JPS59135736A - 半導体装置製造方法 - Google Patents
半導体装置製造方法Info
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- JPS59135736A JPS59135736A JP58010396A JP1039683A JPS59135736A JP S59135736 A JPS59135736 A JP S59135736A JP 58010396 A JP58010396 A JP 58010396A JP 1039683 A JP1039683 A JP 1039683A JP S59135736 A JPS59135736 A JP S59135736A
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- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
;λ、技術分野
本発明は半導体装置製造方法に関する。
b、従来技術及びその欠点
第1図は従来の半導体製造方法により製造[7たトラン
ジスタの構造を示す断面図である。
ジスタの構造を示す断面図である。
図において、1はリードフレーム1.2はリードフレー
ム1に半田等のプリフォーム材3を介(、て融着された
半導体素子であって、この半導体素子2の表面にはポン
ディングパツド2aが、裏面には適宜の裏メタル2bが
そねぞれ形成されている。そして、ポンディングパッド
2aとリードフレーム1の所定端子との間は金線又はA
6線4により接続されている。
ム1に半田等のプリフォーム材3を介(、て融着された
半導体素子であって、この半導体素子2の表面にはポン
ディングパツド2aが、裏面には適宜の裏メタル2bが
そねぞれ形成されている。そして、ポンディングパッド
2aとリードフレーム1の所定端子との間は金線又はA
6線4により接続されている。
而して、半導体素子2をリードフレーム1に上記のよう
に融着さゼる場合、従来は以−ドのようにしていた。即
ち、まず、加熱したリードフレーム1にプリフォーム材
3を敷設する。ぞして、コレットに吸着させた半導体素
子を前記プリフォーム材3に一定荷重で押圧しつつスク
ラブ又は低周波振動によるバイブレーションを行うこと
により融稲させていた。
に融着さゼる場合、従来は以−ドのようにしていた。即
ち、まず、加熱したリードフレーム1にプリフォーム材
3を敷設する。ぞして、コレットに吸着させた半導体素
子を前記プリフォーム材3に一定荷重で押圧しつつスク
ラブ又は低周波振動によるバイブレーションを行うこと
により融稲させていた。
しかしながら、上記方法によると、プリフ(−ム材3内
に気泡3aが生じ易く、その結果、プリフォーム材3の
熱伝導が悪くなり、熱抵抗が増大するので半導体装置の
信頼性上好ましくない。C1にパワートランジスタ、パ
ワーIC等の半導体装置にあっては、接合部に発生した
熱を急速に逃かず必要があるか、気泡3aによりプリフ
ォーム材3の熱伝導が悪化すると接合部に於ijる温度
−1−昇か急激となりついには熱破壊に到ることかある
吉いう欠点があった。
に気泡3aが生じ易く、その結果、プリフォーム材3の
熱伝導が悪くなり、熱抵抗が増大するので半導体装置の
信頼性上好ましくない。C1にパワートランジスタ、パ
ワーIC等の半導体装置にあっては、接合部に発生した
熱を急速に逃かず必要があるか、気泡3aによりプリフ
ォーム材3の熱伝導が悪化すると接合部に於ijる温度
−1−昇か急激となりついには熱破壊に到ることかある
吉いう欠点があった。
C0目的
本発明は、プリフォーム祠1ζ気泡が牛じることのない
014導体製造方法を提供することを1」的とする3゜ d、実施例 ff12図は本発明に係る半導体製造方法の一実施例を
示す説明図である。
014導体製造方法を提供することを1」的とする3゜ d、実施例 ff12図は本発明に係る半導体製造方法の一実施例を
示す説明図である。
図において第1図と同一物には同7コ1号を付しである
。而して、5は腕部材であ−)で、その先端近傍にはコ
レット6か開「1部を下にした状態で取付けられている
。このコレツl−6は半導体素子2を図示するように吸
着する。そしで、ヒータフロック7により加熱されたリ
ードフレーム1に置かれたプリフォーム祠3に前記半導
体素子2を一定萄重で押圧するとともに、前記半イ、(
体素子2に腕部材5及びコレット6を介して超音波振動
を与えることにより、半導体素子2をリードフレーム1
に融着さぜる4゜ e、効果 本発明によりは、プリフォーム祠の内部に分散し7てい
た気泡か超音波振動により外部へ逃ける結4、ノリフオ
ーム相の内部には気泡かはとんど存在しなくなるのて、
グリフ1−ム祠の熱(ム導も良好となり、半郷体装的′
が熱破壊するおそねがなくなる。
。而して、5は腕部材であ−)で、その先端近傍にはコ
レット6か開「1部を下にした状態で取付けられている
。このコレツl−6は半導体素子2を図示するように吸
着する。そしで、ヒータフロック7により加熱されたリ
ードフレーム1に置かれたプリフォーム祠3に前記半導
体素子2を一定萄重で押圧するとともに、前記半イ、(
体素子2に腕部材5及びコレット6を介して超音波振動
を与えることにより、半導体素子2をリードフレーム1
に融着さぜる4゜ e、効果 本発明によりは、プリフォーム祠の内部に分散し7てい
た気泡か超音波振動により外部へ逃ける結4、ノリフオ
ーム相の内部には気泡かはとんど存在しなくなるのて、
グリフ1−ム祠の熱(ム導も良好となり、半郷体装的′
が熱破壊するおそねがなくなる。
第1図は従来の半導体装置製遣方V、により製ス告した
トランジスタの構造を示す断面図、第2図は本発明に係
る半導体装置製造方法の一実施例を小ず説明図である。 1・・・リー ドフレーム、2・・・半導体素子、3・
・・プリフォーム祠、5・・・腕部材、6・・・コレッ
ト、7・・・に−タブに1ツク。 特許出願人 ローム株式会社 代理人弁理士大西イ冶
トランジスタの構造を示す断面図、第2図は本発明に係
る半導体装置製造方法の一実施例を小ず説明図である。 1・・・リー ドフレーム、2・・・半導体素子、3・
・・プリフォーム祠、5・・・腕部材、6・・・コレッ
ト、7・・・に−タブに1ツク。 特許出願人 ローム株式会社 代理人弁理士大西イ冶
Claims (1)
- (月 超音波振動を与えつつ半導体素子とリードフレー
ムとをプリフォーム材を介して融着させることを特徴と
する半導体装置製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58010396A JPS59135736A (ja) | 1983-01-24 | 1983-01-24 | 半導体装置製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58010396A JPS59135736A (ja) | 1983-01-24 | 1983-01-24 | 半導体装置製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59135736A true JPS59135736A (ja) | 1984-08-04 |
Family
ID=11748962
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58010396A Pending JPS59135736A (ja) | 1983-01-24 | 1983-01-24 | 半導体装置製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59135736A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5527619A (en) * | 1978-08-17 | 1980-02-27 | Mitsubishi Electric Corp | Die bonding device |
JPS5529544B1 (ja) * | 1970-08-28 | 1980-08-04 |
-
1983
- 1983-01-24 JP JP58010396A patent/JPS59135736A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5529544B1 (ja) * | 1970-08-28 | 1980-08-04 | ||
JPS5527619A (en) * | 1978-08-17 | 1980-02-27 | Mitsubishi Electric Corp | Die bonding device |
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