JPH0330345A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPH0330345A
JPH0330345A JP1164625A JP16462589A JPH0330345A JP H0330345 A JPH0330345 A JP H0330345A JP 1164625 A JP1164625 A JP 1164625A JP 16462589 A JP16462589 A JP 16462589A JP H0330345 A JPH0330345 A JP H0330345A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
wire
semiconductor device
bonding
wires
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1164625A
Other languages
English (en)
Inventor
Mamoru Suwa
諏訪 守
Koji Watanabe
浩二 渡邉
Nobuo Oyama
大山 展生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP1164625A priority Critical patent/JPH0330345A/ja
Publication of JPH0330345A publication Critical patent/JPH0330345A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301Capillary
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7865Means for transporting the components to be connected
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512Aligning
    • H01L2224/85148Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518Translational movements
    • H01L2224/85181Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201Compression bonding
    • H01L2224/85205Ultrasonic bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015Shape
    • H01L2924/1016Shape being a cuboid
    • H01L2924/10162Shape being a cuboid with a square active surface

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 半導体装置の複数個分を連接したリードフレームのリー
ドと該リードフレームに取り付けた半導体チップとの間
を、半導体装置の一個分宛順次にワイヤで接続するワイ
ヤボンディングの方法に関し、 該リードが薄く細長くなっても、ワイヤボンディング中
の超音波振動やその他の機械的振動により、リードフレ
ームのワイヤ接続済となった半導体装置部分にワイヤの
変形や断線が生ずることのないようにすることを目的と
し、 リードフレームのワイヤ接続済となった半導体装置部分
のリードを固定状態にして、ワイヤボンディングを行う
ように構成する。
(産業上の利用分野] 本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に、半導体
装置の複数個分を連接したリードフレームのリードと該
リードフレームに取り付けた半導体チップとの間を、半
導体装置の一個分宛順次にワイヤで接続するワイヤボン
ディングの方法に関する。
多(の半導体装置の製造では、半導体装置の複数個分を
連接したリードフレームを用い樹脂封止を採用して生産
効率を高めており、その場合には上記したワイヤボンデ
ィングの工程がある。そして当然のことながらその工程
においても不良発生を極力少なくすることが重要である
[従来の技術] 上述したリードフレームは、概要が第3図(a) (b
)の平面図と側面図に実線で示され、厚さ0.1〜0.
3mm程度の金属条をプレス加工などによりパタニング
し適宜の表面処理を施したものである。
図中、1はリードフレーム、2は半導体チップC長上に
あり半導体装置の外部接続用となるリード(アウタリー
ド)、6はこれらを支持する外枠、であり、Lが半導体
装置の一個分を示す。
そして、チップバッド2に取り付けられた半導体チップ
Cの回路をリード3に導出するために、半導体チップC
上の端子とリード3の先端部との間を金またはアルミニ
ウムなどのワイヤWで接続するワイヤボンディングが施
される。このワイヤボンディングには、熱または超音波
、或いは熱と超音波の併用により圧着接合する技術が用
いられる。また、リードフレームlが半導体装置の複数
個分を連接したものであるために、このワイヤボンディ
ングは、リードフレーム1の一方の端から半導体装置の
一個分宛順次に行われる。
ところで、上記半導体装置の一個分宛順次に行うワイヤ
ボンディングの方法の従来例は、第4図(a) (b)
の平面図と側面図に示される。
第4図において、11はボンディングステーション、1
2はボンディングツール、13はボンディング加工用台
、14はリードフレームクランパ、15は搬送レール、
である。
ワイヤボンディングは、ボンディングステーション11
において行う。その手順は、細部の図示を省略しである
が、リードフレーム1の上方に配設したボンディングツ
ール12が、ワイヤWの端部を一方の接合箇所である半
導体チップCの端子に押圧して圧着接合し、そのワイヤ
Wを繰り出しながら一旦上昇し、ワイヤWの途中を他方
の接合箇所であるリード3の先端部上面に押圧して圧着
接合し、その後に上昇しながらワイヤWを引張切断して
一つの接続を完了し、次の接続に移るものである。
その際、リードフレーム1の下に配設した加工用台13
は、加熱状態にして上記圧着接合に必要な加熱をリード
フレームlに与えると共に、ツール12に押圧されるリ
ードフレームlを支え、リードフレームlの上に配設し
たクランパ14は、リードフレーム1の上記ボンディン
グに必要な傾城の周囲を加工用台13上に押さえつけて
固定し、ツール12が上昇する際のリードフレームlの
浮き上がりを抑える。
そして、このワイヤボンディングをリードフレーム1の
一方の端から半導体装置の一個分宛順次に行うことから
、リードフレーム1を不図示の送り機構により半導体装
置の一個分宛を順次に搬送する。このために、ボンディ
ングステーション11部及びその前後に渡るリードフレ
ームlの搬送路の両側部に、リードフレーム1の側端部
をガイドする対の搬送レール15を配設しである。また
、クランパ14は、リードフレーム1の搬送時に上昇退
避させて、その搬送に支障のないようにしである。
〔発明が解決しようとする課題〕
一方、近年の半導体装置に対する多ビン化(導出端子数
の増大化)や低コスト化などの要求により、第3図で説
明したリードフレーム1は、厚さが薄く、リード3が幅
細に且つ長くなってきている。
このために、リードフレーム1の固定がボンディングス
テーション11部のみである従来例では、ワイヤボンデ
ィング中の超音波振動やその他の機械的振動がリードフ
レーム1のワイヤ接続済となった半導体装置部分に伝わ
り、そこのり一ド3やワイヤWが振動してワイヤWに変
形や断線が生ずる問題が発生してきた。このことは、半
導体装置の製造歩留り低下及び信頼性低下を招くもので
ある。
そこで本発明は、半導体装置の複数個分を連接したリー
ドフレームのリードと該リードフレームに取り付けた半
導体チップとの間を、半導体装置の一個分宛順次にワイ
ヤで接続するワイヤボンディングの方法において、該リ
ードが薄く細長くなっても、ワイヤボンディング中の超
音波振動やその他の機械的振動により、リードフレーム
のワイヤ接続済となった半導体装置部分にワイヤの変形
や1kfrVAが生ずることのないようにすることを目
的とする。4 [課題を解決するための手段] 上記目的は、リードフレームのワイヤ接続済となった半
導体装置部分のリードを固定状態にして、ワイヤボンデ
ィングを行う本発明の半導体装置の製造方法によって達
成される。
[作 用] 先に述べたように上記ワイヤの変形や断線はワイヤが接
合されたリードとそのワイヤの振動によって生ずるが、
このワイヤの振動は主としてそのリードの振動に起因す
る。このことがら、このリードを固定状態にすれば、そ
のリードの振動は勿論のことそのワイヤの振動も抑えら
れて、問題にしているワイヤの変形や断線が生じなくな
る。
[実施例] 以下本発明の実施例について第1図及び第2図を用いて
説明する。第1図(a) (b)は第1実施例を説明す
る平面図と側面図、第2図は第2実施例を説明する側面
図、であり、全図を通し同一符号は同一対象物を示す。
第1図(a) (b)を参照して、この第1実施例は、
第4図で説明した従来例において、リードフレームlの
ワイヤ接続された半導体装置部分がボンディングステー
ション11から1ステツフ″搬送される位置に、リード
フレーム押さえ用台16及びリードフレームクランパ1
7を配設したものである。
押さえ用台16は、加工用台13と同様にリードフレー
ム1の下に配設し、上から押圧されるリードフレームl
を支える。
クランパ17は、クランパ14と同様なものであり、リ
ードフレーム1の上に配設し、ボンディングステーショ
ン11においてワイヤボンディングがなされる際に、リ
ードフレーム1のワイヤ接続済となった半導体装置部分
のワイヤボンディング領域の周囲を押さえ用台16に押
さえつけて固定する。また、リードフレーム1の搬送時
には、クランパ14と同様に上昇退避させてその搬送に
支障のないようにする。
リードフレーム1の搬送は、いうまでもなく半導体装置
−個分宛の順次進行であり、そのための送り機構は、不
図示であるが周知の爪送り機構などである。
このようにすることにより、リードフレームlのクラン
パ17で押さえられたり一ド3は、ワイヤボンディング
の際に生じていた従来例の振動が抑えられ、同時にそこ
のワイヤに生じていた振動も生じなくなり、クランパ1
7を配設した箇所では問題にしているワイヤの変形や断
線が生じなくなる。
また、リードフレーム1のワイヤ接続された半導体装置
部分がボンディングステーション11がら2ステップ以
上搬送される位置では、その1ステツプ目がクランパ1
7で固定されているために、ボンディングステーション
11から伝わる振動が大幅に減衰して上記ワイヤの変形
や断線の生ずる恐れが殆どなくなる。
上述した第1実施例によれば、ワイヤの断線発生率は従
来例のほぼ1/10程度に低減している。
そしてこれに伴い、半導体装置の信顛性も向上している
ものと判断される。
次に、第2図を参照して、この第2実施例は、第4図で
説明した従来例において、第1実施例で説明したリード
フレーム押さえ用台16及びリードフレームクランパ1
7を、リードフレームlのワイヤ接続された半導体装置
部分がボンディングステーション11からステップ搬送
される各ステップ毎の全ての位置に配設したものである
このようにすることにより、ワイヤボンディング装置の
構成は第1実施例の場合より複雑になるが、問題にした
振動に起因するワイヤの変形や断線が全く生じなくなる
〔発明の効果] 以上説明したように本発明の構成によれば、半導体装置
の複数個分を連接したリードフレームのリードと該リー
ドフレームに取り付けた半導体チップとの間を、半導体
装置の一個分宛順次にワイヤで接続するワイヤボンディ
ングの方法において、該リードが薄く細長くなっても、
ワイヤボンディング中の超音波振動やその他の機械的振
動により、リードフレームのワイヤ接続済となった半導
体装置部分にワイヤの変形や断線が生ずることのないよ
うにすることができて、半導体装置の製造歩留り及び信
頼性の両方を同時に向上させる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(a) (t))は第1実施例を説明する平面図
と側面図、 第2図は第2実施例を説明する側面図、第3図(a) 
(b)はリードフレームを説明する平面図と側面図、 第4図(a) (’b)は従来例を説明する平面図と側
面図、である。 図において、 1はリードフレーム、 3はリード、 11はボンディングステーション、 12はボンディングツール、 13はボンディング加工用台、 14.17はリードフレームクランパ、15は搬送レー
ル、 16はリードフレーム押さえ用台、 Cは半導体チップ、 Lは半導体装置の一個分、 Wはワイヤ、 である。 1−ドフレームΣ都υ調ずう!F元記と1り面の13 

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体装置の複数個分を連接したリードフレームのリー
    ドと該リードフレームに取り付けた半導体チップとの間
    を、半導体装置の一個分宛順次にワイヤで接続するワイ
    ヤボンディングを行う際に、リードフレームのワイヤ接
    続済となった半導体装置部分のリードを固定状態にして
    、ワイヤボンディングを行うことを特徴とする半導体装
    置の製造方法。
JP1164625A 1989-06-27 1989-06-27 半導体装置の製造方法 Pending JPH0330345A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1164625A JPH0330345A (ja) 1989-06-27 1989-06-27 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1164625A JPH0330345A (ja) 1989-06-27 1989-06-27 半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0330345A true JPH0330345A (ja) 1991-02-08

Family

ID=15796754

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1164625A Pending JPH0330345A (ja) 1989-06-27 1989-06-27 半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0330345A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100237324B1 (ko) * 1997-07-15 2000-01-15 김규현 반도체 패키지 제조용 와이어 본딩 장비의 인너리드 클램프구조 및 이를 이용한 와이어 본딩 방법
KR20010111438A (ko) * 2000-06-10 2001-12-19 마이클 디. 오브라이언 리드프레임 오리엔테이션 검출 방법 및 이에 사용되는히트블록 클램프

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100237324B1 (ko) * 1997-07-15 2000-01-15 김규현 반도체 패키지 제조용 와이어 본딩 장비의 인너리드 클램프구조 및 이를 이용한 와이어 본딩 방법
KR20010111438A (ko) * 2000-06-10 2001-12-19 마이클 디. 오브라이언 리드프레임 오리엔테이션 검출 방법 및 이에 사용되는히트블록 클램프

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6467672B2 (en) Methods for clamping and wire-bonding the leads of a lead frame one set at a time
JP4860128B2 (ja) ワイヤボンディング方法
US6662993B2 (en) Bondhead lead clamp apparatus
JPH08255862A (ja) リードフレーム、樹脂封止型半導体装置、その製造方法及び該製造方法で用いる半導体装置製造用金型
KR100721280B1 (ko) 반도체 칩 조립체의 형성 방법과 기판 상의 회로로부터반도체 칩으로 와이어 본드부를 형성하는 장치
JPH0330345A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2003347345A (ja) 半導体装置、その製造方法及び製造装置
JPH07142525A (ja) 半導体デバイス、接続ワイヤ・ボンディング方法、及びボンディング区域結合方法
JP3293757B2 (ja) 半導体装置製造用リードフレーム組立体の製造方法
KR100565960B1 (ko) 와이어 본딩 장치
JPH0758162A (ja) 配線シート
JPH05243307A (ja) 半導体装置
JPH0251258B2 (ja)
JPH0582578A (ja) ワイヤボンデイング装置
JP2000183096A (ja) 半導体装置、その半導体装置のワイヤボンディング方法及びワイヤボンダ
JPH03127844A (ja) ボンディング装置およびボンディング方法
JPH077034A (ja) ワイヤボンディング方法
JPS6384130A (ja) ワイヤボンディング方法
JPS60149142A (ja) ワイヤボンデイング装置
JPH0719867B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の外部リード成形方法
JPH10199913A (ja) ワイヤボンディング方法
JP2001015543A (ja) ワイヤボンディング装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法
JPH05299568A (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JPH04352443A (ja) 半導体チップとリードフレームとの接続方法
JPH11274385A (ja) 半導体装置製造用リードフレーム及び半導体装置製造用リードフレーム組立体の製造方法