JPS62152142A - バンプ形成方法 - Google Patents
バンプ形成方法Info
- Publication number
- JPS62152142A JPS62152142A JP29197385A JP29197385A JPS62152142A JP S62152142 A JPS62152142 A JP S62152142A JP 29197385 A JP29197385 A JP 29197385A JP 29197385 A JP29197385 A JP 29197385A JP S62152142 A JPS62152142 A JP S62152142A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- ball
- capillary
- bump
- cut
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体素子の９極パツド上に外部端子を接続
するためのバンプを形成する方法に関する。
するためのバンプを形成する方法に関する。
半導体累子のｋｉ極パッドと外部端子と全Ｉ−６気的に
接続する場合、これら両者金ワイヤで接、読する、いわ
ゆるワイヤボンディングが知られている。しかしながら
、ワイヤボンディングの場合、ワイヤの立ち上り高さが
必要となるから、全体の高さ寸ａｔ−十分小さくするこ
とができないという欠点がある。また、ワイヤボンディ
ングは接続個所ごとにワイヤを配、線しなけｎばならな
いから、接続個所が多い場合には作業能率が低下すると
いうこともある。
接続する場合、これら両者金ワイヤで接、読する、いわ
ゆるワイヤボンディングが知られている。しかしながら
、ワイヤボンディングの場合、ワイヤの立ち上り高さが
必要となるから、全体の高さ寸ａｔ−十分小さくするこ
とができないという欠点がある。また、ワイヤボンディ
ングは接続個所ごとにワイヤを配、線しなけｎばならな
いから、接続個所が多い場合には作業能率が低下すると
いうこともある。
このような欠点を除去する電極パッドと外部端子との接
続方法として、上記電極パッドにバンプを形成し、この
バンプに上記外部端子全接続するということが行なわれ
ている。バンプ金利用した接続方法によれば、ぺ極パッ
ドと外部端子とがバンプを介して直接的に接せ一ポさル
るから、ワイヤを用いた場計に比べて接合部分の高さを
低くすることができ、またたとえばフィルムなどに設け
られた多数の外部端子を磁極パッドに１度の工程で接合
ｌ！１定することができるなどの利点金有する。
続方法として、上記電極パッドにバンプを形成し、この
バンプに上記外部端子全接続するということが行なわれ
ている。バンプ金利用した接続方法によれば、ぺ極パッ
ドと外部端子とがバンプを介して直接的に接せ一ポさル
るから、ワイヤを用いた場計に比べて接合部分の高さを
低くすることができ、またたとえばフィルムなどに設け
られた多数の外部端子を磁極パッドに１度の工程で接合
ｌ！１定することができるなどの利点金有する。
ところで、従来１極パツドにバンプを形成する方法とし
ては、特開昭５９−２０８７５１＠公報に示されるもの
が知られている。この公知技術は、バンプをワイヤボン
ディングによって形成するようにしている。つまり、キ
ャピラリに挿通されたワイヤの先端にボールを形成した
ならば、このボールをボンディングパノドに接シ 合する。そのうち、ワイヤをりｌンパなどで引きちぎる
ことによって上記パッド上にバンプ全形成するようにし
ている。しかしながら、ワイヤをクランパによって引き
ちぎるようにしたのでは、ボールに残るワイヤの長さ寸
法が一定しない。そして、そのような状態のバンプの上
方に外部端子を位置決めしたのち、乃口王および加熱し
て接合するようにすると、外部端子とバンプとの接合状
態、すなわち接合強度が−だとならなかったり、接合不
良を招くなどの欠点が生じる。
ては、特開昭５９−２０８７５１＠公報に示されるもの
が知られている。この公知技術は、バンプをワイヤボン
ディングによって形成するようにしている。つまり、キ
ャピラリに挿通されたワイヤの先端にボールを形成した
ならば、このボールをボンディングパノドに接シ 合する。そのうち、ワイヤをりｌンパなどで引きちぎる
ことによって上記パッド上にバンプ全形成するようにし
ている。しかしながら、ワイヤをクランパによって引き
ちぎるようにしたのでは、ボールに残るワイヤの長さ寸
法が一定しない。そして、そのような状態のバンプの上
方に外部端子を位置決めしたのち、乃口王および加熱し
て接合するようにすると、外部端子とバンプとの接合状
態、すなわち接合強度が−だとならなかったり、接合不
良を招くなどの欠点が生じる。
この発明は、ワイヤボンディンクｔ−用いてバンプを形
成した場合に、そのバンプの形状ヲ一定にすることがで
きるようにしたバンプ形成方法を提供することを目的と
する。
成した場合に、そのバンプの形状ヲ一定にすることがで
きるようにしたバンプ形成方法を提供することを目的と
する。
この発明は、キャピラリに挿通されたワイヤの先端にボ
ールを形成し、このボールを被接合部に押圧接合したの
ち、上記ワイヤを上記ボールの直上の部分から切り、雛
すことにより、ボールに残るワイヤの長さを一定にする
ようにしたものである。
ールを形成し、このボールを被接合部に押圧接合したの
ち、上記ワイヤを上記ボールの直上の部分から切り、雛
すことにより、ボールに残るワイヤの長さを一定にする
ようにしたものである。
以下、この発明の一実施例を第１図乃至第５図を参照し
て説明する。まず、第１ｉＡに示すようにキャピラリ１
に挿通された金２，１１１．アルミニュクムなどの材料
からなるワイヤ２の先ｙ＋４に１気トーチ３１に対向さ
せ、上記ワイヤ２との間でスパークを発生させることに
より、上記ワイヤ２の先端にボール４を形成する。つぎ
に、第２図に示すように上記キャピラリ１を下降させて
被接合部である半導体累子５の゛（極パッド６上に上記
ボール４ｔ−押圧する。このとき、上記ボール４はキャ
ピラリ１からの超音波振動がカロ見られて発熱するとと
もに、図示せぬヒータブロックからの熱も上記半導体累
子５ｔｌ−介して伝わるから、上記ボール４は溶？独さ
れて電極パッド６に固着されることになる。
て説明する。まず、第１ｉＡに示すようにキャピラリ１
に挿通された金２，１１１．アルミニュクムなどの材料
からなるワイヤ２の先ｙ＋４に１気トーチ３１に対向さ
せ、上記ワイヤ２との間でスパークを発生させることに
より、上記ワイヤ２の先端にボール４を形成する。つぎ
に、第２図に示すように上記キャピラリ１を下降させて
被接合部である半導体累子５の゛（極パッド６上に上記
ボール４ｔ−押圧する。このとき、上記ボール４はキャ
ピラリ１からの超音波振動がカロ見られて発熱するとと
もに、図示せぬヒータブロックからの熱も上記半導体累
子５ｔｌ−介して伝わるから、上記ボール４は溶？独さ
れて電極パッド６に固着されることになる。
上記ボール４が電極パッド６に固着されたのち、第３図
に示すようにキャピラリ１が上昇する。ついで、上記ボ
ール４の上方に一対のカッタ７からなる切断治具８が進
入してきて閉じ、上記ワイヤ２の上記ボール４の直上の
個所を切断する。このように、ワイヤ２が切断されると
、第４Ｊに示すようにキャピラリ１の上方に配置ｌ） されたクランパＩが閉じてワイヤ２を保持し、このクラ
ンパＩがキャピラリ１とともに上昇することによって上
記磁極パッド６上にバンプ１２が形成されることになる
。
に示すようにキャピラリ１が上昇する。ついで、上記ボ
ール４の上方に一対のカッタ７からなる切断治具８が進
入してきて閉じ、上記ワイヤ２の上記ボール４の直上の
個所を切断する。このように、ワイヤ２が切断されると
、第４Ｊに示すようにキャピラリ１の上方に配置ｌ） されたクランパＩが閉じてワイヤ２を保持し、このクラ
ンパＩがキャピラリ１とともに上昇することによって上
記磁極パッド６上にバンプ１２が形成されることになる
。
このようにして形成されるバンプ１２は、ワイヤ２を切
断冶Ａ８によって切断するので、バンプ１２に残るワイ
ヤ２の長さを一定に、しかも十分短かくすることができ
る。したがって、上記バンプ１２に第５図に示すように
合成樹脂製フィルム１３から延出された外部端子１４を
接続する際、その接続状態である接合強度や接続高さな
どを一定にすることができる。
断冶Ａ８によって切断するので、バンプ１２に残るワイ
ヤ２の長さを一定に、しかも十分短かくすることができ
る。したがって、上記バンプ１２に第５図に示すように
合成樹脂製フィルム１３から延出された外部端子１４を
接続する際、その接続状態である接合強度や接続高さな
どを一定にすることができる。
第６図と第７図はこの発明の池の実施例を示す。この実
施例においては上記一実施例に示された切断治具８に代
りクランパ１６を用いてワイヤ２ｔ−切断するようにし
た。すなわち、ボール４を４極パツド６に接合固定して
キャピラリ１が上昇したのち、このキャピラリ１とボー
ル４の直上との間に上記クランパ１６を１人させる。こ
の状態を第６図に示す。ついで、第７図に示すように上
記クランパ１６によりワイヤ２０ボール４直上の部分ｔ
−侠愕させたなら、上記キャピラリ１とともにクランパ
１６を上昇させれば、上記ワイヤ２がクランパ１６によ
って引張られ、このクランパ１６により挾持された部分
で切断される。すなわち、ワイヤ２を上記クランパ１６
によって所定の個所で切断することができる。
施例においては上記一実施例に示された切断治具８に代
りクランパ１６を用いてワイヤ２ｔ−切断するようにし
た。すなわち、ボール４を４極パツド６に接合固定して
キャピラリ１が上昇したのち、このキャピラリ１とボー
ル４の直上との間に上記クランパ１６を１人させる。こ
の状態を第６図に示す。ついで、第７図に示すように上
記クランパ１６によりワイヤ２０ボール４直上の部分ｔ
−侠愕させたなら、上記キャピラリ１とともにクランパ
１６を上昇させれば、上記ワイヤ２がクランパ１６によ
って引張られ、このクランパ１６により挾持された部分
で切断される。すなわち、ワイヤ２を上記クランパ１６
によって所定の個所で切断することができる。
以上述べたようにこの発明は、キャピラリに挿通された
ワイヤの先端にボールを形成し、このボール？：披接合
部に押圧接合したのち、上記ワイヤ全上記ボールの直上
部の部分から切９：誰すようにした。したがって、バン
プに残るワイヤの長さ寸法を十分短かな状態で一定にす
ることができるから、上記バンプと外部端子との接合強
４１ ｆ一定にすることができるばか９か、接合不良を
招くこともないバンプｆａ供することができる。
ワイヤの先端にボールを形成し、このボール？：披接合
部に押圧接合したのち、上記ワイヤ全上記ボールの直上
部の部分から切９：誰すようにした。したがって、バン
プに残るワイヤの長さ寸法を十分短かな状態で一定にす
ることができるから、上記バンプと外部端子との接合強
４１ ｆ一定にすることができるばか９か、接合不良を
招くこともないバンプｆａ供することができる。
第１１ｍ乃至、Ｊ５図はこの発明の一実施的のバンプを
形成する手順をノミＩ欠示した説明図、第６図と第７図
はこの発明の他の実施例のワイヤの切断工程の説明図で
ある。 １・・・キャピラリ、２・・・ワイヤ、４・・・ボール
、６・・・ル極パッド（波接合部）、８・・・切断治具
、１２・・・バンプ、１６・・・クランパ。 １６図 第７図
形成する手順をノミＩ欠示した説明図、第６図と第７図
はこの発明の他の実施例のワイヤの切断工程の説明図で
ある。 １・・・キャピラリ、２・・・ワイヤ、４・・・ボール
、６・・・ル極パッド（波接合部）、８・・・切断治具
、１２・・・バンプ、１６・・・クランパ。 １６図 第７図
Claims (1)
- キャピラリに挿通されたワイヤの先端にボールを形成す
る工程と、上記キャピラリを下降させて上記ボールを被
接合部に押圧接合する工程と、被接合部に上記ボールを
接合して上記キャピラリが上昇したならば上記ワイヤを
上記ボールの直上部の部分から切り離す工程とを具備し
たことを特徴とするバンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29197385A JPS62152142A (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29197385A JPS62152142A (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | バンプ形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62152142A true JPS62152142A (ja) | 1987-07-07 |
Family
ID=17775859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29197385A Pending JPS62152142A (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | バンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62152142A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5124277A (en) * | 1990-01-10 | 1992-06-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of ball bonding to non-wire bonded electrodes of semiconductor devices |
| US5172851A (en) * | 1990-09-20 | 1992-12-22 | Matsushita Electronics Corporation | Method of forming a bump electrode and manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device |
-
1985
- 1985-12-26 JP JP29197385A patent/JPS62152142A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5124277A (en) * | 1990-01-10 | 1992-06-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of ball bonding to non-wire bonded electrodes of semiconductor devices |
| US5172851A (en) * | 1990-09-20 | 1992-12-22 | Matsushita Electronics Corporation | Method of forming a bump electrode and manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device |
| US5299729A (en) * | 1990-09-20 | 1994-04-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of forming a bump electrode and manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device |
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