JPH0430546A - 被覆線の超音波ワイヤボンディング方法及び被覆線の超音波ワイヤボンディング用外部リード - Google Patents

被覆線の超音波ワイヤボンディング方法及び被覆線の超音波ワイヤボンディング用外部リード

Info

Publication number
JPH0430546A
JPH0430546A JP2137559A JP13755990A JPH0430546A JP H0430546 A JPH0430546 A JP H0430546A JP 2137559 A JP2137559 A JP 2137559A JP 13755990 A JP13755990 A JP 13755990A JP H0430546 A JPH0430546 A JP H0430546A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
wire
ultrasonic
coated
rough surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2137559A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2795730B2 (ja
Inventor
Hideyuki Akimoto
英行 秋元
Koichiro Mukoyama
向山 光一郎
Shinichi Hanada
信一 花田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tanaka Denshi Kogyo KK
Original Assignee
Tanaka Denshi Kogyo KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tanaka Denshi Kogyo KK filed Critical Tanaka Denshi Kogyo KK
Priority to JP2137559A priority Critical patent/JP2795730B2/ja
Publication of JPH0430546A publication Critical patent/JPH0430546A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2795730B2 publication Critical patent/JP2795730B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49548Cross section geometry
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49517Additional leads
    • H01L23/4952Additional leads the additional leads being a bump or a wire
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554Coating
    • H01L2224/45565Single coating layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554Coating
    • H01L2224/45599Material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301Capillary
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/788Means for moving parts
    • H01L2224/78801Lower part of the bonding apparatus, e.g. XY table
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512Aligning
    • H01L2224/85148Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518Translational movements
    • H01L2224/85181Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201Compression bonding
    • H01L2224/85205Ultrasonic bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85385Shape, e.g. interlocking features
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399Material
    • H01L2224/854Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/85438Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/85439Silver (Ag) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399Material
    • H01L2224/854Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/85438Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/85444Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1515Shape
    • H01L2924/15153Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/15165Monolayer substrate

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は超音波ボンディング装置を利用して被覆線の芯
栓をパッケージの外部リードに接続する被覆線の超音波
ワイヤボンディング方法及び被覆線の超音波ワイヤボン
ディング用外部リード1.m関する。
〈従来の技術〉 従来、この種の被覆線の超音波ワイヤボンディング方法
として例えば特開昭61−29142号公報に開示され
る如く外部リードの平滑な上面に段差を形成し、被覆線
をボンディングとは異なる位置で外部リードの上面に圧
接し、そのまま該段差上を通過させてボンディング位置
まで摺動することにより、被覆膜の摺接部が段差に引っ
掛って削り取られ芯線を露出して外部リードに接合させ
るものがあり、又特開昭63−248578号公報に開
示される如く外部リードの表面に粗面を形成し、この粗
面に被覆線を圧接させ超音波振動を与えることにより、
被覆膜の接触面が削り取られ芯線を露8して外部リード
に接合させるものがある。
〈発明が解決しようとする課題〉 しかし乍ら、このような従来の被覆線の超音波ワイヤボ
ンディング方法では前者の場合、被覆線が段差を一度し
か通過しないため、被覆膜を完全に除去できないことが
あり、特に段差の高さが被覆膜厚より小さい時には芯線
を確実に露出させることができず、残留した被覆膜がボ
ンディングの邪魔となって接合強度が低く接触不良やリ
ードはがれ等の原因となるという問題がある。
また後者の場合には削り取られた被覆膜が外部リード上
のボンディング位置に残留するため、ボンディングの邪
魔となり、特に粗面の表面粗さが被覆膜厚より小さい時
には加振開始直後に被覆膜が粗面の凹部に詰まって被覆
膜を完全に除去できず芯線を確実に露出させることはで
きないという問題がある。
これらの結果、外部リードに対する被覆線の加圧加重を
大きくしたり超音波振動を長く与えて無理な接合をさせ
るために、外部リードのつぶれ厚さが薄くなって逆に強
度低下につながるという問題もある。
本発明は斯る従来事情に鑑み、被覆線の加圧荷重や超音
波振動による無理な接合をさせずに被覆膜を確実に除去
して接合強度を向上させることを目的とする。
〈課題を解決するための手段〉 上記課題を解決するために本発明が講する技術的手段は
、外部リードの表面を被覆線の被覆膜厚と同程度又はそ
れ以上の表面粗さの粗面に形成し、この粗面に被覆線を
圧接させ超音波振動を与えて接合したことを特徴とする
方法である。
そして被覆線を粗面に圧接させる前の時点で加熱する方
法が好ましく、更に被覆線をボンディング位置とは異な
る位置で粗面に圧接し、ボンディング位置まで摺動させ
てから超音波振動を与える方法が好ましい。
また被覆線との接触面を被覆線の被覆膜厚と同程度又は
それ以上の表面粗さの粗面に形成したことを特徴とする
ものである。
く作用〉 本発明は上記技術的手段によれば、被覆線をその被覆膜
と同程度又はそれ以上の表面粗さの粗面に圧接して超音
波振動を与えることにより、被覆膜の接触部が削り取ら
れて粗面の凹部内に入り込み芯線が露出して粗面の凸部
頂点と接合するものである。
そして粗面に圧接させる前の時点で被覆線を加熱するこ
とにより、被覆膜が軟化して粗面との加圧・加振時に剥
離し易くなるものである。
更に被覆線をボンディング位置とは異なる位置で粗面に
圧接し、ボンディング位置まで摺動させてから超音波振
動を与えることにより、ボンディング位置に到達するま
での間に被覆膜の摺接部の大半が削り取られてボンディ
ング位置に到達した時の被覆膜の摺接部の残留量を少な
くするものである。
〈実施例〉 以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
この実施例は第1図に示す如くボンディングツールとし
てキャピラリ4を使用し、キャピラリヒータで被覆線1
を加熱しなから半導体チップ3の上面に形成される電極
3aに被覆線1の先端をボンディングした後、被覆線1
のループを形成し、外部リード2上のボンディング位置
P1とは異なる半導体チップ3寄りの位置P2に被覆線
1を着地させて圧接すると共に、そのまま被覆線1をボ
ンディング位置P1まで摺動してから超音波振動を与え
る場合を示すものである。
被覆線1は例えばAu、AA−3i合金、  Cu等か
らなる芯線1aの外周面に例えば耐熱ポリウレタン、ホ
ルマール等の熱硬化性樹脂からなる被覆材を略均−に被
覆して被覆膜1bが形成される。
外部リード2は例えばCu、Feなどからなるリード本
体2aの表面に例えばAg、Au等から導電部2bをメ
ツキして形成され、その上面にはボンディング位置P工
から半導体チップ3寄りの位置P2に亙って図示せる如
く平滑なリード本体2aの上面にメツキ加工して上記被
覆膜1bの膜厚と同程度又はそれ以上の表面粗さの粗面
2cを形成するか、或いはリード本体2aの上面にプレ
ス加工等の機械的な加工により目の細かい凹凸を設けて
からメツキ加工して、被覆膜1bの膜厚と同程度又はそ
れ以上の表面粗さの粗面2Cを形成する。
キャピラリ4はその基部に伝達部材を介して超音波発振
器と電気的に接続する振動子が連設されると共に、xY
テーブル上に立設したボンディングヘッドが立設され、
これら超音波発生器及びXYテーブルを電気的に制御す
ることにより、被覆線1が粗面2c上に着地してからボ
ンディング位置P1へ向けて所定長さ例えば30μ以上
水平移動させ、その後に超音波振動を与えるようにして
いる。
従って、本実施例によれば、被覆線1は粗面2Cに圧接
する前の時点で加熱され被覆膜1bが軟化して芯線1a
より剥離し易くなると共に、粗面2Cに着地して熱圧接
されてからボンディング位置P4に到達するまでの間に
被覆膜1bの摺接部の大半が削り取られて粗面2Cの凹
部2cm内に入り込み、該摺接部の残留量が少なくなり
、その後超音波振動が与えられると芯線1aが完全に露
出して粗面2cの凸部2C2頂点と接合される。
而して上記被覆膜ibの膜厚が異なる線径30μの被覆
線1を複数種類設けると共に、粗面2cの表面粗さの異
なる外部リード2を複数種類設け、これらをキャピラリ
4の加熱温度200℃で超音波併用熱圧着ワイヤボンデ
ィングしてプルテストした結果を次表に示す。
表に示されたプルテストによる引張り強度の測定結果に
より粗面2cの表面粗さが被覆膜!bの膜厚より小さい
ものに比べ、粗面2cの表面粗さが被覆膜1bの膜厚と
同程度又はそれ以上になると、接合強度が増強されたこ
とが理解される。
尚、前示実施例においては被覆線1を外部り一ド2のボ
ンディング位置P□とは異なる位置P2に着地させて圧
接した後にボンディング位置P工まで摺動してから超音
波振動を与えたが、これに限定されず、被覆線1を直接
ボンディング位置P1に着地させて圧接した後に超音波
振動を与えるようにしても良い。
また、キャピラリヒータにより被覆線1を粗面2Cに圧
接させる前の時点で加熱したが、これも限定されず被覆
線1を加熱せず常温のまま粗面2cに圧接させても良い
〈発明の効果〉 本発明は上記の構成であるから、以下の利点を有する。
■ 被覆線をその被覆膜と同程度又はそれ以上の表面粗
さの粗面に圧接して超音波振動を与えることにより、被
覆膜の接触部が削り取られて粗面の凹部内に入り込み芯
線が露比して粗面の凸部頂点と接合するので、被覆線の
加圧荷重や超音波振動による無理な接合をさせずに被覆
膜を確実に除去して接合強度を向上させることができる
従って、接触不良やリードはかれ等が発生せず、外部リ
ードのつぶれ厚さが薄くなることもなく確実に超音波ボ
ンディングできる。
■ 粗面に圧接させる前の時点で被覆線を加熱すれば、
被覆膜が軟化して粗面との加圧・加振時に剥離し易くな
るので、ボンディング位置に残留する被覆材が更に減っ
て接合強度が向上する。
■ 被覆線をボンディング位置とは異なる位置で粗面に
圧接し、ボンディング位置まで摺動させてから超音波振
動を与えれば、ボンディング位置に到達するまでの間に
被覆膜の摺接部の大半が削り取られてボンディング位置
に到達した時の被覆膜の摺接部の残留量を少なくするの
で、接合強度が更に向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す被覆線の超音波ワイヤ
ボンディング方法及び被覆線の超音波ワイヤボンディン
グ用外部リードの部分縦断面図で被覆線が外部リード上
に着地した状態を示し、第2図は超音波振動を与える状
態を示す部分縦断面図である。 P工・・・ホンディング位置 P2・・・ボンディング位置とは異なる位置1・・・被
覆線 lb・・・被覆膜 2・・・外部リード 2c・・・粗面 特許出願人   田中電子工業株式会社第 図 b 第 図 手 続 補 正 書 1゜ 事件の表示     ρ>−/’370タタ平成2年平
成2年口 2。 発明の名称 被覆線の超音波ワイヤボンディング方法及び被覆線の超
音波ワイヤボンディング用外部リード補正をする者 事件との関係 氏名(名称) 特許a願人 田中電子工業株式会社 代 理 人 住 所 東京都文京区白山5丁目14番7号 7。 補正の内容 別紙の通り 補  正  書 (1)明細書中特許請求の範囲を別紙の通り補正する。 (2)明細書第2頁第6行の「・・・の芯栓を・・・」
を「・・・の芯線を・・・」と補正する。 (3)明細書第4頁第1〜2行の1・・・の加圧加重を
・・・」を「・・・の加圧荷重・・・」と補正する。 (4)明細書第6頁第18〜20行の「外部リード・・
・形成され、・・・」を「外部リード2は例えばCu。 Fe等からなるリード本体2aの表面に例えばAg、A
u等からなる導電部2bをメツキして形成され、・・・
」と補正する。 特 許 出 願 人   田中電子工業株式会社特許請
求の範囲 (1)外部リードの表面を被覆線の被覆膜厚と同程度又
はそれ以上の表面粗さの粗面に形成し、この粗面に被覆
線を圧接させ超音波振動を与えて接合したことを特徴と
する被覆線の超音波ワイヤボンディング方法。 (2)被覆線を粗面に圧接させる前の時点で加熱した請
求項1記載の被覆線の超音波ワイヤボンディング方法。 (3)被覆線をボンディング位置とは異なる位置で粗面
に圧接し、ボンディング位置まで摺動させてから超音波
振動を与えた請求項1又は2記載の被覆線の超音波ワイ
ヤボンディング方法。 (4)被覆線との接触面を被覆線の被覆膜厚と同程度又
はそれ以上の表面粗さの粗面に形成したことを特徴とす
る被覆線の超音波ワイヤボンディング用外部リード。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)外部リードの表面を被覆線の被覆膜厚と同程度又
    はそれ以上の表面粗さの粗面に形成し、この粗面に被覆
    線を圧接させ超音波振動を与えて接合したことを特徴と
    する被覆線の超音波ワイヤボンディング方法。
  2. (2)被覆線を粗面に圧接させる前の時点で加熱した請
    求項1記載の被覆線の超音波ワイヤボンディング方法。
  3. (3)被覆線をボンディング位置とは異なる位置で粗面
    に圧接し、ボンディング位置まで摺動させてから超音波
    振動を与えた請求項1又は2記載の被覆線の超音波ワイ
    ヤボンディング方法。
  4. (4)被覆線との接触面を被覆線の被覆膜厚と同程度又
    はそれ以上の表面粗さの粗面に形成したことを特徴とす
    る被覆線の超音波ワイヤボンディグ用外部リード。
JP2137559A 1990-05-28 1990-05-28 被覆線の超音波ワイヤボンディング方法及び被覆線の超音波ワイヤボンディング用外部リード Expired - Lifetime JP2795730B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2137559A JP2795730B2 (ja) 1990-05-28 1990-05-28 被覆線の超音波ワイヤボンディング方法及び被覆線の超音波ワイヤボンディング用外部リード

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2137559A JP2795730B2 (ja) 1990-05-28 1990-05-28 被覆線の超音波ワイヤボンディング方法及び被覆線の超音波ワイヤボンディング用外部リード

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0430546A true JPH0430546A (ja) 1992-02-03
JP2795730B2 JP2795730B2 (ja) 1998-09-10

Family

ID=15201554

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2137559A Expired - Lifetime JP2795730B2 (ja) 1990-05-28 1990-05-28 被覆線の超音波ワイヤボンディング方法及び被覆線の超音波ワイヤボンディング用外部リード

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2795730B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5561565A (en) * 1992-04-22 1996-10-01 Canon Kabushiki Kaisha Magnetic tape recording and/or reproducing apparatus with detecting means
JP2007504648A (ja) * 2003-08-29 2007-03-01 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 絶縁ワイヤのワイヤボンディング及びワイヤボンディングに用いるキャピラリ
JP2007173363A (ja) * 2005-12-20 2007-07-05 Fujitsu Ltd フライングリードの接合方法
JP2013000792A (ja) * 2011-06-21 2013-01-07 Seidensha Electronics Co Ltd 超音波金属接合方法、超音波金属接合装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5561565A (en) * 1992-04-22 1996-10-01 Canon Kabushiki Kaisha Magnetic tape recording and/or reproducing apparatus with detecting means
JP2007504648A (ja) * 2003-08-29 2007-03-01 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 絶縁ワイヤのワイヤボンディング及びワイヤボンディングに用いるキャピラリ
JP2007173363A (ja) * 2005-12-20 2007-07-05 Fujitsu Ltd フライングリードの接合方法
JP2013000792A (ja) * 2011-06-21 2013-01-07 Seidensha Electronics Co Ltd 超音波金属接合方法、超音波金属接合装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2795730B2 (ja) 1998-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH02123685A (ja) 金を含むワイヤを半田に接着する方法
JPH10112471A (ja) ワイヤボンディング方法
JPH0430546A (ja) 被覆線の超音波ワイヤボンディング方法及び被覆線の超音波ワイヤボンディング用外部リード
JP3160555B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP3887993B2 (ja) Icチップと回路基板との接続方法
JP2000357705A (ja) 電子部品の接続方法
JPH06283564A (ja) ワイヤボンディング方法
JP3702929B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JPH10261664A (ja) 半導体素子、突起電極の形成方法およびワイヤボンディング方法
JP3233194B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JPH04334035A (ja) 半田ワイヤとそのワイヤを使用した半田バンプの形成方法
JPH07283221A (ja) バンプの形成方法
JPH0748507B2 (ja) ワイヤボンデイング方法
JP2533675B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP3445687B2 (ja) 半導体チップの実装方法
JPH01209733A (ja) 半導体装置
JPS61140142A (ja) ボンデイング方法
JPH04256330A (ja) ワイヤーボンディング方法及びワイヤーボンディング装置
JPH10199913A (ja) ワイヤボンディング方法
JPS5944836A (ja) ワイヤ−ボンデイング方法
JP3455618B2 (ja) 半導体の製造方法
JPH0286132A (ja) バンプ電極の形成方法
JPH10261645A (ja) 半導体素子、突起電極の形成方法およびワイヤボンディング方法
JPH02163951A (ja) キャピラリチップと半導体装置のワイヤボンド方法
JP2000286287A (ja) ワイヤボンディング装置およびワイヤボンディング方法