JPS62166548A - 半田バンプ形成方法 - Google Patents
半田バンプ形成方法Info
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- JPS62166548A JPS62166548A JP61007988A JP798886A JPS62166548A JP S62166548 A JPS62166548 A JP S62166548A JP 61007988 A JP61007988 A JP 61007988A JP 798886 A JP798886 A JP 798886A JP S62166548 A JPS62166548 A JP S62166548A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3478—Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体素子フリップチップ等の接続電極（半田
バンプ）形成に関するものである。
バンプ）形成に関するものである。
（従来の技術）
第２図は一般的なフリップチップのバンプの一例を示す
断面図で、半導体素子１にコンタクト金属２、パシベー
ション膜３、クロム層４ 、銅層５そして金層６を形成
し、その上にバンプとして半田（鉛、錫）層７を形成し
ている。
断面図で、半導体素子１にコンタクト金属２、パシベー
ション膜３、クロム層４ 、銅層５そして金層６を形成
し、その上にバンプとして半田（鉛、錫）層７を形成し
ている。
従来、フリップチップにおけるこの種の半田バンプ形成
方法としては、日本マイクロエレクトロニクス協会編「
エレクトロニクス実装技術便覧」（１９７３年１月１５
日）工業調査会ｐ２４４−２４５に記載されるように電
気めっき法２機械的に金属を出っ張らすペデスタル法、
印刷法等があった。
方法としては、日本マイクロエレクトロニクス協会編「
エレクトロニクス実装技術便覧」（１９７３年１月１５
日）工業調査会ｐ２４４−２４５に記載されるように電
気めっき法２機械的に金属を出っ張らすペデスタル法、
印刷法等があった。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし以上述べたいずれの方法を用いて半田バンプを形
成しても厚さバラツキが太きい、融点の違う半田の混合
形成ができない、厚いものの形成ができずらいなどの欠
点があって技術的に満足できるものが得ずらかった。
成しても厚さバラツキが太きい、融点の違う半田の混合
形成ができない、厚いものの形成ができずらいなどの欠
点があって技術的に満足できるものが得ずらかった。
本発明は上述の欠点を除去し、厚い半田パンプが容易に
形成でき且つ厚さバラツキの少ない良好な半導体素子等
の半田パンツを形成する方法を提供することを目的とす
る。
形成でき且つ厚さバラツキの少ない良好な半導体素子等
の半田パンツを形成する方法を提供することを目的とす
る。
（問題点を解決するための手段）
本発明の半田バンプ形成方法は上述の問題点を解決する
ために、吸引手段と、その一端で前記吸引手段と接続さ
れ且つその他端にツール端発熱部を備えるものであって
当該ツール端発熱部の先端から前記吸引手段との接続部
にわたって貫通する吸引用孔を設けた半田バンプ用ツー
ルとを用い、前記吸引手段の吸引力により前記ツール端
発熱部の先端に半田ボールを吸着し、 前記半田ボールを基板もしくは半導体素子の所定の半田
バンプ形成位置に合わせ、 前記ツール端発熱部を発熱させることにより前記半田ボ
ールを融点以上に加熱して半田ゴールを溶融させ半田パ
ンツを形成するようにしたものである。
ために、吸引手段と、その一端で前記吸引手段と接続さ
れ且つその他端にツール端発熱部を備えるものであって
当該ツール端発熱部の先端から前記吸引手段との接続部
にわたって貫通する吸引用孔を設けた半田バンプ用ツー
ルとを用い、前記吸引手段の吸引力により前記ツール端
発熱部の先端に半田ボールを吸着し、 前記半田ボールを基板もしくは半導体素子の所定の半田
バンプ形成位置に合わせ、 前記ツール端発熱部を発熱させることにより前記半田ボ
ールを融点以上に加熱して半田ゴールを溶融させ半田パ
ンツを形成するようにしたものである。
（作 用）
本発明は、先端に半田と不活性な金属（チタン。
タングステン等）からなるツール端発熱部を持ち且つ先
端から外部の吸引手段に連通ずる吸引用孔を内部に設け
たツールと、吸引手段とを用いて、径が均一で半田量が
一定な半田ボールを吸着して半導体素子等の所定の位置
で加熱溶融すること洗ヨシ半田バンプを形成するため、
形成後にツール側に半田が残ることもなく、一定な厚さ
の半田バンプを形成でき、半田が一ルの大きさに応じ厚
い半田バンプも容易に形成できる。またツール先端温度
を変えることにより融点の異なる半田バンプも混合形成
できる。
端から外部の吸引手段に連通ずる吸引用孔を内部に設け
たツールと、吸引手段とを用いて、径が均一で半田量が
一定な半田ボールを吸着して半導体素子等の所定の位置
で加熱溶融すること洗ヨシ半田バンプを形成するため、
形成後にツール側に半田が残ることもなく、一定な厚さ
の半田バンプを形成でき、半田が一ルの大きさに応じ厚
い半田バンプも容易に形成できる。またツール先端温度
を変えることにより融点の異なる半田バンプも混合形成
できる。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。
第１図において、１１は半田バンプ形成のために用いる
ツールである。このツール１１は、チタン。
ツールである。このツール１１は、チタン。
タングステン等の半田に不活性な金属でできているツー
ル端発熱部１２．ツール端発熱部１２に図示しない電源
よシミ力を供給するだめのリード線１３、ツール固定用
ホーン１４から構成される。
ル端発熱部１２．ツール端発熱部１２に図示しない電源
よシミ力を供給するだめのリード線１３、ツール固定用
ホーン１４から構成される。
また、１５は吸引装置２０から延びてツール１１と接続
されるチューブである。このツール１１中取付部にわた
って貫通する吸引用孔が設けられている。またツール端
発熱部１２の先端は半田バンプ形成のだめの半田が一ル
１７に見合った形状に加工されている。次にこのツール
１１を用いた半田バンプの形成について説明する。
されるチューブである。このツール１１中取付部にわた
って貫通する吸引用孔が設けられている。またツール端
発熱部１２の先端は半田バンプ形成のだめの半田が一ル
１７に見合った形状に加工されている。次にこのツール
１１を用いた半田バンプの形成について説明する。
まず、ツール１１の先端に吸引装置２０による吸引力に
よって半田が一ル１７を吸着した後、基板または半導体
素子１８のバンプ形成位置に半田ボールＩ７を運び、そ
の後リード線１３を通して、ツール端発熱部１２に所定
電流を流して、発熱させ半田ボール１７をバンプ位置に
溶融接続させる。
よって半田が一ル１７を吸着した後、基板または半導体
素子１８のバンプ形成位置に半田ボールＩ７を運び、そ
の後リード線１３を通して、ツール端発熱部１２に所定
電流を流して、発熱させ半田ボール１７をバンプ位置に
溶融接続させる。
溶融接続が完了しだら電流を停止し、ツール先端温度を
半田溶融点以下にしてツール１１をとシのぞいてバンプ
ー９を形成する。このときツール先端は半田に不活性な
ため、半田がツールに付着してしまうことはない。また
先端温度を可変にしてと おく兎、低温半田（融点約８０℃）から高温半田（融点
約３００℃）まで自由に使用できるとともにツール先端
の形状をかえることによりいろいろな径の半田ボールに
も適用できる。
半田溶融点以下にしてツール１１をとシのぞいてバンプ
ー９を形成する。このときツール先端は半田に不活性な
ため、半田がツールに付着してしまうことはない。また
先端温度を可変にしてと おく兎、低温半田（融点約８０℃）から高温半田（融点
約３００℃）まで自由に使用できるとともにツール先端
の形状をかえることによりいろいろな径の半田ボールに
も適用できる。
（発明の効果）
以上述べた本発明の接続電極形成方法によれば、半田ゴ
ールは径が均一で半田量が一定なため形成した半田パン
ツは厚さが一定する、半田ゴールを溶融接続する方法の
ため厚いバンプが簡単に形成できる、熱溶融法のため電
流の流れない場所にも形成できる、基板側、半導体素子
側どちらにでも形成できる、ツール先端温度をかえれば
融点の違うバンプが混合形成できる、ボール径をかえる
と厚さの違うバンプが混合形成できる等の利点がある。
ールは径が均一で半田量が一定なため形成した半田パン
ツは厚さが一定する、半田ゴールを溶融接続する方法の
ため厚いバンプが簡単に形成できる、熱溶融法のため電
流の流れない場所にも形成できる、基板側、半導体素子
側どちらにでも形成できる、ツール先端温度をかえれば
融点の違うバンプが混合形成できる、ボール径をかえる
と厚さの違うバンプが混合形成できる等の利点がある。
第１図は本発明に係る半田バンプ形成方法の説明図、第
２図は一般的な半田バンプの構成を示す断面図である。 １１・・・ツール、１２・・・ツール端発熱部、１３・
・・リード線、１４・・ツール固定用ホーン、１５・・
・チューブ、１６・・・吸引用孔、１７・・・半田ボー
ル、１８・・・半導体素子、１９・・・・ぐンプ、２０
・・・吸引装置。 特許出願人 沖電気工業株式会社 本発明＋＝（糸る牟田バ〉７°形成方法の８元明図第１
図
２図は一般的な半田バンプの構成を示す断面図である。 １１・・・ツール、１２・・・ツール端発熱部、１３・
・・リード線、１４・・ツール固定用ホーン、１５・・
・チューブ、１６・・・吸引用孔、１７・・・半田ボー
ル、１８・・・半導体素子、１９・・・・ぐンプ、２０
・・・吸引装置。 特許出願人 沖電気工業株式会社 本発明＋＝（糸る牟田バ〉７°形成方法の８元明図第１
図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 吸引手段と、その一端で前記吸引手段と接続され且つそ
の他端にツール端発熱部を備えるものであって当該ツー
ル端発熱部の先端から前記吸引手段との接続部にわたっ
て貫通する吸引用孔を設けた半田バンプ用ツールとを用
い、 前記吸引手段の吸引力により前記ツール端発熱部の先端
に半田ボールを吸着し、 前記半田ボールを基板もしくは半導体素子の所定の半田
バンプ形成位置に合わせ、 前記ツール端発熱部を発熱させることにより前記半田ボ
ールを融点以上に加熱して半田ボールを溶融させ半田バ
ンプを形成することを特徴とする半田バンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61007988A JPS62166548A (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | 半田バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61007988A JPS62166548A (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | 半田バンプ形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62166548A true JPS62166548A (ja) | 1987-07-23 |
Family
ID=11680800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61007988A Pending JPS62166548A (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | 半田バンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62166548A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5506385A (en) * | 1993-12-14 | 1996-04-09 | Fujitsu Limited | Apparatus for forming solder-film on printed-wiring board |
| US5768775A (en) * | 1995-08-24 | 1998-06-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Mounting apparatus of conductive balls and mounting method thereof |
-
1986
- 1986-01-20 JP JP61007988A patent/JPS62166548A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5506385A (en) * | 1993-12-14 | 1996-04-09 | Fujitsu Limited | Apparatus for forming solder-film on printed-wiring board |
| US5768775A (en) * | 1995-08-24 | 1998-06-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Mounting apparatus of conductive balls and mounting method thereof |
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