JPH1154534A - ポッティング方法および機構ならびにそれを用いたダイボンダ - Google Patents

ポッティング方法および機構ならびにそれを用いたダイボンダ

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JPH1154534A
JPH1154534A JP9209136A JP20913697A JPH1154534A JP H1154534 A JPH1154534 A JP H1154534A JP 9209136 A JP9209136 A JP 9209136A JP 20913697 A JP20913697 A JP 20913697A JP H1154534 A JPH1154534 A JP H1154534A
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potting
paste
nozzle
chip
lead
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Yuji Ohashi
▲祐▼二 大橋
Shunei Uematsu
俊英 植松
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Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ポッティング状態を安定させて半導体装置の
不良発生を低減する。 【解決手段】 ポッティング時にリードフレーム4のリ
ード部4aを支持するポッティング台3と、リード部4
aにペースト2を滴下するノズル5と、ノズル5の近傍
にポッティング台3に向かってノズル5より突出して設
けられかつリード部4aをポッティング台3に押し当て
る押さえバー6と、先端にノズル5が取り付けられかつ
ペースト2を収容するシリンジ7と、シリンジ7をホル
ダ8を介して支持しかつ押さえバー6をホルダ9を介し
て支持するポッティング機構本体10とからなり、ポッ
ティング時に、押さえバー6によってリード部4aをポ
ッティング台3に押し当ててリード部4aとノズル5と
を所定距離に保ちながら、リード部4aにペースト2を
塗布する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造技術に
関し、特に、ダイボンド時のペースト(接合材)をリー
ドフレームに対して安定して塗布するポッティング方法
および機構ならびにそれを用いたダイボンダに関する。
【0002】
【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。
【0003】半導体製造工程のダイボンディングには、
リードフレームに銀ペーストなどのペーストを塗布する
ポッティング工程と、その後にリードフレームと半導体
チップとを接合するボンディング工程とがある。
【0004】なお、リードフレームにオフセット加工が
施されていない場合、すなわち、平坦なリードフレーム
の場合には、ペーストを吐出するノズルの先端面からリ
ードフレームの接合面までの距離がほぼ一定であるた
め、ペーストはその高さおよび面積が安定して塗布され
る。
【0005】そこで、半導体装置がCOL(Chip On Le
ad) 構造で、このCOLのダイボンディングの場合、リ
ードフレームのチップ搭載部(ダイパッドもしくはタブ
ともいう)に銀ペーストを塗布し、これにより、半導体
チップとチップ搭載部とを接合している。
【0006】その際、銀ペーストの塗布箇所が前記チッ
プ搭載部であり、リードフレームの搬送ライン上のブロ
ック(ポッティング台)上面に密接している。したがっ
て、ポッティング時、リードフレームとノズルの先端面
との距離は、ほぼ一定であり、ペーストの安定した塗布
が行える。
【0007】また、半導体装置がLOC(Lead On Chi
p) 構造の場合には、粘着テープやペーストを用いてリ
ードフレームのオフセット加工されたリード部に半導体
チップをボンディングする。
【0008】ここで、ダイボンディングについては、例
えば、日経BP社、1993年5月31日発行、「実践
講座VLSIパッケージング技術(下)」香山晋、成瀬
邦彦(監修)、17〜22頁に記載されている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術のLOCにおいて、粘着テープを用いてダイボンドを
行う場合、前記粘着テープが熱可塑性の両面接着剤付き
絶縁テープであるため、非常に高価である。
【0010】その結果、LOCの製品コストが高いこと
が問題とされる。
【0011】また、LOCにおいて、ペーストを用いて
ダイボンドする場合、リード部がオフセット加工されて
いるため、リードフレームの搬送ライン上のブロック上
面からリード部が浮いた状態でペーストを滴下すること
になる。
【0012】そこで、リードフレームのオフセット加工
されたリード部は、搬送時などの変形によってその曲げ
高さにばらつきを生じている場合があり、したがって、
リード部の高さが一定ではない。
【0013】この状態でペーストの塗布を行うと、ペー
ストの塗布状態がばらつく。すなわち、塗布したペース
トの塗布高さや塗布面積にばらつきを生じ、塗布の安定
性に欠ける。
【0014】したがって、ペーストの塗布状態がばらつ
くと、ダイボンディング時に半導体チップが傾斜した
り、また、半導体チップの接合強度の不足が発生した
り、さらには、ペースト溢れによる半導体装置の不良が
発生するという問題が起こる。
【0015】本発明の目的は、ポッティング状態を安定
させて半導体装置の不良発生を低減するポッティング方
法および機構ならびにそれを用いたダイボンダを提供す
ることにある。
【0016】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0017】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【0018】すなわち、本発明のポッティング方法は、
リードフレームのリード部またはダイパッドなどのチッ
プ接合部に接合材であるペーストを塗布するものであ
り、前記リードフレームの前記チップ接合部をポッティ
ング台に載置する工程と、前記ペーストを吐出するノズ
ルの近傍に前記ポッティング台に向かって前記ノズルよ
り突出して設けられた押さえ部材により、前記チップ接
合部を前記ポッティング台に押し当てて前記ノズルから
前記チップ接合部に前記ペーストを塗布する工程とを有
し、前記押さえ部材によって前記チップ接合部を前記ポ
ッティング台に押し当てて前記チップ接合部と前記ノズ
ルとを所定距離に保ちながら、前記チップ接合部に前記
ペーストを塗布するものである。
【0019】また、本発明のポッティング機構は、リー
ドフレームのリード部またはダイパッドなどのチップ接
合部に接合材であるペーストを塗布するものであり、ポ
ッティング時に前記リードフレームの前記チップ接合部
を支持するポッティング台と、前記チップ接合部に前記
ペーストを滴下するノズルと、前記ノズルの近傍に前記
ポッティング台に向かって前記ノズルより突出して設け
られかつ前記チップ接合部を前記ポッティング台に押し
当てる押さえ部材とを有し、ポッティング時に、前記押
さえ部材によって前記チップ接合部を前記ポッティング
台に押し当てて前記チップ接合部と前記ノズルとを所定
距離に保ちながら、前記チップ接合部に前記ペーストを
塗布するものである。
【0020】これにより、ノズルの先端面とリードフレ
ームのチップ接合部との距離を所定距離に保ちながらペ
ーストを塗布するため、ペーストのポッティング状態を
安定化させることができる。
【0021】したがって、チップ接合部に対してのペー
ストの塗布高さや塗布面積を安定させることができる。
【0022】その結果、チップ接合部からのペースト溢
れを防止できるため、半導体装置の不良発生を低減で
き、これにより、半導体装置の歩留りを向上できる。
【0023】さらに、本発明のダイボンダは、リードフ
レームを搬送するフレーム搬送部と、前記ポッティング
機構を備えかつ前記ポッティング機構によって前記リー
ドフレームの前記チップ接合部に前記ペーストを塗布す
るポッティング部と、前記ペーストを用いて半導体チッ
プと前記チップ接合部との接合が行われるボンディング
部とを有し、ポッティング時に前記ポッティング部にお
いて、前記押さえ部材によって前記チップ接合部を前記
ポッティング台に押し当てて前記チップ接合部と前記ノ
ズルとを所定距離に保ちながら、前記ノズルから前記チ
ップ接合部に前記ペーストが塗布されるものである。
【0024】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。
【0025】図1は本発明によるポッティング機構の構
造の実施の形態の一例を示す構成概略図、図2は本発明
のダイボンダの一例であるLOCマウンタの構造の実施
の形態を示す構成概略図、図3は図2に示すLOCマウ
ンタにおけるポッティング部の構造の実施の形態の一例
を示す側面図、図4は図2に示すLOCマウンタを用い
て製造されたLOC(半導体装置)の構造の実施の形態
の一例を示す図であり、(a)は透過して内部を示す平
面図、(b)は(a)のA−A断面図、(c)は(a)
のB−B断面図、(d)は(a)のC−C断面図、図5
(a),(b) は図2に示すLOCマウンタにおけるポッ
ティング方法の実施の形態の一例を示す拡大部分断面
図、図6(a),(b) は図2に示すLOCマウンタにお
けるポッティング方法の実施の形態の一例を示す拡大部
分断面図、図7は本発明のポッティング方法によって塗
布されたペーストの塗布状態の実施の形態の一例を示す
拡大部分斜視図、図8(a),(b) は、本発明のポッテ
ィング方法に対する比較例のペーストの塗布状態を示す
拡大部分斜視図である。
【0026】図1に示す本実施の形態のポッティング機
構1は、ダイボンドを行う際に、リードフレーム4のチ
ップ接合部にペースト2を塗布(ポッティング)するも
のである。
【0027】本実施の形態では、リードフレーム4のリ
ード部4a(チップ接合部)にペースト2を塗布する場
合について説明する。
【0028】前記ポッティング機構1の基本構成は、ポ
ッティング時にリードフレーム4のリード部4aを支持
するポッティング台3と、リード部4aにペースト2を
滴下するノズル5と、ノズル5の近傍にポッティング台
3に向かってノズル5より突出して設けられかつリード
部4aをポッティング台3に押し当てる押さえバー6
(押さえ部材)と、先端にノズル5が取り付けられかつ
ペースト2を収容するシリンジ7と、シリンジ7をホル
ダ8を介して支持しかつ押さえバー6をホルダ9を介し
て支持するポッティング機構本体10とからなり、ポッ
ティング時に、押さえバー6によってリード部4aをポ
ッティング台3に押し当ててリード部4aとノズル5と
を所定距離に保ちながら、リード部4aにペースト2を
塗布するものである。
【0029】なお、本実施の形態においては、ノズル5
および押さえバー6がそれぞれ別々に動作制御可能に設
けられている場合を説明する。
【0030】つまり、図1に示すように、ホルダ8およ
びホルダ9が個々に上下移動可能なようにポッティング
機構本体10に設置されたリニアモーションガイド11
上に別々に取り付けられている。
【0031】また、本実施の形態のポッティング機構1
におけるノズル5の形状は、1点吐出式のものである
が、ノズル5の形状はこれに限らず、多点吐出式のもの
であってもよい。
【0032】さらに、ポッティング機構本体10には、
ノズル動作カム12と押さえバー動作カム14とがそれ
ぞれ図示しないサーボモータに直結かつ偏心回転自在に
取り付けられるとともに、これらに係合して各々揺動自
在にノズル動作アーム13と押さえバー動作アーム15
とが取り付けられている。
【0033】ここで、ノズル5および押さえバー6のそ
れぞれの上下運動の駆動方法について説明する。
【0034】まず、ノズル動作カム12の回転によって
ノズル動作アーム13が揺動し、このノズル動作アーム
13に係合したホルダ8がリニアモーションガイド11
上を往復移動する。これにより、ホルダ8に支持された
シリンジ7とその先端に設けられたノズル5とが上下運
動する。
【0035】一方、押さえバー動作カム14の回転によ
って押さえバー動作アーム15が揺動し、この押さえバ
ー動作アーム15に係合したホルダ9がリニアモーショ
ンガイド11上を往復移動する。これにより、ホルダ9
に支持された押さえバー6が上下運動する。
【0036】その結果、本実施の形態のポッティング機
構本体10においては、ノズル5と押さえバー6とをそ
れぞれ別々に動作制御することができる。
【0037】したがって、前記ポッティング機構1によ
れば、ポッティング時に、押さえバー6によってリード
部4aをポッティング台3に押し当ててリード部4aと
ノズル5とを所定距離に保つとともに、この状態でリー
ド部4aにペースト2を塗布できる。
【0038】次に、図1〜図4を用いて、前記ポッティ
ング機構1を用いた図2に示す本実施の形態のダイボン
ダの構造について説明する。
【0039】本実施の形態では、前記ダイボンダの一例
として、図4に示すLOC16を製造するLOCマウン
タの場合を説明する。
【0040】前記LOCマウンタの構成は、ダイシング
後の半導体ウェハ(図示せず)から半導体チップ17を
取り出し(ピックアップし)かつ半導体チップ17を移
送する移送ヘッド22と、リードフレーム4を搬送する
フレームガイド18(フレーム搬送部)と、ポッティン
グ機構1を備えかつポッティング機構1によってリード
フレーム4のリード部4a(チップ接合部)にペースト
2を塗布するポッティング部19と、マウントヘッド2
0a(ボンディングヘッドともいう)によってペースト
2を用いて半導体チップ17とリード部4aとの接合が
行われるボンディング部20と、ペースト2の塗布後に
リード部4aの接合面4b(図1参照)が半導体チップ
17の回路形成面17aと対向する方向を向くようにリ
ードフレーム4を反転させるフレーム反転部21とから
なる。
【0041】これにより、前記LOCマウンタは、ポッ
ティング時にポッティング部19において、押さえバー
6によってリード部4aをポッティング台3に押し当て
てリード部4aの接合面4bとノズル5の先端面5aと
を所定距離に保ちながら、ノズル5からリード部4aに
ペースト2を塗布し、かつ、ボンディング部20におい
て、ペースト2によってリードフレーム4のリード部4
aと半導体チップ17の回路形成面17aとを接合して
半導体チップ17のマウントを行うものである。
【0042】ここで、前記LOCマウンタには、複数枚
のリードフレーム4を搬入するフレームローダ23と、
複数枚のリードフレーム4を収容するローダフレームラ
ック24と、リードフレーム4間の層間紙を排出する層
間紙排出部25と、ダイシング後の前記半導体ウェハが
搬入されるウェハリフター部26と、ダイシング後の前
記半導体ウェハを搬送するウェハ搬送アーム27と、ダ
イシング後の前記半導体ウェハを搭載するウェハ支持台
28とが設けられている。
【0043】さらに、前記LOCマウンタには、フレー
ムガイド18の途中に設けられかつ半導体チップ17と
の接合直前にリードフレーム4を予備加熱するプリベー
ク部29と、半導体チップ17との接合を終了したリー
ドフレーム4を収容して搬出するアンローダ部30とが
設置されている。
【0044】なお、ポッティング部19には、リードフ
レーム4のリード部4aへのペースト2のポッティング
を行う図1に示すポッティング機構1が設置されている
が、図3に示すように、このポッティング機構1は、こ
れをXY方向に移動させるXYテーブル19a上に搭載
されている。さらに、シリンジ7には、ペースト2の吐
出圧力や塗布時間を制御するディスペンサ19bが接続
されている。
【0045】すなわち、ディスペンサ19bは、ペース
ト2の管理を行うものであり、シリンジ7内のペースト
2の量が変動しても一定の塗布を行うように、吐出圧力
と塗布時間とを設定するものである。
【0046】ここで、本実施の形態のLOCマウンタ
(ダイボンダ)を用いて製造された図4に示すLOC1
6(半導体装置)の構造について説明する。
【0047】LOC16は、リード部4aと半導体チッ
プ17の回路形成面17aとが対向して配置され、ペー
スト2(例えば、ポリエーテルアミドイミド樹脂を溶剤
で溶かして接着剤としたもの)によって半導体チップ1
7がリード部4aに固定(搭載)されている。
【0048】なお、本実施の形態のLOC16において
は、図4(a)に示すように、それぞれ2列に配置され
たリード部4aのうち、4つの角部に位置するリード部
4aのみにおいて、リード部4aと半導体チップ17と
がペースト2によって接合されている。
【0049】つまり、半導体チップ17は4つの角部の
リード部4aのみによって接合されて支持されている。
【0050】そこで、リード部4aと半導体チップ17
との接合箇所の断面を示したものが、図4(b),(d)
に示すA−A断面およびC−C断面であり、4つの角部
以外の箇所のリード部4aの断面を示したものが図4
(c)に示すB−B断面である。
【0051】図4(b),(d) に示すように、ペースト
2によって半導体チップ17と接合を行うリード部4a
は、オフセット加工(曲げ加工)が施されており、ま
た、図4(c)に示すように、半導体チップ17と接合
を行わないリード部4aは、オフセット加工が施されて
いないフラットな形状である。
【0052】したがって、本実施の形態のLOC16に
おいては、4つの角部以外のリード部4aでは、半導体
チップ17との接合が行われていないため、前記接合が
行われていないリード部4aの断面の構造は、B−B断
面と同様の構造である。
【0053】なお、本実施の形態においては、4つの角
部のリード部4aでのみペースト2によってリード部4
aと半導体チップ17とが接合されている場合を説明し
たが、ペースト2によって接合するリード部4aの位置
および本数は、角部に限定されるものではなく、例え
ば、全てのリード部4aにおいてペースト2によって接
合してもよく、また、角部と角部以外の箇所(例えば、
中央付近のリード部4a)とを組み合わせた箇所、ある
いは、角部以外の箇所のリード部4aだけでの接合であ
ってもよい。
【0054】また、半導体チップ17のパッド17b
は、Au線などの金属細線31によってリード部4aと
電気的に接続されている。
【0055】さらに、半導体チップ17、金属細線31
およびその周辺部が、エポキシ樹脂などの封止樹脂によ
って封止され、これによって、封止部32が形成されて
いる。
【0056】ここで、本実施の形態のポッティング方法
について説明する。
【0057】前記ポッティング方法は、ポッティング部
19にポッティング機構1を備えた図2に示すLOCマ
ウンタの前記ポッティング部19において、図4に示す
LOC16を製造する際のペースト2のリード部4a
(チップ接合部)への塗布方法である。
【0058】まず、前記LOCマウンタにおいて、層間
紙排出部25に層間紙を排出したリードフレーム4をロ
ーダフレームラック24から取り出し、フレームガイド
18上に搭載する。
【0059】その後、フレームガイド18によってリー
ドフレーム4を搬送し、このリードフレーム4をポッテ
ィング部19に搬入する。
【0060】続いて、ポッティング台3において、リー
ドフレーム4のオフセット加工されたリード部4aを図
5(b)に示すポッティング台3の所定箇所に、接合面
4bを上方に向けた状態で載置する。
【0061】さらに、図3に示すXYテーブル19aを
移動させてポッティング機構1を動作させ、ペースト2
を吐出するノズル5の近傍にポッティング台3に向かっ
てノズル5より突出して設けられた押さえバー6とノズ
ル5とがリード部4a上に位置するように、ポッティン
グ機構1の位置合わせを行う。
【0062】その後、まず、押さえバー動作カム14を
回転させて押さえバー6を下降させ、この押さえバー6
によってリード部4aをポッティング台3に押し当て
る。
【0063】続いて、ノズル動作カム12を回転させて
ノズル5を所定位置まで下降させ、そこで停止させる。
【0064】これにより、リード部4aの接合面4bと
ノズル5の先端面5aとが所定距離に配置される。
【0065】その後、リード部4aの接合面4bとノズ
ル5の先端面5aとの距離を前記所定距離(例えば、
0.1mm程度)に保ちながら、図6(a)に示すよう
に、ノズル5からリード部4aにペースト2を塗布す
る。
【0066】この際、ディスペンサ19bによって、予
め、ペースト2の吐出圧力と塗布時間とを所定値に設定
しておき、これにより、ノズル5から所定量のペースト
2を吐出させる。
【0067】なお、本実施の形態においては、この動作
を、オフセット加工された4つの角部のリード部4aに
対してそれぞれ行う。
【0068】ここで、ノズル5と押さえバー6とリード
部4aのオフセット部4cとの位置関係におけるそれぞ
れの最適距離を説明すると、図5(a)に示すように、
押さえバー6は、例えば、ノズル5から1mm程度離れ
た箇所にノズル5より0.1mm程度突出して設置される
ことが好ましい。
【0069】さらに、図6(b)に示すように、リード
部4aのオフセット部4c(リード屈曲部)と押さえバ
ー6との距離は、例えば、2mm程度が好ましい。
【0070】続いて、図6(b)に示すように、リード
部4aに所定時間ペースト2を塗布した後、押さえバー
6とノズル5とを上昇させる。
【0071】その際、まず、ノズル5を上昇させた後、
僅かに遅れて押さえバー6を上昇させる。
【0072】なお、本実施の形態のLOCマウンタのポ
ッティング機構1においては、ノズル5および押さえバ
ー6がそれぞれ別々に動作制御可能に設けられている。
【0073】これにより、先にノズル5のみを上昇さ
せ、その後、僅かに遅れて押さえバー6を上昇させる制
御を行う。
【0074】その結果、ノズル5とペースト2とが分離
するまで押さえバー6によってリード部4aを押し当て
ることが可能になる。
【0075】すなわち、ノズル5が上昇する際に、ノズ
ル5におけるペースト2の糸引きが完全に終了するま
で、押さえバー6によってリード部4aを押し当ててお
き、前記糸引きが完全に終了してから押さえバー6を上
昇させる制御を行う。
【0076】続いて、ペースト2のポッティング終了
後、図2に示すLOCマウンタにおいて、リードフレー
ム4をポッティング部19からフレーム反転部21に搬
送し、このフレーム反転部21において、リードフレー
ム4を反転させる。
【0077】すなわち、リードフレーム4のオフセット
加工されたリード部4aの接合面4bを下方に向ける。
【0078】その後、リードフレーム4をプリベーク部
29に通し、ここで、リードフレーム4を加熱してペー
スト2の溶剤を揮発させる。
【0079】さらに、フレームガイド18によってリー
ドフレーム4をボンディング部20まで搬送し、半導体
チップ17との接合を行う所定位置(ボンディング位
置)までリードフレーム4を搬送する。
【0080】一方、ウェハリフター部26、ウェハ搬送
アーム27などを介してウェハ支持台28上に図示しな
いダイシング後の半導体ウェハを載置し、その後、前記
半導体ウェハから真空吸着などにより半導体チップ17
を取り出し(ピックアップし)、さらに、移送ヘッド2
2によってこの半導体チップ17をボンディング部20
の所定位置(ボンディング位置)に移送する。
【0081】その後、ボンディング部20において、マ
ウントヘッド20aを用いてリードフレーム4のリード
部4aと半導体チップ17とに加圧・加熱を行い、ダイ
ボンディングを実施する。
【0082】その結果、4つの角部のリード部4aによ
ってペースト2を介して半導体チップ17が支持され
る。
【0083】これにより、半導体チップ17のマウント
を終了する。
【0084】本実施の形態のポッティング方法および機
構ならびにそれを用いたダイボンダによれば、以下のよ
うな作用効果が得られる。
【0085】すなわち、ポッティング台3に向かってノ
ズル5より突出しかつリードフレーム4のリード部4a
(チップ接合部)をポッティング台3に押し当てる押さ
えバー6がノズル5の近傍に設けられたことにより、押
さえバー6によってリード部4aをポッティング台3に
押し当ててリード部4aとノズル5とを所定距離に保ち
ながら、リード部4aにペースト2を塗布できる。
【0086】したがって、ノズル5の先端面5aとリー
ドフレーム4のリード部4aとの距離を所定距離に保ち
ながらペースト2を塗布するため、ペースト2のポッテ
ィング状態を安定化させることができる。
【0087】その結果、リードフレーム4の巾の狭いリ
ード部4aに対してのペースト2の塗布高さや塗布面積
を安定させることができる。
【0088】ここで、図7は、本実施の形態のLOCマ
ウンタ(ダイボンダ)によってリード部4aにポッティ
ングを行った際のペースト2の塗布状態を示すものであ
り、また、図8は、本実施の形態に対する比較例のペー
スト2の塗布状態を挙げたものである。
【0089】図7に示す本実施の形態によれば、図8
(a)の比較例に示すようなペースト2の塗布位置ずれ
や、図8(b)の比較例に示すようなペースト2の塗布
溢れなどの不具合の発生を防ぐことができ、リード部4
a上において、ペースト2の高さや面積を安定させた塗
布を行うことができる。
【0090】その結果、リード部4aにおけるペースト
2の溢れを防止できるため、LOC16(半導体装置)
の不良発生を低減でき、これにより、LOC16の歩留
りを向上できる。
【0091】また、リード部4aに対してのペースト2
の塗布高さや塗布面積を安定させることができるため、
LOC16においても、高価な熱可塑性の両面接着剤付
き絶縁テープ(粘着テープ)を用いずに、ペースト2を
用いて安定したダイボンドを行うことが可能になる。
【0092】したがって、LOC16のダイボンドにお
いて、高価な前記粘着テープを用いずにダイボンドがで
きるため、LOC16の製品コストを低減できる。
【0093】また、ノズル5および押さえバー6が、そ
れぞれ別々に動作制御可能に設けられていることによ
り、リードフレーム4のリード部4aにペースト2を塗
布した後、押さえバー6を上昇させる際に、ノズル5を
上昇させた後、僅かに遅れて押さえバー6を上昇させる
ことができる。
【0094】これにより、ノズル5とペースト2とが完
全に分離するまで押さえバー6によってリード部4aを
ポッティング台3に押し当てることができる。
【0095】したがって、ペースト2の糸引きが終わる
まで、押さえバー6によってリード部4aを押し当てて
いるため、これにより、リード部4aに対してのペース
ト2の安定した塗布を行うことができる。
【0096】その結果、リード部4aからのペースト2
溢れを防止できるため、LOC16(半導体装置)の不
良発生を低減でき、これにより、LOC16の歩留りを
向上できる。
【0097】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言う
までもない。
【0098】例えば、前記実施の形態においては、ポッ
ティング機構1がLOC16のリード部4aにペースト
2を塗布するものであったが、前記ポッティング機構1
は、図10に示す他の実施の形態のCOL構造のSOP
(Small Outline Package)33(半導体装置)における
ダイパッド4d(チップ接合部)にペースト2(この場
合は、銀ペースト)を塗布するものであってもよい。
【0099】その際、ダイボンダは、LOCマウンタで
はなく、SOP33の製造の際に用いられるものとな
り、このダイボンダの構造を図9に示す。
【0100】ここで、図9に示す他の実施の形態のダイ
ボンダについて説明する。
【0101】図9に示すダイボンダは、図10に示すS
OP33(半導体装置)を製造する際のダイボンドに用
いるものであり、その構成は、リードフレーム4を搬送
するフレームガイド18(フレーム搬送部)と、図1に
示すポッティング機構1を備えかつ前記ポッティング機
構1によってリードフレーム4のチップ接合部であるダ
イパッド4d(タブともいう)にペースト2を塗布する
ポッティング部19と、ペースト2を用いて半導体チッ
プ17とダイパッド4dとの接合が行われるボンディン
グ部20とからなり、前記実施の形態の図2に示すLO
Cマウンタと同様に、ポッティング時にポッティング部
19において、押さえバー6によってダイパッド4dを
ポッティング台3に押し当ててダイパッド4dとノズル
5とを所定距離に保ちながら、ノズル5からダイパッド
4dにペースト2を塗布するものである。
【0102】なお、図9に示すダイボンダのポッティン
グ部19におけるポッティング方法については、前記実
施の形態で説明した図2に示すLOCマウンタにおける
ポッティング方法と同様であるためその重複説明は省略
する。
【0103】また、図2に示すLOCマウンタおよび図
9に示すダイボンダにおけるポッティング機構1は、ノ
ズル5と押さえバー6とがそれぞれ別々に動作制御可能
に設けられているものであったが、ノズル5と押さえバ
ー6とは一体に形成されていてもよい。
【0104】その場合にも、押さえバー6が、ノズル5
の近傍でかつポッティング台3に向かってノズル5より
所定距離突出して設けられていることは言うまでもな
い。
【0105】さらに、図11に示す他の実施の形態のポ
ッティング機構1のように、ノズル5と押さえバー6と
を一体に形成するとともに、押さえバー6をポッティン
グ台3に向かって進退移動自在にするコイルばね34
(弾性部材)が押さえバー6に設けられていてもよい。
【0106】これにより、図11(a)に示すように、
リード部4aにペースト2を塗布する場合に、リードフ
レーム4のリード部4aにペースト2を塗布した後、図
11(b)に示すように、押さえバー6を上昇させる
際、ノズル5を上昇させた後、コイルばね34の弾性を
利用して僅かに遅れて押さえバー6を上昇させることが
できる。
【0107】その結果、ノズル5とペースト2とが完全
に分離するまで押さえバー6によってリード部4aを押
し当てることができる。
【0108】したがって、前記実施の形態の場合と同様
に、ペースト2の糸引きが終わるまで、押さえバー6に
よってリード部4aを押し当てているため、これによ
り、リード部4aに対してのペースト2の安定した塗布
を行うことができる。
【0109】なお、前記弾性部材は、コイルばね34に
限らず、弾性を有するものであれば、板ばね、あるいは
他の弾性部材であってもよい。
【0110】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【0111】(1).リードフレームのチップ接合部を
ポッティング台に押し当てる押さえ部材がノズルの近傍
に設けられたことにより、チップ接合部とノズルとを所
定距離に保ちながら、チップ接合部にペーストを塗布で
きる。これにより、ペーストのポッティング状態を安定
化させることができる。
【0112】(2).前記(1)により、リードフレー
ムのチップ接合部に対してのペーストの塗布高さや塗布
面積を安定させることができる。その結果、チップ接合
部からのペースト溢れを防止できるため、半導体装置の
不良発生を低減でき、これにより、半導体装置の歩留り
を向上できる。
【0113】(3).リードフレームのチップ接合部に
対してのペーストの塗布高さや塗布面積を安定させるこ
とができるため、LOCにおいても、高価な熱可塑性の
両面接着剤付き絶縁テープを用いずに、ペーストを用い
て安定したダイボンドを行うことが可能になる。これに
より、LOCの製品コストを低減できる。
【0114】(4).ノズルおよび押さえ部材がそれぞ
れ別々に動作制御可能に設けられているか、あるいは、
押さえ部材をポッティング台に向かって進退移動自在に
する弾性部材が押さえ部材に設けられていることによ
り、リードフレームのリード部にペーストを塗布した
後、押さえ部材を上昇させる際に、ノズルを上昇させた
後、僅かに遅れて押さえ部材を上昇させることができ
る。これにより、ペーストの糸引きが終わるまで、押さ
え部材によってリード部を押し当てているため、リード
部に対してのペーストの安定した塗布を行うことができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるポッティング機構の構造の実施の
形態の一例を示す構成概略図である。
【図2】本発明のダイボンダの一例であるLOCマウン
タの構造の実施の形態を示す構成概略図である。
【図3】図2に示すLOCマウンタにおけるポッティン
グ部の構造の実施の形態の一例を示す側面図である。
【図4】(a),(b),(c),(d) は、図2に示すLO
Cマウンタを用いて製造されたLOC(半導体装置)の
構造の実施の形態の一例を示す図であり、(a)は透過
して内部を示す平面図、(b)は(a)のA−A断面
図、(c)は(a)のB−B断面図、(d)は(a)の
C−C断面図である。
【図5】(a),(b) は、図2に示すLOCマウンタに
おけるポッティング方法の実施の形態の一例を一部断面
にして示す拡大部分断面図である。
【図6】(a),(b) は、図2に示すLOCマウンタに
おけるポッティング方法の実施の形態の一例を一部断面
にして示す拡大部分断面図である。
【図7】本発明のポッティング方法によって塗布された
ペーストの塗布状態の実施の形態の一例を示す拡大部分
斜視図である。
【図8】(a),(b) は、本発明のポッティング方法に
対する比較例のペーストの塗布状態を示す拡大部分斜視
図である。
【図9】本発明の他の実施の形態であるダイボンダの構
造を示す斜視図である。
【図10】図9に示すダイボンダによって製造された半
導体装置(COL)の構造の一例を示す断面図である。
【図11】(a),(b) は、本発明の他の実施の形態で
あるポッティング機構を用いたダイボンダのポッティン
グ方法を一部断面にして示す拡大部分断面図である。
【符号の説明】
1 ポッティング機構 2 ペースト 3 ポッティング台 4 リードフレーム 4a リード部(チップ接合部) 4b 接合面 4c オフセット部 4d ダイパッド(チップ接合部) 5 ノズル 5a 先端面 6 押さえバー(押さえ部材) 7 シリンジ 8 ホルダ 9 ホルダ 10 ポッティング機構本体 11 リニアモーションガイド 12 ノズル動作カム 13 ノズル動作アーム 14 押さえバー動作カム 15 押さえバー動作アーム 16 LOC 17 半導体チップ 17a 回路形成面 17b パッド 18 フレームガイド(フレーム搬送部) 19 ポッティング部 19a XYテーブル 19b ディスペンサ 20 ボンディング部 20a マウントヘッド 21 フレーム反転部 22 移送ヘッド 23 フレームローダ 24 ローダフレームラック 25 層間紙排出部 26 ウェハリフター部 27 ウェハ搬送アーム 28 ウェハ支持台 29 プリベーク部 30 アンローダ部 31 金属細線 32 封止部 33 SOP 34 コイルばね(弾性部材)

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 リードフレームのリード部またはダイパ
    ッドなどのチップ接合部に接合材であるペーストを塗布
    するポッティング方法であって、 前記リードフレームの前記チップ接合部をポッティング
    台に載置する工程と、 前記ペーストを吐出するノズルの近傍に前記ポッティン
    グ台に向かって前記ノズルより突出して設けられた押さ
    え部材により、前記チップ接合部を前記ポッティング台
    に押し当てて前記ノズルから前記チップ接合部に前記ペ
    ーストを塗布する工程とを有し、 前記押さえ部材によって前記チップ接合部を前記ポッテ
    ィング台に押し当てて前記チップ接合部と前記ノズルと
    を所定距離に保ちながら、前記チップ接合部に前記ペー
    ストを塗布することを特徴とするポッティング方法。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のポッティング方法であっ
    て、前記チップ接合部である前記リード部に前記ペース
    トを塗布した後、前記押さえ部材を上昇させる際に、前
    記ノズルを上昇させた後、僅かに遅れて前記押さえ部材
    を上昇させることにより、前記ノズルと前記ペーストと
    が分離するまで前記押さえ部材によって前記リード部を
    押し当てることを特徴とするポッティング方法。
  3. 【請求項3】 リードフレームのリード部またはダイパ
    ッドなどのチップ接合部に接合材であるペーストを塗布
    するポッティング機構であって、 ポッティング時に前記リードフレームの前記チップ接合
    部を支持するポッティング台と、 前記チップ接合部に前記ペーストを滴下するノズルと、 前記ノズルの近傍に前記ポッティング台に向かって前記
    ノズルより突出して設けられ、かつ前記チップ接合部を
    前記ポッティング台に押し当てる押さえ部材とを有し、 ポッティング時に、前記押さえ部材によって前記チップ
    接合部を前記ポッティング台に押し当てて前記チップ接
    合部と前記ノズルとを所定距離に保ちながら、前記チッ
    プ接合部に前記ペーストを塗布することを特徴とするポ
    ッティング機構。
  4. 【請求項4】 請求項3記載のポッティング機構であっ
    て、前記ノズルおよび前記押さえ部材がそれぞれ別々に
    動作制御可能に設けられていることを特徴とするポッテ
    ィング機構。
  5. 【請求項5】 請求項3記載のポッティング機構であっ
    て、前記ノズルと前記押さえ部材とが一体に形成されて
    いることを特徴とするポッティング機構。
  6. 【請求項6】 請求項5記載のポッティング機構であっ
    て、前記ノズルと前記押さえ部材とが一体に形成される
    とともに、前記押さえ部材を前記ポッティング台に向か
    って進退移動自在にする弾性部材が前記押さえ部材に設
    けられていることを特徴とするポッティング機構。
  7. 【請求項7】 請求項3,4,5または6記載のポッテ
    ィング機構を用いたダイボンダであって、 リードフレームを搬送するフレーム搬送部と、 前記ポッティング機構を備え、かつ前記ポッティング機
    構によって前記リードフレームの前記チップ接合部に前
    記ペーストを塗布するポッティング部と、 前記ペーストを用いて半導体チップと前記チップ接合部
    との接合が行われるボンディング部とを有し、 ポッティング時に前記ポッティング部において、前記押
    さえ部材によって前記チップ接合部を前記ポッティング
    台に押し当てて前記チップ接合部と前記ノズルとを所定
    距離に保ちながら、前記ノズルから前記チップ接合部に
    前記ペーストが塗布されることを特徴とするダイボン
    ダ。
  8. 【請求項8】 請求項7記載のダイボンダであって、前
    記ペーストの塗布後に前記チップ接合部である前記リー
    ド部の接合面が前記半導体チップの回路形成面と対向す
    る方向を向くように前記リードフレームを反転させるフ
    レーム反転部を有し、前記ペーストによって前記リード
    フレームの前記リード部と前記半導体チップの回路形成
    面との接合を行うことを特徴とするダイボンダ。
JP9209136A 1997-08-04 1997-08-04 ポッティング方法および機構ならびにそれを用いたダイボンダ Pending JPH1154534A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6365439B2 (en) * 1996-03-22 2002-04-02 Hitachi, Ltd. Method of manufacturing a ball grid array type semiconductor package
US7091620B2 (en) 1996-03-22 2006-08-15 Renesas Technology Corp. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2007109833A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 金属部材の接合方法およびその組立治具
JP2013179199A (ja) * 2012-02-29 2013-09-09 Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd 塗布装置、及び部品実装システム
JP2016179433A (ja) * 2015-03-24 2016-10-13 株式会社小坂研究所 ペースト塗布装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6365439B2 (en) * 1996-03-22 2002-04-02 Hitachi, Ltd. Method of manufacturing a ball grid array type semiconductor package
US6521981B2 (en) 1996-03-22 2003-02-18 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6642083B2 (en) 1996-03-22 2003-11-04 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6664135B2 (en) 1996-03-22 2003-12-16 Renesas Technology Corporation Method of manufacturing a ball grid array type semiconductor package
US6670215B2 (en) 1996-03-22 2003-12-30 Renesas Technology Corporation Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7091620B2 (en) 1996-03-22 2006-08-15 Renesas Technology Corp. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7420284B2 (en) 1996-03-22 2008-09-02 Renesas Technology Corp. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2007109833A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 金属部材の接合方法およびその組立治具
JP2013179199A (ja) * 2012-02-29 2013-09-09 Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd 塗布装置、及び部品実装システム
JP2016179433A (ja) * 2015-03-24 2016-10-13 株式会社小坂研究所 ペースト塗布装置

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