JPH0237731A - ワイヤボンディング装置 - Google Patents

ワイヤボンディング装置

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JPH0237731A
JPH0237731A JP63187522A JP18752288A JPH0237731A JP H0237731 A JPH0237731 A JP H0237731A JP 63187522 A JP63187522 A JP 63187522A JP 18752288 A JP18752288 A JP 18752288A JP H0237731 A JPH0237731 A JP H0237731A
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lead frame
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heater
pressure
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郁夫 森
Koichiro Atsumi
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    • H01L2924/01082Lead [Pb]

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は1例えば集積回路等の電子部品の組立工程にお
いて、半導体素子の電極とリードフレームとをワイヤを
介して結線するワイヤボンディング装置に関する。
(従来の技術) 従来、ワイヤボンディング装置には、半導体素子を所定
位置に固定したリードフレームを送り爪やローラを利用
してフィーダ上で搬送し、上記リードフレームを所定位
置に搬送したのち、押え治具により、リードフレームを
押え付けて、半導体素子の電極とリードフレームをワイ
ヤボンディングするものがある。つまり、このようなワ
イヤボンディング装置では、半導体素子を例えばその上
面に載置・固定したリードフレームをフィーダ上で順次
移動させ、所定位置に達したものから位置決めして順に
ボンディングしている。
また、上述のようなワイヤボンディングでは。
半導体素子やリードフレームをrめ適正な温度に加熱し
ておくことにより、より良好な接合状態でボンディング
できる。このため、上述のワイヤボンディング装置では
、フィーダの下部に設けたヒータによってリードフレー
ムや半導体素子を加熱している。
(発明か解決しようとする課題) ところで、このような従来のワイヤボンディング装置で
は、リードフレームや半導体素子が適正な温度領域まで
十分に加熱されないうちにボンディングしてしまうこと
があった。つまり、従来のワイヤボンディング装置では
1例えば装置の運転開始直後にボンディングされるもの
、すなわちフィーダ上に並べられ搬送される電子部品の
うちの先頭の電子部品に対しては、半導体素子やリード
フレームを充分に加熱しないまま両部材をワイヤボンデ
ィングしてしまうことがあった。
また、ヒートシンクを有する電子部品では。
般にヒートシンクと半導体素子とはマウント材により結
合されているため、半導体素子はヒートシンク直下のヒ
ータにより所定の温度に加熱される。
しかし、上記ヒートシンクとリードフレームとは一部の
接続部分を除いて分離されている。したがって、リード
フレームが適正ボンディング温度まで加熱されないうち
にワイヤボンディングされることがあり、このことが接
合不良の原因になる場合があった。
本発明の目的とするところは、電子部品の種類に拘らず
、半導体素子とリードフレームとを常に適正な温度に加
熱できるワイヤボンディング装置を提供することにある
(課題を解決するための手段及び作用)上記目的を達成
するために本発明は、半導体素子を固定したリードフレ
ームを位置決めする押え治具に、上記リードフレームを
加熱する加熱手段を設けたことにある。
こうすることによって本発明は、電子部品の種類に拘ら
ず、半導体素子とリードフレームとを常に適正な温度に
加熱できるようにしたことにある。
(実施例) 以下2本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第1図は本発明の一実施例の外観を示すもので。
図中1は例えば組立工程にある集積回路2を搬送するフ
ィーダである。そして、このフィーダ1を。
例えばパーフォレーションなどの送り孔部(図示しない
)を有する送り部材3に、はぼ一定間隔で一列に配置さ
れた複数のリードフレーム4・・・が。
フィーダ1に沿って移動し搬送されるようになっている
。そして、各リードフレーム4は各集積回路2を構成す
るものであり、また、これらの搬送は図示しない送り爪
やローラによって行なわれる。
ここで、第1図および第2図(a)、(b)中の矢印A
は搬送方向を示すものである。
さらに、このフィーダ1の下部には第1のヒータ5を内
蔵したヒータブロック6が設けられている。上記第1の
ヒータ5が発した熱は上記ヒータブロック6に伝わり、
これによってヒータブロック6は加熱され高温になる。
さらに、上記ヒータブロック6は図中に矢印Bで示すよ
うに上下動が可能であり、上方へ移動したときにはヒー
タブロック6はフィーダ1の開口部のリードフレーム4
直下に到達し、リードフレーム4に接して又は。
間りょうを有して停止する。
さらに、上記ヒータブロック6の上方には、後述する押
え治具7が配置されている。また、この押え治具7の近
傍には、たとえばスプール(図示しない)から供給され
たワイヤ8を把持するクランパ9及び上記ワイヤ8の先
端をその上部から挿入し下端部に導出したホーン10な
どが設けられている。そして、これらクランパ9および
ホーン10はヘッド11からフィーダ1に向けて突設さ
れており、さらに、上記へラド11には認識用のカメラ
12および鏡筒13が設けられている。ここで1図中に
14で示すのはワイヤ8の先端部を溶融し、ボールを形
成するための電気トーチである。なお、ワイヤ8には金
あるいは銅などが用いられる。
また、前記押え治具7はボンディングキャピラリが挿通
するように矩形状の開口部15を有する枠状体であり、
上記開口部15の周縁部には、第2図(b)に示すよう
に押え部16が下方へ一体に突設されている。さらに、
この押え治具7の一端部には加熱手段としての第2のヒ
ータ17が内蔵されている。つまり、この第2のヒータ
17の発した熱は押え治具7に伝わり、さらに、上記押
え部16に伝わって、押え部16は加熱され高温になる
。また、この押え治具7は第1図中に矢印Cで示すよう
に1図示しない駆動機構によって上下動を行なう。上記
押え治具7が上方へ移動するときにはヒータブロック6
は下方へ移動し、押え治具7が下方へ移動するときには
、ヒータブロック6は上方へ移動し1両者の間で、リー
ドフレーム4を固定する。
一方、上記集積回路2・・・はヒートシンク付のもので
、第2図(a)および(b)の中で18で示すのはその
上部にリードフレーム4を接続したヒートシンクである
。また、ヒートシンク18の上面の中央部にはマウント
材料19を介して半導体素子20が固定されている。さ
らに、ヒートシンク18とリードフレーム4とは一部の
接続部分21.21を除いて離間している。
そして、上記集積回路2はフィーダ1に沿って搬送され
ホーン10の下部に停止する。このとき。
上方へ移動してフィーダ1直下に達したヒータブロック
6に上記ヒートシンク18の下部が接し。
これによってヒートシンク18に固定された半導体素子
20およびその電極22・・・が加熱される。
つまり、半導体素子20の電極22・・・にはヒータブ
ロック6の熱がヒートシンク18を介して伝達される。
また、上記第2のヒータ16に加熱されて高温になった
押え治具7がリードフレーム4に向かって下降し、押え
治具7はその開口部15の中央部に上記半導体素子20
を位置させた状態で上記リードフレーム4を押え付ける
。このとき、押え治具7の押え部16がリードフレーム
4に圧接し。
これによって、リードフレーム4および半導体素子20
は強固に固定される。さらに、第2のヒータ16の熱が
、上記押え部16を介してリードフレーム3に伝えられ
てリードフレーム4は加熱される。こうして上記半導体
素子20とリードフレーム4とを加熱したのち、電極・
リードの順でボンディングされ、上記電極22・・・と
これに対応する上記リードフレーム4の各部分とが第2
図(b)に示すように、ワイヤ8を介して結線される。
さらに、この結線作業はホーン10を押え治具7の開口
部15に上方から差込むようにして行なわれる。
また、1つの集積回路2の各電極22とリードフレーム
4の所定箇所との結線が全て終わったのちには、上記押
え治具7は上方へ移動してリードフレーム4と離間し、
さらに、上記ヒータブロック6は下方へ移動してヒート
シンク18と離間する。そして2ボンデイングが終了し
た集積回路2aはフィード1に沿って前進するとともに
、搬送手前側にあった次の集積回路2bがホーン10の
下部に搬送されて停止し、上記押え治具7と上記ヒータ
ブロック6とがリードフレーム4を固定する。
このような構成のものでは、押え治具7とヒータブロッ
ク6との両方によって半導体素子20の電極22・・・
とリードフレーム4とが加熱され、これによって上記電
極22・・・およびリードフレーム4は素早く且つ確実
に適正なボンディング温度に達する。したがって、待機
している間にも加熱される池の集積回路2bに比べて加
熱時間の短い先頭の集積回路2aでも充分に加熱できる
ため、接合不良が生じるということがない。また、リー
ドフレーム3が加熱され難いヒートシンク付集積回路2
などをボンディングする場合でも、上記電極22・・・
やリードフレーム4が充分に加熱されないうちに結線さ
れるということがないため、接合不良を解消できる。
また、マウント材料19に、はんだなどの低融点のもの
を利用する場合には、マウント材料19の融点によって
加熱温度の上限が設定されることがあるが、このような
ときには半導体素子20やリードフレーム4を十分に加
熱することが困難になる。しかし1本実施例のような構
成にすることによって、半導体素子20とリードフレー
ム3とを個別な温度で加熱することができようになる。
つまり、半導体素子20の温度とリードフレーム3の温
度とを個別に設定できるので1例えば半導体素子20の
温度を上記マウント材料19の融点よりも低く設定し、
リードフレーム3の温度は上記融点よりも高く設定する
ということが可能になり、これによって、より良好なボ
ンディングを行なうことができる。
なお2本実施例では半導体素)20とリードフレーム3
とがほぼ分離したヒートシンク付集積回路2をボンディ
ングしたが1本発明はこれに限定されるものではなく1
例えばリードフレームの所定位置に半導体素子を直接に
マウントした集積回路をワイヤボンディングするものに
も適用可能である。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、半導体素子を設置したリ
ードフレームを固定する押え治具に。
上記リードフレームを加熱する加熱手段を設けたもので
ある。
したがって本発明は、電子部品の種類に拘らず。
半導体素子とリードフレームとを常に適正な温度に加熱
できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本発明の一実施例を示すもので、
第1図は外観を示す斜視図、第2図(a)は位置決め前
のリードフレームおよび半導体素子を示す一部縦断した
側面図、第2図(b)は位置決め後のリードフレームお
よび半導体素子を示す同じく一部縦断した側面図である
。 4・・・リードフレーム、7・・・押え治具、8・・・
ワイヤ、17・・・第2のヒータ、20・・・半導体素
子。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 (a) Δ 第1図 (b) 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体素子をマウントしたリードフレームを押え治具に
    より位置決めして上記半導体素子と上記リードフレーム
    とをワイヤを介して結線するワイヤボンディング装置に
    おいて、上記押え治具に上記リードフレームを加熱する
    加熱手段を設けたことを特徴とするワイヤボンディング
    装置。
JP63187522A 1988-07-27 1988-07-27 ワイヤボンディング装置 Expired - Lifetime JP2703272B2 (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02140848U (ja) * 1989-04-25 1990-11-26
KR100685869B1 (ko) * 2001-04-12 2007-02-23 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 범핑과 압착을 동시에 행하는 와이어본더

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5432263A (en) * 1977-08-17 1979-03-09 Toshiba Corp Heating unit for wire bonding
JPS62204327U (ja) * 1986-06-17 1987-12-26

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5432263A (en) * 1977-08-17 1979-03-09 Toshiba Corp Heating unit for wire bonding
JPS62204327U (ja) * 1986-06-17 1987-12-26

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02140848U (ja) * 1989-04-25 1990-11-26
KR100685869B1 (ko) * 2001-04-12 2007-02-23 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 범핑과 압착을 동시에 행하는 와이어본더

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