JPH05211196A - ワイヤボンディング装置 - Google Patents

ワイヤボンディング装置

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JPH05211196A
JPH05211196A JP3325852A JP32585291A JPH05211196A JP H05211196 A JPH05211196 A JP H05211196A JP 3325852 A JP3325852 A JP 3325852A JP 32585291 A JP32585291 A JP 32585291A JP H05211196 A JPH05211196 A JP H05211196A
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bonding
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inner lead
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Kazuhiko Ono
一彦 大野
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Abstract

(57)【要約】 【目的】ワイヤとして樹脂にて被覆された被覆ワイヤを
使用するワイヤボンディングに対応できるボンディング
装置を提供する。 【構成】リードフレーム６ｂのインナーリードにおい
て、ワイヤ１に高周波磁界を与える高周波電源４と、誘
導コイル３とを含んで構成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ワイヤボンディング装
置に関し、特にワイヤとして樹脂にて被覆された被覆ワ
イヤを使用するワイヤボンディング装置にに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に半導体装置では、半導体素子に形
成された回路の信号および電源を外部回路と結線接合す
る必要がある。ここで半導体素子とは、シリコン等の半
導体金属に集積回路を形成したチップであり、本形態の
ままでの使用は、取扱・信頼性等の理由から通常ない。
そこで本チップを外部入出力端子を有しかつチップ担体
を兼ねたリードフレームに接合し、これを樹脂もしくは
セラミックスにて封止し使用する形態をとる。本工程の
中で半導体素子のパッドとリードフレームのインナーリ
ードをワイヤにて接合する装置がワイヤボンディング装
置である。一般に上述したワイヤとしては、裸線のワイ
ヤが用いられている。しかしながら、該裸線ワイヤは、
半導体集積回路の高集積化・高密度化に伴い、多ワイヤ
化・長ワイヤ化が必要となり、樹脂封止の際、ワイヤ流
れが発生しショートを起す場合がある。このため、ワイ
ヤとして樹脂にて被覆された被覆ワイヤを使用するワイ
ヤボンディング方法が、検討実用化されている。
【０００３】従来のワイヤボンディング装置について図
面を参照して詳細に説明する。図３は、従来の一例を示
す側面図である。図３に示すワイヤボンディング装置
は、ワイヤ１を案内するツール２と、ツール２を先端に
固定するボンディングヘッド部５と、ワークである半導
体素子６を上部に固定するワーク保持部７とを含んで構
成される。次に、従来のワイヤボンディング装置のボン
ディング動作を説明する。半導体素子上にボールボンデ
ィングされたワイヤ１は、第２のボンディング点におい
て、予め加熱されたリードフレーム６ｂにボンディング
ヘッド部５により加圧・超音波振動を加え接合する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のワイヤ
ボンディング装置は、リードフレームとワイヤの接合を
ツールヘッドに付加する超音波振動と加圧および熱によ
り行っているため、ワイヤが樹脂にて被覆されている
と、第２ボンディングの際、被覆がリードフレームとワ
イヤ間に介在し、接合の信頼性に欠けるという欠点があ
った。
【０００５】
【課題を解決するための手段】第１の発明のワイヤボン
ディング装置は、ボンディング点の一つであるリードフ
レームのインナーリードにおいてワイヤに高周波磁界を
与える高周波誘導加熱機構とを含んで構成される。
【０００６】第２の発明のワイヤボンディング装置は、
前記高周波誘導加熱機構は、ボンディングヘッドの先端
に設けられワイヤを案内するツールの外周部に設けられ
た誘導コイルと、前記誘導コイルに高周波電流を与える
高周波電源とを含んで構成される。
【０００７】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して詳細に
説明する。図１は、本発明の一実施例を示す正面図であ
る。図１に示すワイヤボンディング装置は、ワイヤ１を
案内するツール２と、ツール２の外周部に設けられた誘
導コイル３と、誘導コイル３に高周波電流を与える高周
波電源４と、ツール２を先端に固定するボンディングヘ
ッド部５と、ワークである半導体素子６を上部に固定す
るワーク保持部７とを含んで構成される。
【０００８】図２は本発明の一使用例を示す側面図であ
る。図２に示すワイヤボンディング装置は、ワイヤ１の
先端にボールを形成するトーチ機構部８と、ワーク６に
対し水平方向に可動するＸＹステージ９と、ボンディン
グヘッド部５の先端に設けられたツール２にワイヤ１を
供給するワイヤ供給機構１０とを含んで構成される。こ
こで、ボンディングヘッド部５は、先端にツール２を有
したボンディングアーム５ａと、ボンディングアーム５
ａを上下に揺動する揺動機構５ｂと、ツールに超音波振
動を加えるホーン５ｃとにより構成される。ワーク保持
部７は、ワーク６を順次繰り出し保持する保持機構７ａ
と、ワーク６を加熱するヒートステージ７ｂにより構成
される。トーチ機構部８は、ツール２の先端部より露出
したワイヤ１の近傍に設けられたトーチアーム８ａと、
ワイヤ１およびトーチアーム８ａに高電位差の電圧を与
えるトーチ電源８ｂとにより構成される。ＸＹステージ
９は、ワークである半導体素子６ａ，リードフレーム６
ｂに対しボンディングヘッド５を所定位置に移動するよ
う水平方向に駆動する駆動部９ａとガイド９ｂにより構
成される。ワイヤ供給機構１０はワイヤ１の消費に伴い
ワイヤ１を繰り出す繰り出し機構１０ａと、ワイヤ１に
対して一定の張力を与えるテンション付与機構１０ｂ
と、ツール２に繰り出されたワイヤ１をボンディングの
際保持するワイヤクランプ１０ｃにより構成される。次
に本実施例のボンディング動作を説明する。ボンディン
グヘッド５は、予め与えられたボール形成位置におい
て、ワイヤ供給機構１０より繰り出されたワイヤ１に、
トーチアーム８ａより高圧の電圧を与え放電を起こしワ
イヤ１の先端にボールを形成する。この際、ワイヤ１の
樹脂被覆はトーチ放電のため除去され、表層が清浄なボ
ールを形成する。
【０００９】次にボンディングヘッド５は、ワーク１に
対し予め教示された位置データを基にＸＹステージ９を
駆動し、第１のボンディング点である半導体素子６ａの
パッド上に移動し、揺動機構５ｂによりツール２を下降
させホーン５ｃにより超音波振動を加えるとともに加圧
を行いワイヤ１を半導体素子６ａに接合する。
【００１０】さらに、ボンディングヘッド５は、第１の
ボンディング箇所と結線するリードフレーム６ｂのイン
ナーリード上に、予め教示された位置データを基にＸＹ
ステージ９を駆動し移動し、揺動機構５ｂによりツール
２を下降させる。この際、ワイヤ１の張力が大きく変化
しないようテンション付与機構１０ｂにより張力を調整
する。ツール２がリードフレーム６ｂに接触後、誘導コ
イル３に高周波電源４より高周波電流を付与し、ワイヤ
１に誘導電流を発生させワイヤ１を局所加熱する。これ
により、ワイヤ１の樹脂被覆を溶融し、第２のボンディ
ング箇所に接続するワイヤを裸線とする。次にホーン５
ｃにより超音波振動を加えるとともに加圧を行いワイヤ
１をリードフレーム６ｂに接合する。以上の一連の動作
を複数回繰り返すことにより、半導体素子６ａとリード
フレーム６ｂの入出力端子の結線を完了する。
【００１１】
【発明の効果】本発明のワイヤボンディング装置は、誘
導コイルおよび高周波電源を追加することにより、第２
のボンディング点であるリードフレームにおいてワイヤ
に高周波誘導を与えることができ、ワイヤを局部的に加
熱でき、ワイヤが樹脂にて被覆されている場合でも、ワ
イヤの被覆を溶融でき、被覆がリードフレームとワイヤ
間に介在せず接合の信頼性が高くなるという効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す側面図である。
【図２】本発明の一使用例を示す側面図である。
【図３】従来の一例を示す側面図である。
【符号の説明】
１ ワイヤ ２ ツール ３ 誘導コイル ４ 高周波電源 ５ ボンディングヘッド ６ ワーク ７ ワーク保持部 ８ トーチ機構部 ９ ＸＹステージ １０ ワイヤ供給機構

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ボンディング点の一つであるリードフレ
    ームのインナーリードにおいてワイヤに高周波磁界を与
    える高周波誘導加熱機構を有することを特徴とするワイ
    ヤボンディング装置。
  2. 【請求項２】 前記高周波誘導加熱機構は、ボンディン
    グヘッドの先端に設けられワイヤを案内するツールの外
    周部に設けられた誘導コイルと、前記誘導コイルに高周
    波電流を与える高周波電源とを含む請求項１記載のワイ
    ヤボンディング装置。
JP3325852A 1991-12-10 1991-12-10 ワイヤボンディング装置 Withdrawn JPH05211196A (ja)

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JP3325852A JPH05211196A (ja) 1991-12-10 1991-12-10 ワイヤボンディング装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8283593B2 (en) 2007-02-15 2012-10-09 Kabushiki Kaisha Shinkawa Wire cleaning guide
CN112055889A (zh) * 2019-04-09 2020-12-08 株式会社海上 绝缘覆盖线的结合方法、连接构造、绝缘覆盖线的剥离方法以及接合装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8283593B2 (en) 2007-02-15 2012-10-09 Kabushiki Kaisha Shinkawa Wire cleaning guide
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