JP2834218B2 - ボンディング方法 - Google Patents

ボンディング方法

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JP2834218B2
JP2834218B2 JP1251908A JP25190889A JP2834218B2 JP 2834218 B2 JP2834218 B2 JP 2834218B2 JP 1251908 A JP1251908 A JP 1251908A JP 25190889 A JP25190889 A JP 25190889A JP 2834218 B2 JP2834218 B2 JP 2834218B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ボンディング技術、特に、被ボンディング
物のボンダビリティーの向上技術に関し、例えば、半導
体装置の製造工程において、ペレットとリードフレーム
とをボンディングし、このペレットとリードフレームの
各リードとを電気的に接続するボンディング装置に利用
して有効なものに関する。
〔従来の技術〕
半導体装置の製造工程において、ペレットとリードフ
レームの各リードとをワイヤにより電気的に接続する手
段として、特開昭61−253824号公報、および特開昭61−
253825号公報に記載されているように、リードフレーム
が一方向に歩進送りされる搬送路（フィーダ）を還元性
ガス雰囲気に保ち、リードフレームを歩進送りする間に
は所定温度まで加熱した後、ボンディングステージにお
いてワイヤボンディングが実行されるように構成されて
いるワイヤボンディング装置、が使用されている。
また、リードフレームの保管中における錆によるボン
ダビリティーの低下等を回避する技術として、例えば、
特開昭63−10547号公報に記載されているように、リー
ドフレームの表面に金属と有機物との化合物から成る防
錆処理剤を被着させる技術が提案されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、前記したようなワイヤボンディング装置を使
用して、防錆処理剤が表面に被着されたリードフレーム
にワイヤボンディングを実施した場合、リードフレーム
の表面に被着された防錆処理剤により、ボンディングワ
イヤとリードフレームとの接合強度が低下するという問
題点があることが、本発明者によって明らかにされた。
本発明の目的は、表面に被膜が被着された被ボンディ
ング物についてのボンダビリティーを向上させることが
できるボンディング技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。
〔課題を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概
要を説明すれば、次の通りである。
すなわち、本発明のボンディング方法は、表面に被膜
が形成された被ボンディング物を、非酸化ガス雰囲気中
で加熱し前記被膜を除去した後、前記被ボンディング物
に半導体ペレットを接着するボンディング方法であっ
て、前記被膜の除去と前記半導体ペレットの接着とは相
互に独立制御可能な温度条件下で行うものである。
また、本発明の他のボンディング方法は、銅を主成分
とし表面に被膜が形成されたリードフレームを、非酸化
ガス雰囲気中で加熱して前記被膜を除去する工程と、非
酸化ガス雰囲気中で加熱しながら、被膜が除去された前
記リードフレームに半導体ペレットを接着する工程とを
有するボンディング方法であって、前記被膜の除去と前
記半導体ペレットの接着とは相互に独立制御可能な温度
条件下で行うものである。
〔作用〕
前記した手段によれば、ボンディングが実施される前
に、被ボンディング物ないしリードフレームの表面から
被膜が除去されるので、あるいは被ボンディング物ない
しリードフレームの酸化が防止されるので、被膜の介在
に起因するボンダビリティーの低下を防止することがで
き、またペレットボンディングの接合性を向上させるこ
とができる。さらに、前記した手段によれば、被膜の除
去を、ボンディング温度に影響されることなく、独立の
温度制御により行うことができ、被膜の除去を最適な温
度で効果的に行うことができ、しかもペレットボンディ
ングを良好な接合性で行うことができる。
〔実施例〕
第１図は本発明の一実施例であるボンディング装置を
示す正面断面図、第２図はその一部省略一部切断斜視
図、第３図は第１図のIII−III線に沿う側面断面図であ
る。
本実施例において、本発明に係るボンディング装置１
は半導体集積回路が作り込まれたペレット２を多連リー
ドフレーム３にボンディングし、このペレット２の電極
パッドと多連リードフレーム３のリード４とにワイヤ５
をそれぞれボンディングすることにより、ペレット２と
各リード４とを電気的に接続するように構成されてい
る。ここで、多連リードフレーム３は複数個の単位リー
ドフレーム3aが一方向に規則的に配列されて一体的に構
成されており、このボンディング装置１において、搬送
は多連リードフレーム３毎に行われるが、ペレットおよ
びワイヤボンディングは各単位リードフレーム3a毎に行
われるようになっている。
このボンディング装置１は多連リードフレーム３を一
方向に送るためのフィーダ６を備えており、フィーダ６
は多連リードフレーム３をガイドテーブル７により摺動
自在に載置しながら、適当な間欠送り手段（図示せず）
により単位リードフレーム3aのピッチをもって歩進送り
するように構成されている。フィーダ６における下流側
領域にはワイヤボンディングステージ27が設定されてお
り、このワイヤボンディングステージ（後記される。）
27の外部にはXYテーブル８がXY方向に移動し得るように
設備されており、XYテーブル８上にはボンディングヘッ
ド９が搭載されている。ボンディングヘッド９にはボン
ディングアーム10が基端を回転自在に軸支されて支持さ
れており、このアーム10はその先端に固設されたキャピ
ラリー11が上下動されるように、カム機構（図示せず）
により駆動されるように構成されている。ボンディング
アーム10の上側には一対のクランパアーム12、13が電磁
プランジャ機構等のような適当な手段（図示せず）によ
り作動されるように設備されており、両アーム12、13の
各先端にはキャピラリー11の真上位置に配されてクラン
パ14を形成している。クランパ14にはリール（図示せ
ず）から繰り出されるワイヤ５がガイド15を介して挿通
されており、ワイヤ５はさらにキャピラリー11に挿通さ
れている。
キャピラリー11の近傍には放電電極16が独立して設備
されており、この放電電極16はその上端部が回転自在に
軸支されることにより、その先端部がキャピラリー11の
下方位置、すなわち、ワイヤ５の先端の真下位置と、こ
のキャピラリー11の側方位置（退避位置）との間を移動
されるように構成されている。また、この放電電極16と
前記クランパ14との間には電源回路17が接続されてお
り、これにより、クランパ14、すなわち、これに挿通さ
れるワイヤ５を陽極とするとともに、電極16を陰極と
し、電極16からワイヤ５に向かって放電アークが生成さ
れるようになっている。
前記フィーダ６上にはカバー18がフィーダ６を送られ
る多連リードフレーム３を略全体にわたって被覆し得る
ように設備されており、このカバー18には略長方形形状
の開口部19がワイヤボンディングステージとなる位置に
配されて、単位リードフレーム3aの被ボンディング領域
をカバーし得るように開設されている。開口部19には略
長方形枠形状に形成されたリードフレーム押さえ部材20
が昇降自在に嵌合されており、この押さえ部材20はカム
機構等の適当な駆動手段（図示せず）によりフィーダ６
の歩進送り作動に連携して昇降するように構成されてい
る。
一方、フィーダ６のガイドテーブル７にはヒートブロ
ック21がワイヤボンディングステージに配されて設備さ
れており、ヒートブロック21はヒータ21aにより温度制
御されるように構成されている。ワイヤボンディングス
テージ、すなわち、開口部19が含まれる領域に配設され
ているヒートブロック21には、多連リードフレーム３の
酸化を防止するためのリードフレーム酸化防止用ガス22
を供給する手段としてのガス供給装置23が設備されてお
り、この供給装置23は吹出口24を備えている。吹出口24
は多連リードフレーム３の周囲にリードフレーム酸化防
止用ガス22を緩やかに吹き出し得るように、ヒートブロ
ック21の上面に複数個開設されおり、この吹出口24群に
はガス供給路25が接続されている。ガス供給路25はガス
供給ユニット26に接続されており、ガス供給ユニット26
はリードフレーム酸化防止用ガス、例えば、窒素（N2）
ガス等のような不活性ガスを、予め設定された流量をも
って供給し得るように構成されている。そして、ヒート
ブロック21が設備されている領域はワイヤボンディング
ステージ27を実質的に構成している。
また、このフィーダ６におけるワイヤボンディングス
テージ27の上流側領域にはペレットボンディングステー
ジ30が設定されており、このステージ30には第２ヒート
ブロック31が、ガイドレール７に前記ワイヤボンディン
グステージ27における第１ヒートブロック21に隣合うよ
うに配されて設備されている。この第２ヒートブロック
31はそのヒータ31aにより、第１ヒートブロック21とは
各別に温度制御されるように構成されている。第２ヒー
トブロック31には多連リードフレーム３の酸化を防止す
るための酸化防止用ガス32を供給する手段としてのガス
供給装置33が設備されており、この供給装置33は吹出口
34を備えている。吹出口34は多連リードフレーム３の周
囲に酸化防止用ガス32を緩やかに吹き出し得るように、
ヒートブロック31の上面に複数個開設されており、この
吹出口34群にはガス供給路35が接続されている。ガス供
給路35はガス供給ユニット36に接続されており、ガス供
給路36は酸化防止用ガス、例えば、窒素ガスを予め設定
されている流量をもって供給し得るように構成されてい
る。
一方、このペレットボンディングステージ30における
カバー18には、ディスペンサ用の挿入口37およびコレッ
ト用の挿入口38が上流寄り位置に配されて、単位リード
フレーム3aの被ボンディング領域をカバーし得るように
それぞれ開設されている。ディスペンサ用挿入口27の真
上にはディスペンサ39が、この挿入口37に対して出没し
得るように設備されており、このディスペンサ37はペレ
ットボンディング材料としての銀（Ag）ペースト40を単
位リードフレーム3aにおけるタブ上に塗布し得るように
構成されている。また、コレット用挿入口38の真上には
コレット41が、この挿入口38に対して出没し得るように
設備されており、このコレット41はフィーダ６の近傍に
置かれた（図示せず）ペレット２をピックアップした
後、これを保持した状態で挿入口38から挿入して、単位
リードフレーム3aにおけるタブに塗布されたAgペースト
40上にボンディングし得るように構成されている。
さらに、本実施例においては、フィーダ６におけるペ
レットボンディングステージ30の上流側領域には防錆処
理除去ステージ50が設定されており、このステージ50に
は第３ヒートブロック51が、ガイドレール７に前記ペレ
ットボンディングステージ30における第２ヒートブロッ
ク31に隣合うように配されて設備されている。この第３
ヒートブロック51はそのヒータ51aにより、第１ヒート
ブロック21および第２ヒートブロック31とは格別に温度
制御されるように構成されている。
この防錆処理除去ステージ50の領域に配設されている
第３ヒートブロック51には、防錆処理剤を除去し、か
つ、多連リードフレーム３を還元するための還元性ガス
52を供給する手段としてのガス供給装置53が設備されて
おり、この供給装置53は吹出口54を備えている。吹出口
54は多連リードフレーム３の周囲に還元性ガス52を緩や
かに吹き出し得るように、ヒートブロック51の上面に複
数個開設されており、この吹出口54群にはガス供給路55
が接続されている。ガス供給路55はガス供給ユニット56
に接続されており、ガス供給ユニット56は還元性ガス、
例えば、窒素ガスおよび水素ガスから成る混合ガスを、
予め設定された流量をもって供給し得るように構成され
ている。
そして、フィーダ６上に被せられたカバー18の内面に
は、ガス流障害部18aが第２ヒートブロック31と第３ヒ
ートブロック51との略境目の位置に横断するように配さ
れて、第２ヒートブロック31側のガス流と第３ヒートブ
ロック51側のガス流との混流を可及的に防止するように
下向きに突設されている。
次に、前記構成に係るボンディング装置の作用を説明
することにより、本発明に係るボンディング方法の一実
施例を説明する。
表面に金属と有機物とから成る防錆剤被膜3bを被着さ
れた多連リードフレーム３は、フィーダ６の上流端に設
備されたローディング装置（図示せず）によりそのガイ
ドテーブル７上に設定された防錆剤除去ステージ50に供
給されて来る。
なお、防錆剤を構成する有機物としては、ベンゾトリ
アゾール（C6H5N3）、ドデシルメルカブタン（C12H25S
H）、プロバルギルアルコール（C3H5OH）等が挙げられ
る。また、これらから成る防錆剤被膜3bはリードフレー
ムに浸清法等のような適当な手段により、約20Å程度の
厚さに被着されている。
この除去ステージ50には還元性ガス52が還元性ガス供
給ユニット56によりガス供給路55を介して吹出口54群か
ら吹き出されており、吹き出された還元性ガス52がカバ
ー18により散逸を防止されるため、還元ステージ50には
還元性ガス雰囲気が形成されていることになる。ちなみ
に、ペレットボンディングステージ30側へのガスの散逸
はカバー18に突設されたガス流障害部18aにより防止さ
れる。
そして、この還元性ガス52は第３ヒートブロック51に
より、最も効果的に防錆剤除去作用が発揮される温度
（例えば、防錆剤の有機物がベンゾトリアゾールの場
合、250℃）であって、多連リードフレーム３に悪影響
を及ぼさない温度（350℃）以下に加熱される。しか
も、還元性ガス52は第３ヒートブロック51の内部を流通
されるため、効果的に、かつ、安定的に加熱されること
になる。
このようにして最も効果的に還元反応が活性化された
還元性ガス52の雰囲気に、前記防錆剤被膜3bが被着され
た多連リードフレーム３が供給されると、防錆剤被膜3b
は効果的に分解されて完全に除去される。また、例え
ば、酸化し易い銅系（銅または銅合金）材料が使用され
ている場合であっても、防錆剤被膜3bが除去されたリー
ドフレーム３の表面は確実に酸化を防止され、また、還
元されることになる。
また、多連リードフレーム３は第３ヒートブロック51
によって加熱されることにより、次のペレットボンディ
ング作業に対して予熱されることになる。
そして、防錆剤除去ステージ50に供給された多連リー
ドフレーム３は前述した防錆剤除去、還元および予熱作
用を受けながら、フィーダ６によって歩進送りされるこ
とにより、ペレットボンディングステージ30へ順次供給
されて行く。
このペレットボンディングステージ30にはリードフレ
ーム酸化防止用ガス32が、ガス供給装置ユニット36によ
り供給路35を介して吹出口34から吹き出されており、吹
き出された酸化防止用ガス32がカバー18により散逸を防
止されるため、ペレットボンディングステージ30には酸
化防止用ガス雰囲気が形成されていることになる。した
がって、防錆剤被膜が除去されたリードフレーム３はこ
のペレットボンディングステージ30に送り込まれた後
も、酸化されるのを防止される。
ペレットボンディングステージ30に送給された多連リ
ードフレーム３には単位リードフレーム3a毎に、ディス
ペンサ39によりタブ上にAgペースト40が塗布された後、
ペレット２がAgペースト40上にコレット41により押着さ
れる。
ペレット２がAgペースト40を介してボンディングされ
た多連リードフレーム３は、フィーダ６によりワイヤボ
ンディングステージ27の方向へ次第に歩進送りされる。
この送り中、多連リードフレーム３が第２ヒートブロッ
ク31によりAgペースト40の硬化温度に加熱されるため、
Agペースト40は加熱硬化される。その結果、ペレット２
はAgペースト40から成るボンディング層によりリードフ
レームにペレットボンディングされることになる。
このようにして、ペレットボンディングステージ30に
おいて、ペレットボンディングを実施された多連リード
フレーム３は硬化作用を受けながら、フィーダ６によっ
て歩進送りされることにより、ワイヤボンディングステ
ージ27に順次供給されて行く。
このボンディングステージ27にはリードフレーム酸化
防止用ガス22がガス供給装置ユニット26により供給路25
を介して吹出口24群から吹き出されており、吹く出され
た酸化防止用ガス22がカバー18により散逸を防止される
ため、ボンディングステージ27には酸化防止用ガス雰囲
気が形成されていることになる。
フィーダ６におけるワイヤボンディングステージ27に
おいて、リードフレーム押さえ部材20の中空部内に単位
リードフレーム3aが整合すると、多連リードフレーム３
は間欠停止される。
続いて、リードフレーム押さえ部材20が下降されて、
中空部内における単位リードフレーム3aの外周辺部が押
さえられる。そして、このボンディングステージ27には
酸化防止用ガス雰囲気が形成されているため、単位リー
ドフレーム3aは酸化防止用ガス雰囲気内に浸漬される。
したがって、防錆剤除去ステージ30において既に防錆剤
被膜3bを除去された多連リードフレーム３は酸化を確実
に防止されることになる。
一方、キャピラリー11においては、放電電極16がワイ
ヤ５の下端に接近されて電源回路17が閉じられることに
より、ワイヤ５の先端にボール5aが溶融形成される。こ
のとき、ボンディングステージ27に従来例のように還元
性ガス雰囲気が形成されていると、放電電極16のアーク
により還元性ガスに含まれている水素ガスのような可燃
性ガスが引火される危険がある。
しかし、本実施例においては、ボンディングステージ
27には窒素ガス等のような不活性ガスによる酸化防止用
ガス雰囲気が形成されているに過ぎないため、引火の危
険性はなく、作業上、きわめて安全である。
続いて、キャピラリー11がボンディングヘッド９によ
り下降されてカバー18の開口部19に挿通され、ワイヤ５
の先端部に形成されたボール5aが開口部19に整合した単
位リードフレーム3aにおけるペレット２のパッドに押着
される。このとき、ペレット２が第１ヒートブロック21
によって加熱されているため、ボール5aはペレット２の
パッド上に熱圧着される。
第１ボンディング部が形成された後、キャピラリー11
がXYテーブル８およびボンディングヘッド９により開口
部19内において３次元的に相対移動され、開口部19に整
合した単位リードフレーム3aにおける所定のリード４に
ワイヤ５の中間部を押着させる。このとき、リード４が
第１ヒートブロック21によって加熱されているため、ワ
イヤ５はリード４上に熱圧着される。
ちなみに、第１ヒートブロック21は還元性ガスを活性
化させる必要がないため、その加熱温度は、半導体装置
に悪影響を及ぼさない温度であって、前記第１および第
２ボンディングブロックの熱圧着が確保される温度、例
えば、160℃〜240℃に設定すればよい。
第２ボンディングが終了すると、クランパ14によりワ
イヤ５が把持され、クランパ14はキャピラリー11ともに
第２ボンディング部に対して離反移動される。この離反
移動により、ワイヤ５は第２ボンディング部から引き千
切られる。その後、クランパ14によるワイヤ５の把持が
解除されるとともに、カピラリー11が若干上昇されるこ
とにより、ワイヤ５の先端部がボール5aの成形に必要な
長さだけ突き出される（テール出し）。
以後、前記作動が繰り返されることにより、第１番目
の単位リードフレーム3aにおける各パッドおよびリード
についてワイヤボンディング作業が順次実施される。
第１番目の単位リードフレーム3aについてのワイヤボ
ンディングが完了すると、リードフレーム押さえ部材20
が上昇される。リードフレーム押さえ部材20が上死点ま
で上昇すると、フィーダ６により多連リードフレーム３
が１ピッチ先方に送られ、新規の単位リードフレーム3a
が押さえ部材20内に対応するボンディングステージに供
給される。
以後、前記作動が繰り返されることにより、多連リー
ドフレーム３における全ての単位リードフレーム3aにつ
いてワイヤボンディング作業が実施される。
ところで、リードフレームとして銅系のリードフレー
ムが使用され、ボンディング部に部分銀めっき等が施さ
れておらず、しかも、防錆剤被膜が除去されている場
合、銅は酸化され易く、酸化膜がボンディング面に厚く
形成されるため、第２ボンディングにおけるボンダビリ
ティーが低下する。すなわち、酸化膜が形成されると、
ワイヤとの金属結合性が低下するため、ボンダビリティ
ーが低下する。
しかし、本実施例においては、リードフレームは防錆
除去ステージにおいてきわめて効果的に還元されるとと
もに、ペレットおよびワイヤボンディングステージに供
給された後は、酸化防止ガス雰囲気に浸漬されることに
より酸化を効果的に防止されているため、酸化され易い
銅系リードフレームが使用され、かつ、防錆処理剤が除
去されていても、その表面に酸化膜が形成されることは
なく、その結果、ワイヤ５は良好なボンダビリティーを
もってリード４上にボンディングされることになる。
ちなみに、ワイヤのリードへのボンディング時に、リ
ード４の表面に防錆剤被膜3bが被着されたままである
と、前記第２ボンディング時において、その防錆剤がワ
イヤ５とリード４との接合面間に介在することにより、
第２ボンディング部における接合強度が低下ないしは接
合が不能になる。
しかし、本実施例においては、既に、多連リードフレ
ーム３の表面から防錆剤は完全に除去されているため、
このような防錆剤の介在よるボンダビリティーの低下は
未然に回避されることになる。
前記実施例によれば次の効果が得られる。
（１） 表面に防錆剤等の処理剤が被着された被ボンデ
ィング物にボンディングが実施される前に、この被ボン
ディング物を非酸化雰囲気中で加熱して前記被着された
処理剤を除去することにより、この被ボンディング物に
対するボンディング実施時に処理剤が介在するのを回避
することがでるため、その処理剤介在によるボンダビリ
ティーの低下を防止することができる。
（２） 前記（１）により、半導体装置の品質および信
頼性を高めることができる。
（３） リードフレームの表面に被着された防錆剤被膜
を除去するための防錆剤除去ステージをボンディングス
テージの前段階に設けるとともに、この防錆剤除去ステ
ージに供給する酸化防止用ガスとして還元性ガスを使用
することにより、還元性ガスの使用量を抑制しながら、
リードフレームの適正なボンダビリティーを確保するこ
とができるため、所期の品質および信頼性を確保しなが
ら、コストを低減させることができる。
（４） 防錆剤除去ステージの温度制御がペレットおよ
びワイヤボンディングステージから独立して実行される
ように構成することにより、両ボンディングステージの
温度に規制されず還元性ガスの還元反応を最も効果的に
活性化させることができるため、防錆剤除去作用を高め
ることができる。
（５） 防錆剤除去ステージとボンディングステージと
の境界にガス流障害部を介設することにより、還元性ガ
スのボンディングステージへの散逸を抑制することがで
きるため、還元性ガスの使用量をより一層低減させるこ
とができる。
（６） ボンディングステージを酸化防止ガス雰囲気に
形成することにより、還元性ガスに含まれている水素等
のような可燃性ガスの引火を回避することができるた
め、ネイルボール形成のための放電電極やトーチを使用
するワイヤボンディング作業の安全性を高めることがで
きる。
（７） リードフレームを効果的に還元させるととも
に、酸化膜の形成を確実に防止することにより、良好な
金属結合性を維持して適正なボンディング、強いては製
品の品質および信頼性を高めることができ、また、銅系
のように酸化され易いリードフレームであっても酸化膜
の形成を確実に防止することができるため、銅系のリー
ドフレームの使用を実現化することにより、コストの低
減化等を促進させることができる。
以上本発明者によってなされた本発明を実施例に基づ
き具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。
例えば、被ボンディング物表面から処理剤を除去する
工程は、ペレットおよびワイヤボンディング工程にオン
ラインに設定するに限らず、オフラインに設定してもよ
い。
ペレットボンディング材料としては、Agペーストを使
用するに限らず、はんだ材料を使用してもよい。はんだ
材料が使用される場合、リードフレームが処理剤除去ス
テージによって還元されることにより、ボンディング床
のはんだ濡れ性が高められるため、ペレットボンディン
グの接合性を高めることができる。
リードフレームとしては銅系のものを使用するに限ら
ず、鉄−ニッケル系のリードフレーム等を使用してもよ
いし、また、複数のリードフレームが一方向に配列され
ている多連リードフレームを使用するに限らず、複数の
リードフレームが縦横に配列されたマルチリードフレー
ム等を使用してもよい。ワイヤボンディングステージに
配置されるワイヤボンディング装置の数は、ペレットボ
ンディングステージに設置されるペレットボンディング
装置の数よりも多くしてもよい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発
明をその背景となった利用分野であるAgペーストによる
ペレットボンディング技術および熱圧着式ワイヤボンデ
ィング技術により適用した場合について説明したが、そ
れに限定されるものではなく、超音波熱圧着式や超音波
式のワイヤボンディング技術単独、さらには、プリント
配線基板への電子部品の実装技術等のようなボンディン
グ技術全般に適用することができる。
〔発明の効果〕
本願において開示される発明のうち代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りであ
る。
本発明のボンディング方法によれば、被ボンディング
物ないしリードフレームへのボンディング実施時に被膜
が介在することを回避することができるので、被膜介在
に起因するボンダビリティーの低下を有効に防止するこ
とができる。
また、本発明のボンディング方法によれば、被ボンデ
ィング物ないしリードフレームの酸化が防止されること
により、ペレットボンディングの接合性を高めることが
できる。
しかも、本発明によれば、被膜の除去と半導体ペレッ
トの接着とは相互に独立制御可能な温度条件で行うの
で、被膜の除去を、ボンディング温度に影響されること
なく、独立の温度制御により行うことができる。その結
果、ボンディングの前に被膜を最適な温度で効果的に除
去した後、ペレットボンディングを良好な接合性で行う
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例であるボンディング方法を実
施するための装置の一例としてのボンディング装置を示
す正面断面図、 第２図はその一部省略一部切断斜視図、 第３図は第１図のIII−III線に沿う側面断面図である。 １……ボンディング装置、２……ペレット、３……多連
リードフレーム（被ボンディング物）、3a……単位リー
ドフレーム、3b……防錆剤被膜、４……リード、５……
ワイヤ、5a……ボール、６……フィーダ、７……ガイド
テーブル、８……XYテーブル、９……ボンディングヘッ
ド、10……ボンディングアーム、11……キャピラリー
（ボンディングツール）、12、13……クランパアーム、
14……クランパ、15……ガイド、16……放電電極、17…
…電源回路、18……カバー、18a……ガス流障害部、19
……開口部、20……リードフレーム押さえ部材、21……
第１ヒートブロック、22……リードフレーム酸化防止用
ガス、23……酸化防止用ガス供給装置、24……吹出口、
25……供給路、26……ガス供給ユニット、27……ワイヤ
ボンディングステージ、30……ペレットボンディングス
テージ、31……第２ヒートブロック、32……酸化防止用
ガス、33……酸化防止用ガス供給装置、34……吹出口、
35……供給路、36……ガス供給ユニット、37……ディス
ペンサ用挿入口、38……コレット用挿入口、39……ディ
スペンサ、40……Agペースト（ペレットボンディング
材）、41……コレット、50……防錆剤除去ステージ、51
……第３ヒートブロック、52……還元性ガス、53……還
元性ガス供給装置、54……吹出口、55……ガス供給路、
56……ガス供給ユニット。

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】表面に被膜が形成された被ボンディング物
    を、非酸化ガス雰囲気中で加熱し前記被膜を除去した
    後、前記被ボンディング物に半導体ペレットを接着する
    ボンディング方法であって、前記被膜の除去と前記半導
    体ペレットの接着とは相互に独立制御可能な温度条件下
    で行うことを特徴とするボンディング方法。
  2. 【請求項２】銅を主成分とし表面に被膜が形成されたリ
    ードフレームを、非酸化ガス雰囲気中で加熱して前記被
    膜を除去する工程と、 非酸化ガス雰囲気中で加熱しながら、被膜が除去された
    前記リードフレームに半導体ペレットを接着する工程と
    を有するボンディング方法であって、 前記被膜の除去と前記半導体ペレットの接着とは相互に
    独立制御可能な温度条件下で行うことを特徴とするボン
    ディング方法。
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