JPS58223339A - 半導体ペレツトのワイヤボンデイング方法 - Google Patents
半導体ペレツトのワイヤボンデイング方法Info
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体ペレットのワイヤボンディング方法に
関するＯ 〔発明の技術的背景〕 ＩＣ（集積回路）やＬＳＩ（大規模集積回路）などの半
導体装置を製造するときのワイヤボンディング装置では
、全１鳥薄片板にニッケル、銀などのメッキ被膜を施こ
した多数組のリードを連続的シー配したリードフレーム
を用い、上記リードフレームを送り標１描により順送１
）シ、てボンディング作業位置であらかじめ前工程で加
熱してリードフレームごニマウント剤を介して接合され
ていた半導体ペレットの至極とリードとをＡｕワイヤで
接続している〇 第１図ロニ従来のワイヤボンディング装置を示す。同図
（Ａ）はその平面図、同図（Ｂ）は側面図、同図（Ｃ１
は断面図である◎弔ｌ因において、ｔｉはリードフレー
ムである。上Ｊ己す−ドフレームＩＩは１組のガイドレ
ール１２上をフレームフィーダ（図ボせず）Ｃ二より順
送りされてボンティング作業位置ａに送られる０まだ、
ボンティングポジション下部にはヒータブロック１３が
設けられている。上記ヒータブロックＪＪにはカートリ
ッジヒータ１４が収り付けられていると共にヒータブロ
ック１３の上万Ｃ二不活性カスを噴出されるためのガス
穴１５が設けられている。また、１６は上記リードフレ
ーム７１Ｉ−マウント剤を介して接合しである半導体ペ
レットである。そして、１７ないしノ９はそれぞれガス
昼囲気を保つためと上Δ己す−ドフレームｌｌを押える
ためのカバーである。すノＩわち、ＩＪ−ドフレームＩ
Ｉ−ヒ（１半導体ペレット１６を接合する場合、半田、
金のマウント剤ではＮ２などの不活性ガス巾約３５０
℃〜４３０℃に熱しながらマウントされる。また、導′
屯性ペーストのマウント剤を使用した場合では万一ブン
を用いてオフラインで約１７５℃で３０分間キュアして
半導体ペレットを接合硬化する。ところで。
関するＯ 〔発明の技術的背景〕 ＩＣ（集積回路）やＬＳＩ（大規模集積回路）などの半
導体装置を製造するときのワイヤボンディング装置では
、全１鳥薄片板にニッケル、銀などのメッキ被膜を施こ
した多数組のリードを連続的シー配したリードフレーム
を用い、上記リードフレームを送り標１描により順送１
）シ、てボンディング作業位置であらかじめ前工程で加
熱してリードフレームごニマウント剤を介して接合され
ていた半導体ペレットの至極とリードとをＡｕワイヤで
接続している〇 第１図ロニ従来のワイヤボンディング装置を示す。同図
（Ａ）はその平面図、同図（Ｂ）は側面図、同図（Ｃ１
は断面図である◎弔ｌ因において、ｔｉはリードフレー
ムである。上Ｊ己す−ドフレームＩＩは１組のガイドレ
ール１２上をフレームフィーダ（図ボせず）Ｃ二より順
送りされてボンティング作業位置ａに送られる０まだ、
ボンティングポジション下部にはヒータブロック１３が
設けられている。上記ヒータブロックＪＪにはカートリ
ッジヒータ１４が収り付けられていると共にヒータブロ
ック１３の上万Ｃ二不活性カスを噴出されるためのガス
穴１５が設けられている。また、１６は上記リードフレ
ーム７１Ｉ−マウント剤を介して接合しである半導体ペ
レットである。そして、１７ないしノ９はそれぞれガス
昼囲気を保つためと上Δ己す−ドフレームｌｌを押える
ためのカバーである。すノＩわち、ＩＪ−ドフレームＩ
Ｉ−ヒ（１半導体ペレット１６を接合する場合、半田、
金のマウント剤ではＮ２などの不活性ガス巾約３５０
℃〜４３０℃に熱しながらマウントされる。また、導′
屯性ペーストのマウント剤を使用した場合では万一ブン
を用いてオフラインで約１７５℃で３０分間キュアして
半導体ペレットを接合硬化する。ところで。
ワイヤボンティング工程ではヒータブロックノ３のガス
穴１５から不活性ガスを噴出し、且つ約３００℃の温度
条件のもとで半躊体ペレツ）ｉ６の電ｓｈとリードフレ
ームｌ！のリードとを金ワイヤなどで接続している。
穴１５から不活性ガスを噴出し、且つ約３００℃の温度
条件のもとで半躊体ペレツ）ｉ６の電ｓｈとリードフレ
ームｌ！のリードとを金ワイヤなどで接続している。
このように従来のボンティング方法ではマウント工程と
ボンディング工程で高温度の作業を余儀なくされるため
、リードフレームＩＩは酸化を押えるためｆ１銀メッキ
を施こしである。このため、リードフレームＩＩがコス
ト＾になってしまうという欠湊があった０また、このよ
うＣニリードフレーム７７に施こされた銀メ′ツキのた
め（二材料の安定性が悪（なるという欠点がありた。例
えは、銀メッキが薄いと下地金属が酸化し、メッキのハ
ガレやフグレが発生ずるということがある。このため、
轍メッキの管理には充分子二注意を払わなければならな
いと共Ｃ二、累子Ｃ−信頼性を損なう原因となっている
Ｏさら（−また、銀メッキは製造工程を分断するため、
半導体製造工程の霞れを悪くする原因となっているＯ 〔発明の目的〕 この発明は上記の点に朧みてなされたもので。
ボンディング工程で高温度の作業を余儀なくされるため
、リードフレームＩＩは酸化を押えるためｆ１銀メッキ
を施こしである。このため、リードフレームＩＩがコス
ト＾になってしまうという欠湊があった０また、このよ
うＣニリードフレーム７７に施こされた銀メ′ツキのた
め（二材料の安定性が悪（なるという欠点がありた。例
えは、銀メッキが薄いと下地金属が酸化し、メッキのハ
ガレやフグレが発生ずるということがある。このため、
轍メッキの管理には充分子二注意を払わなければならな
いと共Ｃ二、累子Ｃ−信頼性を損なう原因となっている
Ｏさら（−また、銀メッキは製造工程を分断するため、
半導体製造工程の霞れを悪くする原因となっているＯ 〔発明の目的〕 この発明は上記の点に朧みてなされたもので。
安価で晶信籾性の半導体装置を得るための半導体ペレッ
トのワイヤボンディング方法ヲ提供すること（二ある。
トのワイヤボンディング方法ヲ提供すること（二ある。
所だ関係位置■二おかねた半導体ペレットとリードとを
ワイヤで接続するワイヤボンティング方法Ｃ二おいて、
ボッディング前ポジションとボンディングポジションと
１−ヒータブロックとカバーと（二より半冨閉した空間
を設け、この空間部とボンディング作業用開口部と蓄ニ
ヒータブロックを介して予熱された還元ガスを供給して
還元ガス（二より酸化したリードフレームを還元しなが
らボッディングしている。
ワイヤで接続するワイヤボンティング方法Ｃ二おいて、
ボッディング前ポジションとボンディングポジションと
１−ヒータブロックとカバーと（二より半冨閉した空間
を設け、この空間部とボンディング作業用開口部と蓄ニ
ヒータブロックを介して予熱された還元ガスを供給して
還元ガス（二より酸化したリードフレームを還元しなが
らボッディングしている。
以下１図面を為照してこの発明の一実施例Ｃ二ついて説
叩する◎第２図はこの発明Ｃ２係るワイヤボンティング
方法を示している◎同図（Ａ）はその平田１Ｎ、同図（
ＩＪ）は側面図、同図Ｃ）は断■１図である。第２図に
おいて、２０はリードフレームである０上ａ己リードフ
レーム２０はガイドレール２ノ上を案内されなからボン
ディング位置ａまでｌ１ｌＩＪ送される０また。ボンテ
ィング削ポジションとボンティングポジション石川≦ｆ
二はヒータブロック２２及び２３が設置され、各々上下
動できる移動軸２４及び２５に取付けられている。
叩する◎第２図はこの発明Ｃ２係るワイヤボンティング
方法を示している◎同図（Ａ）はその平田１Ｎ、同図（
ＩＪ）は側面図、同図Ｃ）は断■１図である。第２図に
おいて、２０はリードフレームである０上ａ己リードフ
レーム２０はガイドレール２ノ上を案内されなからボン
ディング位置ａまでｌ１ｌＩＪ送される０また。ボンテ
ィング削ポジションとボンティングポジション石川≦ｆ
二はヒータブロック２２及び２３が設置され、各々上下
動できる移動軸２４及び２５に取付けられている。
」１記移動軸２４及び２５は上記リードフレーム゛・０
の送り機構（図示せず）と連動している。
の送り機構（図示せず）と連動している。
上記ヒータブロック２２及び２３にはカートリッジヒー
タ２６が取付けであると共（−１他の適当な位置（二還
元ガスを供給したとき、ヒータブロック２２．２３の上
方に予熱ガスを噴出するためガス穴２７を設けである。
タ２６が取付けであると共（−１他の適当な位置（二還
元ガスを供給したとき、ヒータブロック２２．２３の上
方に予熱ガスを噴出するためガス穴２７を設けである。
また、２８ないし３０紹それぞれガス雰囲気を保持する
ため及び上記リードフレーム２０を押えるためのカバー
である。なお、上台ピカバー３０にはボンティング作業
用開口部３１が設けである。すなわち、ボンティング前
ポジションとボンディングポジションと（二重記ヒータ
ブロック２２．２Ｂと上記カバー２８〜３０と１−より
半密閉した空間部３２を設けている。また、上記ボンテ
ィング作業相開］二」部３ノと上記空間部、９２とは孔
３３により連通している。上記空間部３２とボンティノ
ブ作業用開口部３ノとに上記ヒータブロック２２．２３
を介して予熱された還元ガスを供給し、この還元ガスＣ
：より酸化したリードフレーム２０を還元しながらボン
ディングするようにしたもθ）である。
ため及び上記リードフレーム２０を押えるためのカバー
である。なお、上台ピカバー３０にはボンティング作業
用開口部３１が設けである。すなわち、ボンティング前
ポジションとボンディングポジションと（二重記ヒータ
ブロック２２．２Ｂと上記カバー２８〜３０と１−より
半密閉した空間部３２を設けている。また、上記ボンテ
ィング作業相開］二」部３ノと上記空間部、９２とは孔
３３により連通している。上記空間部３２とボンティノ
ブ作業用開口部３ノとに上記ヒータブロック２２．２３
を介して予熱された還元ガスを供給し、この還元ガスＣ
：より酸化したリードフレーム２０を還元しながらボン
ディングするようにしたもθ）である。
次【二、上記のようＣ二＠成さねたこの発明の詳細な説
明する。リードフレーム２０Ｉユ半４体ペレットをマウ
ント剤を用いて接合するとき、リードフレーム２０は酸
化されるのが一般的である。このような酸化を防ぐため
にＮ、などの不活性ｔｊスを用いて酸化をくいとめてい
る。しかし、Ｎ、などの不活性ガスによる酸化の防止は
完全に行なうことはできない―今１例えはリードフレー
ムとして銀メッキを施こさないＵｕｌＪ′ａのものを使
用する。マウント工程で酸化物が付省したｅ ｕフレー
ムをボンディングするとき。
明する。リードフレーム２０Ｉユ半４体ペレットをマウ
ント剤を用いて接合するとき、リードフレーム２０は酸
化されるのが一般的である。このような酸化を防ぐため
にＮ、などの不活性ｔｊスを用いて酸化をくいとめてい
る。しかし、Ｎ、などの不活性ガスによる酸化の防止は
完全に行なうことはできない―今１例えはリードフレー
ムとして銀メッキを施こさないＵｕｌＪ′ａのものを使
用する。マウント工程で酸化物が付省したｅ ｕフレー
ムをボンディングするとき。
まずボンティング自すポジションで退冗ガス（Ｎ２＋１
１．力４５％以′Ｆ）、温度１総３００〜３５０℃１時
聞３０秒以上を維持して加熱することによりぷ元しリー
ドフレーム２０の表面の酸化物を除去している◎つまり
、ボンディング前ボジンヨンｆ二おいては１黄成のとこ
ろで説明したようｇニヒータブロ゛ソゲ２２．２３と上
記カバー２８〜３０とＣ：より半密閉した空間部３２が
設けられ、上記空１１ｉ１部３２とボンディング作業用
開口部３１とに上記ヒータブロック２２．２３を介して
予熱された上記還元ガスを供給し、この還元ガス（二よ
り酸化したリードフレーム２ｏを還元しながらボンディ
ングしている・次に、ボンディングポジションでは同一
雰囲気のもとで。
１．力４５％以′Ｆ）、温度１総３００〜３５０℃１時
聞３０秒以上を維持して加熱することによりぷ元しリー
ドフレーム２０の表面の酸化物を除去している◎つまり
、ボンディング前ボジンヨンｆ二おいては１黄成のとこ
ろで説明したようｇニヒータブロ゛ソゲ２２．２３と上
記カバー２８〜３０とＣ：より半密閉した空間部３２が
設けられ、上記空１１ｉ１部３２とボンディング作業用
開口部３１とに上記ヒータブロック２２．２３を介して
予熱された上記還元ガスを供給し、この還元ガス（二よ
り酸化したリードフレーム２ｏを還元しながらボンディ
ングしている・次に、ボンディングポジションでは同一
雰囲気のもとで。
約２５０〜３００℃でボンディング作業が行なわれる。
なお、上記実施例Ｃ二おいてはＣｕ材のリードフレーム
について実施例を説明したが、銀メッキ等のメッキが施
こされたす〜ドフレームのもの６二ついてもより効果が
得られることはいうまでもない。
について実施例を説明したが、銀メッキ等のメッキが施
こされたす〜ドフレームのもの６二ついてもより効果が
得られることはいうまでもない。
以上峰述したようＣ二この発明１−よれはボンティング
前ポジションとボンディングポジションとボンディング
作業用開口部とを還元ガス雰囲気にして酸化物を還元し
てワイヤボンティングを行なうようにしたので、リード
フレームに銀メッキをする必要もな（、Ｃｕ材を使用で
きるので製品コストを安価にすることができる。また、
リードフレームに銀メッキをする必要がないのでメッキ
ｆ二よるハガレやフクレがなく材料が安定しており、昆
信頼性の製品を生み出すことができる。さらに、メッキ
工程が軍警なため。
前ポジションとボンディングポジションとボンディング
作業用開口部とを還元ガス雰囲気にして酸化物を還元し
てワイヤボンティングを行なうようにしたので、リード
フレームに銀メッキをする必要もな（、Ｃｕ材を使用で
きるので製品コストを安価にすることができる。また、
リードフレームに銀メッキをする必要がないのでメッキ
ｆ二よるハガレやフクレがなく材料が安定しており、昆
信頼性の製品を生み出すことができる。さらに、メッキ
工程が軍警なため。
装体工程が連結し、９Ｊ品の流、れか良くなり製造設備
も安（てすみ自動化しやすい＠また。メッキＣ二関する
受入検査及びフレームの酸化防止のための管理もなくな
り作業性を同上させることができる０
も安（てすみ自動化しやすい＠また。メッキＣ二関する
受入検査及びフレームの酸化防止のための管理もなくな
り作業性を同上させることができる０
第１図（んは従来のワイヤボンディング装置の平■図、
同図（Ｂｌはその側面図、同図（Ｑはその断面図、第２
図体）はこの発明の一実施例に係るワイヤボンディング
装置の平面図、同図（Ｂｌはその側面図、同図（Ｃ）は
その断面図である。 ２０・・・リードフレーム、 ２２．ｚ３・・・ヒータ
ブロック、２４．２５・・・移動軸、２６・・・カート
リ゛ンジヒータ、２ン・・・ガス穴、２８〜３ｏ・・・
力１川軸人代理人 弁理士 鈴 圧式 彦第 １ 図 （Ａ） （Ｂ） （Ｃ） 第２図 （Ｂ） （Ｃ）
同図（Ｂｌはその側面図、同図（Ｑはその断面図、第２
図体）はこの発明の一実施例に係るワイヤボンディング
装置の平面図、同図（Ｂｌはその側面図、同図（Ｃ）は
その断面図である。 ２０・・・リードフレーム、 ２２．ｚ３・・・ヒータ
ブロック、２４．２５・・・移動軸、２６・・・カート
リ゛ンジヒータ、２ン・・・ガス穴、２８〜３ｏ・・・
力１川軸人代理人 弁理士 鈴 圧式 彦第 １ 図 （Ａ） （Ｂ） （Ｃ） 第２図 （Ｂ） （Ｃ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 所定関係位置【二おかれた半導体ペレットとリードとを
ワイヤで接続するワイヤボンディング方法（−おいて、
ボンディングｎＪポジションとボンディングポジション
と６ニヒータブロツクとカバーとにより半密閉した空間
を設け、上記空間部とボンディング作業用開口部と６二
重把ヒータブロックを介して予熱された還元ガスを供給
し。 上記還元ガスにより酸化したリードフレームを還元しな
がらボンディングすることを特徴とする半導体ペレット
のワイヤボンディング方法０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57107155A JPS58223339A (ja) | 1982-06-22 | 1982-06-22 | 半導体ペレツトのワイヤボンデイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57107155A JPS58223339A (ja) | 1982-06-22 | 1982-06-22 | 半導体ペレツトのワイヤボンデイング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58223339A true JPS58223339A (ja) | 1983-12-24 |
Family
ID=14451894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57107155A Pending JPS58223339A (ja) | 1982-06-22 | 1982-06-22 | 半導体ペレツトのワイヤボンデイング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58223339A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6197937A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-16 | Toshiba Corp | 半導体素子の組立方法及びその装置 |
| JPS6197938A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-16 | Toshiba Corp | 半導体素子の組立方法 |
-
1982
- 1982-06-22 JP JP57107155A patent/JPS58223339A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6197937A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-16 | Toshiba Corp | 半導体素子の組立方法及びその装置 |
| JPS6197938A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-16 | Toshiba Corp | 半導体素子の組立方法 |
| JPH0367339B2 (ja) * | 1984-10-19 | 1991-10-22 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPH0367340B2 (ja) * | 1984-10-19 | 1991-10-22 | Tokyo Shibaura Electric Co |
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