JPS62154648A - バンプ形成方法 - Google Patents
バンプ形成方法Info
- Publication number
- JPS62154648A JPS62154648A JP29500685A JP29500685A JPS62154648A JP S62154648 A JPS62154648 A JP S62154648A JP 29500685 A JP29500685 A JP 29500685A JP 29500685 A JP29500685 A JP 29500685A JP S62154648 A JPS62154648 A JP S62154648A
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- Japan
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- bump
- wire
- capillary
- molding
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
- H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
- H01L2224/1134—Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体素子の゛成極パッド上に外部端子を接
続するためのバンプを形成する方法に関する。
続するためのバンプを形成する方法に関する。
半導体素子の′α極パッドと外部端子とラミ気的に接続
する場合、これら両者をワイヤで接続する、いわゆるワ
イヤデンディングが知られている。しかしながら、ワイ
ヤざンディングの場合、ワイヤの立ち上り高さが必要と
なるから、全体の高さ寸法を十分小さくすることができ
ないという欠点がある。また、ワイヤデンディングは接
続個所ごとにワイヤを配線しなければならないから、接
続個所が多い駅舎には作業能率が低下するということも
ある。
する場合、これら両者をワイヤで接続する、いわゆるワ
イヤデンディングが知られている。しかしながら、ワイ
ヤざンディングの場合、ワイヤの立ち上り高さが必要と
なるから、全体の高さ寸法を十分小さくすることができ
ないという欠点がある。また、ワイヤデンディングは接
続個所ごとにワイヤを配線しなければならないから、接
続個所が多い駅舎には作業能率が低下するということも
ある。
このような欠点金除去する電極パッドと外部端子との接
続方法として、上記電極パッドにバンプを形成し、この
バンプに上記外部端子を接続するということが行なわれ
ている。バンプを利用した接続方法によれば、電極パッ
ドと外部端子とがバンプを介して直接的に接合固定され
るから、ワイヤを用いた場合に比べて接合部分の高さを
低くすることができ、またたとえばフィルムなどに設け
られた多数の外部端子を電極ノぞラドに１度の工程で接
合固定することができるなどの利点を有する。
続方法として、上記電極パッドにバンプを形成し、この
バンプに上記外部端子を接続するということが行なわれ
ている。バンプを利用した接続方法によれば、電極パッ
ドと外部端子とがバンプを介して直接的に接合固定され
るから、ワイヤを用いた場合に比べて接合部分の高さを
低くすることができ、またたとえばフィルムなどに設け
られた多数の外部端子を電極ノぞラドに１度の工程で接
合固定することができるなどの利点を有する。
ところで、従来電極ノ々ツドにバンプを形成する方法と
しては、特開昭５９−２０８７５１号公報に示されるも
のが知られている。この公知技術は、バンプ全ワイヤビ
ンディングによって形成するようにしている。つまう、
キャビ２すに挿通されたワイヤの先端にメール全形成し
たな゛らば、このボール全メンディング／ぞラドに接合
する。そののち、ワイヤをクランパなどで引きちき゛る
ことによって上記ノ９ツド上にバンプを形成するように
している。しかしながら、ワイヤをクランパによって引
きちぎるようにしたのでは、ざ−ルに残るワイヤの長さ
寸法が一定しない、そして、そのような状態のバンプの
上方に外部端子を位置決めしたのち、加圧および加熱し
て接合するようにすると、外部端子とバンプとの接合状
態、すなわち接合強度が一定とならなかったシ、接合不
良を招くなどの欠点が生じる。
しては、特開昭５９−２０８７５１号公報に示されるも
のが知られている。この公知技術は、バンプ全ワイヤビ
ンディングによって形成するようにしている。つまう、
キャビ２すに挿通されたワイヤの先端にメール全形成し
たな゛らば、このボール全メンディング／ぞラドに接合
する。そののち、ワイヤをクランパなどで引きちき゛る
ことによって上記ノ９ツド上にバンプを形成するように
している。しかしながら、ワイヤをクランパによって引
きちぎるようにしたのでは、ざ−ルに残るワイヤの長さ
寸法が一定しない、そして、そのような状態のバンプの
上方に外部端子を位置決めしたのち、加圧および加熱し
て接合するようにすると、外部端子とバンプとの接合状
態、すなわち接合強度が一定とならなかったシ、接合不
良を招くなどの欠点が生じる。
この発明は、ワイヤボンディングを用いてバンプ全形成
した場合に、そのバンプの形状を一定にすることができ
るようにしたバンプ形成方法を提供することを目的とす
る。
した場合に、そのバンプの形状を一定にすることができ
るようにしたバンプ形成方法を提供することを目的とす
る。
この発明は、キャピラリに挿通されたワイヤの先端にボ
ールを形成し、このボールを被接合部に押圧接合したの
ち、上記ボールから上記ワイヤ金切り離し、ついで上記
メールを成形することにより、形状を一定にするように
したものである。
ールを形成し、このボールを被接合部に押圧接合したの
ち、上記ボールから上記ワイヤ金切り離し、ついで上記
メールを成形することにより、形状を一定にするように
したものである。
以下、この発明の一笑施例を第１図乃至第８図′ｆｔｇ
照して説明する。まず、第１図に示すようにキャピラリ
１に挿通された金、銅、アルミニュウムなどの材料から
なるワイヤ２の先端に電気トーチ３を対向させ、上記ワ
イヤ２との間でスパークを発生させることにより、上記
ワイヤ２の先端にざ−ル４を形成する。つぎに、第２図
に示すように上記キャピラリ１を下降させて被接合部で
ある半導体素子５の電極パッド６上に上記ボール４を押
圧する。このとき、上記ざ−ル４はキャピラリ１からの
超音波振動が加えられて発−熱するとともに、図示せぬ
ヒータブロックからの熱も上記半導体素子５を介して伝
わるから、上記ボール４は溶融されて電極パラち、第３
図に示すようにキャピラ＋７１が上昇する。ついで、上
記ボール４の上方に鋭利なエツジ部７を有する切欠き治
具８が前進してきて上記ワイヤ２の上記が−ル４の直上
の個所に第８図に拡大して示すように切欠き９ｆ：形成
する。
照して説明する。まず、第１図に示すようにキャピラリ
１に挿通された金、銅、アルミニュウムなどの材料から
なるワイヤ２の先端に電気トーチ３を対向させ、上記ワ
イヤ２との間でスパークを発生させることにより、上記
ワイヤ２の先端にざ−ル４を形成する。つぎに、第２図
に示すように上記キャピラリ１を下降させて被接合部で
ある半導体素子５の電極パッド６上に上記ボール４を押
圧する。このとき、上記ざ−ル４はキャピラリ１からの
超音波振動が加えられて発−熱するとともに、図示せぬ
ヒータブロックからの熱も上記半導体素子５を介して伝
わるから、上記ボール４は溶融されて電極パラち、第３
図に示すようにキャピラ＋７１が上昇する。ついで、上
記ボール４の上方に鋭利なエツジ部７を有する切欠き治
具８が前進してきて上記ワイヤ２の上記が−ル４の直上
の個所に第８図に拡大して示すように切欠き９ｆ：形成
する。
ワイヤ２に切欠き９が形成されると、上記切欠き治具８
が後退するとともに、第４図に示すようにキャピラリ１
の上方に設けられたクランパ１１がワイヤ２′ｌｔ挾持
し、この状態でクランパ１１が上昇する。したがって、
上記ワイヤ２は切欠き治具８によって形成された切欠き
９の個所から切断され、これによってｔ極・！ラド６上
にバンプ１２が形成される。つぎに、このバンプ１２の
上方に第５図に示すように下面が平坦面１３に形成され
た加圧体１４が水平に進入し、ついで矢示方向に下降し
て上記バンプ１２を所定の圧力で加圧する。このとき、
上記バンプ１２あるいは加圧体１４の少なくともいずれ
か一方を加熱しておく。すると、上記バンプ１２は第６
図に示すように上記加圧体１４によって第７図に示すよ
うに合成樹脂Ｍフィルム１６から延出された外部端子１
７が適宜の手段、たとえば第５図に示す工程で用いられ
た加圧体１４を利用して加圧するなどして接続される。
が後退するとともに、第４図に示すようにキャピラリ１
の上方に設けられたクランパ１１がワイヤ２′ｌｔ挾持
し、この状態でクランパ１１が上昇する。したがって、
上記ワイヤ２は切欠き治具８によって形成された切欠き
９の個所から切断され、これによってｔ極・！ラド６上
にバンプ１２が形成される。つぎに、このバンプ１２の
上方に第５図に示すように下面が平坦面１３に形成され
た加圧体１４が水平に進入し、ついで矢示方向に下降し
て上記バンプ１２を所定の圧力で加圧する。このとき、
上記バンプ１２あるいは加圧体１４の少なくともいずれ
か一方を加熱しておく。すると、上記バンプ１２は第６
図に示すように上記加圧体１４によって第７図に示すよ
うに合成樹脂Ｍフィルム１６から延出された外部端子１
７が適宜の手段、たとえば第５図に示す工程で用いられ
た加圧体１４を利用して加圧するなどして接続される。
このよ−うにしてバンプ１２に外部端子１７をいるため
、ここに接合される外部端子１７の接合状態である接合
強度や接続高さなどを一定にすることができる。つまり
、外部端子１７の接合位置精度が良好となる。また、加
圧体１４によるバンプ１２の加圧成形は、１度にたくさ
んのパンｆＪ２’ｚ成形することが可能であるから、加
工能率の向上が計れる。
、ここに接合される外部端子１７の接合状態である接合
強度や接続高さなどを一定にすることができる。つまり
、外部端子１７の接合位置精度が良好となる。また、加
圧体１４によるバンプ１２の加圧成形は、１度にたくさ
んのパンｆＪ２’ｚ成形することが可能であるから、加
工能率の向上が計れる。
第９図はこの発明の他の実施例を示す。つまにわたって
形成されている。したがって、外部端子１７を上記凹部
２１に挿入して接合固定するようにすれば、上記外部端
子１７の位置決め精度をさらに向上させることができる
ばかりか、接合高さを低くすることもできる。
形成されている。したがって、外部端子１７を上記凹部
２１に挿入して接合固定するようにすれば、上記外部端
子１７の位置決め精度をさらに向上させることができる
ばかりか、接合高さを低くすることもできる。
は加圧と加熱とを併用してもよい。
以上述べたようにこの発明は、キャピラリに挿通された
ワイヤの先端にボールを形成し、このボールを仮接合部
に押圧接合したのち、上記ボールから上記ワイヤを切シ
離し、ついで上記ボールを成形することにより、一定の
形状のバンプを得るようにした。したがって、外部端子
を接合強度や接続高さなどの接続状態を一定にして接続
することができるとともに、接合不良を招くことのない
バンプを提供することができる。
ワイヤの先端にボールを形成し、このボールを仮接合部
に押圧接合したのち、上記ボールから上記ワイヤを切シ
離し、ついで上記ボールを成形することにより、一定の
形状のバンプを得るようにした。したがって、外部端子
を接合強度や接続高さなどの接続状態を一定にして接続
することができるとともに、接合不良を招くことのない
バンプを提供することができる。
第１図乃至第７図はこの発明の一実施例のパンｆを形成
する手順を順次水した説明図、第８図は同じくワイヤに
切欠き全形成した状態の拡大図、第９図はこの発明の他
の実施例を示す上面に凹部が形成されたバンプの側面図
である。 ｌ・・・キャピラリ、２・・・ワイヤ、４・・・ボール
、６・・・電極・９ツド（被接合部）、８・・・切欠き
治具、１２・・・バンプ、１４・・・加圧体、１５・・
・平坦面、２ノ・・・凹部。
する手順を順次水した説明図、第８図は同じくワイヤに
切欠き全形成した状態の拡大図、第９図はこの発明の他
の実施例を示す上面に凹部が形成されたバンプの側面図
である。 ｌ・・・キャピラリ、２・・・ワイヤ、４・・・ボール
、６・・・電極・９ツド（被接合部）、８・・・切欠き
治具、１２・・・バンプ、１４・・・加圧体、１５・・
・平坦面、２ノ・・・凹部。
Claims (5)
- （１）キャピラリに挿通されたワイヤの先端にボールを
形成する工程と、上記キャピラリを下降させて上記ボー
ルを被接合部に押圧接合する工程と、被接合部にボール
を接合して上記キャピラリが上昇したならば上記ワイヤ
を上記ボールから切り離す工程と、ワイヤが切り離され
た上記ボールを成形する工程とを具備したことを特徴と
するバンプ形成方法。 - （２）上記バンプは、その上面が平面に成形されること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のバンプ形成方
法。 - （３）上記バンプは、その上面が凹部を有する形状に成
形されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
バンプ形成方法。 - （４）上記ボールを成形する工程は、このボールを加圧
成形することを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第
３項のいずれかに記載されたバンプの成形方法。 - （５）上記ボールを成形する工程は、このボールを加熱
成形することを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第
３項のいずれかに記載されたバンプの成形方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60295006A JPH0695519B2 (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60295006A JPH0695519B2 (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | バンプ形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62154648A true JPS62154648A (ja) | 1987-07-09 |
| JPH0695519B2 JPH0695519B2 (ja) | 1994-11-24 |
Family
ID=17815116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60295006A Expired - Lifetime JPH0695519B2 (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | バンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0695519B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6412555A (en) * | 1987-07-07 | 1989-01-17 | Nec Corp | Formation of bump and device therefor |
| JPH0191440A (ja) * | 1987-10-02 | 1989-04-11 | Nec Corp | バンプ形成方法 |
| US5172851A (en) * | 1990-09-20 | 1992-12-22 | Matsushita Electronics Corporation | Method of forming a bump electrode and manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device |
| US5545589A (en) * | 1993-01-28 | 1996-08-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of forming a bump having a rugged side, a semiconductor device having the bump, and a method of mounting a semiconductor unit and a semiconductor device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4952973A (ja) * | 1972-09-22 | 1974-05-23 | ||
| JPS574130A (en) * | 1980-06-10 | 1982-01-09 | Sanyo Electric Co Ltd | Adhesion of semiconductor element |
| JPS5999794A (ja) * | 1982-11-29 | 1984-06-08 | 株式会社デンソー | 厚膜回路装置 |
| JPS59136950A (ja) * | 1983-01-27 | 1984-08-06 | Seiko Instr & Electronics Ltd | バンプ型電極の形成方法 |
-
1985
- 1985-12-26 JP JP60295006A patent/JPH0695519B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4952973A (ja) * | 1972-09-22 | 1974-05-23 | ||
| JPS574130A (en) * | 1980-06-10 | 1982-01-09 | Sanyo Electric Co Ltd | Adhesion of semiconductor element |
| JPS5999794A (ja) * | 1982-11-29 | 1984-06-08 | 株式会社デンソー | 厚膜回路装置 |
| JPS59136950A (ja) * | 1983-01-27 | 1984-08-06 | Seiko Instr & Electronics Ltd | バンプ型電極の形成方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6412555A (en) * | 1987-07-07 | 1989-01-17 | Nec Corp | Formation of bump and device therefor |
| JPH0191440A (ja) * | 1987-10-02 | 1989-04-11 | Nec Corp | バンプ形成方法 |
| US5172851A (en) * | 1990-09-20 | 1992-12-22 | Matsushita Electronics Corporation | Method of forming a bump electrode and manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device |
| US5299729A (en) * | 1990-09-20 | 1994-04-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of forming a bump electrode and manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device |
| US5545589A (en) * | 1993-01-28 | 1996-08-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of forming a bump having a rugged side, a semiconductor device having the bump, and a method of mounting a semiconductor unit and a semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0695519B2 (ja) | 1994-11-24 |
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