JP3981177B2 - 半導体装置にワイヤ相互接続部をボンディングする方法と装置 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
この発明は集積回路(IC)の相互接続部の分野に関する。更に具体的に言えば、この発明は高周波超音波エネルギを利用したICの相互接続部、特に、高周波超音波エネルギを利用した室温でのICの相互接続部に関する。
【0002】
【従来の技術及び課題】
半導体装置に対する回路の相互接続部を作る標準的な方法は、ワイヤ、典型的には金又はアルミニウム合金のワイヤを、半導体ダイの上にあるアルミニウム合金のボンド・パッドにボンディングする事である。金のワイヤの場合、ボンドは最終的には、時間及び温度に応じて、そして拡散の挙動によって定められる通りに幾つかの相をとり得る金属間化合物構造になる。ボンドの最大の強度は、ボール・ボンドの下を覆う金属間化合物を最大にする事によって達成される。
【0003】
きれいな表面、高い温度、及び適正な量の圧力並びに機械的なスクラッビングが、ワイヤ及びボンド・パッドにある金及びアルミニウム金属の間に最適の反応を行なわせるのに寄与する。非常に短いボンディング時間を使って、これらの表面の間に金属間結合部を作る事が理想的である。典型的な多くの半導体装置に対する満足し得る方法が開発されているが、熱音響形(サーモソニック)ボンド方法の名前で知られるこの全ての方法は、ボンディング過程の間、半導体装置の温度を高くする事に頼っている。
都合の悪い事に、ディジタル・マイクロミラー装置(DMD)のような微小機械式装置では、従来のICワイヤ・ボンディング方法によって必要とされる高い温度を許す事が出来ない。その為、DMDのような温度の影響を受け易い装置を、この温度の受け易い構造を損なわずに製造する事が出来るようにする室温でのワイヤ・ボンディング方法が必要になっている。
【0004】
【課題を解決するための手段及び作用】
上に述べた問題が、この発明の方法と装置により、大部分解決される。即ち、この発明は、周囲温度で十分丈夫なボンドが形成されるようなワイヤ・ボンディング方法を提供する。この発明は、最適にしたキャピラリ管と共に高周波超音波エネルギを利用して、こういう利点を提供する。
一実施例では、ここに開示する装置は、200kHzより高い周波数、好ましくは235−245kHz、更に好ましくは237kHzでキャピラリ管を振動させる超音波源を提供し、この間、キャピラリ管の中に保持されたワイヤはボンディング箇所に圧接しておく。
【0005】
全体的に言うと、この発明はワイヤ・ボンドを形成する方法を提供する。この方法は、キャピラリ管を用いて半導体装置にワイヤ相互接続部を圧接し、200kHzより高い周波数でキャピラリ管を振動させて、ワイヤ相互接続部及び半導体装置のパッドの間に金属間結合部を形成する工程を含む。
この発明並びにその利点が更に完全に理解されるように、次に図面について説明する。
【0006】
【実施例】
熱音響形ボンド方法は、金のワイヤのようなワイヤ相互接続部と、半導体装置のボンド・パッドの間に良好なボンドを達成する広く用いられている方法である。一般的に、この方法は60kHz乃至100kHzの低い周波数及び約175℃乃至300℃の温度を用いる。この発明は、高いボンディング周波数(200kHzより高い)及び低い温度(100℃未満)を用いて、ワイヤ相互接続部と半導体のボンド・パッドの間に十分なボンドを得る方法を提供する。ここで説明する装置は、ボンディング温度を最低にしながら、形成される金属間結合部を最大にするように最適にされている。この方法と装置を使うと、室温又は周囲温度(10℃乃至50℃)で丈夫なボンドが形成される。更に、ここで説明する低温ボンディング方法は、ボンディング過程の間に加わる粒子の数を最小限に押える。これは、DMDのように可動部分を持つ微小機械式装置を処理する時、特に重要である。
【0007】
次に図面全般について、特に図1について説明すると、従来の典型的なワイヤ・ボンダ100が略図で示されている。ボンダが、ボンド・ワイヤ104を保持するキャピラリ管102を含む。ボンド・ワイヤは金が典型的である。ボール・ボンドを形成する為、典型的には、ワイヤの端を火花に露出する事により、ワイヤの端を溶融させてボール106を形成する。その後、ボールを圧力源112により、半導体装置又はIC 110のボンド・パッド又はボンド箇所108に圧接する。ボール106をボンド・パッド108に圧接する間、キャピラリ管102、ワイヤ104及びキャピラリ管102に保持されたワイヤ・ボール106を超音波変換器114によって低い周波数で振動させる。この変換器は、超音波源116によって駆動される。ワイヤ・ボール106がボンド・パッド108に圧接されるのと同時に、パッケージ又はリードフレーム119に取付けられたIC110及びボンダ100が加熱ブロック120によって加熱される。別の熱源である加熱素子122が変換器114を介してキャピラリ管102を加熱する。圧力、超音波振動及び熱の組合せにより、ワイヤ・ボールは、界面124でボンド・パッドに結合される。ボンダの残りの部分がブロック126で表わされている。
【0008】
IC 110は、その上にボンド・パッド108が作られている任意の種類の半導体装置である。任意の種類のIC 110が適しているが、ここに開示した方法は、DMD又はその他の微小機械式装置のように、180℃の典型的なボンディング温度に耐える事が出来ないIC 110をボンディングする為に最適にしてある。典型的なIC 110は何れも、その上に種々のメタライズ層をデポジットした単結晶基板を有する。ボンド・パッド108又はボンディング箇所は、典型的には、ICの周辺にあって、IC 110上に作られた回路と電気的に接触している小さな金属領域であるのが典型的である。典型的には、ボンド・パッド108は実質的にアルミニウム合金、特に、約2%の銅を含むアルミニウム合金で作られるが、事実上この他の任意の金属でも働く。
【0009】
ワイヤ104は99.99%金であるのが典型的である。金のワイヤが好ましいのは、この他の室温方法のアルミニウム・ワイヤの超音波ウェッジ・ボンディングは、ワイヤ・ボンディング過程の間、一層多くの粒子の汚染を生ずる傾向があるからである。試験によると、室温に於けるアルミニウムのウェッジ・ボンディングに比べて、室温に於ける金のボールのボンディングを使うと、粒子の汚染が10x減少する事が分った。更に、一層柔らかい金のワイヤは、金属間化合物の形成が進む為に、一層丈夫なボンドを形成する。しかし、一層硬い金のワイヤにすると、ワイヤ・ループの輪郭の制御が一層良くなる。従って、最適の金のワイヤの種類は、柔らかい種類及び硬い種類の間の兼ね合いである。実際に選ばれるワイヤは、特定のパッケージ及び使われる集積回路の関数である事がある。これは、こういう因子が必要なワイヤ・ループの長さを決定する為である。典型的には、ワイヤ・ループの輪郭の適切な制御が出来るような範囲内で、最も柔らかい金のワイヤを使う。
【0010】
図2はワイヤ104を除いたワイヤ・ボンディング用キャピラリ管102の断面図を示す。キャピラリ管の本体202は、酸化ベリリウム又はセラミック材料であるのが典型的であるが、その縦軸線203に沿って内側導管又は中孔204を取囲んでおり、ボンディング・ワイヤ104(図2には示してない)がその中を通り抜ける。キャピラリ管の本体202は、円錐角210と呼ばれる角度で端面206迄テーパがついている。図2に示すキャピラリ管は真直ぐなテーパを持ち又は円錐であるが、ボトルネックと呼ばれる複雑なテーパを持つキャピラリ管も利用し得る。円錐形のキャピラリ管が好ましいが、ボトルネック形キャピラリ管も使う事が出来る。キャピラリ管の端面206は、軸線203に対して垂直な平面に対して角度を持っているのが典型的である。実験によると、室温ボンディング方法にとって最適の面の角度207は4度乃至11度である。更に具体的に言うと、8度の面の角度207が望ましい。
【0011】
キャピラリ管は端面206及び中孔204の間の交差部に面取り208を有する。面取り208及び端面206の表面が交差すると、IC 110上のボンディング・パッド108とリードフレーム又はセラミック・パッケージ上の同様なボンディング・パッドの間にワイヤ104を張った時のワイヤの抗力が減少する。更に、面取り208及び端面206の交差によって形成された縁は、リードフレーム上にステッチ又はウェッジ・ボンドが形成された後、ワイヤ104を切断するのに役立つ。
【0012】
試験によると、面取りの角度とステッチ・ボンドの尾部の間に強い相互作用がある事が分った。室温ボンディングには一層高い超音波周波数が必要である為、キャピラリ管の振動の振幅は、高い温度に於けるボンドに伴う振動よりもずっと大きい。振動の振幅が増加した事により、丈夫なステッチ・ボンドが完成する前にワイヤが時期尚早に切断される事がある。試験によると、1つの一層大きな面取りの角度は、ステッチ・ボンドの尾部を時期尚早に切断する惧れが一層小さい事が分った。表1に、5種類の試験されたキャピラリ管及び夫々の種類を使う事から生じたボンドの特性の要約が示されている。
【0013】
【表1】
【0014】
表1に纏めた試験は、116kHzの超音波源及び60℃のボンディング温度を用いて実施された。ボンディング温度を周囲温度迄下げる為に、キャピラリ管の材料、キャピラリ管の形状、リード線のめっきのメタライズ組成及びパッケージ清浄化手順のボンド強度に対する影響を判断する為に、別の調査を実施した。最も重要な因子は、超音波周波数を200kHzより高くする効果である。更に、周波数がキャピラリ管の先端に於ける機械的な振動の振幅に反比例するから、一層高い周波数のボンディングにすると、キャピラリ管の面取りの角度が一層小さくても、ステッチ・ボンディングの際に時期尚早の切断が起らないようにする余裕が大きくなる。更に、キャピラリ管の先端が小さい事は、キャピラリ管の先端に於ける超音波振動の実効的な振幅を拡大するように思われる。
【0015】
セラミックキャピラリ管の結晶粒の寸法もボンディング過程に影響した。試験によると、セラミックのキャピラリ管の結晶粒の寸法が減少するにつれて、ボンド強度が増加する事が分った。最適のキャピラリ管は15度の円錐角を持つが、20度乃至10度の円錐角を持つキャピラリ管でもうまく働く。好ましいキャピラリ管はスモール・プレシジョン・トゥールズ・インコーポレイテッド社によって製造されているが、この他のキャピラリ管も使う事が出来る。
【0016】
テキサス州ダラスのテキサス・インスツルメンツ・インコーポレーテッド社によって製造されるアバカスIII ボンダ又はクリッケ・アンド・ソファ・インダストリーズ・インコーポレーテッド社によって製造されたK/S 1484ボンダのような現存のワイヤ・ボンダは、ここで説明しているボンディング方法を実施する事が出来るように容易に変更する事が出来る。図3は変更した後のアバカスIII ボンダ304の略図を示す。最適の性能を得る為には、10度乃至20度の円錐角、5乃至8ミル、好ましくは6.0乃至6.5ミルの先端の直径、2ミル未満の孔の直径、4度乃至8度の面の角度、2.5乃至3.0ミルの面取りの直径、及び70度乃至90度の面取りの角度を持つセラミックのキャピラリ管302を使う。200kHzより高い周波数、面に具体的に言うと、235乃至245kHzの範囲内の周波数、理想的には237kHzの周波数でキャピラリ管を振動させる事が出来る超音波源306を使う。
【0017】
変更したボンダ304を使ってワイヤ・ボンドを形成する過程は、従来の方法と同様であるが、一層高い超音波周波数、ボンドの力又は圧力、超音波エネルギ及び一層長いボンド時間を用いる。図4はこれに関連する工程を示すフローチャートである。ブロック400で、IC及びパッケージ又はリードフレーム上のボンディング箇所をプラズマ清浄化過程にかける。ブロック402で、電気火花を用いて、ボンド・ワイヤの端にボールを形成する。その後、ブロック404で、30乃至40グラムの静的な力で、ボールをボンド・パッドに圧接する。290℃のボンディング温度を用いる従来のボンド方法に比べて、圧力は30%減少する。その後、ブロック406で、超音波源をターンオンし、1.0乃至1.3ワットのエネルギを用いる。290℃の従来のボンド方法に比べると、超音波エネルギは75%増加する。十分なボンド時間、普通は6乃至10ミリ秒で、これは290℃の温度を用いる従来のボンド方法の時間より40%長いが、この時間の後、超音波源をターンオフし、ボール・ボンドが完成する。
【0018】
ボール・ボンドを形成した後、ボール・ボンドの箇所と、その上にステッチ・ボンドを形成する箇所の間にワイヤ・ループを形成する(ブロック408)。ブロック410で、キャピラリ管から引きずり出したワイヤを、今度はリードフレーム又はパッケージ上のボンディング箇所にもう一度圧接する。ステッチ・ボンドでは、ボンド圧力は、従来の290℃のステッチ・ボンドに必要な圧力より33%増加して、40乃至50グラムにする。ワイヤをボンディング箇所に圧接しながら、ブロック412に示すように、超音波源をターンオンして1.2乃至1.4ワットのエネルギ・レベルを用いる。これは従来の290℃のステッチ・ボンドに使われるレベルより70%高い。ステッチ・ボンド工程412は30ミリ秒かかるが、これは従来のステッチ・ボンドの場合より50%長い。その後、超音波源をターンオフし、ブロック414に示すように、この時ボンディング・ワイヤを切断したキャピラリ管を引っ込め、後に完成されたステッチ・ボンドを残す。ICのボンディング箇所にあるボール・ボンド及びパッケージのボンディング箇所にあるステッチ・ボンドが好ましいが、相互接続部の一方又は両方の端でステッチ・ボンドを使う事が出来る。
【0019】
これ迄、室温でワイヤ・ボンディングを行なう方法の特定の実施例並びにその為の装置を説明して来たが、このように具体的な場合について説明した事が、特許請求の範囲に定める事項以外に、この発明の範囲に対する制約と考えてはならない。更に、この発明を特定の実施例に関連して説明したが、当業者にはこの他の変更が容易に考えられる事は勿論であるから、このような全ての変更もこの発明の範囲内に含まれる事を承知されたい。
【0020】
以上の説明に関連して、さらに次の項を開示する。
(1) 半導体装置にワイヤ相互接続部をボンディングする方法に於いて、キャピラリ管を用いて前記ワイヤ相互接続部を前記半導体装置に圧接し、200kHzより高い周波数で前記キャピラリ管を振動させて、前記ワイヤ相互接続部及び前記半導体装置の間に金属間結合部を形成する工程を含む方法。
(2) 請求項1記載の方法に於いて、前記キャピラリ管を振動させる工程が、20度未満の円錐角を持つキャピラリ管を用いて実施される方法。
(3) 請求項1記載の方法に於いて、前記キャピラリ管を振動させる工程が、20度乃至10度の円錐角を持つキャピラリ管を用いて実施される方法。
(4) 請求項1記載の方法に於いて、前記キャピラリ管を振動させる工程が、15度の円錐角を持つキャピラリ管を用いて実施される方法。
(5) 請求項1記載の方法に於いて、前記キャピラリ管を振動させる工程が、両極限を含めて235乃至245kHzの範囲内の周波数で実施される方法。
【0021】
(6) 請求項1記載の方法に於いて、前記キャピラリ管を振動させる工程が、237kHzの周波数で実施される方法。
(7) 請求項1記載の方法に於いて、前記キャピラリ管を振動させる工程が6乃至10ミリ秒の期間の間実施される方法。
(8) 請求項1記載の方法に於いて、前記半導体装置にワイヤ相互接続部を圧接する工程が、30乃至40グラムの静的な力を用いて実施される方法。
(9) 請求項1記載の方法に於いて、ワイヤを振動させる工程が、1.0乃至1.3ワットのエネルギを用いて実施される方法。
(10) 請求項1記載の方法に於いて、更に、前記キャピラリ管を用いてパッケージ・リード線に前記ワイヤ相互接続部を圧接し、200kHzより高い周波数で前記キャピラリ管を振動させて、前記ワイヤ相互接続部及び前記パッケージ・リード線の間に金属間結合部を形成する工程を含む方法。
【0022】
(11) 請求項10記載の方法に於いて、ワイヤ・パッケージに前記ワイヤ相互接続部を圧接する工程が、40乃至50グラムの静的な力を用いて実施される方法。
(12) 請求項10記載の方法に於いて、前記キャピラリ管を振動させて前記ワイヤ相互接続部及び前記パッケージ・リード線の間に金属間結合部を形成する工程が、237kHzの周波数で実施される方法。
(13) 請求項10記載の方法に於いて、前記キャピラリ管を振動させて、前記ワイヤ相互接続部及び前記パッケージ・リード線の間に金属間結合部を形成する工程が、1.2乃至1.4ワットのエネルギを用いて実施される方法。
(14) 半導体装置にワイヤ相互接続部をボンディングする装置に於いて、その中にワイヤ相互接続部を通すことが出来る縦方向通路を持つキャピラリ管と、該キャピラリ管に200kHzより高い振動を加える高周波変換器と、前記半導体装置に向って前記キャピラリ管を圧接する圧力源とを有する装置。
(15) 請求項14記載の装置に於いて、前記キャピラリ管が20度未満の円錐角を持つ装置。
【0023】
(16) 請求項14記載の装置に於いて、前記キャピラリ管が20度乃至10度の円錐角を持つ装置。
(17) 請求項14記載の装置に於いて、前記キャピラリ管が15度の円錐角を持つ装置。
(18) 請求項14記載の装置に於いて、前記変換器が、両極限を含めて、235乃至245kHzの範囲内の振動を前記キャピラリ管に加える装置。
(19) 請求項14記載の装置に於いて、前記変換器が、240kHzより高い振動を前記キャピラリ管に加える装置。
(20) 請求項14記載の装置に於いて、前記キャピラリ管がセラミックである装置。
【0024】
(21) 室温で、ワイヤ(104)を集積回路(110)、リードフレーム及びパッケージのボンド箇所(108)にボンディングする装置(304)及び方法を提供した。好ましい実施例では、金のワイヤ(104)のボール端(106)をアルミニウムのボンド・パッド(108)にボンディングする。装置(304)は、200kHzより高い周波数の超音波エネルギを供給するように設計された高周波超音波エネルギ源(306)を含む。超音波エネルギがキャピラリ管(302)を介してボンディングの界面に伝達される。こうしてボール端(106)及びボンディング箇所(108)の間に丈夫なボンドが形成される。この装置及び方法は、周囲温度でも、十分短いボンディング時間内に十分な剪断強度を持つボンドを作る事が出来るようにし、こうして微小機械式構造のような温度の影響を受け易い装置を効率よく製造する事が出来るようにする。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の方法でワイヤを微小電子式集積回路にボンディングする為に使われるボンディング装置の略図。
【図2】ボンディング・ワイヤに使われる従来のキャピラリ管の断面図。
【図3】この発明に従って室温でワイヤを微小電気式集積回路にボンディングする為に使われる改良されたボンディング装置の略図。
【図4】図3の改良されたボンディング装置を用いて室温でのボンドを作るのに必要な工程を示すフローチャート。
【符号の説明】
104 ワイヤ
108 ボンド・パッド
302 キャピラリ管
306 高周波超音波エネルギ源
Claims (2)
- 半導体装置にワイヤ相互接続部をボンディングする方法に於いて、
キャピラリ管を用いて前記ワイヤ相互接続部を前記半導体装置に圧接する工程を含み、
ここで、前記キャピラリ管はワイヤ相互接続部が通る長い通路を有し、前記キャピラリ管は、前記半導体に近接する1つの端面を有し、かつ前記キャピラリ管は該端面と前記長い通路との間に面取りを持ち、この面取りは、前記長い通路の平行軸に対する直角な面に対し70−90度の角度を有し、
200kHzと245kHzの間の周波数で前記キャピラリ管を振動させて、前記ワイヤ相互接続部及び前記半導体装置の間に、10℃と50℃の間のボンディング温度で、金属間結合部を形成する工程を含む、
前記半導体装置にワイヤ相互接続部をボンディングする方法。 - 半導体装置にワイヤ相互接続部をボンディングする装置に於いて、
ワイヤ相互接続部が通る長い通路を持つキャピラリ管を有し、このキャピラリ管は、前記半導体に近接する1つの端面を有し、かつ前記キャピラリ管は該端面と前記長い通路との間に面取りを有し、この面取りは、前記長い通路の平行軸に対する直角な面に対し70−90度の角度を有しており、
該キャピラリ管に200kHzと245kHzの間の振動を加える高周波変換器を有し、
前記半導体装置に向って前記キャピラリ管を圧接する圧力源とを有し、ここで前記ワイヤ相互接続部のボンディング温度は10℃と50℃の間である、
前記半導体装置にワイヤ相互接続部をボンディングする装置。
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