JPH10199935A - ワークの実装方法 - Google Patents
ワークの実装方法Info
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- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
- H01L2224/81193—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed on both the semiconductor or solid-state body and another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 バンプを有するフリップチップなどのチップ
と基板などのワーク同士を高温度に加熱することなく接
合することができるワークの実装方法を提供することを
目的とする。 【解決手段】 チップ１のパッド２にテール４’を有す
るバンプ５を形成する。また基板１１のパッド１２に形
成されたバンプ１５に針状の治具を押しつけて孔部１７
を形成する。チップ１のバンプ５のテール４’を孔部１
７に挿入し、バンプ５とバンプ１５を接合する。このと
き、望ましくは、チップ１およびまたは基板１１を超音
波振動させ、また１００°Ｃ以下の比較的低温度で加熱
する。
と基板などのワーク同士を高温度に加熱することなく接
合することができるワークの実装方法を提供することを
目的とする。 【解決手段】 チップ１のパッド２にテール４’を有す
るバンプ５を形成する。また基板１１のパッド１２に形
成されたバンプ１５に針状の治具を押しつけて孔部１７
を形成する。チップ１のバンプ５のテール４’を孔部１
７に挿入し、バンプ５とバンプ１５を接合する。このと
き、望ましくは、チップ１およびまたは基板１１を超音
波振動させ、また１００°Ｃ以下の比較的低温度で加熱
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ワーク同士をバン
プを介して接合するワークの実装方法に関するものであ
る。
プを介して接合するワークの実装方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】チップと基板などのワーク同士を接合す
る方法として、チップまたは基板の何れか一方のワーク
の回路パターンのパッド上にバンプを形成し、このバン
プを他方のワークの回路パターンのパッドに位置合わせ
して接合することが知られている。
る方法として、チップまたは基板の何れか一方のワーク
の回路パターンのパッド上にバンプを形成し、このバン
プを他方のワークの回路パターンのパッドに位置合わせ
して接合することが知られている。
【０００３】バンプとしては、はんだバンプや金バンプ
が一般的である。はんだバンプは、はんだの溶融温度
（一般に１８３°Ｃ）以上に加熱することによりパッド
に接合される。また金バンプは、樹脂製のボンドにより
パッド上に接合され、この場合もボンドの硬化温度（一
般に１５０°Ｃ程度）まで加熱することにより接合され
る。
が一般的である。はんだバンプは、はんだの溶融温度
（一般に１８３°Ｃ）以上に加熱することによりパッド
に接合される。また金バンプは、樹脂製のボンドにより
パッド上に接合され、この場合もボンドの硬化温度（一
般に１５０°Ｃ程度）まで加熱することにより接合され
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらはんだバ
ンプはバンプ形成コストが高いという問題点があった。
またはんだバンプおよび金バンプの何れの場合も、１８
３°Ｃ以上の高温度が加えられるため、チップを熱で傷
めるだけでなく、基板とチップの熱膨張の差（一般に、
基板の熱膨張率はチップの熱膨張率よりもはるかに大き
い）のため、高温での接合後、室温に戻るまでの間に大
きな応力が発生し、その結果、バンプはパッドからはが
れやすいという問題点があった。
ンプはバンプ形成コストが高いという問題点があった。
またはんだバンプおよび金バンプの何れの場合も、１８
３°Ｃ以上の高温度が加えられるため、チップを熱で傷
めるだけでなく、基板とチップの熱膨張の差（一般に、
基板の熱膨張率はチップの熱膨張率よりもはるかに大き
い）のため、高温での接合後、室温に戻るまでの間に大
きな応力が発生し、その結果、バンプはパッドからはが
れやすいという問題点があった。
【０００５】したがって本発明は、チップと基板などの
ワーク同士を高温度に加熱することなく接合することが
できるワークの実装方法を提供することを目的とする。
ワーク同士を高温度に加熱することなく接合することが
できるワークの実装方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のワークの実装方
法は、一方のワークのパッド上にバンプを形成する工程
と、他方のワークのパッド上にバンプを形成する工程
と、一方のワークのバンプと他方のワークのバンプを位
置合わせして一方のワークのバンプと他方のワークのバ
ンプを圧接させて接合する工程と、を含むものである。
法は、一方のワークのパッド上にバンプを形成する工程
と、他方のワークのパッド上にバンプを形成する工程
と、一方のワークのバンプと他方のワークのバンプを位
置合わせして一方のワークのバンプと他方のワークのバ
ンプを圧接させて接合する工程と、を含むものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】上記構成の本発明によれば、高温
度の加熱を必要としないので、ワークを熱で傷めること
なく接合することができる。またこの場合、一方のワー
クのバンプと他方のワークのバンプを互いになじみの良
い同じ素材とすることにより、より一層しっかりと接合
させることができる。
度の加熱を必要としないので、ワークを熱で傷めること
なく接合することができる。またこの場合、一方のワー
クのバンプと他方のワークのバンプを互いになじみの良
い同じ素材とすることにより、より一層しっかりと接合
させることができる。
【０００８】さらには、バンプ同士を接合した後、一方
のワークと他方のワークの間に樹脂を流し込んで一方の
ワークと他方のワークの接着力の補強を施す場合、一方
のワークと他方のワークの間には２個のバンプが積み重
なって介在しているので、一方のワークと他方のワーク
の間隔は十分に大きく、この大きな間隔に容易かつ十分
に樹脂を流し込んで一方のワークと他方のワークをしっ
かり接着することができる。
のワークと他方のワークの間に樹脂を流し込んで一方の
ワークと他方のワークの接着力の補強を施す場合、一方
のワークと他方のワークの間には２個のバンプが積み重
なって介在しているので、一方のワークと他方のワーク
の間隔は十分に大きく、この大きな間隔に容易かつ十分
に樹脂を流し込んで一方のワークと他方のワークをしっ
かり接着することができる。
【０００９】以下、本発明の一実施の形態を図面を参照
して説明する。図１、図２、図３、図４、図５、図６は
本発明の一実施の形態のワークの実装工程図であって、
工程順に示すものである。
して説明する。図１、図２、図３、図４、図５、図６は
本発明の一実施の形態のワークの実装工程図であって、
工程順に示すものである。
【００１０】図１において、１はチップ、２はその上面
に形成された回路パターンのパッド、３はキャピラリツ
ール、４はキャピラリツール３に挿通されたワイヤであ
る。キャピラリツール３の下端部から導出されたワイヤ
４の下端部に、電気的スパークによりボール５を形成
し、このボール５をパッド２に押しつけてボンディング
した後、ワイヤ４を引き上げてワイヤ４を切断すること
により、パッド２上にバンプ５を形成する。４’はバン
プ５から上方へ突出するテール（ワイヤ３の切れはし）
である。このように、ワイヤを用いてチップや基板など
のワーク上にバンプを形成する方法は、ワイヤバンプ法
と称される。またバンプ５が形成されたチップ１はフリ
ップチップと称される。
に形成された回路パターンのパッド、３はキャピラリツ
ール、４はキャピラリツール３に挿通されたワイヤであ
る。キャピラリツール３の下端部から導出されたワイヤ
４の下端部に、電気的スパークによりボール５を形成
し、このボール５をパッド２に押しつけてボンディング
した後、ワイヤ４を引き上げてワイヤ４を切断すること
により、パッド２上にバンプ５を形成する。４’はバン
プ５から上方へ突出するテール（ワイヤ３の切れはし）
である。このように、ワイヤを用いてチップや基板など
のワーク上にバンプを形成する方法は、ワイヤバンプ法
と称される。またバンプ５が形成されたチップ１はフリ
ップチップと称される。
【００１１】図２において、１１は基板、１２はその上
面に形成された回路パターンのパッド、１３はキャピラ
リツール、１４はキャピラリツール１３に挿通されたワ
イヤである。図２においても、図１とまったく同じ方法
により、パッド１２上にバンプ１５が形成される。１
４’はテールである。
面に形成された回路パターンのパッド、１３はキャピラ
リツール、１４はキャピラリツール１３に挿通されたワ
イヤである。図２においても、図１とまったく同じ方法
により、パッド１２上にバンプ１５が形成される。１
４’はテールである。
【００１２】次に図３において、基板１１のバンプ１５
のテール１４’の上面中央に針状の治具１６を押しつけ
ることにより、バンプ１５に孔部１７を形成する。次に
図４に示すように、チップ１を上下反転させ、チップ１
のバンプ５と基板１１のバンプ１５を位置合わせしたう
えで、図５に示すようにテール４’を孔部１７に挿入し
て圧接し、バンプ５とバンプ１５を接合する。このよう
に、一方のバンプ１５に孔部１７を形成し、この孔部１
７に他方のテール４’を挿入するようにすれば、バンプ
５とバンプ１５の接触面積が広くなり、両者をよりしっ
かり接合することができる。
のテール１４’の上面中央に針状の治具１６を押しつけ
ることにより、バンプ１５に孔部１７を形成する。次に
図４に示すように、チップ１を上下反転させ、チップ１
のバンプ５と基板１１のバンプ１５を位置合わせしたう
えで、図５に示すようにテール４’を孔部１７に挿入し
て圧接し、バンプ５とバンプ１５を接合する。このよう
に、一方のバンプ１５に孔部１７を形成し、この孔部１
７に他方のテール４’を挿入するようにすれば、バンプ
５とバンプ１５の接触面積が広くなり、両者をよりしっ
かり接合することができる。
【００１３】またこの場合、バンプ５とバンプ１５の接
合力を確保するために、加熱手段により基板１１を加熱
しておくことが望ましいが、この加熱温度は１００°Ｃ
程度あるいはそれ以下の比較的低温度でも十分である。
またこの場合、望ましくは基板１１およびまたはチップ
１に超音波振動などの微振動を付与すれば、バンプ５と
バンプ１５をより一層しっかり接合させることができ
る。
合力を確保するために、加熱手段により基板１１を加熱
しておくことが望ましいが、この加熱温度は１００°Ｃ
程度あるいはそれ以下の比較的低温度でも十分である。
またこの場合、望ましくは基板１１およびまたはチップ
１に超音波振動などの微振動を付与すれば、バンプ５と
バンプ１５をより一層しっかり接合させることができ
る。
【００１４】次に図６に示すように、チップ１と基板１
１の間に樹脂１８を流し込み、この樹脂１８を硬化させ
る。この樹脂１８は、チップ１と基板１１の接着力を高
めるために用いられるものである。チップ１と基板１１
の間には、２つのバンプ５、１５が積み重なって介在し
ているので、両者の間隔Ｈは大きい。したがって樹脂１
８を両者の間に容易かつ十分に流し込んで両者をしっか
り接合することができる。
１の間に樹脂１８を流し込み、この樹脂１８を硬化させ
る。この樹脂１８は、チップ１と基板１１の接着力を高
めるために用いられるものである。チップ１と基板１１
の間には、２つのバンプ５、１５が積み重なって介在し
ているので、両者の間隔Ｈは大きい。したがって樹脂１
８を両者の間に容易かつ十分に流し込んで両者をしっか
り接合することができる。
【００１５】バンプ５、１５の素材としては、金や銅な
どであるが、バンプ５とバンプ１５を同じ素材（たとえ
ば金）を用いれば、図５に示すようにバンプ５とバンプ
１５を接合させた場合、両者のなじみは良く、また圧接
によって容易に接合させることができる。また図４およ
び図５に示すように、チップ１のバンプ５のテール４’
を基板１１のバンプ１５の孔部１７に挿入してバンプ５
とバンプ１５を接合するが、孔部１７を形成する側のバ
ンプ１５のテール１４’は必要のないものであり、した
がってこのバンプ１５はテール１４’の生じないワイヤ
バンプ法以外の方法、すなわちメッキ法などの他の方法
により形成してもよい。また上記実施の形態では、基板
１１のバンプ１５に孔部１７を形成し、この孔部１７に
チップ１のバンプ５のテール４’を挿入しているが、こ
れと反対にチップ１のバンプ５に孔部１７を形成し、基
板１のバンプ１５のテール１４’を孔部１７に挿入する
ようにしてもよい。
どであるが、バンプ５とバンプ１５を同じ素材（たとえ
ば金）を用いれば、図５に示すようにバンプ５とバンプ
１５を接合させた場合、両者のなじみは良く、また圧接
によって容易に接合させることができる。また図４およ
び図５に示すように、チップ１のバンプ５のテール４’
を基板１１のバンプ１５の孔部１７に挿入してバンプ５
とバンプ１５を接合するが、孔部１７を形成する側のバ
ンプ１５のテール１４’は必要のないものであり、した
がってこのバンプ１５はテール１４’の生じないワイヤ
バンプ法以外の方法、すなわちメッキ法などの他の方法
により形成してもよい。また上記実施の形態では、基板
１１のバンプ１５に孔部１７を形成し、この孔部１７に
チップ１のバンプ５のテール４’を挿入しているが、こ
れと反対にチップ１のバンプ５に孔部１７を形成し、基
板１のバンプ１５のテール１４’を孔部１７に挿入する
ようにしてもよい。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、高温度の加熱を必要と
しないので、ワークを熱で痛めることなく接合すること
ができる。またこの場合、一方のワークのバンプと他方
のワークのバンプを互いになじみの良い同じ素材とする
ことにより、より一層しっかりと接合させることができ
る。
しないので、ワークを熱で痛めることなく接合すること
ができる。またこの場合、一方のワークのバンプと他方
のワークのバンプを互いになじみの良い同じ素材とする
ことにより、より一層しっかりと接合させることができ
る。
【００１７】さらには、バンプ同士を接合した後、一方
のワークと他方のワークの間に樹脂を流し込んで一方の
ワークと他方のワークの接着力の補強をなす場合、一方
のワークと他方のワークの間には２個のバンプが積み重
なって介在しているので、一方のワークと他方のワーク
の間隔は十分に大きく、この大きな間隔に容易かつ十分
に樹脂を流し込んで一方のワークと他方のワークをしっ
かり接着することができる。
のワークと他方のワークの間に樹脂を流し込んで一方の
ワークと他方のワークの接着力の補強をなす場合、一方
のワークと他方のワークの間には２個のバンプが積み重
なって介在しているので、一方のワークと他方のワーク
の間隔は十分に大きく、この大きな間隔に容易かつ十分
に樹脂を流し込んで一方のワークと他方のワークをしっ
かり接着することができる。
【図１】本発明の一実施の形態のワークの実装工程図
【図２】本発明の一実施の形態のワークの実装工程図
【図３】本発明の一実施の形態のワークの実装工程図
【図４】本発明の一実施の形態のワークの実装工程図
【図５】本発明の一実施の形態のワークの実装工程図
【図６】本発明の一実施の形態のワークの実装工程図
１ チップ ２ パッド ４’ テール ５ バンプ １１ 基板 １２ パッド １４’ テール １５ バンプ １６ 治具 １７ 孔部 １８ 樹脂
Claims (1)
- 【請求項１】一方のワークのパッド上にバンプを形成す
る工程と、他方のワークのパッド上にバンプを形成する
工程と、一方のワークのバンプと他のワークのバンプを
位置合わせして一方のワークのバンプと他方のワークの
バンプを圧接させて接合する工程と、を含むことを特徴
とするワークの実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6097A JPH10199935A (ja) | 1997-01-06 | 1997-01-06 | ワークの実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6097A JPH10199935A (ja) | 1997-01-06 | 1997-01-06 | ワークの実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10199935A true JPH10199935A (ja) | 1998-07-31 |
Family
ID=11463662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6097A Pending JPH10199935A (ja) | 1997-01-06 | 1997-01-06 | ワークの実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10199935A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6713844B2 (en) | 2000-12-28 | 2004-03-30 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Semiconductor-chip mounting substrate having at least one projection thereon and a pressure holding means |
| WO2007061216A1 (en) * | 2005-11-24 | 2007-05-31 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Method for bonding between electrical devices using ultrasonic vibration |
-
1997
- 1997-01-06 JP JP6097A patent/JPH10199935A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6713844B2 (en) | 2000-12-28 | 2004-03-30 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Semiconductor-chip mounting substrate having at least one projection thereon and a pressure holding means |
| WO2007061216A1 (en) * | 2005-11-24 | 2007-05-31 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Method for bonding between electrical devices using ultrasonic vibration |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040323 |