JPH0645409A - ワイヤーボンディング方法及びその装置 - Google Patents

ワイヤーボンディング方法及びその装置

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JPH0645409A
JPH0645409A JP4195656A JP19565692A JPH0645409A JP H0645409 A JPH0645409 A JP H0645409A JP 4195656 A JP4195656 A JP 4195656A JP 19565692 A JP19565692 A JP 19565692A JP H0645409 A JPH0645409 A JP H0645409A
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JP
Japan
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metal wire
bonding
wire
capillary tool
coated film
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JP4195656A
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English (en)
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Hiromori Okumura
弘守 奥村
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Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 キャピラリツール4に挿通した金属線5の先
端を、半導体チップ1等の第1ボンディング箇所に対し
て接合し、次いで、前記金属線5の途中をリード端子3
等の第2ボンディング箇所に対して接合するようにした
ボール式のワイヤーボンディング方法において、前記第
2ボンディング箇所への金属線5の接合強度をアップす
る。 【構成】 前記金属線5のうち前記第2ボンディング箇
所に対して接合する部分を、金属線5における絶縁被膜
の融点よりも高く金属線の融点よりも低い温度に部分的
に加熱する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、トランジスターやIC
等の電子部品の製造用リードフレームに搭載した半導体
チップとリードフレームにおける各リード端子との相互
間とか、或いは、絶縁基板に搭載した半導体チップと絶
縁基板に形成したプリント配線との相互間を、細い金属
線にて接続すると言うワイヤーボンディング方法、及び
その装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、この種のワイヤーボンディング
は、従来から良く知られているように、 .第1ボンディング箇所である半導体チップ等の上方
に、金属線を挿通したキャピラツールを配設し、このキ
ャピラツールと前記半導体チップとの間に、スパークト
ーチ体を挿入する。 .前記スパークトーチ体と前記金属線の下端との間に
スパーク放電を行うことにより、前記金属線の下端にボ
ール部を形成する。 .前記スパークトーチ体を後退したのち、前記キャピ
ラリツールを下降動することにより、これに挿通した金
属線の先端におけるボール部を、前記半導体チップに対
して押圧・接続する。 .前記キャピラリツールを、一旦、上昇動し、次い
で、第2ボンディング箇所であるリード端子又はプリン
ト配線の上方まで移動したのち、リード端子又はプリン
ト配線に向かって下降動することにより、前記金属線を
リード端子又はプリント配線に対して押圧・接続する。 .そして、前記キャピラリツールを、前記金属線を切
断しながら上昇したのち、前記の状態に戻す。 と言う順序で行うようにしている(例えば、特開昭62
−136836号公報等)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記ワイヤ
ーボンディングに際して使用する金属線の表面には、当
該金属線の補強及び保護等を図るために、ポリイミド樹
脂等の合成樹脂製の絶縁被膜が形成されている。従っ
て、この金属線のうちリード端子又はプリント配線等の
第2ボンディング箇所に対して接合する部分も、絶縁被
膜にて被覆されていることにより、この部分における第
2ボンディング箇所への接合が、前記絶縁被膜によって
阻害されて、その接合強度が低下するから、金属線の第
2ボンディング箇所への接合が外れることが発生して、
不良品の発生率が増大すると言う問題があった。
【0004】本発明は、この問題を解消できるようにし
たワイヤーボンディング方法及び装置を提供することを
技術的課題とするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、キャピラリツールに挿通した金属線に
おける先端を前記キャピラリツールにて第1ボンディン
グ箇所に対して押圧・接合し、次いで、前記金属線の途
中を前記キャピラリツールにて第2ボンディング箇所に
対して押圧・接合するようにしたワイヤーボンディング
方法において、前記金属線のうち第2ボンディング箇所
に対して接合する部分を、前記第2ボンディング箇所へ
の接合以前において当該金属線における絶縁被膜の融点
よりも高く金属線の融点よりも低い温度に部分的に加熱
することにした。
【0006】
【作 用】このようにすることにより、金属線のうち
第2ボンディング箇所に対して接合する部分における絶
縁被膜を、当該部分における金属線を溶断することな
く、加熱による溶融によって無くすることができるか、
或いは、その絶縁被膜の厚さを薄くすることができるか
ら、金属線の第2ボンディング箇所に対する接合強度
が、絶縁被膜のために低下することを、金属線のうちそ
の他の部分における絶縁被膜を損傷することなく、確実
に防止できるのである。
【0007】
【発明の効果】従って、本発明によると、金属線の第2
ボンディング箇所に対する接合強度をアップすることが
できるから、第2ボンディング箇所への接合が外れるこ
とに起因する不良品の発生率を大幅に低減できる効果を
有する。また、本発明における装置によると、キャピラ
リツールに対して、クランプ式の加熱体を設けるだけで
良いから、装置の構造の複雑化及び大型化を回避できる
効果を有する。
【0008】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面について説明す
る。図において符号1は、リード端子3付きリードフレ
ーム2に搭載した半導体チップを示し、この半導体チッ
プ1の上方には、金属線5を挿通して成るセラミック製
のキャピラリツール4が配設され、このキャピラリツー
ル4は、ツールホーン6に取付き、このツールホーン6
によって前記半導体チップ1とリード端子3との間を横
方向に往復動すると共に、その往復動の両端において上
下動するように構成されている。
【0009】そして、前記キャピラリツール4が、図1
に示すように、半導体チップ1の真上の部位に位置して
いるとき、このキャピラリツール4に挿通した金属線5
の下端にボール部5aを形成すると、前記キャピラリツ
ール4が、図2に示すように、半導体チップ1に向かっ
て下降動することにより、金属線5の先端におけるボー
ル部5aを半導体チップ1に対して押圧・接続する。
【0010】次いで、前記キャピラリツール4が、半導
体チップ1より離れるように上昇動し、リード端子3の
真上の部位まで横移動したのち、図3に示すように、リ
ード端子3に向かって下降動することにより、金属線5
の途中を、リード端子3に対して押圧・接続する。次い
で、前記キャピラリツール4が、図4に示すように、少
しだけ上昇すると、このキャピラリツール4の上部に設
けた左右一対のクランプ片7a,7bが金属線5をクラ
ンプし、この状態でキャピラリツール4が更に上昇動す
ることにより、図5に示すように、金属線5を切断した
のち、前記図1の状態に戻ることにより、半導体チップ
1とリード端子3との間を、金属線5にてワイヤーボン
ディングするのである。
【0011】そして、このワイヤーボンディングに際し
て、前記キャピラリツール4の上方の部位には、金属線
5における絶縁被膜の融点よりも高く金属線の融点より
も低い温度に加熱した左右一対のクランプ式加熱体8
a,8bを配設することにより、この両加熱体8a,8
bにより、前記金属線5のうちリード端子3に対して接
合する部分を、図2に示す状態において、部分的に挟み
付けるように構成する。なお、符号5bは、前記金属線
5のうち前記両加熱体8a,8bにて挟み付けた部分を
示す。
【0012】このように、金属線5のうち第2ボンディ
ング箇所であるところのリード端子に対して接合する部
分を、両加熱体8a,8bにて部分的に挟み付けること
により、金属線5のうちリード端子3に対して接合する
部分における絶縁被膜を、当該部分における金属線5を
溶断することなく、加熱による溶融によって無くするこ
とができるか、或いは、その絶縁被膜の厚さを薄くする
ことができるから、金属線5のリード端子3に対する接
合強度が、絶縁被膜のために低下することを、金属線5
のうちその他の部分における絶縁被膜を損傷することな
く、確実に防止できるのである。
【0013】なお、前記実施例は、リードフレーム2に
搭載した半導体チップ1と、リードフレーム2における
リード端子3との間をワイヤーボンディングする場合で
あったが、本発明はこれに限らず、絶縁基板に搭載した
半導体チップと絶縁基板におけるプリント配線との間の
ワイヤーボンディング等、その他のワイヤーボンディン
グにも適用できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【図1】ワイヤーボンディングにおける第1の状態を示
す図である。
【図2】ワイヤーボンディングにおける第2の状態を示
す図である。
【図3】ワイヤーボンディングにおける第3の状態を示
す図である。
【図4】ワイヤーボンディングにおける第4の状態を示
す図である。
【図5】ワイヤーボンディングにおける第5の状態を示
す図である。
【符号の説明】
1 半導体チップ 2 リードフレーム 3 リード端子 4 キャピラリツール 5 金属線 5a ボール部 6 ツールホーン 7a,7b クランプ片 8a,8b 加熱体

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】キャピラリツールに挿通した金属線におけ
    る先端を前記キャピラリツールにて第1ボンディング箇
    所に対して押圧・接合し、次いで、前記金属線の途中を
    前記キャピラリツールにて第2ボンディング箇所に対し
    て押圧・接合するようにしたワイヤーボンディング方法
    において、前記金属線のうち第2ボンディング箇所に対
    して接合する部分を、前記第2ボンディング箇所への接
    合以前において当該金属線における絶縁被膜の融点より
    も高く金属線の融点よりも低い温度に部分的に加熱する
    ことを特徴とするワイヤーボンディング方法。
  2. 【請求項2】内部に挿通した金属線を第1ボンディング
    箇所と第2ボンディング箇所の両方に対して押圧するた
    めのキャピラリツールを備えたワイヤーボンディング装
    置において、前記キャピラリツールへの金属線の入口の
    部分に、前記金属線のうち前記第2ボンディング箇所に
    対して接合する部分を部分的に挟み付けるようにしたク
    ランプ式の加熱体を配設したことを特徴とするワイヤー
    ボンディング装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU728241B2 (en) * 1997-08-11 2001-01-04 Hendrickson International Corporation Leaf spring attachment member

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3132287B2 (ja) * 1994-04-27 2001-02-05 株式会社村田製作所 電子部品用端子連及びその製造装置
JP3077101B2 (ja) * 1995-11-24 2000-08-14 株式会社新川 被覆ワイヤのワイヤボンディング装置及びその方法
JP3057631B2 (ja) * 1995-11-24 2000-07-04 株式会社新川 被覆ワイヤのワイヤボンディングツールの清浄方法
JP3218382B2 (ja) * 1995-12-05 2001-10-15 株式会社新川 被覆ワイヤのワイヤボンディング方法
JP3074517B2 (ja) * 1995-12-05 2000-08-07 株式会社新川 被覆ワイヤのワイヤボンディング方法
US8033838B2 (en) 1996-02-21 2011-10-11 Formfactor, Inc. Microelectronic contact structure
US6237833B1 (en) 1998-06-15 2001-05-29 Rohm Co., Ltd. Method of checking wirebond condition
JP3522123B2 (ja) * 1998-09-30 2004-04-26 株式会社新川 ワイヤボンディング方法
US6595405B2 (en) * 2000-02-23 2003-07-22 Fujikura, Ltd. Connection structure and method for connecting printed circuit and metal terminal, and reinforcing structure and method for reinforcing junction therebetween
JP4187066B2 (ja) * 2003-01-27 2008-11-26 株式会社村田製作所 抵抗溶接方法、装置、および電子部品の製造方法
AT516577B1 (de) * 2014-11-05 2022-06-15 Zkw Group Gmbh Drahtbondingverfahren und Drahtbondingwerkzeug
CN104966678B (zh) * 2015-05-25 2017-11-24 中国电子科技集团公司第三十八研究所 一种一体化封装微波器件阵列式平行焊接装置及方法
CN111299880B (zh) * 2019-11-06 2022-01-07 江苏微邦电子有限公司 一种引线键合机

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5630118A (en) * 1979-08-21 1981-03-26 Sharp Corp Liquid crystal display element
US4583676A (en) * 1982-05-03 1986-04-22 Motorola, Inc. Method of wire bonding a semiconductor die and apparatus therefor
JPS60158637A (ja) * 1984-01-28 1985-08-20 Nec Corp ワイヤボンデイング装置
JPS62136836A (ja) * 1985-12-10 1987-06-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
EP0276928B1 (en) * 1987-01-26 1994-10-26 Hitachi, Ltd. Wire Bonding
JP2723280B2 (ja) * 1989-02-13 1998-03-09 株式会社日立製作所 ワイヤボンディング方法および装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU728241B2 (en) * 1997-08-11 2001-01-04 Hendrickson International Corporation Leaf spring attachment member

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