JPS61263233A - 超音波ワイヤボンデイング装置 - Google Patents

超音波ワイヤボンデイング装置

Info

Publication number
JPS61263233A
JPS61263233A JP60103950A JP10395085A JPS61263233A JP S61263233 A JPS61263233 A JP S61263233A JP 60103950 A JP60103950 A JP 60103950A JP 10395085 A JP10395085 A JP 10395085A JP S61263233 A JPS61263233 A JP S61263233A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ultrasonic
bonding
wire
wire bonding
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP60103950A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0476501B2 (ja
Inventor
Hisaya Suzuki
鈴木　久彌
Makoto Arie
誠 有江
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Mechatronics Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Seiki Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Seiki Co Ltd filed Critical Toshiba Seiki Co Ltd
Priority to JP60103950A priority Critical patent/JPS61263233A/ja
Publication of JPS61263233A publication Critical patent/JPS61263233A/ja
Publication of JPH0476501B2 publication Critical patent/JPH0476501B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015—Shape
    • H01L2924/1016—Shape being a cuboid
    • H01L2924/10162—Shape being a cuboid with a square active surface

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、超音波ワイヤボンディング装置に関する。
［従来の技術］ 従来、例えばＩＣ，ＬＳＩ等の製造は、先ずリードフレ
ームのアイランド部に半導体ベレットを接合し、次いで
半導体ベレット表面の電極バットとリードフレームのリ
ード端子とをＡｕ線等のワイヤによりワイヤボンディン
グして行なわれる。ワイヤボンディングの行なわれたリ
ードフレームは、該ボンディング部分に対して樹脂封止
が行なわれ、樹脂封止の行なわれたリードフレームは各
チップごとに切断し、分離される。この結果、複数の接
続端子を備えたチップ状のＩＣまたはＬＳＩが製造され
ることとなる。
ベレット表面の電極パッドとリードフレームのリード端
子との間のワイヤボンディングには、例えば、超音波ワ
イヤボンディング装置が用いられる。超音波ワイヤボン
ディング装置は、超音波を出力可能とする超音波発振回
路と、超音波発振回路より出力される超音波により振動
されるトランスジューサと、トランスジューサに配設さ
れ、所定のボンディング部間、例えば電極パッドとリー
ド端子間をワイヤボンディング可能とするボンディング
ツールとを備えてなる。超音波ワイヤボンディング装置
によるワイヤボンディングは、振動されるトランスジュ
ーサによりボンディングツールを振動させ、ボンディン
グツールに供給され、かつ電極パッドやリード端子等の
ボンディング部に押圧状態で接触されるワイヤを該超音
波振動によりボンディング部に対して摩擦圧接するよう
にして行なわれる。すなわち、ボンディングツールによ
るワイヤボンディングは、該ツールに供給されるワイヤ
の先端部を例えば電極パッドに圧接し、次いで該ワイヤ
の所定部をリード端子に圧接して電極パッドとリード端
子との間を該ワイヤにより接続して行なわれる。ボンデ
ィングツールに供給され、ワイヤボンディングの行なわ
れたワイヤは、リード端子の圧接部分で切断され、切断
されたワイヤの先端部は次にボンディングを行なう電極
パッドに対し圧接するようにしている。
このようにして、超音波ワイヤボンディング装置により
、対応する電極パッドとリード端子間が順次ワイヤボン
ディングされることとなる。
ところで、従来の超音波ワイヤボンディング装置は、例
えば特公昭５７−９４９４や特開昭５５−１２０１４５
に示すように超音波発振回路より出力される超音波出力
値を制御可能とする制御手段を設けるようにしている。
この制御手段は、ボンディング部の材質やボンディング
部に対するワイヤの押圧時に生ずる負荷に応じた超音波
振動エネルギーを該超音波発振回路から出力制御可能と
し、ボンディング部に対する良好なボンディング状態を
得ることを可能としている。
［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、上記従来の超音波ワイヤボンディング装
置における制御手段は、超音波発振回路より出力される
超音波出力波形の定常出力値をそれぞれ可変に制御する
ことができるものの、各超音波出力波形の定常出力値に
至る立上り時間は常時一定のものとされていた。このた
め、ボンディング部の材質によっては、定常出力値に至
る立上り時間が急激となり、このため、ボンディング部
表面を剥離したり、またボンディング部にクラックを生
じさせる等のダメージを生じさせることが考えられる。
また、ボンディング部やワイヤの材質などによっては、
立上り時間が長すぎること、または短かすぎることによ
ってワイヤとボンディング部の接合強度が低下する場合
が考えられる。さらに、立上り時間は、ボンディングを
行なうワイヤ先端のポール形状の大きさ等に重要な影響
を与え、例えば立上り時間が長すぎるためにポール形状
が大きくなりすぎ、圧接されたワイヤがボンディング部
よりはみ出す等の不具合も考えられる。
本発明は、各ボンディング部に対するワイヤボンディン
グをボンディング部の材質、ワイヤの材質等に応じて適
正な接合強度、安定したポール形状で安全かつ確実に行
なうことを目的としている。
［問題点を解決するための手段］ 上記目的を達成するために、本発明は、超音波を出力可
能とする超音波発振回路と、超音波発振回路より出力さ
れる超音波により振動されるトランスジューサと、トラ
ンスジューサに配設され、所定のボンディング部間をワ
イヤボンディング可能とするボンディングツールと、を
備えてなる超音波ワイヤボンディング装置において、上
記超音波発振回路に、超音波出力波形の定常出力値に至
る立上り時間を調整可能とする立上り調整手段を設ける
こととしている。
［作　用］ 本発明によれば、立上り調整手段の調整により、ボンデ
ィング部の材質、ワイヤの材質等に応じた最良のボンデ
ィング状態を与える立上り時間を設定することが可能と
なり、これにより、各ボンディング部に対するワイヤボ
ンディングを適正な接合強度、安定したポール形状で安
全かつ確実に行なうことが可能となる。
［実施例］ 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例に係る超音波ワイヤボンディ
ング装置の回路図、第２図は超音波ワイヤボンディング
装置によりワイヤボンディングする状態を示す斜視図、
第３図は第２図のｍ−ｍ線に沿う矢視図、第４図（Ａ）
〜（Ｄ）第１図に示す回路図の各部における信号の波形
図である。
超音波ワイヤボンディング装置１０は、ＩＣ製造用のも
のとされ、第１図に示すようにＸＹ方向の所定位置に供
給され、位置決めされるリードフレーム１１に対しワイ
ヤボンディングを行なうこととしている。すなわち、ワ
イヤボンディングは、リードフレーム１１のアイランド
部１２に接合された半導体ベレット１３のうち、周部表
面にそれぞれ設けられる各電極パッド１４とリードフレ
ーム１１の対応するリード端子１５をＡｕ線等のワイヤ
１６により接続して行なうようにしている。超音波ワイ
ヤボンディング装置１０は、第３図に示すように超音波
発振回路１７を備えてなり、該回路１７は、超音波を出
力可能としている。超音波発振回路１７から出力される
超音波は、トランスジューサ１８に対し加えられ、これ
によりトランスジューサ１８は矢示Ｙ方向に機械的な超
音波振動を起こすようにしている。さらにトランスジュ
ーサ１８にはホーン１９が取着され、該ホーン１９の先
端部にはボンディングツールとしてのキャピラリ２０が
取着される。キャピラリ２０はトランスジューサ１８の
振動に基づくホーン１９の振動により、矢示Ｙ方向に振
動される。キャピラリ２０には、スプール２１に巻回さ
れるワイヤ１６の一端が供給され、キャピラリ２０によ
るワイヤボンディングは、キャピラリ２０を対応する電
極パッド１４とリード端子１５との間を移動させて行な
われる。すなわち、キャピラリ２０は、各位置で供給さ
れるワイヤ１６を超音波振動により摩擦圧接し、これに
より該電極パッド１４と対応するリード端子１５との間
をワイヤ１６を介して接続するようにしている。
トランスジューサ１８に所定の超音波を発振可能とする
超音波発振回路１７は、第４図（Ａ）に示すような一定
振幅の超音波Ａを発振可能とする超音波発振器２２を備
えてなる。超音波発振器２２より発振される超音波Ａは
、乗算器２３に対して出力され、該乗算器２３は積分器
２４側から出力される発振信号Ｂと上記超音波Ａとを乗
算し、この結果得られる出力波Ｃを電力増幅器２５に対
し出力可能としている。さらに電力増幅器２５は、入力
される乗算器２３の出力波Ｃを所定の増幅率Ｇをもって
増幅し、これにより該増幅された状態の超音波りをトラ
ンスジューサ１８に出力するようにしている。電力増＠
１Ｊｈ２５における増幅率Ｇの設定は、ボンディング部
としての電極パッド１４やリード端子１５の表面の材質
あるいは該ボンディング部に対するワイヤ１６の押圧時
に生ずるキャピラリ２０の負荷抵抗等に基づき可変に行
なわれる。このため、キャピラリ２０における超音波振
動の状態が不図示の制御手段により電力増幅器２５にフ
ィードバックされ、さらに制°御手段は該フィードバッ
クされたキャピラリ２０の振動状態や電極パッド１４の
材質等に基づき増幅率Ｇを可変に設定するようにしてい
る。
積分器２４側から乗算器２３に対して出力される発振信
号Ｂは、積分器２４に対してスタート信号Ｅを入力する
ことにより行なわれ、スタート信号Ｅは第４図（Ｂ）に
示すように一定値のものとされる。このようなスタート
信号Ｅの入力により積分器？４は、第４図（Ｃ）に示す
発振信号Ｂを乗算器２３に対して出力するようにしてい
る。また１乗算器２３は、超音波Ａと該発振信号Ｂを乗
算し、第４図（Ｄ）に示す波形Ｃの信号波を電力増幅器
２５に出力可能としている。さらに電力増幅器２５は、
第４図（Ｄ）に示す波形Ｃを増幅させた状態の波形の出
力波をトランスジューサ１８に出力可能としている。こ
こで乗算器２３が出力する波形Ｃおよび電力増幅器２５
が出力する波形りのうち、スタート信号Ｅを入力してか
ら一定振幅の定常出力値Ｆの出力波を出力するまでの立
上り時間Ｔは、立上り調整手段としてのＤＡ変換部２６
において調整可能とされる。すなわち、ＤＡ変換部２６
は、積分器２４より出力される発振信号Ｂにおいて、定
常信号値Ｈに至る立上り時間Ｔを可変に調整可能とし、
該立上り時間Ｔは、該ＤＡ変換部２６にて予めいくつか
［例えばＴ１〜Ｔ２０］の時間に対応するように予めデ
ジタル設定される、この結果、設定される各立上り時間
Ｔｌ〜Ｔ２０に対応されるデジタル値をＤＡ変換部２６
に入力し、さらにスタート信号Ｅを入力することで電力
増幅器２５から出力される超音波波形りの立上り時間Ｔ
を所定の値に設定することが可能となる。したがって、
例えば振動されるワイヤ１６の先端部のポール形状を安
定した形状とし、さらにボンディング部とワイヤ１６と
の安定した圧接状態を得るために立上り時間Ｔを可変に
調整することが可能となる。
上記超音波ワイヤボンディング装置ｌＯにおけるＤＡ変
換部２６での立上り時間Ｔの調整例としては、上記ワイ
ヤ１６のボール形状の変換や圧接状態の変更の他に次の
ものが考えられる０例えば、ボンディングを行なう半導
体ペレット１３の材質がガリウム砒素、ガリウムリン等
から成る場合、立上り時間Ｔが急激となると振動される
ワイヤ１６の先端部により該ベレット１３が欠けてしま
う恐れがある。また、半導体ペレット１３の表面の電極
バッド１４が例えばアルミシリコンの蒸着層により形成
される場合等においては、立上り時間Ｔが急激となると
振動されるワイヤ１６の先端部により蒸着層を剥離して
しまう恐れがある。
このような場合には、立上り時間Ｔが長くなるように予
めＴ１〜Ｔ２０に対応する所定のデジタル値をＤＡ変換
部２６に入力するようにする。
これに対し、リードフレーム１１のリード端子１５にワ
イヤ１６を圧接する場合、リード端子１５の表面が半導
体ペレット１３に比べて硬質とされるので迅速かつ安定
した圧接状態を得るためには立上り時間Ｔを短かくする
必要がある。このため、このような場合には、立上り時
間Ｔが短かくなるように予めＴ１〜Ｔ２０に対応する所
定のデジタル値をＤＡ変換部２６に入力するようにする
。
次に、上記実施例の作用を説明する。
と記実施例に係るワイヤボンデインク装置１０によれば
、立上り調整手段としてのＤＡ変換部２６において、ボ
ンディング部の材質、ワイヤの材質等に応じた最良のボ
ンディング状態を与える立上がり時間Ｔを設定すること
が可能となり、これにより、各ボンディング部に対する
ワイヤボンディングを適正な接合強度、安定したボール
形状で安全かつ確実に行なうことが可能となる。
［発明の効果］ 以上のように、本発明は超音波を出力可能とする超音波
発振回路と、超音波発振回路より出力される超音波によ
り振動されるトランスジューサと、トランスジューサに
配設され、所定のボンディング部間をワイヤボンディン
グ可能とするボンディングツールと、を備えてなる超音
波ワイヤボンディング装置において、上記超音波発振回
路に、超音波出力波形の定常出力値に至る立上り時間を
調整可能とする立上り調整手段を設けることとしたため
、各ボンディング部に対するワイヤボンディングをボン
ディング部の材質、ワイヤの材質等に応じて適正な接合
強度、安定したポール形状で安全かつ確実に行なうこと
ができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例に係る超音波ワイヤボンディ
ング装置の回路図、第２図は超音波ワイヤボンディング
装置によりワイヤボンディングする状態を示す斜視図、
第３図は第２図のｍ−■線に沿う矢視図、第４図（Ａ）
〜（Ｄ）第１図に示す回路図の各部における信号の波形
図である。 ｌＯ・・・超音波ワイヤボンディング装置、１４・・・
電極パッド、１５・・・リード端子、１６・・・ワイヤ
、１７・・・超音波発振回路、１８・・・トランスジュ
ーサ、２０・・・キャピラリ、２２・・・超音波発振器
、２４・・・積分器、２６・・・ＤＡ変換器、Ｔ・・・
立上り時間。 代理人　　弁理士　　塩　川　修　治 第　１　図 図面の浄書（内容に変更なし） 第　４　図 手続補正書（方式） 昭和６０年　３月３日

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）超音波を出力可能とする超音波発振回路と、超音
    波発振回路より出力される超音波により振動されるトラ
    ンスジューサと、トランスジューサに配設され、所定の
    ボンディング部間をワイヤボンディング可能とするボン
    ディングツールと、を備えてなる超音波ワイヤボンディ
    ング装置において、上記超音波発振回路に、超音波出力
    波形の定常出力値に至る立上り時間を調整可能とする立
    上り調整手段を設けたことを特徴とする超音波ワイヤボ
    ンディング装置。
JP60103950A 1985-05-17 1985-05-17 超音波ワイヤボンデイング装置 Granted JPS61263233A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60103950A JPS61263233A (ja) 1985-05-17 1985-05-17 超音波ワイヤボンデイング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60103950A JPS61263233A (ja) 1985-05-17 1985-05-17 超音波ワイヤボンデイング装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61263233A true JPS61263233A (ja) 1986-11-21
JPH0476501B2 JPH0476501B2 (ja) 1992-12-03

Family

ID=14367696

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60103950A Granted JPS61263233A (ja) 1985-05-17 1985-05-17 超音波ワイヤボンデイング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61263233A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0355955A2 (en) * 1988-07-25 1990-02-28 Hitachi, Ltd. Connection for semiconductor devices or integrated circuits by coated wires and method of manufacturing the same
JPH03102844A (ja) * 1989-08-11 1991-04-30 Orthodyne Electron Corp 超音波ワイヤボンダー

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0355955A2 (en) * 1988-07-25 1990-02-28 Hitachi, Ltd. Connection for semiconductor devices or integrated circuits by coated wires and method of manufacturing the same
EP0355955A3 (en) * 1988-07-25 1991-12-27 Hitachi, Ltd. Connection for semiconductor devices or integrated circuits by coated wires and method of manufacturing the same
JPH03102844A (ja) * 1989-08-11 1991-04-30 Orthodyne Electron Corp 超音波ワイヤボンダー

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0476501B2 (ja) 1992-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5607096A (en) Apparatus and method for ultrasonic bonding lead frames and bonding wires in semiconductor packaging applications
JPH06216202A (ja) ワイヤボンディング装置
JPH0550136B2 (ja)
JPS61263233A (ja) 超音波ワイヤボンデイング装置
JP2727970B2 (ja) ボンディングツール
US7150388B2 (en) Method of bonding and bonding apparatus for a semiconductor chip
JP2002353266A (ja) ワイヤボンディング方法および装置
JPH11354569A (ja) ワイヤボンディング方法および装置ならびに半導体装置の製造方法
JPS5951742B2 (ja) 超音波ワイヤボンデイング方法
JP3531378B2 (ja) ワイヤボンディング装置
JPH02106092A (ja) 導線接合方法
JPH0430546A (ja) 被覆線の超音波ワイヤボンディング方法及び被覆線の超音波ワイヤボンディング用外部リード
JPH08153758A (ja) 超音波ワイヤボンディング装置及び方法
EP0655815B1 (en) an instrument for the electrical connection of integrated circuits
JP2770542B2 (ja) ワイヤボンダーにおけるトランスデューサのｕｓ発振装置
JP2000357705A (ja) 電子部品の接続方法
JP2814608B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP2725117B2 (ja) ワイヤボンディング装置及びその方法
JP2565009B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JPH0732174B2 (ja) 超音波ワイヤボンディング方法および装置
JP2000012598A (ja) キャピラリおよびそれを用いたワイヤボンディング方法ならびに装置および半導体装置の製造方法
JPH04279040A (ja) ワイヤボンディング方法
JP2976602B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JPH04372146A (ja) ワイヤボンディング装置
JPH01209733A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term