JPH09191020A - 部品の基材への接合方法及びその装置、並びに半導体チップのリードフレームへの接合方法及びその装置 - Google Patents
部品の基材への接合方法及びその装置、並びに半導体チップのリードフレームへの接合方法及びその装置Info
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- JPH09191020A JPH09191020A JP8189542A JP18954296A JPH09191020A JP H09191020 A JPH09191020 A JP H09191020A JP 8189542 A JP8189542 A JP 8189542A JP 18954296 A JP18954296 A JP 18954296A JP H09191020 A JPH09191020 A JP H09191020A
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 接合時の酸化防止ガス及び還元ガスの供給が
不要な半導体チップなどの部品のリードフレームなどの
基材への接合方法及びその装置を提供する。 【解決手段】 接合方法は、基材の部品を接合する接合
位置に半田又は銀ローなどの接合材を供給する工程と、
部品を予熱すると共に、部品を前記接合材に当接させる
工程と、基材の前記接合材が載せられた位置をその裏側
の面から加熱して前記接合材を溶融させる工程とを含ん
でいる。また接合装置は、基材の部品を接合する接合位
置に半田又は銀ローなどの接合材を供給する手段と、部
品を予熱する手段と、部品を前記接合材に当接させる手
段と、基材の前記接合材が載せられた位置をその裏側の
面から加熱して前記接合材を溶融させる手段とを含んで
いる。
不要な半導体チップなどの部品のリードフレームなどの
基材への接合方法及びその装置を提供する。 【解決手段】 接合方法は、基材の部品を接合する接合
位置に半田又は銀ローなどの接合材を供給する工程と、
部品を予熱すると共に、部品を前記接合材に当接させる
工程と、基材の前記接合材が載せられた位置をその裏側
の面から加熱して前記接合材を溶融させる工程とを含ん
でいる。また接合装置は、基材の部品を接合する接合位
置に半田又は銀ローなどの接合材を供給する手段と、部
品を予熱する手段と、部品を前記接合材に当接させる手
段と、基材の前記接合材が載せられた位置をその裏側の
面から加熱して前記接合材を溶融させる手段とを含んで
いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半田または銀ロ
ーなどの接合金属を溶融して部品を基材に接合するのに
好適な接合方法及び接合装置に関し、特に半導体チップ
をリードフレームに半田ダイボンドするのに最適な接合
方法及び接合装置に関するものである。
ーなどの接合金属を溶融して部品を基材に接合するのに
好適な接合方法及び接合装置に関し、特に半導体チップ
をリードフレームに半田ダイボンドするのに最適な接合
方法及び接合装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の部品の基材への半田付装置
の全体構成図、図５はこの図４の装置の半田付部の一部
断面斜視図、図６はこの図４の装置内の酸化防止ガス雰
囲気部の断面図である。この従来の半田付装置による半
田付方法では、ヒートブロック５７にて加熱してＩＣリ
ードフレーム４１のダイパッド部４５に半田４８を供給
し、さらに加熱し溶融した半田４８の上に酸化防止の為
の酸化防止ガス及び還元ガス５６（図６参照）を流しな
がら、ＩＣチップ５８の接合を行っている。
の全体構成図、図５はこの図４の装置の半田付部の一部
断面斜視図、図６はこの図４の装置内の酸化防止ガス雰
囲気部の断面図である。この従来の半田付装置による半
田付方法では、ヒートブロック５７にて加熱してＩＣリ
ードフレーム４１のダイパッド部４５に半田４８を供給
し、さらに加熱し溶融した半田４８の上に酸化防止の為
の酸化防止ガス及び還元ガス５６（図６参照）を流しな
がら、ＩＣチップ５８の接合を行っている。
【０００３】次にこの従来の装置の動作を、図４、図
５、及び図６を参照して説明する。これらの図におい
て、ＩＣリードフレーム４１をフレーム供給部４２によ
り、搬送レール４３に搬送し、フレーム送り部４４でＩ
Ｃリードフレーム４１のピッチ送りを行う。ダイパッド
部４５が半田供給点４６に来ると、ヒートブロック５７
を上昇させ、ダイパッド部４５を予熱させ、半田４８の
予熱を行う。
５、及び図６を参照して説明する。これらの図におい
て、ＩＣリードフレーム４１をフレーム供給部４２によ
り、搬送レール４３に搬送し、フレーム送り部４４でＩ
Ｃリードフレーム４１のピッチ送りを行う。ダイパッド
部４５が半田供給点４６に来ると、ヒートブロック５７
を上昇させ、ダイパッド部４５を予熱させ、半田４８の
予熱を行う。
【０００４】また、ウエハ搬送部５０により、ウエハ
を、ウエハ収納部４９からＩＣピックアップ部５１にセ
ットする。その後、ＩＣチップ移載部５３により、ＩＣ
チップ５８を、位置決めステージ５２まで吸着搬送す
る。そして、ＩＣチップ位置決め部５４で位置決めを行
い待機する。ダイパッド部４５に半田４８を供給し、予
熱を行いながら、ＩＣリードフレーム４１をピッチ送り
し、ヒーターにて３６０℃に加熱したヒートブロック５
７を上昇させ、さらに３６０℃の予熱を加え半田４８を
熔融させる。このとき半田４８が酸化しないよう、ガス
雰囲気カバー５５内には、酸化防止ガス及び還元ガス５
６を流しておく。ダイパッド部４５が、ダイボンド点５
９に来ると、位置決めしたＩＣチップ５８をボンディン
グヘッド６０で熔融した半田４８の上に移載し接合させ
る。なお図４において、符号４７は、半田４８をダイパ
ッド部４５上に供給する半田供給部である。
を、ウエハ収納部４９からＩＣピックアップ部５１にセ
ットする。その後、ＩＣチップ移載部５３により、ＩＣ
チップ５８を、位置決めステージ５２まで吸着搬送す
る。そして、ＩＣチップ位置決め部５４で位置決めを行
い待機する。ダイパッド部４５に半田４８を供給し、予
熱を行いながら、ＩＣリードフレーム４１をピッチ送り
し、ヒーターにて３６０℃に加熱したヒートブロック５
７を上昇させ、さらに３６０℃の予熱を加え半田４８を
熔融させる。このとき半田４８が酸化しないよう、ガス
雰囲気カバー５５内には、酸化防止ガス及び還元ガス５
６を流しておく。ダイパッド部４５が、ダイボンド点５
９に来ると、位置決めしたＩＣチップ５８をボンディン
グヘッド６０で熔融した半田４８の上に移載し接合させ
る。なお図４において、符号４７は、半田４８をダイパ
ッド部４５上に供給する半田供給部である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の半
田付装置による半田付方法では、半田付性を良くするた
めに半田の酸化防止ガス及び還元用ガスを流す必要があ
るため、余分なコストが掛かっていた。また、この酸化
防止ガス及び還元ガスを使用するので、ＩＣリードフレ
ームの切替時にガス雰囲気カバー５５等を交換しなけれ
ばならず、切替時間が余分に掛かってしまうという問題
がある。
田付装置による半田付方法では、半田付性を良くするた
めに半田の酸化防止ガス及び還元用ガスを流す必要があ
るため、余分なコストが掛かっていた。また、この酸化
防止ガス及び還元ガスを使用するので、ＩＣリードフレ
ームの切替時にガス雰囲気カバー５５等を交換しなけれ
ばならず、切替時間が余分に掛かってしまうという問題
がある。
【０００６】この発明は上記のような従来技術の問題点
を解決するためになされたもので、酸化防止ガス及び還
元用ガスを用いなくても半田付性を良くすることがで
き、また酸化防止ガス及び還元用ガスを必要としないた
めガス雰囲気カバー５５等が不要となり、ＩＣリードフ
レーム等の基材の切替時に接合装置の切替時間を大幅に
短縮することができる、部品の基材への接合方法及び接
合装置を提供することを目的とする。
を解決するためになされたもので、酸化防止ガス及び還
元用ガスを用いなくても半田付性を良くすることがで
き、また酸化防止ガス及び還元用ガスを必要としないた
めガス雰囲気カバー５５等が不要となり、ＩＣリードフ
レーム等の基材の切替時に接合装置の切替時間を大幅に
短縮することができる、部品の基材への接合方法及び接
合装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による部品を基材
へ接合するための方法は、基材の部品を接合する接合位
置に半田又は銀ローなどの接合材を供給する工程と、部
品を予熱すると共に、部品を前記接合材に当接させる工
程と、基材の前記接合材が供給された位置をその裏側の
面から加熱して前記接合材を溶融させる工程と、を含む
ことを特徴としている。
へ接合するための方法は、基材の部品を接合する接合位
置に半田又は銀ローなどの接合材を供給する工程と、部
品を予熱すると共に、部品を前記接合材に当接させる工
程と、基材の前記接合材が供給された位置をその裏側の
面から加熱して前記接合材を溶融させる工程と、を含む
ことを特徴としている。
【０００８】本発明による部品を基材へ接合するための
装置は、基材の部品を接合する接合位置に半田又は銀ロ
ーなどの接合材を供給する手段と、部品を予熱する手段
と、部品を前記接合材に当接させる手段と、基材の前記
接合材が供給された位置をその裏側の面から加熱して前
記接合材が溶融させる手段と、を含むことを特徴として
いる。
装置は、基材の部品を接合する接合位置に半田又は銀ロ
ーなどの接合材を供給する手段と、部品を予熱する手段
と、部品を前記接合材に当接させる手段と、基材の前記
接合材が供給された位置をその裏側の面から加熱して前
記接合材が溶融させる手段と、を含むことを特徴として
いる。
【０００９】本発明による半導体チップをリードフレー
ムへ接合するための方法は、リードフレームのダイパッ
ド上に半田を供給する工程と、半導体チップを予熱する
と共に、半導体チップを前記半田に当接させる工程と、
前記ダイパッドを前記半田が供給された面の裏側から加
熱して、前記半田を溶融させる工程と、を含むことを特
徴としている。
ムへ接合するための方法は、リードフレームのダイパッ
ド上に半田を供給する工程と、半導体チップを予熱する
と共に、半導体チップを前記半田に当接させる工程と、
前記ダイパッドを前記半田が供給された面の裏側から加
熱して、前記半田を溶融させる工程と、を含むことを特
徴としている。
【００１０】本発明による半導体チップをリードフレー
ムへ接合するための装置は、リードフレームのダイパッ
ド上に半田を供給する手段と、半導体チップを予熱する
手段と、半導体チップを前記半田に当接させる手段と、
前記ダイパッドを前記半田が供給された面の裏側から加
熱して、前記半田を溶融させる手段と、を含むことを特
徴としている。
ムへ接合するための装置は、リードフレームのダイパッ
ド上に半田を供給する手段と、半導体チップを予熱する
手段と、半導体チップを前記半田に当接させる手段と、
前記ダイパッドを前記半田が供給された面の裏側から加
熱して、前記半田を溶融させる手段と、を含むことを特
徴としている。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明による部品の基材への接合
方法では、予め部品を予熱すると共に、部品を前記接合
材に当接させるようにし、同時に、基材の前記接合材が
供給された位置をその裏側の面から急速に加熱して前記
接合材を溶融させることにより、接合を行うものであ
る。このとき、前記接合材は、前記予熱された部品から
の熱も加えられるので、瞬間的に溶融する。よって、接
合時の接合材の酸化が少なく、酸化防止ガス及び還元ガ
スを供給しなくても良好な接合が得られるようになる。
なお、前記の部品の予熱と部品の接合材への当接は、ま
ず部品を予熱してそれを接合材に当接させる。
方法では、予め部品を予熱すると共に、部品を前記接合
材に当接させるようにし、同時に、基材の前記接合材が
供給された位置をその裏側の面から急速に加熱して前記
接合材を溶融させることにより、接合を行うものであ
る。このとき、前記接合材は、前記予熱された部品から
の熱も加えられるので、瞬間的に溶融する。よって、接
合時の接合材の酸化が少なく、酸化防止ガス及び還元ガ
スを供給しなくても良好な接合が得られるようになる。
なお、前記の部品の予熱と部品の接合材への当接は、ま
ず部品を予熱してそれを接合材に当接させる。
【００１２】本発明による部品の基材への接合装置で
は、予め部品を予熱すると共に、部品を前記接合材に当
接させるようにし、同時に、基材の前記接合材が供給さ
れた位置をその裏側の面から急速に加熱して前記接合材
を溶融させることにより、接合を行うものである。この
とき、前記接合材は、前記予熱された部品からの熱も加
えられるので、瞬間的に溶融する。よって、接合時の接
合材の酸化が少なく、酸化防止ガス及び還元ガスを供給
しなくても良好な接合が得られるようになる。なお、前
記の部品の予熱と部品の接合材への当接は、まず部品を
予熱してそれを接合材に当接させる。
は、予め部品を予熱すると共に、部品を前記接合材に当
接させるようにし、同時に、基材の前記接合材が供給さ
れた位置をその裏側の面から急速に加熱して前記接合材
を溶融させることにより、接合を行うものである。この
とき、前記接合材は、前記予熱された部品からの熱も加
えられるので、瞬間的に溶融する。よって、接合時の接
合材の酸化が少なく、酸化防止ガス及び還元ガスを供給
しなくても良好な接合が得られるようになる。なお、前
記の部品の予熱と部品の接合材への当接は、まず部品を
予熱してそれを接合材に当接させる。
【００１３】本発明による半導体チップのリードフレー
ムへの接合方法では、ダイパッド上に半田を供給してお
き、予熱された半導体チップを前記半田に当接させ、同
時に前記ダイパッドを前記半田が供給された面の裏側か
ら加熱して、前記半田を溶融させることにより、接合を
行うものである。このとき、前記半田は、前記予熱され
た半導体チップからの熱も加えられるので、瞬間的に溶
融する。よって、接合時の半田の酸化が少なく、酸化防
止ガス及び還元ガスを供給しなくても半田付性の良好な
接合が得られるようになる。なお、前記の半導体チップ
の予熱と半導体チップの半田への当接は、まず半導体チ
ップを予熱してそれを半田（接合材）に当接させる。
ムへの接合方法では、ダイパッド上に半田を供給してお
き、予熱された半導体チップを前記半田に当接させ、同
時に前記ダイパッドを前記半田が供給された面の裏側か
ら加熱して、前記半田を溶融させることにより、接合を
行うものである。このとき、前記半田は、前記予熱され
た半導体チップからの熱も加えられるので、瞬間的に溶
融する。よって、接合時の半田の酸化が少なく、酸化防
止ガス及び還元ガスを供給しなくても半田付性の良好な
接合が得られるようになる。なお、前記の半導体チップ
の予熱と半導体チップの半田への当接は、まず半導体チ
ップを予熱してそれを半田（接合材）に当接させる。
【００１４】本発明による半導体チップのリードフレー
ムへの接合装置では、ダイパッド上に半田を供給してお
き、予熱された半導体チップを前記半田に当接させ、そ
の後、前記ダイパッドを前記半田が供給された面の裏側
から加熱して、前記半田を溶融させることにより、接合
を行うものである。このとき、前記半田は、前記予熱さ
れた半導体チップからの熱も加えられるので、瞬間的に
溶融する。よって、接合時の半田の酸化が少なく、酸化
防止ガス及び還元ガスを供給しなくても半田付性の良好
な接合が得られるようになる。なお、前記の半導体チッ
プの予熱と半導体チップの半田への当接は、まず半導体
チップを予熱してそれを半田（接合材）に当接させる。
ムへの接合装置では、ダイパッド上に半田を供給してお
き、予熱された半導体チップを前記半田に当接させ、そ
の後、前記ダイパッドを前記半田が供給された面の裏側
から加熱して、前記半田を溶融させることにより、接合
を行うものである。このとき、前記半田は、前記予熱さ
れた半導体チップからの熱も加えられるので、瞬間的に
溶融する。よって、接合時の半田の酸化が少なく、酸化
防止ガス及び還元ガスを供給しなくても半田付性の良好
な接合が得られるようになる。なお、前記の半導体チッ
プの予熱と半導体チップの半田への当接は、まず半導体
チップを予熱してそれを半田（接合材）に当接させる。
【００１５】
実施例１．以下、本発明の実施例１を図１及び図２によ
り説明する。図１は実施例１による半導体チップの半田
付装置の全体構成を示す図、図２はこの装置の一部断面
図である。図１及び図２において、１はＩＣリードフレ
ーム供給部、２はフレーム送り部、３はフレーム収納マ
ガジン、４はウエハ収納部、５はウエハ搬送部、６はＩ
Ｃピックアップ部、７は半田供給部、８はＩＣチップ移
載部、９はＩＣチップ位置決め部、１０はボンディング
ヘッド、１１は半田付点（ボンディング点）、１２は搬
送レール、１３はダイパッド、１４はＩＣリードフレー
ム、１５は位置決めステージ、１６はヒーター、１７は
コレット予熱部、１８はコレット、１９はＩＣチップ、
２０はヒートブロック、２１はヒーター、２２は半田で
ある。
り説明する。図１は実施例１による半導体チップの半田
付装置の全体構成を示す図、図２はこの装置の一部断面
図である。図１及び図２において、１はＩＣリードフレ
ーム供給部、２はフレーム送り部、３はフレーム収納マ
ガジン、４はウエハ収納部、５はウエハ搬送部、６はＩ
Ｃピックアップ部、７は半田供給部、８はＩＣチップ移
載部、９はＩＣチップ位置決め部、１０はボンディング
ヘッド、１１は半田付点（ボンディング点）、１２は搬
送レール、１３はダイパッド、１４はＩＣリードフレー
ム、１５は位置決めステージ、１６はヒーター、１７は
コレット予熱部、１８はコレット、１９はＩＣチップ、
２０はヒートブロック、２１はヒーター、２２は半田で
ある。
【００１６】次に、この実施例１の動作を説明する。上
記構成において、ＩＣリードフレーム１４を、ＩＣリー
ドフレーム供給部１で搬送レール１２に移載し、フレー
ム送り部２でＩＣリードフレーム１４のピッチ送りを行
う。ＩＣリードフレーム１４のダイパッド１３が半田付
点（ボンディング点）１１まで来ると、半田供給部７に
より、ダイパッド１３上に半田２２を移載する。また、
ウエハ搬送部５により、ウエハ収納部４からのウエハ
を、ＩＣピックアップ部６にセットする。そして、ＩＣ
チップ１９をＩＣチップ移載部８で吸着して位置決めス
テージ１５まで搬送する。ＩＣチップ位置決め部９は、
このＩＣチップ１９の位置決めを行い、ボンディングヘ
ッド１０により、ボンディングを行う（図２参照）。
記構成において、ＩＣリードフレーム１４を、ＩＣリー
ドフレーム供給部１で搬送レール１２に移載し、フレー
ム送り部２でＩＣリードフレーム１４のピッチ送りを行
う。ＩＣリードフレーム１４のダイパッド１３が半田付
点（ボンディング点）１１まで来ると、半田供給部７に
より、ダイパッド１３上に半田２２を移載する。また、
ウエハ搬送部５により、ウエハ収納部４からのウエハ
を、ＩＣピックアップ部６にセットする。そして、ＩＣ
チップ１９をＩＣチップ移載部８で吸着して位置決めス
テージ１５まで搬送する。ＩＣチップ位置決め部９は、
このＩＣチップ１９の位置決めを行い、ボンディングヘ
ッド１０により、ボンディングを行う（図２参照）。
【００１７】このときのボンディングの方法は、次のと
おりである。まず、ＩＣリードフレーム１４のダイパッ
ド１３に半田２２を移載した後、位置決めステージ１５
上で位置決めされたＩＣチップを、ボンディングヘッド
１０のコレット１８で真空吸着する。このコレット１８
は、ヒーター１６及びコレット予熱部１７により１５０
°から２００°に予熱しておく。予熱されたコレット１
８によりＩＣチップ１９を予熱しながら、ダイパッド１
３上の半田２２の上にＩＣチップ１９を移載する。この
とき、ＩＣチップ１９は１５０℃〜２００℃に予熱され
ているだけなので、このＩＣチップ１９を半田２２に接
触させただけの段階では、まだ半田２２は溶融しない。
おりである。まず、ＩＣリードフレーム１４のダイパッ
ド１３に半田２２を移載した後、位置決めステージ１５
上で位置決めされたＩＣチップを、ボンディングヘッド
１０のコレット１８で真空吸着する。このコレット１８
は、ヒーター１６及びコレット予熱部１７により１５０
°から２００°に予熱しておく。予熱されたコレット１
８によりＩＣチップ１９を予熱しながら、ダイパッド１
３上の半田２２の上にＩＣチップ１９を移載する。この
とき、ＩＣチップ１９は１５０℃〜２００℃に予熱され
ているだけなので、このＩＣチップ１９を半田２２に接
触させただけの段階では、まだ半田２２は溶融しない。
【００１８】次に、このＩＣチップ１９の半田２２上へ
の移載と同時に、ヒーター２１により３６０℃に加熱し
たヒートブロック２０を上昇させて、これをダイパッド
１３に当接させる。これによりダイパッド１３を加熱し
て、その上に載せられた半田２２を溶融させる。これに
より、ＩＣリードフレーム１４のダイパッド１３とＩＣ
チップ１９との接合が行われる。この半田２２が溶融す
るときは、前記半田２２には、ダイパッド１３からの３
６０℃の熱だけでなく、前記の１５０℃〜２００℃に予
熱されたＩＣチップ１９からの熱も加わるので、半田２
２は瞬間的に溶融する。よって、半田２２の溶融から接
合までの時間が極めて短いので、接合時の半田２２の酸
化がほとんどない。
の移載と同時に、ヒーター２１により３６０℃に加熱し
たヒートブロック２０を上昇させて、これをダイパッド
１３に当接させる。これによりダイパッド１３を加熱し
て、その上に載せられた半田２２を溶融させる。これに
より、ＩＣリードフレーム１４のダイパッド１３とＩＣ
チップ１９との接合が行われる。この半田２２が溶融す
るときは、前記半田２２には、ダイパッド１３からの３
６０℃の熱だけでなく、前記の１５０℃〜２００℃に予
熱されたＩＣチップ１９からの熱も加わるので、半田２
２は瞬間的に溶融する。よって、半田２２の溶融から接
合までの時間が極めて短いので、接合時の半田２２の酸
化がほとんどない。
【００１９】以上のように、この実施例１によれば、従
来のように酸化防止ガス及び還元用ガス５６（図６参
照）を使用しなくても半田付性の良好なボンディングを
行うことができるようになる。なお、この実施例１で述
べたように、予熱したＩＣチップ１９の半田２２への移
載とダイパッド１３の加熱による半田２２の溶融との時
間的前後関係は、予熱したＩＣチップ１９の半田２２上
への移載と同時に、ダイパッド１３の加熱による半田２
２の溶融を行うことが望ましい。もしそうでなければ、
半田２２がＩＣチップ１９に接合する前に半田２２が溶
融してしまい、半田２２の酸化がある程度の時間継続し
てしまうからである。
来のように酸化防止ガス及び還元用ガス５６（図６参
照）を使用しなくても半田付性の良好なボンディングを
行うことができるようになる。なお、この実施例１で述
べたように、予熱したＩＣチップ１９の半田２２への移
載とダイパッド１３の加熱による半田２２の溶融との時
間的前後関係は、予熱したＩＣチップ１９の半田２２上
への移載と同時に、ダイパッド１３の加熱による半田２
２の溶融を行うことが望ましい。もしそうでなければ、
半田２２がＩＣチップ１９に接合する前に半田２２が溶
融してしまい、半田２２の酸化がある程度の時間継続し
てしまうからである。
【００２０】実施例２．次に本発明の実施例２を説明す
る。上記実施例１の接合装置では、搬送レール１２、フ
レーム送り部２、フレーム収納マガジン３はそれぞれ１
個のみで構成しているが、この実施例２の接合装置で
は、図３に示すように、搬送レール１２ａ、フレーム送
り部２ａ、フレーム収納マガジン３ａをそれぞれ２個ず
つ設けるようにしている。そして、ＩＣチップ位置決め
部９にＩＣチップを２個置き、２個のＩＣチップに対し
て同時にボンディングを行うようにしている。つまり、
この実施例２によれば、２つのＩＣチップ１９の２つの
リードフレーム１４へのそれぞれの接合を、１台の接合
装置で同時に行うことができる。よって、この実施例２
によれば、半導体装置２台分の生産が１台の接合装置で
可能になるので、半導体装置２台分の生産を実施例１の
接合装置の２台分を使用する場合に比べて、装置価格を
２０〜３０％安くすることができ、さらに装置スペース
も２０〜３０％少なくすることができる。
る。上記実施例１の接合装置では、搬送レール１２、フ
レーム送り部２、フレーム収納マガジン３はそれぞれ１
個のみで構成しているが、この実施例２の接合装置で
は、図３に示すように、搬送レール１２ａ、フレーム送
り部２ａ、フレーム収納マガジン３ａをそれぞれ２個ず
つ設けるようにしている。そして、ＩＣチップ位置決め
部９にＩＣチップを２個置き、２個のＩＣチップに対し
て同時にボンディングを行うようにしている。つまり、
この実施例２によれば、２つのＩＣチップ１９の２つの
リードフレーム１４へのそれぞれの接合を、１台の接合
装置で同時に行うことができる。よって、この実施例２
によれば、半導体装置２台分の生産が１台の接合装置で
可能になるので、半導体装置２台分の生産を実施例１の
接合装置の２台分を使用する場合に比べて、装置価格を
２０〜３０％安くすることができ、さらに装置スペース
も２０〜３０％少なくすることができる。
【００２１】
【発明の効果】本発明による部品の基材への接合方法で
は、接合材を溶融させて部品の基材への接合を行うと
き、前記接合材に予熱された部品からの熱をも加えるこ
とにより、接合材を瞬間的に溶融して接合を行うので、
接合時の接合材の酸化が少なく、酸化防止ガス及び還元
ガスを供給しなくても良好な接合が得られるようにな
る。よって、酸化防止ガス及び還元ガスの供給部が不要
になり、接合装置の製造コストが大幅に低下させられる
ようになる。また、ガス雰囲気カバーなども不要にな
り、リードフレームの切替時の装置の切替時間が大幅に
短縮されるようになる。
は、接合材を溶融させて部品の基材への接合を行うと
き、前記接合材に予熱された部品からの熱をも加えるこ
とにより、接合材を瞬間的に溶融して接合を行うので、
接合時の接合材の酸化が少なく、酸化防止ガス及び還元
ガスを供給しなくても良好な接合が得られるようにな
る。よって、酸化防止ガス及び還元ガスの供給部が不要
になり、接合装置の製造コストが大幅に低下させられる
ようになる。また、ガス雰囲気カバーなども不要にな
り、リードフレームの切替時の装置の切替時間が大幅に
短縮されるようになる。
【００２２】本発明による部品お基材への接合装置で
は、接合材を溶融させて部品の基材への接合を行うと
き、前記接合材に予熱された部品からの熱をも加えるこ
とにより、接合材を瞬間的に溶融して接合を行うので、
接合時の接合材の酸化が少なく、酸化防止ガス及び還元
ガスを供給しなくても良好な接合が得られるようにな
る。よって、酸化防止ガス及び還元ガスの供給部が不要
になり、接合装置の製造コストが大幅に低下させられる
ようになる。また、ガス雰囲気カバーなども不要にな
り、リードフレームの切替時の装置の切替時間が大幅に
短縮されるようになる。
は、接合材を溶融させて部品の基材への接合を行うと
き、前記接合材に予熱された部品からの熱をも加えるこ
とにより、接合材を瞬間的に溶融して接合を行うので、
接合時の接合材の酸化が少なく、酸化防止ガス及び還元
ガスを供給しなくても良好な接合が得られるようにな
る。よって、酸化防止ガス及び還元ガスの供給部が不要
になり、接合装置の製造コストが大幅に低下させられる
ようになる。また、ガス雰囲気カバーなども不要にな
り、リードフレームの切替時の装置の切替時間が大幅に
短縮されるようになる。
【００２３】また本発明による半導体チップのリードフ
レームへの接合方法では、接合時に半田は、予熱された
半導体チップからの熱をも加えられることにより、瞬間
的に溶融し、短時間で接合が行われる。よって、接合時
の半田の酸化が少なく、酸化防止ガス及び還元ガスを供
給しなくても良好な半田接合が得られるようになる。し
たがって、酸化防止ガス及び還元ガスの供給が不要にな
り、接合装置の製造コストが大幅に低下させられるよう
になる。また、ガス雰囲気カバーなども不要になり、リ
ードフレームの切替時の装置の切替時間が大幅に短縮さ
れるようになる。
レームへの接合方法では、接合時に半田は、予熱された
半導体チップからの熱をも加えられることにより、瞬間
的に溶融し、短時間で接合が行われる。よって、接合時
の半田の酸化が少なく、酸化防止ガス及び還元ガスを供
給しなくても良好な半田接合が得られるようになる。し
たがって、酸化防止ガス及び還元ガスの供給が不要にな
り、接合装置の製造コストが大幅に低下させられるよう
になる。また、ガス雰囲気カバーなども不要になり、リ
ードフレームの切替時の装置の切替時間が大幅に短縮さ
れるようになる。
【００２４】また本発明による半導体チップのリードフ
レームへの接合装置では、接合時に半田は、予熱された
半導体チップからの熱をも加えられることにより、瞬間
的に溶融し、短時間で接合が行われる。よって、接合時
の半田の酸化が少なく、酸化防止ガス及び還元ガスを供
給しなくても良好な半田接合が得られるようになる。し
たがって、酸化防止ガス及び還元ガスの供給が不要にな
り、接合装置の製造コストが大幅に低下させられるよう
になる。また、ガス雰囲気カバーなども不要になり、リ
ードフレームの切替時の装置の切替時間が大幅に短縮さ
れるようになる。
レームへの接合装置では、接合時に半田は、予熱された
半導体チップからの熱をも加えられることにより、瞬間
的に溶融し、短時間で接合が行われる。よって、接合時
の半田の酸化が少なく、酸化防止ガス及び還元ガスを供
給しなくても良好な半田接合が得られるようになる。し
たがって、酸化防止ガス及び還元ガスの供給が不要にな
り、接合装置の製造コストが大幅に低下させられるよう
になる。また、ガス雰囲気カバーなども不要になり、リ
ードフレームの切替時の装置の切替時間が大幅に短縮さ
れるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施例１による半導体チップのダイ
パッドへの接合装置の全体構成を示す図である。
パッドへの接合装置の全体構成を示す図である。
【図２】 図１の装置の一部断面図である。
【図３】 本発明の実施例２による半導体チップのダイ
パッドへの接合装置の全体構成を示す図である。
パッドへの接合装置の全体構成を示す図である。
【図４】 従来の半導体チップのダイパッドへの接合装
置の全体構成を示す図である。
置の全体構成を示す図である。
【図５】 図４の装置の半田付部を示す一部断面斜視図
である。
である。
【図６】 図４の装置のガス雰囲気部の断面図である。
１ ＩＣリードフレーム供給部、 ２，２ａ フレーム
送り部 ３，３ａ フレーム収納マガジン、４ ウエハ収納部 ５ ウエハ搬送部、 ６ ＩＣピックアッ
プ部 ７ 半田供給部 ８ ＩＣチップ移載
部 ９ ＩＣチップ位置決め部 １０ ボンディング
ヘッド １１ 半田付点（ボンディング点）１２，１２ａ 搬送
レール １３ ダイパッド １４ ＩＣリードフ
レーム １５ 位置決めステージ １６，２１ ヒータ
ー １７ コレット予熱部 １８ コレット １９ ＩＣチップ ２０ ヒートブロッ
ク ２２ 半田
送り部 ３，３ａ フレーム収納マガジン、４ ウエハ収納部 ５ ウエハ搬送部、 ６ ＩＣピックアッ
プ部 ７ 半田供給部 ８ ＩＣチップ移載
部 ９ ＩＣチップ位置決め部 １０ ボンディング
ヘッド １１ 半田付点（ボンディング点）１２，１２ａ 搬送
レール １３ ダイパッド １４ ＩＣリードフ
レーム １５ 位置決めステージ １６，２１ ヒータ
ー １７ コレット予熱部 １８ コレット １９ ＩＣチップ ２０ ヒートブロッ
ク ２２ 半田
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松永 和人 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成272 番10号三菱電機熊本セミコンダクタ株式会 社内 (72)発明者 有園 隆晴 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成272 番10号三菱電機熊本セミコンダクタ株式会 社内
Claims (4)
- 【請求項１】 部品を基材へ接合するための方法であっ
て、 基材の部品を接合する接合位置に接合材を供給する工程
と、 部品を予熱すると共に、部品を前記接合材に当接させる
工程と、 基材の前記接合材が供給された位置をその裏側の面から
加熱して前記接合材を溶融させる工程と、を含むことを
特徴とする部品の基材への接合方法。 - 【請求項２】 部品を基材へ接合するための装置であっ
て、 基材の部品を接合する接合位置に接合材を供給する手段
と、 部品を予熱する手段と、 部品を前記接合材に当接させる手段と、 基材の前記接合材が供給された位置をその裏側の面から
加熱して、前記接合材を溶融させる手段と、を含むこと
を特徴とする部品の基材への接合装置。 - 【請求項３】 半導体チップをリードフレームへ接合す
るための方法であって、 半田をリードフレームのダイパッド上に供給する工程
と、 半導体チップを予熱すると共に、半導体チップを前記半
田に当接させる工程と、 前記ダイパッドを前記半田が供給された面の裏側から加
熱して、前記半田を溶融させる工程と、を含むことを特
徴とする半導体チップのリードフレームへの接合方法。 - 【請求項４】 半導体チップをリードフレームへ接合す
るための装置であつて、 半田をリードフレームのダイパッド上に供給する手段
と、 半導体チップを予熱する手段と、 半導体チップを前記半田に当接させる手段と、 前記ダイパッドを前記半田が供給された面の裏側から加
熱して、前記半田を溶融させる手段と、を含むことを特
徴とする半導体チップのリードフレームへの接合装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8189542A JPH09191020A (ja) | 1995-11-08 | 1996-07-18 | 部品の基材への接合方法及びその装置、並びに半導体チップのリードフレームへの接合方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29001195 | 1995-11-08 | ||
| JP7-290011 | 1995-11-08 | ||
| JP8189542A JPH09191020A (ja) | 1995-11-08 | 1996-07-18 | 部品の基材への接合方法及びその装置、並びに半導体チップのリードフレームへの接合方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09191020A true JPH09191020A (ja) | 1997-07-22 |
Family
ID=26505523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8189542A Pending JPH09191020A (ja) | 1995-11-08 | 1996-07-18 | 部品の基材への接合方法及びその装置、並びに半導体チップのリードフレームへの接合方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09191020A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104084659A (zh) * | 2014-07-02 | 2014-10-08 | 施文桦 | 采用热风焊接方法制备晶体管的生产方法 |
-
1996
- 1996-07-18 JP JP8189542A patent/JPH09191020A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104084659A (zh) * | 2014-07-02 | 2014-10-08 | 施文桦 | 采用热风焊接方法制备晶体管的生产方法 |
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