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Takashi Kondo
近藤　▲たかし▼
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体装置の半導体素子（以下チップと称す
）とこれを収容する容器（以下パッケージと称す）とを
電気的に接続するワイヤボンディングに関するものであ
る。
〔従来の技術１ 第３図の（ａ）乃至（ｄ）は従来のワイヤボンディング
方法の主な工程を示す図である。第３図（ａ）はバ・ソ
ケージ（７）側の電極部位（７２）へアルミニウム製の
極細線（２）の先端を接続する第１ボンドを完了した後
、この電極部位（７２）からボンディングツール（４）
がチップ（８）側の電極部位（８１）上へ移動したとこ
ろを示している。なお、ボンディングツール（４）のこ
の移動の間はクランパ（５）は極細線（２）を解放し、
極細線（２）を配線（２１）として延ばす。
第３図（ｂ）は配線（２１）の他端をチップ（８）に設
けられた電極部位（８１）に接続すべくボンディングツ
ール（４）は降下し超音波接合する工程を示している。
かくして第２ボンドが達成される。なお、第１ボンドお
よび第２ボンドは、ボンディングツール（４）を介して
超音波エネルギが付与されることにより達成されている
。第３図（ｃ）は第２ボンドが完了した後、極細線（２
）をクランパ（５）で挟持し、矢印の方向に引き上げる
ことによって、極細線（２）を配線（２１）から切断す
る工程を示している。第３図（ｄ）は次の電極部位（７
３）ヘボンディングッール（４）を移動すると共にクラ
ンパ（５）により極細線（２）を挟持し矢印の方向へ所
定量だけ送り出す工程を示している。
以上の一連の工程を−サイクルとする配線作業を所定の
回数繰返し、一つの半導体装置のワイヤボンディングが
完了する。
［発明が解決しようとする課題］ 従来のワイヤボンディング方法においては、配線間の間
隔が狭くなってくると、配線間でのショートを生じる。
また、配線の長さが長くなった場合にも、配線間ショー
トが生じ易くなるし、配線の“たおれ”によるパッケー
ジやチップの角部とのショートが発生ずるため製造上の
制約や信顆性を著しく損なっていた。
この発明は上記の欠点を解決するためになされたもので
一本の配線を施す毎にこれに通電して加熱することによ
り配線の表面に絶縁性の熱酸化皮膜を形成することを目
的としている。
〔課題を解決するための手段） この発明に係るワイヤボンディング方法はアルミニウム
製の極細線で出来た配線の第１ボンドおよび第２ボンド
が終了した時点で、あるいは第２ボンドの点にボンディ
ングツールが移動を終了した時点で、極細線を配線から
切断するために用いるクランパを一方の給電点とし、第
１ボンドが完了しているパッケージの外部リードを共通
の電極として配線に通電し、これを高温に加熱し、配線
の金属表面に熱酸化皮膜を形成するワイヤボンディング
方法を提供するものである。
［作用］ この発明によるワイヤボンディング方法では１回の配線
作業毎にその配線に通電することにより配線の金属表面
が酸化され絶縁性の皮膜が形成されるため、配線作業の
完了と同時に絶縁性皮膜を形成されたワイヤボンディン
グが実施される。
［実施例１ 以下、この発明の一実施例を第１図および第２図につい
て説明する。第１図は本発明の製造方法を実施するため
の装置の全体を示し、（１）はアルミニウム製の極細線
（２）を巻き付けて保持するためのボビンである。（３
）はボンディングツール（４）を長音波振動させる超音
波ホーンで、振動子およびＸ−Ｙテーブル等（図示せず
）から構成されている。クランパ（５）は極細線（２）
の配線（２１）が完了すると極細線（２）を挟持し、ク
ランパ（５）に設けられた給電リード線（５１）から配
線（２１）を通してパッケージ（７）に設けられた外部
リード（７１）へ、そしてパッケージホルダ（６）に保
持された共通端子（９）へ更にそのリード線（９１）へ
と通電し、配線（２１）を加熱し、配線の金属表面に絶
縁性の酸化皮膜を形成するようにしたものである。
第２図は第１図のＡ部の拡大図で、通電の詳細を示す。
チップ（８）に設けられた電極部位（８１）へ配線（２
１）の第２端部がボンディングツール（４）により超音
波接合された直後、あるいは、接合を実行する直前のい
ずれかのタイミングで通電する。なお、その電流値は配
線作業に要する時間を短くするとともに、配線（２１）
が溶断しない程度で出来るだけ大きい方が望ましいが、
通常ＩＡ（直径２５μｍの場合）以下が望ましいこのよ
うに、配線（２１）を加熱して所定の熱酸化膜を形成し
た後、クランパ（５）を矢印の方向に引っばり、極細線
（２）を配線（２１）から切断（これは従来と同様）す
る。
なお、配線（２１）の金属表面に熱酸化、摸を形成し易
くするため、強制的に酸素雰囲気に保ったり、高温部に
酸素ガスを吹き付けることは、酸化皮膜の安定化や、皮
膜の厚さを増すために有効な手段であることは言うまで
もない。
さらに、クランパ（５）は極細線（２）と、密着してい
るためこの部分の金属表面の酸化を防ぐ役割りを担って
いることも明白であり、極細線（２）のこの部分の酸化
を防ぐため、積極的にクランパ（５）の有効長さを増し
たり、あるいはクランパと別に通電のための電極を設け
ることは有効な手段である。
［発明の効果１ 以上のように、この発明によればチップとパッケージを
電気的に接続する配線の表面に熱酸化膜を形成したので
、配線の密度を向上でき、また、線間のショートによる
不良発生を防ぐ等の効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明によるワイヤボンディング方法の一実
施例の装置全体を示す概略図、第２図はこの発明のワイ
ヤボンディング方法の一段階を示図において（２）は極
細線、（４）はボンディングツール、（５）はクランパ
、（７）はパッケージ、（８）はチップ、（５１）、（
９１）は通電のためのリード線である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体素子の電極部位と、この半導体素子を収容
    した容器に設けられた電極部位とを極細線で電気的に接
    続するワイヤボンディング方法において、前記極細線の
    一端を容器側の電極部位へ接続する第１ボンドを完了し
    た後、その極細線に通電して加熱することにより極細線
    の所定部位の表面に酸化皮膜を形成することを特徴とす
    るワイヤボンディング方法。
JP1014556A 1989-01-23 1989-01-23 ワイヤボンデイング方法 Pending JPH02194540A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US20150303166A1 (en) * 2014-04-17 2015-10-22 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device

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