JP2703272B2 - ワイヤボンディング装置 - Google Patents

ワイヤボンディング装置

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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は,例えば集積回路等の電子部品の組立工程に
おいて,半導体素子の電極とリードフレームとをワイヤ
を用いて結線するワイヤボンディング装置に関する。
(従来の技術) 従来,ワイヤボンディング装置には,半導体素子を所
定位置に固定したリードフレームを送り爪やローラを利
用してフィーダ上で搬送し,上記リードフレームを所定
位置に搬送したのち,押え治具によりリードフレームを
押え付けて,半導体素子の電極とリードフレームをワイ
ヤボンディングするものがある。つまり,このようなワ
イヤボンディング装置では,半導体素子を例えばその上
面に載置・固定したリードフレームをフィーダ上で順次
移動させ,所定位置に達したものから位置決めして順に
ボンディングしている。
また,上述のようなワイヤボンディングでは,半導体
素子やリードフレームを予め適正な温度に加熱しておく
ことにより,より良好な接合状態でボンディングでき
る。このため,上述のワイヤボンディング装置では,フ
ィーダの下部に設けたヒータによってリードフレームや
半導体素子を加熱している。
(発明が解決しようとする課題) ところで,このような従来のワイヤボンディング装置
では,リードフレームや半導体素子が適正な温度領域ま
で十分に加熱されないうちにボンディングしてしまうこ
とがあった。つまり,従来のワイヤボンディング装置で
は,例えば装置の運転開始直後にボンディングされるも
の,すなわちフィーダ上に並べられ搬送される電子部品
のうちの先頭の電子部品に対しては,半導体素子やリー
ドフレームを充分に加熱しないまま両部材をワイヤボン
ディングしてしまうことがあった。
また,ヒートシンクを有する電子部品では,一般にヒ
ートシンクと半導体素子とはマウント材により結合され
ているため,半導体素子はヒートシンク直下のヒータに
より所定の温度に加熱される。しかし,上記ヒートシン
クとリードフレームとは一部の接続部分を除いて分離さ
れている。したがって,リードフレームが適正ボンディ
ング温度まで加熱されないうちにワイヤボンディングさ
れることがあり,このことが接合不良の原因になる場合
があった。
本発明の目的とするところは,電子部品の種類に拘ら
ず,半導体素子とリードフレームとを常に適正な温度に
加熱できるワイヤボンディング装置を提供することにあ
る。
(課題を解決するための手段及び作用) 上記目的を達成するために本発明は,半導体素子をマ
ウントしたリードフレームを押え治具によりヒータブロ
ックに押圧固定して上記半導体素子と上記リードフレー
ムとをワイヤによって結線するワイヤボンディング装置
において, 上記ヒータブロックに設けられた第1のヒータと,上
記押え治具に設けられた第2のヒータとを具備し,上記
第1のヒータは上記半導体素子の加熱に適した温度に温
度設定可能で,上記第2のヒータは上記リードフレーム
の加熱に適した温度に温度設定可能であることを特徴と
る。
こうすることによって本発明は,電子部品の種類に拘
らず,半導体素子とリードフレームとを常に適正な温度
に加熱できるようにしたことにある。
(実施例) 以下,本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第1図は本発明の一実施例の外観を示すもので,図中
1は例えば組立工程にある集積回路2を搬送するフィー
ダである。そして,このフィーダ1を,例えばパーフォ
レーションなどの送り孔部(図示しない)を有する送り
部材3に,ほぼ一定間隔で一列に配置された複数のリー
ドフレーム4…が,フィーダ1に沿って移動し搬送され
るようになっている。そして,各リードフレーム4は各
集積回路2を構成するものであり,また,これらの搬送
は図示しない送り爪やローラによって行なわれる。ここ
で,第1図および第2図(a),(b)中の矢印Aは搬
送方向を示すものである。
さらに,このフィーダ1の下部には第1のヒータ5を
内蔵したヒータブロック6が設けられている。上記第1
のヒータ5が発した熱は上記ヒータブロック6に伝わ
り,これによってヒータブロック6は加熱され高温にな
る。さらに,上記ヒータブロック6は図中に矢印Bで示
すように上下動が可能であり,上方へ移動したときには
ヒータブロック6はフィーダ1の開口部のリードフレー
ム4直下に到達し,リードフレーム4に接して又は,間
隙を有して停止する。
さらに,上記ヒータブロック6の上方には,後述する
押え治具7が配置されている。また,この押え治具7の
近傍には,たとえばスプール(図示しない)から供給さ
れたワイヤ8を把持するクランパ9及び上記ワイヤ8の
先端をその上部から挿入し下端部に導出したホーン10な
どが設けられている。そして,これらクランパ9および
ホーン10はヘッド11からフィーダ1に向けて突設されて
おり,さらに,上記ヘッド11には認識用のカメラ12およ
び鏡筒13が設けられている。ここで,図中に14で示すの
はワイヤ8の先端部を溶融し,ボールを形成するための
電気トーチである。なお,ワイヤ8には金あるいは銅な
どが用いられる。
また,前記押え治具7はボンディングキャピラリが挿
通するように矩形状の開口部15を有する枠状体であり,
上記開口部15の周縁部には,第2図(b)に示すように
押え部16が下方へ一体に突設されている。さらに,この
押え治具7の一端部には加熱手段としての第2のヒータ
17が内蔵されている。つまり,この第2のヒータ17の発
した熱は押え治具7に伝わり,さらに,上記押え部16に
伝わって,押え部16は加熱され高温になる。また,この
押え治具7は第1図中に矢印Cで示すように,図示しな
い駆動機構によって上下動を行なう。上記押え治具7が
上方へ移動するときにはヒータブロック6は下方へ移動
し,押え治具7が下方へ移動するときには,ヒータブロ
ック6は上方へ移動し,両者の間で,リードフレーム4
を固定する。
一方,上記集積回路2…はヒートシンク付のもので,
第2図(a)および(b)の中で18で示すのは上部にリ
ードフレーム4を接続したヒートシンクである。また,
ヒートシンク18の上面の中央部にはマウント材料19を介
して半導体素子20が固定されている。さらに,ヒートシ
ンク18とリードフレーム4とは一部の接続部分21,21を
除いて離間している。
そして,上記集積回路2はフィーダ1に沿って搬送さ
れホーン10の下部に停止する。このとき,上方へ移動し
てフィーダ1直下に達したヒータブロック6に上記ヒー
トシンク18の下部が接し,これによってヒートシンク18
に固定された半導体素子20およびその電極22…が加熱さ
れる。つまり,半導体素子20の電極22…にはヒータブロ
ック6の熱がヒートシンク18を介して伝達される。
また,上記第2のヒータ17とに加熱されて高温になっ
た押え治具7がリードフレーム4に向かって下降し,押
え治具7はその開口部15の中央部に上記半導体素子20を
位置させた状態で上記リードフレーム4を押え付ける。
このとき,押え治具7の押え部16がリードフレーム4に
圧接し,これによって,リードフレーム4および半導体
素子20は強行に押圧固定される。さらに,第2のヒータ
17の熱が,上記押え部16を介してリードフレーム4に伝
えられてリードフレーム4は加熱される。こうして上記
半導体素子20とリードフレーム4とを加熱したのち,電
極・リードの順でボンディングされ,上記電極22…とこ
れに対応する上記リードフレーム4の各部分とが第2図
(b)に示すように,ワイヤ8を介して結線される。さ
らに,この結線作業はホーン10を押え治具7の開口部15
に上方から差込むようにして行なわれる。
また,1つの集積回路2の各電極22とリードフレーム4
の所定箇所との結線が全て終わったのちには,上記押え
治具7は上方へ移動してリードフレーム4と離間し,さ
らに,上記ヒータブロック6は下方へ移動してヒートシ
ンク18と離間する。そして,ボンディングが終了した集
積回路2aはフィーダ1に沿って前進するとともに,搬送
手前側にあった次の集積回路2bがホーン10の下部に搬送
されて停止し,上記押え治具7と上記ヒータブロック6
とがリードフレーム4を固定する。
このような構成のものでは,押え治具7とヒータブロ
ック6との両方によって半導体素子20の電極22…とリー
ドフレーム4とが加熱され,これによって上記電極22…
およびリードフレーム4は素早く且つ確実に適正なボン
ディング温度に達する。したがって,待機している間に
も加熱される他の集積回路2bに比べて加熱時間の短い先
頭の集積回路2aでも充分に加熱できるため,接合不良が
生じるということがない。また,リードフレーム3が加
熱され難いヒートシンク付集積回路2などをボンディン
グする場合でも,上記電極22…やリードフレーム4が充
分に加熱されないうちに結線されるということがないた
め,接合不良を解消できる。
また,マウント材料19には,はんだなどの低融点のも
のを利用する場合には,マウント材料19の融点によって
加熱温度の上限が設定されることがあるが,このような
ときには半導体素子20やリードフレーム4を十分に加熱
することが困難になる。しかし,本実施例のような構成
にすることによって,半導体素子20とリードフレーム4
とを個別な温度で加熱することができるようになる。つ
まり,半導体素子20の温度とリードフレーム4の温度と
を個別に設定できるので,例えば半導体素子20の温度を
上記マウント材料10の融点よりも低く設定し,リードフ
レーム4の温度は上記融点よりも高く設定するというこ
とが可能になり,これによって,より良好なボンディン
グを行なうことができる。
なお,本実施例では半導体素子20とリードフレーム4
とがほぼ分離したヒートシンク付集積回路2をボンディ
ングしたが,本発明はこれに限定されるものではなく,
例えばリードフレームの所定位置に半導体素子を直接に
マウントした集積回路をワイヤボンディングするものに
も適用可能である。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は,半導体素子をマウント
したリードフレームを押え治具によりヒータブロックに
押圧固定して上記半導体素子と上記リードフレームとを
ワイヤによって結線するワイヤボンディング装置におい
て, 上記ヒータブロックに設けられた第1のヒータと,上
記押え治具に設けられた第2のヒータとを具備し,上記
第1のヒータは上記半導体素子の加熱に適した温度に温
度設定可能で、上記第2のヒータは上記リードフレーム
の加熱に適した温度に温度設定可能であることを特徴と
する。
したがって,本発明は,電子部品の種類に拘らず,半
導体素子とリードフレームとを常に適正な温度に加熱す
ることができ,しかも第1のヒータと第2のヒータとを
個別に温度設定できることで,半導体素子とリードフレ
ームとの温度を変えて良好なボンディングを行うことが
可能となるなどの利点を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本発明の一実施例を示すもので,
第1図は外観を示す斜視図,第2図(a)は位置決め前
のリードフレームおよび半導体素子を示す一部縦断した
側面図,第2図(b)は位置決め後のリードフレームお
よび半導体素子を示す同じく一部縦断した側面図であ
る。 4……リードフレーム,7……押え治具,8……ワイヤ,17
……第2のヒータ,20……半導体素子。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体素子をマウントしたリードフレーム
    を押え治具によりヒータブロックに押圧固定して上記半
    導体素子と上記リードフレームとをワイヤによって結線
    するワイヤボンディング装置において、 上記ヒータブロックに設けられた第1のヒータと,上記
    押え治具に設けられた第2のヒータとを具備し,上記第
    1のヒータは上記半導体素子の加熱に適した温度に温度
    設定可能で、上記第2のヒータは上記リードフレームの
    加熱に適した温度に温度設定可能であることを特徴とす
    るワイヤボンディング装置。
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