JPS62276840A - ボンデイング装置 - Google Patents

ボンデイング装置

Info

Publication number
JPS62276840A
JPS62276840A JP61119227A JP11922786A JPS62276840A JP S62276840 A JPS62276840 A JP S62276840A JP 61119227 A JP61119227 A JP 61119227A JP 11922786 A JP11922786 A JP 11922786A JP S62276840 A JPS62276840 A JP S62276840A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
bonding
cover
lead
wire
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61119227A
Other languages
English (en)
Inventor
Makoto Nakajima
誠 中嶋
Toshio Chuma
中馬 俊夫
Yoshio Ohashi
芳雄 大橋
Kazuo Hatori
羽鳥 和夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP61119227A priority Critical patent/JPS62276840A/ja
Publication of JPS62276840A publication Critical patent/JPS62276840A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301Capillary
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/787Means for aligning
    • H01L2224/78703Mechanical holding means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015Shape
    • H01L2924/1016Shape being a cuboid
    • H01L2924/10162Shape being a cuboid with a square active surface

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ボンディング技術、特に、被ボンディング等
の酸化防止技術に関し、例えば、半導体装置の製造工程
において、ペレットとリードフレームのリードとを電気
的に接続するワイヤボンディング装置に利用して有効な
技術に関する。
〔従来の技術〕
半導体装置の製造工程において、ペレットとリードフレ
ームの各リードとを電気的に接続するために、ペレット
のパッドとリードフレームのリードとにワイヤの両端を
それぞれボンディングするワイヤボンディング装置とし
て、リードフレームをヒートブロック上にリードフレー
ム押さえ部材によって押さえ付けるとともに、ワイヤを
キャピラリーによってバッドおよびリードにそれぞれ埋
着することにより、熱圧着するように構成されているも
のがある。
なお、ワイヤボンディング技術を述べである例としては
、株式会社工業調査会発行「電子材料1981年11月
号別冊」昭和56年11月10日発行 P156〜P1
62、がある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
このような熱圧着式ワイヤボンディング装置においては
、銅めっき加工されたリードフレーム等のようにリード
フレームが酸化され易い場合、リード側のワイヤボンデ
ィング部に剥離等が発生するという問題点があることが
、本発明者によって明らかにされた。
本発明の目的は、被ボンディング物の酸化を防止するこ
とができるボンディング技術を提供することにある。。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
〔問題点を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、次の通りである。
すなわち、被ボンディング物を被覆する固定カバーを設
けるととにも、このカバーのボンディングステージに対
向する泣面にボンディングを実施するための開口部を設
け、また、固定カバーの内部に酸化防止のためのガスを
供給するガス供給手段を設け、さらに、前記固定カバー
に可動カバーを前記開口部を被覆するように、かつ、摺
動自在に設けるとともに、この可動カバーにボンディン
グを実施するための小窓を開設したものである。
〔作用〕
前記した手段によれば、被ボンディング物が固定カバー
によって被覆されているため、固定カバーの内部にガス
を供給することにより、酸化防止ガス雰囲気を効果的に
作り出させることができる。
しかも、小窓を有する可動カバーを設けることにより、
その開口面積はボンディングに最小限度必要な面積に限
定させることができるため、ガスの逃散は最小限度に抑
制されることになる。
〔実施例〕
第1図は本発明の一実施例であるワイヤボンディング装
置を示す正面断面図、第2図は第1図の、[1−II線
に沿う平面断面図、第3図は第2図の■−m線に沿う側
面断面図、第4図はマルチリードフレームを示す一部省
略平面図である。
本実施例において、ワイヤボンディング装置は半導体装
置1におけるベレット2の電極バッドとリードフレーム
3のリード4とにワイヤ5をそれぞれボンディングする
ことにより、ペレット2と各リード4とを電気的に接続
するように構成されている。ここで、リードフレーム3
は複数個のものが縦横に規則的に配列されて一体化され
た第4図に示されているような構造のもの(以下、マル
チリードフレームという。)に構成されており、このワ
イヤボンディング装置において、搬送はマルチリードフ
レーム3A毎に行われるが、ワイヤボンディングは各リ
ードフレーム3毎に行われるようになっている。
このワイヤボンディング装置はマルチリードフレーム3
Aを間欠送りするためのフィーダ6を備えており、フィ
ーダ6にはヒートブロック7が各リードフレーム3を加
熱し得るように設備されている。フィーダ6のポンディ
ングステージの外部にはXYテーブル8がXY方向に移
動し得るように設備されており、XYテーブル8上には
ボンディングヘッド9が搭載されている。ボンディング
へ、ド9にはボンディングアーム10が基端を回転自在
に軸支されて支持されており、このアーム10はその先
端に固設されたキャピラリー11が上下動されるように
、カム機構(図示せず)により駆動されるように構成さ
れている。ボンディングアーム10の上側には一対のク
ランパアーム12.13が電磁プランジャ機構等のよう
な適当な手段(図示せず)により作動されるように設備
されており、両アーム12.13の各先端はキャピラリ
ー11の真上位置に配されてクランパ14を形成してい
る。クランパ14にはリール(図示せず)から繰り出さ
れるワイヤ5がガイド15を介して挿通されており、ワ
イヤ5はさらにキャピラリーエ1に挿通されている。
キャピラリー11の近傍には放電電極16が独立して設
備されており、この電極16はその上端部が回転自在に
軸支されることにより、その先端部がキャピラリー11
の下方位置、すなわち、ワイヤ5の先端の真下位置と、
キャピラリー11の側方位置(退避位置)との間を移動
されるように構成されている。また、この電極16と前
記クランパ14との間には電源回路17が接続されてお
り、これにより、クランパ14、すなわち、これに挿通
されるワイヤ5を陽極とするとともに、電極16を陰極
とし、電極16からワイヤ5に向かって放電アークを生
成させるようになっている。
前記フィーダ6上には固定カバー18がフィーダ6を送
られるマルチリードフレーム3Aを略全体にわたって被
覆し得るように設備されており、固定カバー18には略
長方形形状の開口部19がポンディングステージとなる
位置に搬送方向を横断するように配されて開設されてい
る。開口部19には略長方形枠形状に形成されたリード
フレーム押さえ部材20が昇降自在に嵌合されており、
この押さえ部材20はカム機構等の適当な駆動手段(図
示せず)によりフィーダ6の間欠送り作動に連携して昇
降するように構成されている。リードフレーム押さえ部
材20の内部にはガス流通路21が環状に配されて開設
されており、この流通路21はチューブ22を介して窒
素と水素との混合ガス等からなる還元性ガスを供給する
ためのガス源(図示せず)に接続されている。また、リ
ードフレーム押さえ部材20の内周面には複数本のガス
吹出孔23が適当な間隔をもってそれぞれ配されて連通
路21に接続するように開設されており、したがって、
これら吹出孔23等は固定カバー18の内部に還元性ガ
スを供給するためのガス供給手段を実質的に構成してい
る。
リードフレーム押さえ部材20上には略長方形の板形状
に形成された可動カバー24が搬送方向(以下、左右方
向またはY方向とする。)と略直角な方向(以下、前後
方向またはY方向とする。
)に摺動自在に配設されており、このカバー24は一端
部をL字形状に屈曲されて開設された長孔25にボルト
26を挿入されて前記XYテーブル8に取り付けられる
ことにより、XYテーブル8と共にXY方向に移動する
ように構成されているとともに、押さえ部材20と共に
昇降するように構成されている。可動カバー24には小
窓27が前記キャピラリー11の真下に対向するように
配されて開設されており、この小窓27は前記マルチリ
ードフレーム3Aにおけるリードフレーム3に対応する
大きさの略正方形形状に開設されている。したがって、
マルチリードフレーム3Aの上方空間は固定カバー18
および可動カバー24によって全体的に被覆され、小窓
27のみが開放されることにより、l&itするワイヤ
ポンディングが実行し得るようになっている。
次に作用を説明する。
各リードフレーム3にベレット2をそれぞれポンディン
グされたマルチリードフレーム3Aはフィーダ6により
間欠送りされる。フィーダ6におけるポンディングステ
ージ、すなわち、リードフレーム押さえ部材20の中空
部内に前(表方向に1列に並んだリードフレーム3群が
整合すると、マルチリードフレーム3Aは間欠停止され
る。
続いて、リードフレーム押さえ部材20が下降されて中
空部内における各リードフレーム3群の外周辺部を押さ
える。そして、この押さえ部材20に設けられた吹出孔
23群からチューブ22および流通路21を介して還元
性ガスが吹き出されているため、リードフレーム3は還
元性ガス雰囲気内に浸漬されることになる。このとき、
還元性ガス雰囲気は固定カバー18および可動カバー2
4によって被覆されているため、きわめて効果的に形成
される。また、可動カバー24の小窓27は第1番目に
ポンディングすべきリードフレーム3の真上に整合して
開口しているが、その開口面積は小さいため、そこから
のガス逃散量は最小附度に抑制されることになる。
一方、キャピラリー11においては、放電電極16がワ
イヤ5の下端に接近されて電源回路17が閉しられるこ
とにより、ワイヤ5の先端にボール5aが溶融形成され
る。
続いて、キャピラリー11がポンディングヘッド9によ
り下降されて可動カバー24の小窓27を挿通し、ワイ
ヤ5の先端部に形成されたボール5aを小窓27に整合
したリードフレーム3におけるペレット2のパッドに徐
々に埋着させる。このとき、ペレット2がヒートブロッ
ク7によって加熱されているため、ボール5aはペレッ
ト2のパッド上に熱圧着される。
第1ボンディング部が形成された後、キャピラリー11
がXYテーブル8およびボンディングヘッド9により小
窓27内において3次元的に相対移動され、小窓27に
整合したリードフレーム3における所定のり−ド4にワ
イヤ5の中間部を埋着させる。このとき、リード4がヒ
ートブロック7によって加熱されているため、ワイヤ5
はリード4上に熱圧着される。
第2ボンディングが終了すると、クランパ14がワイヤ
5を把持し、クランパ14はキャピラリー11と共に第
2ボンディング部に対して離反移動される。この離反移
動により、ワイヤ5は第2ボンディング部から引き千切
られる。その後、クランパ14がワイヤ5の把持を解除
するとともに、キャピラリー11が若干上昇することに
より、ワイヤ5の先端部がボール5aの成形に必要な長
さだけ突き出される(テール出し)。以後、前記作動が
繰り返されることにより、第1番目のリードフレーム3
における各バンドおよびリードについてワイヤボンディ
ングが順次実施される。
第1番目のリードフレーム3についてのワイヤボンディ
ングが完了すると、XYテーブル8がX方向に移動され
る。このとき、可動カバー24は長孔25においてXY
デテールに取り付けられているため、XYテーブル8と
共にX方向に移動する。この移動により、キャピラリー
11および小窓27が第2番目のリードフレーム3にそ
れぞれ対向される。以後、前記作動に準じて、第2番目
のリードフレーム3における各パッドおよびリードにつ
いてワイヤボンディングが順次実施される。
このようにして、1列に並んだ最後のリードフレーム3
 (図示例では第4番目)についてのワイヤボンディン
グが完了すると、XYテーブル8がこれまでとは逆方向
に戻されるとともに、リードフレーム押さえ部材20が
上昇される。このとき、可動カバー24は長孔25にお
いてXYテーブル8に取り付けられているため、XYテ
ーブル8と共に元の方向に戻されるとともに、この押さ
え部材20によって持ち上げられることになる。
リードフレーム押さえ部材20が上死点まで上昇すると
、フィーダ6によりマルチリードフレーム3Aが1ピツ
チ先方に送られ、新規のリードフレーム3群の列が押さ
え部材20内に対応するボンデインダステージに供給さ
れる。以後、前記作動が繰り返されることにより、マル
チリードフレーム3Aにおける全てのリードフレーム3
群についてワイヤボンディングが実施される。
ところで、リードフレームとして銅系のリードフレーム
が使用されている場合、銅は酸化され易く、酸化膜がボ
ンディング面に厚く形成されるため、第2ポンデイング
におけるボンダビリティ−が低下する。すなわち、酸化
膜が形成されると、ワイヤとの金属結合性が低下するた
め、ボンダビリティ−が低下する。
しかし、本実施例においては、フィーダ6上がカバー1
8および24により被覆されているとともに、そのカバ
ー内に供給された還元性ガス雰囲気により、マルチリー
ドフレーム3Aが包囲されているため、酸化され易い銅
系リードフレームが使用されていても、その表面に酸化
膜が形成されることはなく、その結果、ワイヤ5は良好
なボンダビリティ−をもってリード4上にボンディング
されることになる。
しかも、フィーダ6上を被覆するカバーはボンディング
作業に最小限必要な開口面積を有する小窓27のみにお
いて開口されているため、還元性ガス雰囲気はきわめて
効率的に形成されることになる。そして、小窓27が開
設された可動カバー24はXYテーブル8に取り付けら
れることにより、キャピラリー11の動きに追従するた
め、マルチリードフレーム3Aの各リードフレーム3毎
についてのボンディング作業を妨害することはない。
前記実施例によれば次の効果が得られる。
(11フィーダを全体的に被覆し、その内部に還元性ガ
スを供給するように構成することにより、リードフレー
ムの周囲に還元性ガスを効果的に形成させることができ
るため、銅系のように酸化され易いリードフレームであ
っても酸化膜の形成を確実に防止することができ、銅系
のリードフレームの使用を実現化することにより、コス
トの低減化等を促進させることができる。
(2)酸化膜の形成を確実に防止することにより、良好
な金属結合性を維持して適正なボンダビリティ−を確保
することができるため、ボンディング、強いては製品の
品質および信頼性を高めることができる。
(3)カバーにボンディング作業の実施に最小限度必要
な開口面積の小窓を開設することにより、還元性ガスの
逃散を最小限度に抑制することができるため、還元性ガ
ス雰囲気の形成を−i劾率化させることができるととも
に、ガス使用量を抑制させることができる。
(4)小窓を可動カバーに開設することにより、小窓を
キャピラリーに追従させることができるため、マルチリ
ードフレーム等のようにボンディングすべきリードフレ
ームが複数並設されている場合にも各リードフレームに
ついてのボンディングを実施することができる。
(5)  可動カバーをXYテーブルに取り付けること
により、構造簡単にしてキャピラリーの動きに追従させ
ることができるため、設備費、運転費の増加を抑制する
ことができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
例えば、可動カバーはXYテーブルに取り付けるに限ら
ず、専用の駆動装置によりXYテーブルと連動するよう
に構成してもよい。
供給するガスは還元ガスに躍らず、不活性ガスであって
もよい。
ガス供給手段はリードフレーム押さえ部材に組み込むに
限らず、専用的に設備してもよい。
リードフレームは銅系のものに躍らず、鉄−ニッケル系
のリードフレーム等であってもよいし、また、複数のリ
ードフレームが縦横に配列されたマルチリードフレーム
に限らず、複数のリードフレームが一方向に配列されて
いる多連リードフレーム等であってもよい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である熱圧着式ワイヤボン
ディング技術に通用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく、超音波熱圧f式や超音波式
のワイヤボンディング技術、さらにはペレットボンディ
ング技術等に適用することができる。
〔発明の効果〕
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。
被ボンディング物をボンディング作業に必要な小窓が開
設されているカバーで>13するとともに、その内部に
ガスを供給するように構成することにより、ガス雰囲気
を効果的に形成させることができるため、ワイヤを良好
なポンダビリティ−をもって被ボンディング部としての
リード上にボンディングさせることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例であるワイヤボンディング装
置を示す正面断面図、 第2図は第1図の■−n線に沿う平面断面図、第3図は
第2図のIII−II[線に沿う側面断面図、第4図は
マルチリードフレームを示す一部省略平面図である。 1・・・半導体装置、2・・・ペレット、3・・・リー
ドフレーム、4・・・IJ−)’、5・・・ワイヤ、5
a・・・ボール、6・・・フィーダ、7・・・ヒートブ
ロック、8・・・XYテーブル、9・・ ・ボンディン
グヘッド、10・・・ボンディングアーム、11・・・
キャピラリー(ボンディングツール)、12.13・・
・クランパアーム、14・・・クランパ、15・・・ガ
イド、16・・ 放電電極、17・・・電源回路、1日
・・・固定カバー、19・・・開口部、20リードフレ
ーム押さえ部材、21・・・還ス流通路、22・・・チ
ューブ、23・・吹出孔、24・・・可動カバー、25
・・26・・・ボルト、27・・・小窓。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、被ボンディング物を被覆する固定カバーと、固定カ
    バーのボンディングステージに対応する位置に開設され
    ている開口部と、固定カバーの内部にガスを供給するガ
    ス供給手段と、固定カバーにその開口部を被覆するよう
    に摺動自在に取り付けられている可動カバーと、可動カ
    バーの一部に開設されている小窓とを備えていることを
    特徴とするボンディング装置。 2、可動カバーが、ボンディングツールと連動するよう
    に構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第1
    項記載のボンディング装置。 3、ガス供給手段が、ボンディングステージに対応する
    位置に配設された被ボンディング物押さえ部材に開設さ
    れているガス吹出口を備えていることを特徴とする特許
    請求の範囲第1項記載のボンディング装置。
JP61119227A 1986-05-26 1986-05-26 ボンデイング装置 Pending JPS62276840A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61119227A JPS62276840A (ja) 1986-05-26 1986-05-26 ボンデイング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61119227A JPS62276840A (ja) 1986-05-26 1986-05-26 ボンデイング装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62276840A true JPS62276840A (ja) 1987-12-01

Family

ID=14756106

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61119227A Pending JPS62276840A (ja) 1986-05-26 1986-05-26 ボンデイング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62276840A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0237732A (ja) * 1988-07-27 1990-02-07 Toshiba Corp ワイヤボンディング装置
US5250781A (en) * 1990-11-16 1993-10-05 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Laser bonding apparatus
US6016949A (en) * 1997-07-01 2000-01-25 International Business Machines Corporation Integrated placement and soldering pickup head and method of using
JP2003007759A (ja) * 2001-06-27 2003-01-10 Sanyo Electric Co Ltd 認識装置、ボンディング装置および回路装置の製造方法
JP2003007760A (ja) * 2001-06-27 2003-01-10 Sanyo Electric Co Ltd 認識装置、ボンディング装置および回路装置の製造方法
JP2003017525A (ja) * 2001-04-26 2003-01-17 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置の製造方法
JP2003037131A (ja) * 2001-07-25 2003-02-07 Sanyo Electric Co Ltd ボンディング装置
JP2009177215A (ja) * 2009-05-13 2009-08-06 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0237732A (ja) * 1988-07-27 1990-02-07 Toshiba Corp ワイヤボンディング装置
US5250781A (en) * 1990-11-16 1993-10-05 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Laser bonding apparatus
US6016949A (en) * 1997-07-01 2000-01-25 International Business Machines Corporation Integrated placement and soldering pickup head and method of using
JP2003017525A (ja) * 2001-04-26 2003-01-17 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置の製造方法
JP4708625B2 (ja) * 2001-04-26 2011-06-22 三洋電機株式会社 ボンディング装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2003007759A (ja) * 2001-06-27 2003-01-10 Sanyo Electric Co Ltd 認識装置、ボンディング装置および回路装置の製造方法
JP2003007760A (ja) * 2001-06-27 2003-01-10 Sanyo Electric Co Ltd 認識装置、ボンディング装置および回路装置の製造方法
JP4711549B2 (ja) * 2001-06-27 2011-06-29 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP2003037131A (ja) * 2001-07-25 2003-02-07 Sanyo Electric Co Ltd ボンディング装置
JP2009177215A (ja) * 2009-05-13 2009-08-06 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP4717129B2 (ja) * 2009-05-13 2011-07-06 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7977597B2 (en) Wire bonders and methods of wire-bonding
US6715666B2 (en) Wire bonding method, method of forming bump and bump
US6234376B1 (en) Supplying a cover gas for wire ball bonding
JP2004221257A (ja) ワイヤボンディング方法及びワイヤボンディング装置
CN210006699U (zh) 焊线设备
US20120164795A1 (en) Ultrasonic Wire Bonding Method for a Semiconductor Device
JP2007184385A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2005039192A (ja) 半導体装置及びワイヤボンディング方法
JPS62276840A (ja) ボンデイング装置
US4575602A (en) Apparatus for forming bonding balls on bonding wires
GB2171042A (en) Wire bonder with controlled atmosphere
JP2724491B2 (ja) 成形装置
JPH02112246A (ja) ボンディング装置
JPH03253045A (ja) ワイヤボンディング装置
JPS61172343A (ja) ワイヤボンデイング方法及び装置
JPS63266846A (ja) 電子装置の製造方法および装置
JPH0536748A (ja) ワイヤボンデイング装置
JPS63266845A (ja) ワイヤボンデイング装置
JP2761922B2 (ja) ワイヤボンディング方法および装置
JPS63164230A (ja) ワイヤボンディング方法
JP2817314B2 (ja) ワイヤボンダおよびワイヤボンディング方法
JPH01205538A (ja) ボンディング装置
JPH04107941A (ja) ワイヤボンディング装置
JP2645014B2 (ja) ワイヤボンディング装置
JPH02125631A (ja) 半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用されるワイヤボンディング装置