JPH03230533A - バンプ電極の形成方法 - Google Patents

バンプ電極の形成方法

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、回路基板や電子部品の裏面に設けられるバン
プ電極の形成方法に関し、特に、簡単な設備で能率よく
バンプＴＬ極を形成し得る方法に関する。
〔従来の技術〕
従来より、セラミックスを利用した回路基板やバイブリ
アトＩｃ等の電子部品の裏面に、集積度を高めるために
バンプ電極を形成することが多い。
ハンプ電極とは、電極形成面から膨出された形状に構成
された電極を言う、従来のバンプ電極形成方法を、第４
図を参照して説明する。なお、第４図では、セラミック
スよりなる回路基板１の裏面１ａ（但し、裏面が上方と
なるように図示されている）上に、バンプ電極２．３が
形成されている。
バンプ電極２．３は、回路基板１の裏面Ｉａ上に、金属
ボール４，５を金属ろう６，７によりろう付けすること
により形成されている。
金属ボール４．５を用いて、バンプ電極２．３の突出形
状を構成するのは、回路基板１の裏面１ａから突出して
いる部分の高さを揃えることが容易だからである。
〔発明が解決しようとする技術的課題〕しかしながら、
金属ろう６．７により金属ボール４．５をろう付けする
ものであるため、高温に加熱する装置が必要であり、装
置が大掛かりなものとなるという問題があった。また、
生産工程も複雑化していた。
本発明の目的は、ハンプ電極を比較的簡単な設備で効率
よく形成し得る方法を捉供することにある。
〔技術的課題を解決するための手段〕
本発明のバンプ電極形成方法は、バンプ電極の形成が予
定されている面に導電ペーストを塗布する工程と、塗布
された導電ペーストが乾燥するｉｉｌに、導１Ｅベース
）−の粘性を利用して金属ボールを該導電ペースト上に
付着させる工程と、導電ペーストを金属ボールと一体に
黄、成する工程とを備える。
〔作用〕
導電ペーストの焼成は、比較的低い温度に１１１１熱す
る小型の装置で行い得る。また、比杉的知１．’１間で
焼成することができる。従って、安価な小型の生産装置
を用いて、能率よくバンプ電極を形成することができる
。
〔実施例の説明〕 第１図及び第２図を参照して、本発明の一実施例の方法
を説明する。
まず、第２図に示すように、回路基板１１を用意し、回
路基板１１の裏面１１ａ上に導電ペース）１２．１３を
塗布する。導電ペースト１２，１３は、それぞれ、ハン
プ電極を形成することが予定されている領域に適当＋１
布される。
１ペースト１２．１３としては、ＣｕもしくはＡｇのよ
うな金属またはＡｇ−Ｐｄ等の合金の粉末に有機バイン
ダを混合したものが用いられる。
有機バインダとしては、セルロース系の合成樹脂が使用
され、】ｍ宜の溶媒に希釈された状態で用いられる。従
って、導電ペースト１２．１３は乾燥前の状態で粘性を
有する。
本実施例では、塗布されたＩＮペースト１２１３が乾燥
する前に、矢印Ａで示すように、金属ボール１４１５を
導電ペースト１２．１３」二に押し込み、４電ペース）
１２．１３の粘着性を利用して付着させる。
金属ボールを構成する材料としては、銅やニッケル等の
任意の金属または合金を用いることかでき、必要に応し
て金属ボールの表面をめっきしてもよい。めっきを施す
ことにより、金属ボール１４１５に防錆を施すことがで
き、またはんだめっき等を施すことによりはんだによる
接合作業を容易とすることもできる。
次に、金属ボール１４．１５を導電ペースト１２１３に
付着させた状態で、焼成を行う。この焼成は、ろう付け
とは異なり、比較的低温、例えば８５０〜１０００°Ｃ
程度に加熱する装置を用いて行われる。また、ろう付は
法に比べて、比較的短時間で処理することができる。
焼成後の状態を第１図に断面図で示す、ノ＼ンプ電極１
６．１７が、上記焼成により回路基板１１の裏面１１ａ
上に形成されることになる。
なお、第１図から明らかなように、金属ボール１４．１
５は、回路基（反１１の裏面１１ａに接するように、固
化された導電ペース）１２．１３中に埋め込まれた状態
で固定されている。これは、ハンプ電極１６．１７の高
さ、すなわち金属ポル１４．１５の回路基板１１からの
突出高さを揃えるためである。
しかしながら、金属ボール１４．１５の高さを揃えるべ
く、上記のように金属ボール１４．１５を基板１１の裏
面１１ａに当接させた場合には、金属ボール１４．１５
が回路基板１１の裏面１１ａに当接している部分近傍に
おいて、接合材としての導電ペースト１２．１３の厚み
が薄くなり、固着力が低下する場合がある。
固着力の低下が問題となる場合には、下記の方法を用い
ることが好ましい。
すなわち、第３図に断面図で示すように、回路基板１１
の裏面１１ａ上に、まず導電ペース）１８．１９を塗布
し乾燥させる。しかる後、上記実施例と同様に導電ペー
ス）１２．１３を乾燥された導電ペースト１８．１９上
に塗布し、該導電ペス１−１２．１３が未乾燥状態の間
に金属ボール１４．１５を、金属ボール１４．１５が導
電ペース）１８．１９の上面と当接される状態まで埋め
込み、その状態で一体焼成すればよい。
第３図に示したように形成されたハンプ電極２１．２２
では、金属ボール１４．１５が、セラミンクスよりなる
回路ｕ＋ＮＩｌの裏面ｌｅａに直接接触しておらず、導
電ペース）１８．１９に基づく電極部分を介して回路基
板ＩＩに接合されている。従って、金属ボール１４．１
５を回路基板１１に強固↓こ固着することが可能とされ
る。
のみならず、導電ペースｌ−１８，１９を介在させるこ
とにより、バンプ電極を高くすることができ、また金属
ボール１４．１５と導電ベース１−１２．１３との電気
的な接触も良好となる。
なお、上述した何れの実施例の方法においても、金属ボ
ール１４．１５を固着し焼成した後に、例えばう、プ研
磨等の研磨方法を適用することにより、最終的に金属ボ
ール１４．１５の高さを揃えてもよい。
また、実際の／を産に際し、金属ボール１４．１５を導
電ペースト１２．１３に固着させる方法としては、金属
ボール！４．１５の径に応した孔が形成された治具をＩ
Ａ導電ペース−１２，１３１に配置し、該孔を通して金
属ボール１４．１５を落下させ導電ペースト１２．１３
上に付着させる方法、あるいは金属ボール１４．１５に
予め導電ペーストを塗布しておき、しかる後基板上に塗
布された導電ベース）１２．１３に付着させてもよい。
上記実施例は、回路基板１１の裏面１１ａにバンプＮｈ
を形成する場合を説明したが、ハイブリッドＩＣ等の電
子部品の実装面側にバンプ電極を形成する場合にも、本
発明を適用することができる。
（発明の効果］ 本発明によれば、導電ペーストの粘着性を利用して金属
ボールを導電ペースト上に付着させた状態で焼成するこ
とによりバンプ電極が形成される。
従来法では、ろう付けにより金属ボールを接合していた
ため、高温に加熱するための大掛かりな装置を必要とし
ていたが、本発明の方法は導電ペーストの焼成により金
属ボールを接合するものであるため、比較的簡単な装置
でハンプ電極を形成し得る。
のみならず、導電ペーストの粘性を利用して金属ボール
を付着させておいて一体焼成すればよいため、能率よく
ハンプ電極を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例により形成されたハンプ電極
を形成するだめの断面図、第２図は本発明の一実施例に
おいて金属ボールを導電ペーストに付着させる工程を説
明するための断面図、第３図は本発明の他の実施例にお
いて形成されたハンプ電極を説明するだめの断面図、第
４図は従来の方法により形成されたバンプ電極を説明す
るだめの断面図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）バンプ電極の形成が予定されている面に導電ペー
    ストを塗布する工程と、 塗布された導電ペーストが乾燥する前に、金属ボールを
    導電ペーストの粘性を利用して該導電ペースト上に付着
    させる工程と、 導電ペーストを金属ボールと一体に焼成する工程とを備
    えることを特徴とするバンプ電極の形成方法。
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