JPH06163646A - 半導体チップ接着装置及び接着方法 - Google Patents
半導体チップ接着装置及び接着方法Info
- Publication number
- JPH06163646A JPH06163646A JP32988492A JP32988492A JPH06163646A JP H06163646 A JPH06163646 A JP H06163646A JP 32988492 A JP32988492 A JP 32988492A JP 32988492 A JP32988492 A JP 32988492A JP H06163646 A JPH06163646 A JP H06163646A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- heating
- adhesive tape
- lead
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/83009—Pre-treatment of the layer connector or the bonding area
- H01L2224/83048—Thermal treatments, e.g. annealing, controlled pre-heating or pre-cooling
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＬＯＣ構造の半導体装置の製造において半導
体チップを接着するにあたり、リードフレームの予備加
熱時間を短縮するように、またコンパクトな構造になる
ように改良された半導体チップ接着装置を提供し、かつ
その半導体チップ接着方法を提供する。 【構成】 半導体チップ接着装置１０は、半導体チップ
２６を加熱する加熱ステージ３４と、加熱ステージ上で
リードフレーム２０を半導体チップに押圧するマウント
ヘッド３８と、リードフレームの内部リード２２に貼着
された接着テープ２４を予備加熱するために加熱ステー
ジに隣接して配設された加熱装置１２とを備えている。
内部リードを直接的に加熱し、加熱された内部リードの
熱により接着テープを予備加熱するようにした加熱手段
１４を加熱装置に設ける。
体チップを接着するにあたり、リードフレームの予備加
熱時間を短縮するように、またコンパクトな構造になる
ように改良された半導体チップ接着装置を提供し、かつ
その半導体チップ接着方法を提供する。 【構成】 半導体チップ接着装置１０は、半導体チップ
２６を加熱する加熱ステージ３４と、加熱ステージ上で
リードフレーム２０を半導体チップに押圧するマウント
ヘッド３８と、リードフレームの内部リード２２に貼着
された接着テープ２４を予備加熱するために加熱ステー
ジに隣接して配設された加熱装置１２とを備えている。
内部リードを直接的に加熱し、加熱された内部リードの
熱により接着テープを予備加熱するようにした加熱手段
１４を加熱装置に設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームの内部
リードに貼着された接着テープを介して半導体チップ上
面に内部リードを接着するようにした半導体チップ接着
装置及び半導体チップ接着方法に関し、更に詳細には、
使用接着テープを効率良く予備加熱して所望の除湿を施
すように及びコンパクトな構造になるように改良された
半導体チップ接着装置及び半導体チップ接着方法に関す
るものである。
リードに貼着された接着テープを介して半導体チップ上
面に内部リードを接着するようにした半導体チップ接着
装置及び半導体チップ接着方法に関し、更に詳細には、
使用接着テープを効率良く予備加熱して所望の除湿を施
すように及びコンパクトな構造になるように改良された
半導体チップ接着装置及び半導体チップ接着方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＯＣ（Lead on chip）構造を有する半
導体装置を製造する場合、リードフレームの内部リード
に貼着された接着テープを介して内部リードと半導体チ
ップとを接着させている。
導体装置を製造する場合、リードフレームの内部リード
に貼着された接着テープを介して内部リードと半導体チ
ップとを接着させている。
【０００３】図３は、リードフレームの内部リードを半
導体チップに接着した段階のＬＯＣ構造の半導体装置の
一例を表す平面図であって、詳しくは、後述の加熱ステ
ージ上でリードフレーム２０の内部リード２２が接着テ
ープ２４を介して半導体チップ２６の上面に熱圧着され
た状態を示している。図４はそのＡ−Ａ線断面での部分
拡大図を示す。リードフレーム２０は、多数の内部リー
ド２２を備えている。内部リード２２の半導体チップ接
着側には、接着テープ２４が内部リード２２を横断する
ような形で貼着されており、更に各内部リード２２は、
補強のためその中間でタイバー２３により相互に連結さ
れている。接着テープ２４は、内部リード２２と半導体
チップ２６との接着媒体であって、図４に示すように、
ポリイミドテープ３０の両面にエポキシ系接着剤２８を
夫々被着したものがその例である。内部リード２２は、
この接着テープ２４を介して半導体チップ２６上面に熱
圧着される。
導体チップに接着した段階のＬＯＣ構造の半導体装置の
一例を表す平面図であって、詳しくは、後述の加熱ステ
ージ上でリードフレーム２０の内部リード２２が接着テ
ープ２４を介して半導体チップ２６の上面に熱圧着され
た状態を示している。図４はそのＡ−Ａ線断面での部分
拡大図を示す。リードフレーム２０は、多数の内部リー
ド２２を備えている。内部リード２２の半導体チップ接
着側には、接着テープ２４が内部リード２２を横断する
ような形で貼着されており、更に各内部リード２２は、
補強のためその中間でタイバー２３により相互に連結さ
れている。接着テープ２４は、内部リード２２と半導体
チップ２６との接着媒体であって、図４に示すように、
ポリイミドテープ３０の両面にエポキシ系接着剤２８を
夫々被着したものがその例である。内部リード２２は、
この接着テープ２４を介して半導体チップ２６上面に熱
圧着される。
【０００４】接着テープに被着された接着剤は、吸湿性
を有するため時間の経過と共に水分を徐々に含有するよ
うになる。接着剤が水分を吸湿したままの接着テープを
使用して内部リードと半導体チップとを熱圧着させる
と、その後にパッケージクラック等の欠陥が発生し、後
工程において作業の支障となるばかりでなく、欠陥品と
なって製品歩留りを悪くする。従って、熱圧着する前に
接着テープを除湿することが、良品の半導体装置を得る
ための条件の一つであり、かかる除湿が適切に施されな
いと、製品品質及び製品歩留りが、それにより大きく影
響される。
を有するため時間の経過と共に水分を徐々に含有するよ
うになる。接着剤が水分を吸湿したままの接着テープを
使用して内部リードと半導体チップとを熱圧着させる
と、その後にパッケージクラック等の欠陥が発生し、後
工程において作業の支障となるばかりでなく、欠陥品と
なって製品歩留りを悪くする。従って、熱圧着する前に
接着テープを除湿することが、良品の半導体装置を得る
ための条件の一つであり、かかる除湿が適切に施されな
いと、製品品質及び製品歩留りが、それにより大きく影
響される。
【０００５】そこで、ＬＯＣ構造の半導体装置の製造に
用いられる半導体チップ接着装置は、一般に、接着テー
プに被着された接着剤中の水分を除湿するために、加熱
ステージに隣接してリードフレームの加熱装置を備えて
おり、それによりリードフレームの内部リードに貼着さ
れた接着テープを予備加熱し、接着剤中の水分を蒸発さ
せている。
用いられる半導体チップ接着装置は、一般に、接着テー
プに被着された接着剤中の水分を除湿するために、加熱
ステージに隣接してリードフレームの加熱装置を備えて
おり、それによりリードフレームの内部リードに貼着さ
れた接着テープを予備加熱し、接着剤中の水分を蒸発さ
せている。
【０００６】図５及び図６は、従来の半導体チップ接着
装置を使用して半導体チップにリードフレームを接着す
る工程を斜視図で図示したものである。図５及び図６に
示す半導体チップ接着装置は、加熱ステージ３４と、マ
ウントヘッド３８と、加熱ステージ３４に隣接して配設
された加熱装置３２とを備えている。加熱ステージ３４
は、熱圧着受台３６の上面に形成され、その上に載置さ
れた半導体チップ２６を加熱する。マウントヘッド３８
は、加熱ステージ３４に対向して上方に配置され、加熱
ステージ３４に対して自在に昇降することにより、図６
に示すように加熱ステージ３４上の半導体チップ２６に
対してその上に載置されたリードフレーム２０を押圧す
る。
装置を使用して半導体チップにリードフレームを接着す
る工程を斜視図で図示したものである。図５及び図６に
示す半導体チップ接着装置は、加熱ステージ３４と、マ
ウントヘッド３８と、加熱ステージ３４に隣接して配設
された加熱装置３２とを備えている。加熱ステージ３４
は、熱圧着受台３６の上面に形成され、その上に載置さ
れた半導体チップ２６を加熱する。マウントヘッド３８
は、加熱ステージ３４に対向して上方に配置され、加熱
ステージ３４に対して自在に昇降することにより、図６
に示すように加熱ステージ３４上の半導体チップ２６に
対してその上に載置されたリードフレーム２０を押圧す
る。
【０００７】加熱装置３２は、断面矩形状の中空筒状部
材からなるヒータ部４０を備え、その内部４１は高温雰
囲気を形成して、内部４１に搬送されたリードフレーム
２０全体をヒータ部４０からの輻射熱で間接的に加熱
し、これにより予め接着テープ２４に被着した接着剤２
８を予備加熱し、その含有水分を蒸発させている。図５
では、接着テープ２４は、リードフレーム２０の内部リ
ード２２の半導体チップ接着側（図面では内部リード２
２の裏面）に貼着されている。
材からなるヒータ部４０を備え、その内部４１は高温雰
囲気を形成して、内部４１に搬送されたリードフレーム
２０全体をヒータ部４０からの輻射熱で間接的に加熱
し、これにより予め接着テープ２４に被着した接着剤２
８を予備加熱し、その含有水分を蒸発させている。図５
では、接着テープ２４は、リードフレーム２０の内部リ
ード２２の半導体チップ接着側（図面では内部リード２
２の裏面）に貼着されている。
【０００８】図５において加熱装置３２により加熱され
たリードフレーム２０は、ステップ搬送方式により、半
導体チップ１個分づつ図６に示すように加熱ステージ３
４に載置された半導体チップ２６上の所定位置に搬送さ
れ、そこに配置される。次いで、マウントヘッド３８
は、加熱ステージ３４上の半導体チップ２６に対してリ
ードフレーム２０を押圧し、予備加熱された接着テープ
２４を介して内部リード２２を半導体チップ２６に熱圧
着する。半導体チップ２６と内部リード２２とを熱圧着
した得た半導体装置の半完成品は、加熱ステージ３４か
ら取り出されて、次の工程に送出される。一方、加熱ス
テージ３４上には再び別の半導体チップが、内部リード
との熱圧着のため載置される。
たリードフレーム２０は、ステップ搬送方式により、半
導体チップ１個分づつ図６に示すように加熱ステージ３
４に載置された半導体チップ２６上の所定位置に搬送さ
れ、そこに配置される。次いで、マウントヘッド３８
は、加熱ステージ３４上の半導体チップ２６に対してリ
ードフレーム２０を押圧し、予備加熱された接着テープ
２４を介して内部リード２２を半導体チップ２６に熱圧
着する。半導体チップ２６と内部リード２２とを熱圧着
した得た半導体装置の半完成品は、加熱ステージ３４か
ら取り出されて、次の工程に送出される。一方、加熱ス
テージ３４上には再び別の半導体チップが、内部リード
との熱圧着のため載置される。
【０００９】別法として図７に示す加熱装置３２は、内
蔵する加熱手段により加熱された搬送路４２から構成さ
れ、接着テープ２４の接着剤２８が搬送路４２に接触し
ないようにしてリードフレーム２０を加熱された搬送路
４２上に配置し、リードフレーム２０が加熱ステージ３
４に搬送される間に、搬送路４２からの輻射熱により接
着テープ２８を間接的に予備加熱し、接着剤中の水分を
蒸発させる仕組みになっている。
蔵する加熱手段により加熱された搬送路４２から構成さ
れ、接着テープ２４の接着剤２８が搬送路４２に接触し
ないようにしてリードフレーム２０を加熱された搬送路
４２上に配置し、リードフレーム２０が加熱ステージ３
４に搬送される間に、搬送路４２からの輻射熱により接
着テープ２８を間接的に予備加熱し、接着剤中の水分を
蒸発させる仕組みになっている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図５に示す従
来の半導体チップ接着装置に設けられた加熱装置では、
接着剤を所望の程度に除湿するためには、比較的長時間
リードフレームを予備加熱する必要があった。そのた
め、リードフレームの予備加熱処理が、加熱ステージ上
での半導体チップと内部リードとの熱圧着処理のタクト
に整合しないと言う問題があり、また加熱装置の設置に
は広いスペースが必要であって、そのため半導体チップ
接着装置自体の寸法が大きくなると言う問題を有してい
た。また、図７に示す従来の半導体チップ接着装置に設
けられた加熱装置は、加熱条件が悪くて、予備加熱のた
めの十分な加熱が出来なかった。
来の半導体チップ接着装置に設けられた加熱装置では、
接着剤を所望の程度に除湿するためには、比較的長時間
リードフレームを予備加熱する必要があった。そのた
め、リードフレームの予備加熱処理が、加熱ステージ上
での半導体チップと内部リードとの熱圧着処理のタクト
に整合しないと言う問題があり、また加熱装置の設置に
は広いスペースが必要であって、そのため半導体チップ
接着装置自体の寸法が大きくなると言う問題を有してい
た。また、図７に示す従来の半導体チップ接着装置に設
けられた加熱装置は、加熱条件が悪くて、予備加熱のた
めの十分な加熱が出来なかった。
【００１１】よって、本発明の目的は、ＬＯＣ構造の半
導体装置の製造において半導体チップを接着するにあた
り、リードフレームの予備加熱時間を短縮するように、
またコンパクトな構造になるように改良された半導体チ
ップ接着装置を提供し、かつその半導体チップ接着方法
を提供することである。
導体装置の製造において半導体チップを接着するにあた
り、リードフレームの予備加熱時間を短縮するように、
またコンパクトな構造になるように改良された半導体チ
ップ接着装置を提供し、かつその半導体チップ接着方法
を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者は、研究の末、
従来の半導体チップ接着装置の問題点は、リードフレー
ムが、間接的な加熱手段により予備加熱されていること
にあると認識した。即ち、発熱体からの輻射熱によりリ
ードフレームを間接的に加熱し、それによってリードフ
レームの内部リードに貼着された接着剤を予備加熱する
と言う間接的加熱の仕組みを使用しているために、熱伝
達の遅れから、予備加熱時間が長くなり、また構造的に
も広いスペースを必要とする。
従来の半導体チップ接着装置の問題点は、リードフレー
ムが、間接的な加熱手段により予備加熱されていること
にあると認識した。即ち、発熱体からの輻射熱によりリ
ードフレームを間接的に加熱し、それによってリードフ
レームの内部リードに貼着された接着剤を予備加熱する
と言う間接的加熱の仕組みを使用しているために、熱伝
達の遅れから、予備加熱時間が長くなり、また構造的に
も広いスペースを必要とする。
【００１３】上記目的を達成するために、以上の知見に
基づき、本発明は、リードフレームの内部リードに貼着
された接着テープを予備加熱するための加熱装置を備
え、該加熱装置により予備加熱された接着テープを介し
て半導体チップ上面に内部リードを熱圧着するようにし
た半導体チップ接着装置において、加熱装置が、内部リ
ードを直接的に加熱し、加熱された内部リードの熱によ
り接着テープを予備加熱するようにした加熱手段を備え
ることを特徴としている。
基づき、本発明は、リードフレームの内部リードに貼着
された接着テープを予備加熱するための加熱装置を備
え、該加熱装置により予備加熱された接着テープを介し
て半導体チップ上面に内部リードを熱圧着するようにし
た半導体チップ接着装置において、加熱装置が、内部リ
ードを直接的に加熱し、加熱された内部リードの熱によ
り接着テープを予備加熱するようにした加熱手段を備え
ることを特徴としている。
【００１４】本発明で使用する加熱手段としては、内部
リードを直接的に加熱できるものである限り特に制約は
ないが、例えば、ヒータを内蔵し、そのヒータにより加
熱されて昇温し、その熱を他の物に伝達する金属製発熱
体（加熱ブロック）を加熱手段として使用する。加熱ブ
ロックを内部リードに直接接触させて加熱ブロックから
内部リードへの熱伝導により内部リードを直接的に加熱
し、加熱された内部リードの熱により接着テープを加熱
し、接着剤中の水分を蒸発させる。。加熱ブロックは、
半導体チップ１個分のリードフレームを加熱ステージに
搬送する搬送手段のステップに同期して動作する昇降機
構に保持されて、リードフレームの送りが停止すると上
方から下降してリードフレームの内部リードに接触して
加熱し、所定時間経過してリードフレームの送りが再開
されると同時に上方に上昇する。
リードを直接的に加熱できるものである限り特に制約は
ないが、例えば、ヒータを内蔵し、そのヒータにより加
熱されて昇温し、その熱を他の物に伝達する金属製発熱
体（加熱ブロック）を加熱手段として使用する。加熱ブ
ロックを内部リードに直接接触させて加熱ブロックから
内部リードへの熱伝導により内部リードを直接的に加熱
し、加熱された内部リードの熱により接着テープを加熱
し、接着剤中の水分を蒸発させる。。加熱ブロックは、
半導体チップ１個分のリードフレームを加熱ステージに
搬送する搬送手段のステップに同期して動作する昇降機
構に保持されて、リードフレームの送りが停止すると上
方から下降してリードフレームの内部リードに接触して
加熱し、所定時間経過してリードフレームの送りが再開
されると同時に上方に上昇する。
【００１５】望ましくは、加熱手段が、半導体チップの
複数個分の内部リードを同時に加熱できるようにする。
それにより、リードフレームの搬送過程において、内部
リードを繰り返して加熱できるので、加熱ステージ上で
の半導体チップとリードフレームとの熱圧着のタクトに
整合するようにリードフレームの搬送速度を速めても、
接着テープを所定の温度に予備加熱することができ、従
って、所望の程度に接着剤を除湿することができる。
複数個分の内部リードを同時に加熱できるようにする。
それにより、リードフレームの搬送過程において、内部
リードを繰り返して加熱できるので、加熱ステージ上で
の半導体チップとリードフレームとの熱圧着のタクトに
整合するようにリードフレームの搬送速度を速めても、
接着テープを所定の温度に予備加熱することができ、従
って、所望の程度に接着剤を除湿することができる。
【００１６】上記目的を達成するために、本発明は、リ
ードフレームの内部リードに貼着された接着テープを介
して該内部リードを半導体チップに熱圧着する半導体チ
ップ接着方法において、加熱手段により内部リードを直
接的に加熱し、加熱された内部リードの熱により接着テ
ープを予備加熱する工程を含むことを特徴としている。
ードフレームの内部リードに貼着された接着テープを介
して該内部リードを半導体チップに熱圧着する半導体チ
ップ接着方法において、加熱手段により内部リードを直
接的に加熱し、加熱された内部リードの熱により接着テ
ープを予備加熱する工程を含むことを特徴としている。
【００１７】
【作用】従来の内部リードの間接的な加熱、即ち熱放射
による加熱に比べて、直接的な加熱、即ち相互接触させ
た熱伝導による内部リードの加熱は、遙に速く内部リー
ドを昇温させることが出来るので、その熱により、接着
剤の予備加熱を速やかに施し、従って接着剤中の水分を
速やかに蒸発させることができる。
による加熱に比べて、直接的な加熱、即ち相互接触させ
た熱伝導による内部リードの加熱は、遙に速く内部リー
ドを昇温させることが出来るので、その熱により、接着
剤の予備加熱を速やかに施し、従って接着剤中の水分を
速やかに蒸発させることができる。
【００１８】
【実施例】以下、添付図面を参照し、実施例に基づいて
本発明をより詳細に説明する。図１は、本発明の一実施
例（第１実施例）の半導体チップ接着装置（以下、簡単
のため装置と略称する）を示す斜視図である 図中、全体に符号１０を付して示すものは本実施例に係
る装置であって、図５から図７に示す半導体チップ接着
装置と同じ部品には同じ符号を付してその説明を省略す
る。本装置１０では、接着テープ２４の接着剤２８中の
水分を除湿するために、加熱装置１２が、加熱ステージ
３４に隣接してリードフレーム２０搬送方向手前に配設
されている。本装置１０に設けられた加熱ステージ３
４、熱圧着受台３６、マウントヘッド３８は、図５〜図
７に示したものと同様のものである。
本発明をより詳細に説明する。図１は、本発明の一実施
例（第１実施例）の半導体チップ接着装置（以下、簡単
のため装置と略称する）を示す斜視図である 図中、全体に符号１０を付して示すものは本実施例に係
る装置であって、図５から図７に示す半導体チップ接着
装置と同じ部品には同じ符号を付してその説明を省略す
る。本装置１０では、接着テープ２４の接着剤２８中の
水分を除湿するために、加熱装置１２が、加熱ステージ
３４に隣接してリードフレーム２０搬送方向手前に配設
されている。本装置１０に設けられた加熱ステージ３
４、熱圧着受台３６、マウントヘッド３８は、図５〜図
７に示したものと同様のものである。
【００１９】該加熱装置１２は、上部に加熱ブロック１
４を及び下部に搬送路１６を備えており、加熱ブロック
１４は、搬送路１６の加熱ステージ３４寄りに配されて
いる。搬送路１６は、所定の速度の搬送ステップでリー
ドフレーム２０を半導体チップ１個分づつ加熱ステージ
３４上の半導体チップ２６に供給する。加熱ブロック１
４は、電気ヒータを内蔵した金属製ブロックからなり、
内部リード２２に接触して熱伝導により内部リード２２
を加熱する加熱手段であって、図示のように、半導体チ
ップ１個分の内部リード２２の組に対応して、所定の寸
法のものが加熱ステージ３４の直前に１個設けられてい
る。
４を及び下部に搬送路１６を備えており、加熱ブロック
１４は、搬送路１６の加熱ステージ３４寄りに配されて
いる。搬送路１６は、所定の速度の搬送ステップでリー
ドフレーム２０を半導体チップ１個分づつ加熱ステージ
３４上の半導体チップ２６に供給する。加熱ブロック１
４は、電気ヒータを内蔵した金属製ブロックからなり、
内部リード２２に接触して熱伝導により内部リード２２
を加熱する加熱手段であって、図示のように、半導体チ
ップ１個分の内部リード２２の組に対応して、所定の寸
法のものが加熱ステージ３４の直前に１個設けられてい
る。
【００２０】加熱ブロック１４は、リードフレーム２０
を半導体チップ１個分づつ加熱ステージ３４に搬送する
搬送路１６のステップに同期して動作する。即ち、加熱
ブロック１４は、リードフレームの送りに支障がないよ
うにするために、搬送路１６の搬送ステップに同期して
動作する昇降機構（図示せず）に保持されていて、リー
ドフレームの送りが停止すると、上方から下降してリー
ドフレームの内部リード２２に接触して加熱し、所定時
間経過してリードフレームの送りが再開されると同時
に、上方に上昇し、以下かかる動作を繰り返して行う。
上述の昇降機構は、既知の常用機構であるので、本明細
書でこれ以上の説明は不要と考える。
を半導体チップ１個分づつ加熱ステージ３４に搬送する
搬送路１６のステップに同期して動作する。即ち、加熱
ブロック１４は、リードフレームの送りに支障がないよ
うにするために、搬送路１６の搬送ステップに同期して
動作する昇降機構（図示せず）に保持されていて、リー
ドフレームの送りが停止すると、上方から下降してリー
ドフレームの内部リード２２に接触して加熱し、所定時
間経過してリードフレームの送りが再開されると同時
に、上方に上昇し、以下かかる動作を繰り返して行う。
上述の昇降機構は、既知の常用機構であるので、本明細
書でこれ以上の説明は不要と考える。
【００２１】以上の構成により、リードフレーム２０を
半導体チップ１個分づつ順次加熱ステージ３４上の半導
体チップ２６上面へ搬送、供給する搬送ステップ毎に、
加熱ブロック１４は、上述の昇降機構と協働して、内部
リード２２に接触し、熱伝導により直接的に加熱し、加
熱された内部リード２２の熱により、その裏面に貼り付
けられた接着テープ２４の接着剤２８を加熱して含有水
分を蒸発させる。
半導体チップ１個分づつ順次加熱ステージ３４上の半導
体チップ２６上面へ搬送、供給する搬送ステップ毎に、
加熱ブロック１４は、上述の昇降機構と協働して、内部
リード２２に接触し、熱伝導により直接的に加熱し、加
熱された内部リード２２の熱により、その裏面に貼り付
けられた接着テープ２４の接着剤２８を加熱して含有水
分を蒸発させる。
【００２２】このように、本装置１０は、加熱ステージ
３４に隣接して、リードフレーム２０の内部リード２２
に貼り付けられた接着テープ２４を予備加熱する加熱装
置１２を有している。加熱装置１２は、接着テープ２４
が貼り付けられた内部リード２２を直接加熱する加熱ブ
ロック１４を備え、加熱ブロック１４により内部リード
２２を介して接着テープ２４を予備加熱し、それにより
接着剤中の水分を蒸発させるような構成になっている。
３４に隣接して、リードフレーム２０の内部リード２２
に貼り付けられた接着テープ２４を予備加熱する加熱装
置１２を有している。加熱装置１２は、接着テープ２４
が貼り付けられた内部リード２２を直接加熱する加熱ブ
ロック１４を備え、加熱ブロック１４により内部リード
２２を介して接着テープ２４を予備加熱し、それにより
接着剤中の水分を蒸発させるような構成になっている。
【００２３】本装置１０は、加熱装置１２により予備加
熱されて所望の程度に除湿された接着テープ２４を以
て、図５及び図６で説明した操作と同様にして、加熱ス
テージ３４とマウントヘッド３８との協働による熱圧着
操作を行い、加熱ステージ３４において内部リード２２
と半導体チップ２６との接着を行う。一方、加熱ステー
ジ３４での熱圧着操作の間、次の半導体チップ１個分の
内部リード２２の接着テープ２４は、同様にして加熱ブ
ロック１４により予備加熱が施される。加熱ブロック１
４の温度を調節することにより、又は後述の第２の実施
例のように加熱ブロック１４の数を増やし又は寸法を大
きくすることにより、加熱ステージ３４での熱圧着操作
のタクトに合わせて、加熱装置１２における内部リード
２２の予備加熱を完了することができる。
熱されて所望の程度に除湿された接着テープ２４を以
て、図５及び図６で説明した操作と同様にして、加熱ス
テージ３４とマウントヘッド３８との協働による熱圧着
操作を行い、加熱ステージ３４において内部リード２２
と半導体チップ２６との接着を行う。一方、加熱ステー
ジ３４での熱圧着操作の間、次の半導体チップ１個分の
内部リード２２の接着テープ２４は、同様にして加熱ブ
ロック１４により予備加熱が施される。加熱ブロック１
４の温度を調節することにより、又は後述の第２の実施
例のように加熱ブロック１４の数を増やし又は寸法を大
きくすることにより、加熱ステージ３４での熱圧着操作
のタクトに合わせて、加熱装置１２における内部リード
２２の予備加熱を完了することができる。
【００２４】従来の半導体チップ接着装置の加熱装置
が、加熱雰囲気中の輻射熱による間接的加熱であるのに
対して、本装置の使用接着テープ２４の加熱は、熱伝導
による直接的加熱であるため、内部リードの温度上昇の
立ち上がりが早くなり、加熱時間の短縮が可能となっ
て、熱圧着のタクトとの整合が取れる。従って、パッケ
ージラック等の要因も未然に除去し得、製品品質、歩留
り等の向上が図れる。また、直接的加熱を行うことによ
り、加熱装置の構成が簡単になり、しかも加熱効率の向
上から加熱装置の寸法を短くすることができるので、装
置構成上で省スペース化が可能となる。
が、加熱雰囲気中の輻射熱による間接的加熱であるのに
対して、本装置の使用接着テープ２４の加熱は、熱伝導
による直接的加熱であるため、内部リードの温度上昇の
立ち上がりが早くなり、加熱時間の短縮が可能となっ
て、熱圧着のタクトとの整合が取れる。従って、パッケ
ージラック等の要因も未然に除去し得、製品品質、歩留
り等の向上が図れる。また、直接的加熱を行うことによ
り、加熱装置の構成が簡単になり、しかも加熱効率の向
上から加熱装置の寸法を短くすることができるので、装
置構成上で省スペース化が可能となる。
【００２５】次に、図２は、本発明の他の実施例（第２
実施例）を示す斜視図である。本実施例では、加熱装置
１２は、半導体チップ２６の複数個分の内部リード２２
を同時に加熱するできるように、半導体チップの複数個
分の内部リード２２にわたる長さ（例えば、図示の例で
は、同時に、３組の内部リード２２の直接加熱が可能な
長さ）の加熱ブロック１８を備えている。本実施例は、
複数組の内部リード２２にわたる長さを有する加熱ブロ
ック１８を備えたことを除いて、前記第１実施例と同じ
構成を有している。
実施例）を示す斜視図である。本実施例では、加熱装置
１２は、半導体チップ２６の複数個分の内部リード２２
を同時に加熱するできるように、半導体チップの複数個
分の内部リード２２にわたる長さ（例えば、図示の例で
は、同時に、３組の内部リード２２の直接加熱が可能な
長さ）の加熱ブロック１８を備えている。本実施例は、
複数組の内部リード２２にわたる長さを有する加熱ブロ
ック１８を備えたことを除いて、前記第１実施例と同じ
構成を有している。
【００２６】以上の構成により、リードフレーム２０が
加熱装置１２を経て加熱ステージ３４へ搬送される間、
加熱装置１２は、内部リード２２に貼り付けられた接着
テープ２４を繰り返し予備加熱することができるので、
熱圧着のタクトに合わせてリードフレーム２０を搬送し
ても、その搬送時間の間に所望の程度に除湿することが
できる。更に説明すれば、加熱ステージ３４での熱圧着
時間より長い予備加熱時間を接着テープ２４に対して必
要とする場合、即ち、接着テープの予備加熱工程が熱圧
着のタクトに遅れる場合に、図示のように加熱ブロック
の長さを長くして、リードフレーム２０を搬送しながら
繰り返し加熱することにより、予備加熱時間の確保が可
能になる。また、これに代えて、半導体チップ１個分の
内部リード２２を加熱する加熱ブロック１４を複数個備
えることもできる。例えば、図１において、加熱ブロッ
ク１４に加え、手前側に、もう２個同様の加熱ブロック
１４を増設して、計３個の加熱ブロック１４によって内
部リード２２を加熱しても、第２実施例と同じ効果を得
ることができる。
加熱装置１２を経て加熱ステージ３４へ搬送される間、
加熱装置１２は、内部リード２２に貼り付けられた接着
テープ２４を繰り返し予備加熱することができるので、
熱圧着のタクトに合わせてリードフレーム２０を搬送し
ても、その搬送時間の間に所望の程度に除湿することが
できる。更に説明すれば、加熱ステージ３４での熱圧着
時間より長い予備加熱時間を接着テープ２４に対して必
要とする場合、即ち、接着テープの予備加熱工程が熱圧
着のタクトに遅れる場合に、図示のように加熱ブロック
の長さを長くして、リードフレーム２０を搬送しながら
繰り返し加熱することにより、予備加熱時間の確保が可
能になる。また、これに代えて、半導体チップ１個分の
内部リード２２を加熱する加熱ブロック１４を複数個備
えることもできる。例えば、図１において、加熱ブロッ
ク１４に加え、手前側に、もう２個同様の加熱ブロック
１４を増設して、計３個の加熱ブロック１４によって内
部リード２２を加熱しても、第２実施例と同じ効果を得
ることができる。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、リードフレームの内部
リードに貼着された接着テープを介して半導体チップ上
面に内部リードを接着する半導体チップ接着装置におい
て、内部リードを直接的に加熱し、加熱された内部リー
ドの熱により接着テープを予備加熱するようにした、接
着テープの加熱装置を備えることにより、半導体チップ
と内部リードとの熱圧着のタクトに整合して接着剤の除
湿を完了することができるコンパクトな半導体チップ接
着装置を実現している。これにより、接着テープの予備
加熱時間が短縮するので半導体チップ接着工程の効率化
図ることができ、また加熱装置の伝熱効率が向上するの
で半導体チップ接着装置の省スペース化を図ることがで
きる。半導体チップと内部リードとを本接着装置と本接
着方法によって熱圧着することにより、接着剤予備加熱
処理及び内部リードと半導体チップとの熱圧着処理とを
効率よく適切に施すことができるので、半導体装置の製
造を効率化することに寄与し、かつパッケージクラック
等が生じた不良品の発生を抑制することができる。
リードに貼着された接着テープを介して半導体チップ上
面に内部リードを接着する半導体チップ接着装置におい
て、内部リードを直接的に加熱し、加熱された内部リー
ドの熱により接着テープを予備加熱するようにした、接
着テープの加熱装置を備えることにより、半導体チップ
と内部リードとの熱圧着のタクトに整合して接着剤の除
湿を完了することができるコンパクトな半導体チップ接
着装置を実現している。これにより、接着テープの予備
加熱時間が短縮するので半導体チップ接着工程の効率化
図ることができ、また加熱装置の伝熱効率が向上するの
で半導体チップ接着装置の省スペース化を図ることがで
きる。半導体チップと内部リードとを本接着装置と本接
着方法によって熱圧着することにより、接着剤予備加熱
処理及び内部リードと半導体チップとの熱圧着処理とを
効率よく適切に施すことができるので、半導体装置の製
造を効率化することに寄与し、かつパッケージクラック
等が生じた不良品の発生を抑制することができる。
【図１】本発明に係る半導体チップ接着装置の一実施例
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図２】同じく、本発明に係る別の実施例を示す斜視図
である。
である。
【図３】リードフレームの内部リードを半導体チップに
接着した段階のＬＯＧ構造の半導体装置の一例を表す平
面図である。
接着した段階のＬＯＧ構造の半導体装置の一例を表す平
面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ線断面拡大図である。
【図５】従来の半導体チップ接着装置の構成を示すと共
に接着テープの予備加熱段階を示す斜視図である。
に接着テープの予備加熱段階を示す斜視図である。
【図６】図５に示す従来の半導体チップ接着装置におい
て、加熱ステージ上で内部リードを半導体チップに熱圧
着している段階を示す斜視図である。
て、加熱ステージ上で内部リードを半導体チップに熱圧
着している段階を示す斜視図である。
【図７】従来の別の半導体チップ接着装置を示す斜視図
である。
である。
１０ 本発明に係る半導体チップ接着装置 １２ 加熱装置 １４ 加熱ブロック １６ 搬送路 １８ 加熱ブロック ２０ リードフレーム ２２ 内部リード ２４ 接着テープ ２６ 半導体チップ ２８ エポキシ系接着剤 ３０ ポリイミドテープ ３２ 加熱装置 ３４ 加熱ステージ ３６ 熱圧着受台 ３８ マウントヘッド ４０ ヒータ部 ４１ ヒータ内部 ４２ 加熱された搬送路
Claims (3)
- 【請求項１】 リードフレームの内部リードに貼着され
た接着テープを予備加熱するための加熱装置を備え、該
加熱装置により予備加熱された接着テープを介して半導
体チップ上面に前記内部リードを熱圧着するようにした
半導体チップ接着装置において、 前記加熱装置が、前記内部リードを直接的に加熱し、前
記加熱された内部リードの熱により前記接着テープを予
備加熱するようにした加熱手段を備えることを特徴とす
る半導体チップ接着装置。 - 【請求項２】 前記加熱手段が、半導体チップ複数個分
の内部リードを同時に加熱できることを特徴とする請求
項１記載の半導体チップ接着装置。 - 【請求項３】 リードフレームの内部リードに貼着され
た接着テープを介して該内部リードを半導体チップに熱
圧着する半導体チップ接着方法において、 加熱手段により前記内部リードを直接的に加熱し、加熱
された内部リードの熱により前記接着テープを予備加熱
する工程を含むことを特徴とする半導体チップ接着方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32988492A JP3259381B2 (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | 半導体チップ接着装置及び接着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32988492A JP3259381B2 (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | 半導体チップ接着装置及び接着方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163646A true JPH06163646A (ja) | 1994-06-10 |
| JP3259381B2 JP3259381B2 (ja) | 2002-02-25 |
Family
ID=18226331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32988492A Expired - Fee Related JP3259381B2 (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | 半導体チップ接着装置及び接着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3259381B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5393799A (en) * | 1992-12-30 | 1995-02-28 | Imperial Chemical Industries Plc | Process for rigid foams |
| US6984125B2 (en) | 2002-03-22 | 2006-01-10 | Seiko Epson Corporation | Apparatus for manufacturing electronic device, method of manufacturing electronic device, and program for manufacturing electronic device |
| US7017636B2 (en) | 2002-03-22 | 2006-03-28 | Seiko Epson Corporation | Apparatus for manufacturing an electronic device, method of manufacturing an electronic device, and program for manufacturing an electronic device |
-
1992
- 1992-11-17 JP JP32988492A patent/JP3259381B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5393799A (en) * | 1992-12-30 | 1995-02-28 | Imperial Chemical Industries Plc | Process for rigid foams |
| US6984125B2 (en) | 2002-03-22 | 2006-01-10 | Seiko Epson Corporation | Apparatus for manufacturing electronic device, method of manufacturing electronic device, and program for manufacturing electronic device |
| US7017636B2 (en) | 2002-03-22 | 2006-03-28 | Seiko Epson Corporation | Apparatus for manufacturing an electronic device, method of manufacturing an electronic device, and program for manufacturing an electronic device |
| US7410826B2 (en) | 2002-03-22 | 2008-08-12 | Seiko Epson Corporation | Apparatus for manufacturing an electronic device, method of manufacturing an electronic device, and program for manufacturing an electronic device |
| US7562806B2 (en) | 2002-03-22 | 2009-07-21 | Seiko Epson Corporation | Apparatus for manufacturing electronic device, method of manufacturing electronic device, and program for manufacturing electronic device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3259381B2 (ja) | 2002-02-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7490652B2 (en) | Heating and pressurizing apparatus for use in mounting electronic components, and apparatus and method for mounting electronic components | |
| US6722412B2 (en) | Die bonder | |
| JP2924760B2 (ja) | ダイボンディング装置 | |
| US6474532B2 (en) | Apparatus for forming wire bonds from circuitry on a substrate to a semiconductor chip, and methods of forming semiconductor chip assemblies | |
| JPH06163646A (ja) | 半導体チップ接着装置及び接着方法 | |
| KR102658356B1 (ko) | 본딩 기계용 본딩 툴, 반도체 요소를 본딩하기 위한 본딩 기계, 및 관련 방법 | |
| JP3857949B2 (ja) | 電子部品実装装置 | |
| US7028397B2 (en) | Method of attaching a semiconductor chip to a chip mounting substrate | |
| JP2924459B2 (ja) | リードフレームの予備半田付け方法 | |
| JP2937954B2 (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
| JPH11274202A (ja) | バンプ形成装置およびバンプ形成に使用されるチップトレイ | |
| JPH065652A (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
| JP4360742B2 (ja) | ボンディング装置 | |
| JP2703272B2 (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
| JPH1154534A (ja) | ポッティング方法および機構ならびにそれを用いたダイボンダ | |
| JP2001110840A (ja) | ワイヤボンド装置及び方法 | |
| JP2998603B2 (ja) | チップのボンディング装置 | |
| JPS59229825A (ja) | 半導体ペレツトのダイボンデング装置 | |
| JP3028031B2 (ja) | ダイボンディング装置及びダイボンディング方法 | |
| JP3479391B2 (ja) | チップマウンタおよびチップ接続方法 | |
| JP2782929B2 (ja) | インナーリードのボンディング機構及びｔａｂ式半導体装置の製造方法 | |
| JPH0720915Y2 (ja) | 銀ペーストキュア炉 | |
| JP2677335B2 (ja) | キュア装置 | |
| JP2000031633A (ja) | 配線基板のはんだバンプ平坦化方法および装置 | |
| JPH0284745A (ja) | 半導体製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |