JPH0720915Y2 - 銀ペーストキュア炉 - Google Patents
銀ペーストキュア炉Info
- Publication number
- JPH0720915Y2 JPH0720915Y2 JP1988082961U JP8296188U JPH0720915Y2 JP H0720915 Y2 JPH0720915 Y2 JP H0720915Y2 JP 1988082961 U JP1988082961 U JP 1988082961U JP 8296188 U JP8296188 U JP 8296188U JP H0720915 Y2 JPH0720915 Y2 JP H0720915Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silver paste
- lead frame
- heat block
- furnace
- heated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Die Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、半導体製造装置の銀ペーストキュア炉に関す
る。
る。
〔考案の概要〕 本考案は、半導体集積回路チップを銀ペーストでダイボ
ンディングしたリードフレームを、ヒートブロック上を
搬送しながら加熱して銀ペーストを硬化させる銀ペース
トキュア炉の、ヒートブロックの上面にリードフレーム
の搬送方向に連続する微小突起と、ヒートブロックに上
方にトーチ、下方に排気パイプと、タクト送りのリード
フレーム搬送手段とを設けた銀ペーストキュア炉であ
る。
ンディングしたリードフレームを、ヒートブロック上を
搬送しながら加熱して銀ペーストを硬化させる銀ペース
トキュア炉の、ヒートブロックの上面にリードフレーム
の搬送方向に連続する微小突起と、ヒートブロックに上
方にトーチ、下方に排気パイプと、タクト送りのリード
フレーム搬送手段とを設けた銀ペーストキュア炉であ
る。
半導体集積回路（以降ICと略称する）の製造工程は大き
く分けるとウェハープロービング、ペレタイズ、組立、
モールドの４工程に分けられ、（Semiconductor World
1985年５月号による）さらに、組立工程は第３図の工程
フローチャートで示すように細分される。
く分けるとウェハープロービング、ペレタイズ、組立、
モールドの４工程に分けられ、（Semiconductor World
1985年５月号による）さらに、組立工程は第３図の工程
フローチャートで示すように細分される。
第３図の工程フローチャートに示すようにペレタイズ工
程を経たICチップは、ダイボンディング工程でリードフ
レームに銀ペーストをダイボンディングされる。ICチッ
プをダイボンディングされたリードフレームは、第３図
に二重線で囲んだ銀ペーストキュア工程に送られ、加熱
されて銀ペーストが硬化され、次のワイヤボンディング
工程で配線が行われ、次のモールド工程に送られる。
程を経たICチップは、ダイボンディング工程でリードフ
レームに銀ペーストをダイボンディングされる。ICチッ
プをダイボンディングされたリードフレームは、第３図
に二重線で囲んだ銀ペーストキュア工程に送られ、加熱
されて銀ペーストが硬化され、次のワイヤボンディング
工程で配線が行われ、次のモールド工程に送られる。
従来の銀ペーストは150℃で長時間キュアが行われてい
たが、キュア作業のインライン化のために350℃でキュ
アできる高速キュアペーストが開発され、ダイボンダと
ワイヤボンダの間にキュア炉をはさんで組立工程をイン
ライン化したシステムが構成されるようになった。（Se
miconductor World 1985年５月号による） 従来の銀ペーストキュア炉は、第４図に示すように、IC
チップ８を銀ペーストによりダイボンディングされたリ
ードフレーム９は、ダイボンダ（図示せず）よりリード
フレーム９の長手方向に搬出され、銀ペーストキュア炉
１の、金属（例えばステンレススチール）細線を束ねた
ワイヤを用いたワイヤコンベア４上に移載して、搬送方
向を90度変更してリードフレーム９の短辺方向に低温ヒ
ートブロック2a、高温ヒートブロック2b上を移動しなが
ら加熱し、銀ペーストを硬化させる方法が採用されてい
た。
たが、キュア作業のインライン化のために350℃でキュ
アできる高速キュアペーストが開発され、ダイボンダと
ワイヤボンダの間にキュア炉をはさんで組立工程をイン
ライン化したシステムが構成されるようになった。（Se
miconductor World 1985年５月号による） 従来の銀ペーストキュア炉は、第４図に示すように、IC
チップ８を銀ペーストによりダイボンディングされたリ
ードフレーム９は、ダイボンダ（図示せず）よりリード
フレーム９の長手方向に搬出され、銀ペーストキュア炉
１の、金属（例えばステンレススチール）細線を束ねた
ワイヤを用いたワイヤコンベア４上に移載して、搬送方
向を90度変更してリードフレーム９の短辺方向に低温ヒ
ートブロック2a、高温ヒートブロック2b上を移動しなが
ら加熱し、銀ペーストを硬化させる方法が採用されてい
た。
しかしながら、銀ペーストキュア炉のヒートブロックは
入口側でのリードフレーム上のICチップのヒートショッ
クによるクラックを避けるために入口側の低温ヒートブ
ロックの温度を銀ペーストの硬化温度（約350℃、Semic
onductor World 1985年５月号による）より低く（約150
℃）に設定し、ICチップが充分温められてから次の高温
ヒートブロック（約350℃）にて加熱し、硬化させる方
法が採用されており、硬化時間が長くなり、その結果銀
ペーストキュア炉が大型化するという欠点がある。
入口側でのリードフレーム上のICチップのヒートショッ
クによるクラックを避けるために入口側の低温ヒートブ
ロックの温度を銀ペーストの硬化温度（約350℃、Semic
onductor World 1985年５月号による）より低く（約150
℃）に設定し、ICチップが充分温められてから次の高温
ヒートブロック（約350℃）にて加熱し、硬化させる方
法が採用されており、硬化時間が長くなり、その結果銀
ペーストキュア炉が大型化するという欠点がある。
また、銀ペーストは加熱により蒸発し、一旦蒸発した銀
ペーストが冷却されてICチップ上およびヒートブロック
上に降り注ぎ、ICチップ上の銀ペーストは、次のワイヤ
ボンディング工程でワイヤボンディング時に悪影響を与
え、ヒートブロック上の銀ペーストは、リードフレーム
をヒートブロック上に固着するという問題をおこていし
た。
ペーストが冷却されてICチップ上およびヒートブロック
上に降り注ぎ、ICチップ上の銀ペーストは、次のワイヤ
ボンディング工程でワイヤボンディング時に悪影響を与
え、ヒートブロック上の銀ペーストは、リードフレーム
をヒートブロック上に固着するという問題をおこていし
た。
前記問題を解決するために銀ペーストキュア炉の上部よ
り窒素ガスをリードフレーム上に吹きつけ、銀ペースト
蒸気を下部へ移送する方法が取られているが、リードフ
レーム上の温度が下がる、リードフレーム上の温度分布
が悪くなる等の欠点がある。また、銀ペースト蒸気を上
部に排気する方法もあるが、銀ペースト蒸気のうち粒径
の大きなものが排気されずICチップ上に降り注ぐ欠点が
ある。
り窒素ガスをリードフレーム上に吹きつけ、銀ペースト
蒸気を下部へ移送する方法が取られているが、リードフ
レーム上の温度が下がる、リードフレーム上の温度分布
が悪くなる等の欠点がある。また、銀ペースト蒸気を上
部に排気する方法もあるが、銀ペースト蒸気のうち粒径
の大きなものが排気されずICチップ上に降り注ぐ欠点が
ある。
そこで前記課題を解決するために本考案は、例えば第１
図に示す如く、半導体集積回路チップ８を銀ペーストで
ダイボンディングしたリードフレーム９を、ヒートブロ
ック2a,2b上を搬送しながら加熱してこの銀ペーストを
硬化させる銀ペーストキュア炉において、このヒートブ
ロック2a,2bの上面にこのリードフレーム９の搬送方向
に連続する微小突起３を設けると共にこのリードフレー
ム９をこのヒートブロック2a,2bに対してタクト送りす
るようにし、このリードフレーム９をこの微小突起３上
に間欠的に移載し、一時静止して加熱するようにしたも
のである。
図に示す如く、半導体集積回路チップ８を銀ペーストで
ダイボンディングしたリードフレーム９を、ヒートブロ
ック2a,2b上を搬送しながら加熱してこの銀ペーストを
硬化させる銀ペーストキュア炉において、このヒートブ
ロック2a,2bの上面にこのリードフレーム９の搬送方向
に連続する微小突起３を設けると共にこのリードフレー
ム９をこのヒートブロック2a,2bに対してタクト送りす
るようにし、このリードフレーム９をこの微小突起３上
に間欠的に移載し、一時静止して加熱するようにしたも
のである。
本考案によれば銀ペーストキュア炉のヒートブロック2
a,2b上面にリードフレーム搬送方向に連続する微小突起
３を設けることにより、リードフレーム９をヒートブロ
ック2a,2bのヒート面上に常に一定間隔を保って保持で
き、このリードフレーム９を直接ヒートブロック2a,2b
のヒート面上に載置することなく良好に加熱できると共
にタクト送りの搬送手段を設け、ダイボンドから送られ
てきたリードフレーム９をこの微小突起３上に間欠的に
移載し、一時静止して加熱するので、この銀ペーストキ
ュア炉を小型化できる。
a,2b上面にリードフレーム搬送方向に連続する微小突起
３を設けることにより、リードフレーム９をヒートブロ
ック2a,2bのヒート面上に常に一定間隔を保って保持で
き、このリードフレーム９を直接ヒートブロック2a,2b
のヒート面上に載置することなく良好に加熱できると共
にタクト送りの搬送手段を設け、ダイボンドから送られ
てきたリードフレーム９をこの微小突起３上に間欠的に
移載し、一時静止して加熱するので、この銀ペーストキ
ュア炉を小型化できる。
以下、本考案の一実施例の銀ペーストキュア炉について
図面を参照しながら説明する。
図面を参照しながら説明する。
第１図は本考案の一実施例の銀ペーストキュア炉１の斜
視図、第２図イ〜ニはリードフレーム９をタクト送りす
る動作を説明する側面図である。第１図において銀ペー
ストキュア炉１の上部カバーは説明の都合上図示してい
ないが、銀ペーストキュア炉１は上部カバーと下部カバ
ー６にて覆われ、熱が外部に逃げないように構成されて
いる。第１図においてICチップ８を銀ペーストによりダ
イボンディングされたリードフレーム９は、ダイボンダ
（図示せず）よりリードフレーム９の長手方向に搬出さ
れ、ワイヤコンベア４により90度方向を変更してタクト
送りにて搬送され、低温側ヒートブロック2aの上面に設
けられた微小突起３上に移載され、一時静止して加熱さ
れた後、タクト送りにて次の加熱位置に搬送される。低
温側ヒートブロック2aは、従来技術のところでも説明し
たが約150℃に加熱されており、ICチップ８のヒートシ
ョックによるクラックを防止する。リードフレーム９は
低温側ヒートブロック2a上面の微小突起３により低温側
ヒートブロック2aとの間に微小間隔を保って保持され
る。リードフレーム９は、さらにワイヤコンベア４によ
りタクト送りされ、高温側リードフレーム2b上面の微小
突起３上で約350℃で加熱され銀ペーストが硬化する。
なお、ヒートブロック2a、2bの上方にはトーチ５が設け
られており、低温側ヒートブロック2aの入口の部分を除
いて上方より熱ガスを吹き出し、ヒートブロック2a、2b
の熱とあわせてリードフレーム９を上下から加熱し、銀
ペーストの硬化時間を短縮すると同時に、加熱により蒸
発した銀ペースト蒸気をトーチ５から吹き出した熱ガス
により下方に移送し、ヒートブロック2a、2bの下方に設
けられた排気パイプ７により下部カバー６外部に排気
し、銀ペースト蒸気がICチップ８上に付着するのを防止
する。
視図、第２図イ〜ニはリードフレーム９をタクト送りす
る動作を説明する側面図である。第１図において銀ペー
ストキュア炉１の上部カバーは説明の都合上図示してい
ないが、銀ペーストキュア炉１は上部カバーと下部カバ
ー６にて覆われ、熱が外部に逃げないように構成されて
いる。第１図においてICチップ８を銀ペーストによりダ
イボンディングされたリードフレーム９は、ダイボンダ
（図示せず）よりリードフレーム９の長手方向に搬出さ
れ、ワイヤコンベア４により90度方向を変更してタクト
送りにて搬送され、低温側ヒートブロック2aの上面に設
けられた微小突起３上に移載され、一時静止して加熱さ
れた後、タクト送りにて次の加熱位置に搬送される。低
温側ヒートブロック2aは、従来技術のところでも説明し
たが約150℃に加熱されており、ICチップ８のヒートシ
ョックによるクラックを防止する。リードフレーム９は
低温側ヒートブロック2a上面の微小突起３により低温側
ヒートブロック2aとの間に微小間隔を保って保持され
る。リードフレーム９は、さらにワイヤコンベア４によ
りタクト送りされ、高温側リードフレーム2b上面の微小
突起３上で約350℃で加熱され銀ペーストが硬化する。
なお、ヒートブロック2a、2bの上方にはトーチ５が設け
られており、低温側ヒートブロック2aの入口の部分を除
いて上方より熱ガスを吹き出し、ヒートブロック2a、2b
の熱とあわせてリードフレーム９を上下から加熱し、銀
ペーストの硬化時間を短縮すると同時に、加熱により蒸
発した銀ペースト蒸気をトーチ５から吹き出した熱ガス
により下方に移送し、ヒートブロック2a、2bの下方に設
けられた排気パイプ７により下部カバー６外部に排気
し、銀ペースト蒸気がICチップ８上に付着するのを防止
する。
タクト送りの動作は、第２図イ〜ニ示すように行われ
る。第２図イに示すように、ワイヤコンベア４は下降し
た位置にあり、ICチップ８を銀ペーストによりダイボン
ディングされたリードフレーム９がダイボンダ（図示せ
ず）から搬出され、ワイヤコンベア４上に送られてく
る。ワイヤコンベア４は第２図ロの位置に上昇し、１ピ
ッチ分タクト送りされ第２図ハの位置に来て下降し、第
２図ニの位置でリードフレーム９は低温側ヒートブロッ
ク2a上の微小突起３上に移載されて一時静止し加熱さ
れ、次のリードフレーム９がダイボンダからワイヤコン
ベア４上に搬出されてくる。リードフレーム９はタクト
送りにより、ヒートブロック2a、2b上の微小突起３上に
一時静止状態で置かれる時間が比較的長く、加熱時間を
長く取ることができ、上方からのトーチ５から吹き出さ
れる熱ガスの加熱とあいまって効率良く加熱できると共
にこの銀ペーストキュア炉を小型化できる。
る。第２図イに示すように、ワイヤコンベア４は下降し
た位置にあり、ICチップ８を銀ペーストによりダイボン
ディングされたリードフレーム９がダイボンダ（図示せ
ず）から搬出され、ワイヤコンベア４上に送られてく
る。ワイヤコンベア４は第２図ロの位置に上昇し、１ピ
ッチ分タクト送りされ第２図ハの位置に来て下降し、第
２図ニの位置でリードフレーム９は低温側ヒートブロッ
ク2a上の微小突起３上に移載されて一時静止し加熱さ
れ、次のリードフレーム９がダイボンダからワイヤコン
ベア４上に搬出されてくる。リードフレーム９はタクト
送りにより、ヒートブロック2a、2b上の微小突起３上に
一時静止状態で置かれる時間が比較的長く、加熱時間を
長く取ることができ、上方からのトーチ５から吹き出さ
れる熱ガスの加熱とあいまって効率良く加熱できると共
にこの銀ペーストキュア炉を小型化できる。
本考案によれば、銀ペーストキュア炉のヒートブロック
の上面にリードフレーム搬送方向に連続する微小突起を
設け、リードフレームをヒートブロック上に常に一定間
隔を保って保持することにより、リードフレームがヒー
トブロック上に固着されることがない。次に、ヒートブ
ロックの上方にトーチを、下方に排気パイプを設け、リ
ードフレームをトーチから吹き出す熱ガスとヒートブロ
ックの熱により上下から加熱することにより加熱時間を
短縮し銀ペーストキュア炉が小型化されると同時に、加
熱により蒸発した銀ペースト蒸気をトーチから吹き出し
た熱ガスにより下方に移送し、排気パイプにより外部に
排出することにより、ICチップ上への銀ペースト蒸気の
付着がなくワイヤボンディング時の悪影響がない。そし
て、タクト送りのリードフレーム搬送手段を設けること
により、リードフレームを微小突起上で一時静止させて
効率よく加熱することができるので、銀ペーストキュア
炉の加熱時間を短縮でき、銀ペーストキュア炉が小型化
できる。
の上面にリードフレーム搬送方向に連続する微小突起を
設け、リードフレームをヒートブロック上に常に一定間
隔を保って保持することにより、リードフレームがヒー
トブロック上に固着されることがない。次に、ヒートブ
ロックの上方にトーチを、下方に排気パイプを設け、リ
ードフレームをトーチから吹き出す熱ガスとヒートブロ
ックの熱により上下から加熱することにより加熱時間を
短縮し銀ペーストキュア炉が小型化されると同時に、加
熱により蒸発した銀ペースト蒸気をトーチから吹き出し
た熱ガスにより下方に移送し、排気パイプにより外部に
排出することにより、ICチップ上への銀ペースト蒸気の
付着がなくワイヤボンディング時の悪影響がない。そし
て、タクト送りのリードフレーム搬送手段を設けること
により、リードフレームを微小突起上で一時静止させて
効率よく加熱することができるので、銀ペーストキュア
炉の加熱時間を短縮でき、銀ペーストキュア炉が小型化
できる。
以上のように、本考案により銀ペーストキュア炉は小型
化され、コストダウンが計れると同時にダイボンダと接
続してインラインで自動化を計ることができる。また、
銀ペースト蒸気の悪影響を排除できるので、ICの品質を
向上することができる。
化され、コストダウンが計れると同時にダイボンダと接
続してインラインで自動化を計ることができる。また、
銀ペースト蒸気の悪影響を排除できるので、ICの品質を
向上することができる。
第１図は本考案の一実施例の銀ペーストキュア炉の斜視
図、第２図イ〜ニは本考案のワイヤコンベアのタクト送
り動作を説明する側面図、第３図はIC組立工程フローチ
ャート、第４図は従来例の銀ペーストキュア炉の斜視図
である。 １……銀ペーストキュア炉 2a、2b……ヒートブロック ３……微小突起 ４……ワイヤコンベア ５……トーチ ６……下部カバー ７……排気パイプ ８……ICチップ ９……リードフレーム
図、第２図イ〜ニは本考案のワイヤコンベアのタクト送
り動作を説明する側面図、第３図はIC組立工程フローチ
ャート、第４図は従来例の銀ペーストキュア炉の斜視図
である。 １……銀ペーストキュア炉 2a、2b……ヒートブロック ３……微小突起 ４……ワイヤコンベア ５……トーチ ６……下部カバー ７……排気パイプ ８……ICチップ ９……リードフレーム
Claims (1)
- 【請求項１】半導体集積回路チップを銀ペーストでダイ
ボンディングしたリードフレームを、ヒートブロック上
を搬送しながら加熱して前記銀ペーストを硬化させる銀
ペーストキュア炉において、前記ヒートブロックの上面
に前記リードフレームの搬送方向に連続する微小突起を
設けると共に前記リードフレームを前記ヒートブロック
に対してタクト送りするようにし、前記リードフレーム
を前記微小突起上に間欠的に移載し、一時静止して加熱
するようにしたことを特徴とする銀ペーストキュア炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988082961U JPH0720915Y2 (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 銀ペーストキュア炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988082961U JPH0720915Y2 (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 銀ペーストキュア炉 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH028033U JPH028033U (ja) | 1990-01-18 |
| JPH0720915Y2 true JPH0720915Y2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=31307696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988082961U Expired - Lifetime JPH0720915Y2 (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 銀ペーストキュア炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0720915Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0723104Y2 (ja) * | 1990-09-11 | 1995-05-31 | 株式会社弘輝 | リフロー炉 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5925233A (ja) * | 1982-08-02 | 1984-02-09 | Hitachi Ltd | ペレツトボンダ |
| JPS59131154U (ja) * | 1983-02-22 | 1984-09-03 | 株式会社東芝 | マウントキユア装置 |
| JPS605125U (ja) * | 1983-05-31 | 1985-01-14 | ロ−ム株式会社 | 半導体装置組み立て用ヒ−タブロツク |
| JPS63144528A (ja) * | 1986-12-09 | 1988-06-16 | Nec Corp | 半導体装置の製造装置 |
-
1988
- 1988-06-24 JP JP1988082961U patent/JPH0720915Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH028033U (ja) | 1990-01-18 |
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