JPS60149142A - ワイヤボンデイング装置 - Google Patents

ワイヤボンデイング装置

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JPS60149142A
JPS60149142A JP59005922A JP592284A JPS60149142A JP S60149142 A JPS60149142 A JP S60149142A JP 59005922 A JP59005922 A JP 59005922A JP 592284 A JP592284 A JP 592284A JP S60149142 A JPS60149142 A JP S60149142A
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JP
Japan
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heating
bonding
wire bonding
lead frame
wire
Prior art date
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JP59005922A
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English (en)
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Hirofumi Nakajima
中島　宏文
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 不元明はワイヤボンディング装置にかかり、とくに半導
体素子を樹脂接着剤によってダイボンディングした半導
体装置におけるワイヤボンディング装置に関する。
半導体素子のダイボンティング方法には大別して共晶合
金による接着方法と導電性ペーストによる接着方法があ
る。導電性ペーストによる接着方法によれば共晶合金に
よる接着方法に比べて金を使う必要がないのでコストが
安くすみ、また、ダイボンディング装置の生産能力も半
導体素子を搭載する載に共晶化する為の振＠を与える必
要がないので１台当シの生産能力が倍増する利点を有し
ている。
しかし、４電性ペーストによる半導体素子の接着には通
常熱硬化性の接着剤を用いる為に接着剤を加熱して固着
させる工程が不可欠なものとなつておフ、従来作業者が
オーブン等によシバッチ処理をして加熱面Ｎを行なって
いたが、このような方法では加熱工程が別に設けられる
為にライン化が難しく目動化の妨げとなっていた。
近年、加熱固着時間の短縮の要望に適する導電性ペース
トも市販され初めてお、！７．３０秒から１分層度でボ
ンディング時にかかる衝撃に十分な接Ｎ強度を有するも
のも表われている・これらの導電性ペーストラ使用する
ことを前提としてダイボンディングと銀ペースト加熱同
化を自動的に１台の機械で行なうダイボンダーも提案さ
れている。
しかしながら導電性ペーストによってダイボンディング
する場合、半導体素子をリードフレームに搭載するイン
デックスは１秒程度であり、半導体素子搭載と加熱固Ｎ
’ｆｒ連結して行なう場合、例えば加熱固着に３０秒の
時間が必要ならば半導体素子３０個分の加熱スペースが
必要となる。即ち半導体素子搭載機構の生産能力に適合
するだけの加熱固化機、＊’ｉ設けようとすれば、短時
間固Ｎ型の導電ペーストラ用いても非常に大きなスペー
スが必要となるわけで、工場のスペース効率の点から考
えて好ましくない、また、半導体素子搭載部と加熱固着
部を連結したダイボンダーにおいては機械の設足ミスに
より半導体素子の搭載方向が誤まって−たり、位置ズレ
している場合も量産時には想足されるが、その場合、作
業者が気がつく迄は素子搭載、加熱固着を自動作業で行
なってしまうわけてあり不良品を多量に発生させる原因
になる。
更に導電性ペーストの供給量を過少に設足してしまった
場合や導電性ペーストラ使い切ってしまったのに気づか
ない場合も同様に作業者が気がつくまでは自動作業によ
って不艮品全多量に発生してしまう。
本発明は上記の状況に鑑みてなされたものであシ、その
目的とするところはスペース効率の良す。
コンパクトな加熱固着機構によって自動化を行な。
い、かつダイボンディング工程での多量な不良品発生を
防ぐことＶこある。
本発明は樹脂接着剤を用いて半導体素子が搭載されたリ
ードフレーム又はパッケージを供給部から自動ｊｉＭ送
を行なう機構と、ワイヤボンディングステージへ至る直
前に位置する加熱機構によって半導体素子を接層してい
る樹脂接着剤を加熱固着し、その後にワイヤボンディン
グを行なうことを特徴とするワイヤボンディング装置で
ある。
ダイボンダーのインデックスが１秒程度であるのに対シ
、ワイヤボンダーのインデックスは製品のワイヤ数によ
って異なシ、例えばワイヤ数が２４本の製品のインデッ
クスは５秒程夏、ワイヤ数４０不の製品のインチ、クス
は９秒程度であるので加熱固化に３０秒間必要な導電性
ペーストに対しては、ワイヤ数４０本の製品では十碑体
素子４個分の加熱スペースを設計すれは良い、即ち、加
熱固着に必要なスペースが非常に小さくなるわけで。
加熱固看機構全ダイボンダーに連結した場合と比較して
１／７のスペースに納まることになる。
更に熱圧着式ワイヤボンダーの場合３００°０以上でボ
ンディング作業を行なう為にボンディングの直前に予備
加熱ステーションを設けるのが普通であるが、不発明に
よれば導電性ペーストの加熱固化と同時に半導体素子を
３００℃程度に加熱するので予備加熱の役割も呆し従来
の予備加熱用ヒータープロ、りを導電性ペーストの加熱
固着に必要な長さ分延長させるだけでその役割全果すこ
とになる。以下に不発明を実施例に基づいて説明する・
第１図は従来のリードフレーム用熱圧着式ワイヤボンダ
ーであり、半導体索子１１が導電性ペーストによって搭
載、加熱固着されたリードフレーム１２が供給側トレー
１３から自動搬送機構によって送り出されヒーターブロ
ック１４のある予備加熱ステージ１５を経て、ワイヤボ
ンディングステージ１６に自動搬送される。ここでモニ
ター１７によって半導体索子の正確な位置が自動認識さ
れた後にキャピラリー１８によって半導体素子り電極パ
ッドとリードフレームの対応するリードが１つずつ金属
ａ線１９によって結服される。全て結？ｄされｌヒ後に
、更に自動搬送されてトレー２０に収納される。第２図
は不発明をワイヤ数４０本の製品に適用した一実施例で
ある。半導体索子２１が樹脂接着剤によって搭載された
加熱固着前のす−ドフレーム２２が供給側トレー２３か
ら自動搬送機構によって送勺出される。ワイヤ数４０本
の場合、ワイヤボンティングに９秒程度かかるので３０
秒で加熱固層する樹脂接着剤を使った場合半導体素子４
個分の加熱スペースが必要となる。従ってヒーターブロ
ック２４を４個分ワイヤボンディング前に加熱できるよ
うに延長して設計した。
短時間ベークの場合、多量のガスが発生するので該ガス
で牛４坏素子表面を汚染しないように素子真上から加熱
されたチッソガスをガス管２５によって吹きつけて表面
を清浄に保つ・ また、発生したガスを排気する為にダクト２６によって
加熱固着郡全体をおおう。加熱固着された半導体素子は
ボンディングステージ２７に自動搬送されてワイヤボン
ディングされた後トレー２８に収納される。
不発明によるワイヤボンティング装置によれば以下のよ
うな理想的な工程が可能となる。即ち。
先ずダイボンダーによって半導体素子はリードフレーム
又はパッケージに樹脂接着剤で搭載される。
半導体素子は搭載状態の点検を受け１Ｍ載位置や方向の
正しくないものや樹脂接着剤の不足しているものが発見
された場合は修正される。その後本発明のワイヤボンダ
ーに供給して樹脂接着剤の加熱固着とワイヤボンディン
グを一連の目動作業で行なう。このように、作業ミスに
よる不良品の多量発生を防ぎ、半導体素子の組立の目動
化全推進する不発明は共晶合金によるダイボンティング
法から樹脂接着法によるダイボンディング法への移行を
史に促進するものであり、原価の低減に貢献するもので
ある。
なお、実施例においてはリードフレーム用熱圧着ワイヤ
ボンダーについて述べたが、それに駆足するものではな
く、セラミックパッケージ用超音波ワイヤボンダーにも
適用されることは゛言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のワイヤボンディング装置をボす図であ９
第２図は本発明による一ワイヤボンディング装置の実施
例を示す図である。 尚１図において、 １１．２１・・・・・・半導体素子、１２．２２・・・
・・・リードフレーム、１３，２３・・・・・供給側ト
レー、１４゜２４・・・・・・ヒーターブロック、１５
・・・・・・予備加熱ステージ上の半導体素子、１６．
２７・・・・・・ワイヤボンディングステージ上の半導
体素子、１７・・・・・・モニ゛ター％　１８・・・・
・・キャピラリー％　１９・・・・・・金属細線、２０
．２８・・・・・・収納側トレー、２５・・・・・・チ
ッソ用ガス管、２６・・・・・・ダクトである。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）樹ｍ接着剤を用いて半導体素子が搭載されたリー
    ドフレーム又はパッケージを金属細線で結線するワイヤ
    ボンディング装置においてリードフレーム又はパッケー
    ジを供給部から目動搬送を行なう機構とワイヤボンディ
    ングへ至る直前に位置する加熱機構によって半導体素子
    を接着している樹脂接着剤を加熱固着し、その後にワイ
    ヤボンデ−゛インクを行なうことを特徴とするワイヤボ
    ンディング装置。
  2. （２）　上記加熱機構はリードフレームの下に位置する
    ヒータープロ、りとリードフレームに搭載された半４捧
    累子の真上に位置するガス噴射口から吹出す加熱チッソ
    と加熱によって発生するガスを排気する為に設けられた
    ダクトから成る仁とを特徴とする特許請求範囲第（１）
    項記載のワイヤボンディング装置・
JP59005922A 1984-01-17 1984-01-17 ワイヤボンデイング装置 Pending JPS60149142A (ja)

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JP59005922A JPS60149142A (ja) 1984-01-17 1984-01-17 ワイヤボンデイング装置

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JP59005922A JPS60149142A (ja) 1984-01-17 1984-01-17 ワイヤボンデイング装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003012833A3 (en) * 2001-08-01 2004-03-04 Li Logix Inc D B A Rd Automati Process and apparatus for mounting semiconductor components to substrates and parts therefor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003012833A3 (en) * 2001-08-01 2004-03-04 Li Logix Inc D B A Rd Automati Process and apparatus for mounting semiconductor components to substrates and parts therefor
US6818543B2 (en) 2001-08-01 2004-11-16 Lilogix, Inc. Process and apparatus for mounting semiconductor components to substrates and parts therefor

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