JPH0237732A - ワイヤボンディング装置 - Google Patents
ワイヤボンディング装置Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 26
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
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- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
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- H01L2924/01082—Lead [Pb]
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は、半導体装置のワイヤボンディング装置に係
り、特にワイヤボンディング時にリードフレームを押圧
固定する押圧具を改良したワイヤボンディング装置に関
する。
り、特にワイヤボンディング時にリードフレームを押圧
固定する押圧具を改良したワイヤボンディング装置に関
する。
（従来の技術）
半導体装置の組立て方法として、半導体素子をリードフ
レームの素子ベツド部に取付け、その半導体素子の電極
とリードフレームのインナーリード部とをワイヤで接続
するワイヤポンディング方法がある。一般にこのワイヤ
ボンディングは、リードフレームを抑圧具により押圧固
定し、ホンディングツールによりワイヤを超音波と熱に
より圧着することによりおこなわれる。
レームの素子ベツド部に取付け、その半導体素子の電極
とリードフレームのインナーリード部とをワイヤで接続
するワイヤポンディング方法がある。一般にこのワイヤ
ボンディングは、リードフレームを抑圧具により押圧固
定し、ホンディングツールによりワイヤを超音波と熱に
より圧着することによりおこなわれる。
第４図にそのワイヤポンディングに使用される従来のワ
イヤボンディング装置の要部構成を示す。
イヤボンディング装置の要部構成を示す。
このワイヤボンディング装置は、半導体素子（Ｓ）の取
付けられたリードフレーム〔Ｌ）（以下単にリードフレ
ームと記す）を間欠的に搬送する図示しない搬送機構を
備え、この搬送機構により搬送されるリードフレーム（
し）の搬送路（１）上にフィーダカバー（２）が設けら
れ、また、搬送路（１ンに沿ってその下部にリードフレ
ーム（［）を加熱するヒータブロック（３）が設けられ
ている。また、このじ−タブロック（３）によるリード
フレーム（［）の加熱酸化を防止するために、フィーダ
カバー（２）の内側に還元性または不活性ガスを導入す
る図示しないガス供給装置が設けられている。
付けられたリードフレーム〔Ｌ）（以下単にリードフレ
ームと記す）を間欠的に搬送する図示しない搬送機構を
備え、この搬送機構により搬送されるリードフレーム（
し）の搬送路（１）上にフィーダカバー（２）が設けら
れ、また、搬送路（１ンに沿ってその下部にリードフレ
ーム（［）を加熱するヒータブロック（３）が設けられ
ている。また、このじ−タブロック（３）によるリード
フレーム（［）の加熱酸化を防止するために、フィーダ
カバー（２）の内側に還元性または不活性ガスを導入す
る図示しないガス供給装置が設けられている。
さらに、ワイヤボンディング位置のフィーダカバー（２
）には、ボンディングツール（４）によるワイヤボンデ
ィングをおこなうための開孔（５）が形成されており、
その間孔部にワイヤボンディング位置に搬送されたリー
ドフレーム（［）を押圧する押圧具（６）が設けられて
いる。この押圧具（６）は、第５図に示すように、半導
体素子およびそのまわりのリードフレームのインナーリ
ード部を露出させるための開孔（７）を有し、図示しな
い押圧駆動機構の駆動によりフィーダカバー（２）の開
孔（５）を通って上下し、開孔（７）を取囲む枠部（８
）でリードフレーム（［）をヒータブロック（３）に押
圧固定する構造となっている。
）には、ボンディングツール（４）によるワイヤボンデ
ィングをおこなうための開孔（５）が形成されており、
その間孔部にワイヤボンディング位置に搬送されたリー
ドフレーム（［）を押圧する押圧具（６）が設けられて
いる。この押圧具（６）は、第５図に示すように、半導
体素子およびそのまわりのリードフレームのインナーリ
ード部を露出させるための開孔（７）を有し、図示しな
い押圧駆動機構の駆動によりフィーダカバー（２）の開
孔（５）を通って上下し、開孔（７）を取囲む枠部（８
）でリードフレーム（［）をヒータブロック（３）に押
圧固定する構造となっている。
ワイヤボンディングは、搬送機構の間欠的搬送によりワ
イヤボンディング位置に搬送されたリードフレーム（［
）を押圧具（６）によりヒータブロック（３）に押圧固
定し、押圧具（６）の開孔（７）内に露出している半導
体素子（Ｓ）の位置を図示しない位置認識手段により検
出したのち、ボンディングツール（４）を上下、左右、
前後に動かして、このボンディングツール（４）に支持
されたワイヤ（Ｗ）を上記半導体素子（Ｓ）の電極およ
びリードフレーム（［）のインナーリード部に超音波お
よび熱により圧着することによりおこなわれる。
イヤボンディング位置に搬送されたリードフレーム（［
）を押圧具（６）によりヒータブロック（３）に押圧固
定し、押圧具（６）の開孔（７）内に露出している半導
体素子（Ｓ）の位置を図示しない位置認識手段により検
出したのち、ボンディングツール（４）を上下、左右、
前後に動かして、このボンディングツール（４）に支持
されたワイヤ（Ｗ）を上記半導体素子（Ｓ）の電極およ
びリードフレーム（［）のインナーリード部に超音波お
よび熱により圧着することによりおこなわれる。
（発明が解決しようとする課題）
上記ワイヤボンディング装置には、つぎのような問題が
ある。すなわち、従来−殻内に使用されていた比較的酸
化しにくいリードフレームを使用し、ワイヤとして金線
を使用してワイヤボンディングをおこなう場合はほとん
ど問題ないが、銅などからなるリードフレームやめっき
が施されていないリードフレームなど酸化しやすいリー
ドフレームを使用し、かつワイヤとして銅線やアルミニ
ウム線などを使用してワイヤボンディングをおこなうと
、通常、リードフレームは、ヒータブロックにより２５
０〜３５０℃程度に加熱され、かつフィーダカバーの開
孔を通って上下する押圧具が外部空気をフィーダカバー
の開孔下に巻込むため、リードフレームが酸化する。こ
のリードフレームの酸化は、押圧具の開孔内側にリード
フレームが露出しているため、ワイヤ切れなどにより装
置が停止した場合にもおこる。ざらに、ワイヤボンディ
ング位置が所要の雰囲気に保たれないと、リードフレー
ムばかりでなくボンディングされたワイヤも酸化され、
ボンディング強度が低下して信頼性の高い半導体装置と
することができない。
ある。すなわち、従来−殻内に使用されていた比較的酸
化しにくいリードフレームを使用し、ワイヤとして金線
を使用してワイヤボンディングをおこなう場合はほとん
ど問題ないが、銅などからなるリードフレームやめっき
が施されていないリードフレームなど酸化しやすいリー
ドフレームを使用し、かつワイヤとして銅線やアルミニ
ウム線などを使用してワイヤボンディングをおこなうと
、通常、リードフレームは、ヒータブロックにより２５
０〜３５０℃程度に加熱され、かつフィーダカバーの開
孔を通って上下する押圧具が外部空気をフィーダカバー
の開孔下に巻込むため、リードフレームが酸化する。こ
のリードフレームの酸化は、押圧具の開孔内側にリード
フレームが露出しているため、ワイヤ切れなどにより装
置が停止した場合にもおこる。ざらに、ワイヤボンディ
ング位置が所要の雰囲気に保たれないと、リードフレー
ムばかりでなくボンディングされたワイヤも酸化され、
ボンディング強度が低下して信頼性の高い半導体装置と
することができない。
この発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、
ワイヤボンディング位置でリードフレームを抑圧固定す
るために押圧具をリードフレームに対して接離駆動して
も、押圧具の開孔内側を所要の雰囲気に保って、リード
フレームやワイヤを酸化させないワイヤボンディング装
置とすることを目的とする。
ワイヤボンディング位置でリードフレームを抑圧固定す
るために押圧具をリードフレームに対して接離駆動して
も、押圧具の開孔内側を所要の雰囲気に保って、リード
フレームやワイヤを酸化させないワイヤボンディング装
置とすることを目的とする。
［発明の構成］
（発明が解決しようとする課題）
リードフレームに取付けられた半導体素子およびリード
フレームのインナーリード部を露出させる開孔が形成さ
れた押圧具により、加熱されたリードフレームを抑圧固
定して上記開孔内に露出する半導体素子の電極とリード
フレームのインナーリード部とをワイヤにより接続する
ワイヤボンディング装置において、上記押圧具にその開
孔内に露出する半導体素子とリードフレームのインノー
−リード部に還元性または不活性ガスを導くガス導通路
を形成した。
フレームのインナーリード部を露出させる開孔が形成さ
れた押圧具により、加熱されたリードフレームを抑圧固
定して上記開孔内に露出する半導体素子の電極とリード
フレームのインナーリード部とをワイヤにより接続する
ワイヤボンディング装置において、上記押圧具にその開
孔内に露出する半導体素子とリードフレームのインノー
−リード部に還元性または不活性ガスを導くガス導通路
を形成した。
（作 用）
上記のように押圧具に還元性または不活性ガスを導くガ
ス導通路を設けると、抑圧具によりリードフレームを押
圧固定するとき、その開孔内に露出する半導体素子とリ
ードフレームのインナーリード部を所要の雰囲気に保つ
ことができ、酸化しやすいリードフレームやワイヤに対
しても酸化を防止できる。
ス導通路を設けると、抑圧具によりリードフレームを押
圧固定するとき、その開孔内に露出する半導体素子とリ
ードフレームのインナーリード部を所要の雰囲気に保つ
ことができ、酸化しやすいリードフレームやワイヤに対
しても酸化を防止できる。
（実施例）
以下、図面を参照してこの発明を実施例に基づいて説明
する。
する。
第１図にその一実施例であるワイヤボンディング装置の
要部構成を示す。このワイヤボンディング装置は、リー
ドフレーム（［）（半導体素子（Ｓ）が取付けられてい
る）をワイヤボンディング位置に間欠的に搬入するとと
もに、ワイヤボンディング位置からボンディングを終了
したリードフレーム（［）を搬出する図示しない搬送機
構を備え、この搬送機構により搬送されるリードフレー
ム（［）の搬送路（１）上にフィーダカバー（２）が設
けられ、また、搬送路（１）に沿ってその下部にリード
フレーム（［）を加熱するヒータブロック（３）が設け
られている。
要部構成を示す。このワイヤボンディング装置は、リー
ドフレーム（［）（半導体素子（Ｓ）が取付けられてい
る）をワイヤボンディング位置に間欠的に搬入するとと
もに、ワイヤボンディング位置からボンディングを終了
したリードフレーム（［）を搬出する図示しない搬送機
構を備え、この搬送機構により搬送されるリードフレー
ム（［）の搬送路（１）上にフィーダカバー（２）が設
けられ、また、搬送路（１）に沿ってその下部にリード
フレーム（［）を加熱するヒータブロック（３）が設け
られている。
このヒータブロック（３）は、図示しない駆動装置によ
りリードフレーム（［）の間欠的搬送と同期して矢印（
１０）で示すように上下に駆動される。なお、（１１）
はそのヒータブロック（３）を加熱するヒーター、（１
２）はヒータブロック（３）の温度を制御する熱電対で
ある。
りリードフレーム（［）の間欠的搬送と同期して矢印（
１０）で示すように上下に駆動される。なお、（１１）
はそのヒータブロック（３）を加熱するヒーター、（１
２）はヒータブロック（３）の温度を制御する熱電対で
ある。
また、このワイヤボンディング装置には、ヒータブロッ
ク（３）の加熱によるリードフレーム（［）の酸化を防
止するために、フィーダカバー（２）の内側に還元性ま
たは不活性ガスを導入する図示しないガス供給装置が設
けられている。
ク（３）の加熱によるリードフレーム（［）の酸化を防
止するために、フィーダカバー（２）の内側に還元性ま
たは不活性ガスを導入する図示しないガス供給装置が設
けられている。
ざらに、ワイヤボンディング位置のフィーダカバー（２
）には、ワイヤボンディングをおこなうための開孔（５
）が形成されており、その開孔部に図示しない押圧駆動
機構により矢印（１３）で示す上下方向に駆動されてワ
イヤボンディング位置に搬送されたリードフレーム（Ｌ
）を抑圧固定する押圧具（１４）が配設されている。こ
の押圧具（１４）は、第２図に示すように、上記抑圧駆
動機構に取付けられる取付は部（１６）およびワイヤボ
ンディング位置に搬送された半導体素子およびそのまわ
りのリードフレームのインナーリード部を露出させる開
孔（１７）が形成された本体（１８）と、この本体（１
８）の開孔（１７）と同軸の開孔（１９）が形成され、
複数本のビスにより本体（１８）に取付けらるカバー（
２０）とからなる。上記本体（１８）には、上記抑圧駆
動機構との取付は部（１６）にガス供給管（２１）が取
付けられ、このガス供給管（２１）に連通してガス導入
孔（２２）、このガス導入孔（２２）に連通する第１の
溝（２３）およびこの第１の溝（２３）に連通して上記
開孔（１７）上に形成された第２の溝（２４）からなる
ガス導通路が設けられている。なお、上記第２の溝（２
４）は押圧具（１４）の−側に開口している。さらに、
開孔（１７）の周辺部には、上記ガス導通路から導入さ
れたガスが４方向から開孔（１７）に流込むように規制
する複数個のガイド突起（２５）が形成されている。上
記カバー（２０）は、この本体（１８）に形成された第
１および第２の溝（２３）、 （２４）を覆う。
）には、ワイヤボンディングをおこなうための開孔（５
）が形成されており、その開孔部に図示しない押圧駆動
機構により矢印（１３）で示す上下方向に駆動されてワ
イヤボンディング位置に搬送されたリードフレーム（Ｌ
）を抑圧固定する押圧具（１４）が配設されている。こ
の押圧具（１４）は、第２図に示すように、上記抑圧駆
動機構に取付けられる取付は部（１６）およびワイヤボ
ンディング位置に搬送された半導体素子およびそのまわ
りのリードフレームのインナーリード部を露出させる開
孔（１７）が形成された本体（１８）と、この本体（１
８）の開孔（１７）と同軸の開孔（１９）が形成され、
複数本のビスにより本体（１８）に取付けらるカバー（
２０）とからなる。上記本体（１８）には、上記抑圧駆
動機構との取付は部（１６）にガス供給管（２１）が取
付けられ、このガス供給管（２１）に連通してガス導入
孔（２２）、このガス導入孔（２２）に連通する第１の
溝（２３）およびこの第１の溝（２３）に連通して上記
開孔（１７）上に形成された第２の溝（２４）からなる
ガス導通路が設けられている。なお、上記第２の溝（２
４）は押圧具（１４）の−側に開口している。さらに、
開孔（１７）の周辺部には、上記ガス導通路から導入さ
れたガスが４方向から開孔（１７）に流込むように規制
する複数個のガイド突起（２５）が形成されている。上
記カバー（２０）は、この本体（１８）に形成された第
１および第２の溝（２３）、 （２４）を覆う。
第３図はカバー（２０）で覆われた第２の溝（２４）を
通り、ガイド突起（２５）により分岐して開孔内の半導
体素子（Ｓ）およびリードフレームのインナーリード（
Ｉ）に向かって流れ込むガスの流れを示したものである
。
通り、ガイド突起（２５）により分岐して開孔内の半導
体素子（Ｓ）およびリードフレームのインナーリード（
Ｉ）に向かって流れ込むガスの流れを示したものである
。
なお、この押圧具（１４）に供給されるガスとしては、
上記フィーダカバー（２）の内側に供給される還元性ま
たは不活性ガスと同じガスでよい。
上記フィーダカバー（２）の内側に供給される還元性ま
たは不活性ガスと同じガスでよい。
ワイヤボンディングは、フィーダカバー（２）の内側お
よび押圧具（１４）に所要のガスを供給しながら、搬送
機構の間欠的搬送によりワイヤボンディング位置に搬送
されたリードフレーム（Ｌ）を押圧具（１４）によりヒ
ータブロック（３）上に押圧固定し、押圧具（１４）の
開孔（１７）、 （１９）内に露出している半導体素子
（Ｓ）の位置を検出したのち、ボンディングツール（４
）を上下、左右、前後に動かして、このボンディングツ
ール（４）に支持されたワイヤ（Ｗ）を上記半導体素子
（Ｓ）の電極およびリードフレーム（［）のインナーリ
ード部に超音波および熱により圧着することによりおこ
なわれる。
よび押圧具（１４）に所要のガスを供給しながら、搬送
機構の間欠的搬送によりワイヤボンディング位置に搬送
されたリードフレーム（Ｌ）を押圧具（１４）によりヒ
ータブロック（３）上に押圧固定し、押圧具（１４）の
開孔（１７）、 （１９）内に露出している半導体素子
（Ｓ）の位置を検出したのち、ボンディングツール（４
）を上下、左右、前後に動かして、このボンディングツ
ール（４）に支持されたワイヤ（Ｗ）を上記半導体素子
（Ｓ）の電極およびリードフレーム（［）のインナーリ
ード部に超音波および熱により圧着することによりおこ
なわれる。
ところで、上記のようにワイヤボンディングを構成する
と、ワイヤボンディング時、押圧具（１４）の開孔（１
７）、 （１９）内に露出する半導体素子（Ｓ）および
リードフレーム（Ｌ）のインナーリード部を、ガス供給
管（２１）から押圧具（１４）に設けられたガス導通路
を介して供給されるガス雰囲気中に保ってワイヤボンデ
ィングをおこなうことができる。すなわち、ワイヤボン
ディング位置においてリードフレーム（［）を押圧固定
するために、フィーダカバー（２）の開孔（４）を通っ
て駆動される押圧具（１４）が外部空気を開孔（４）下
に巻込んでも、この押圧具（１４）から導入されるガス
が開孔（１７）、 （１９）内への侵入を防止する。し
たがって、酸化しやすいリードフレーム（［）やワイヤ
（Ｗ）を使用しても、それらを酸化させることなく、安
定して所定のワイヤボンディング強度をもつ信頼性の高
いワイヤボンディングをおこなうことができる。特にこ
のようなワイヤボンディング装置は、半導体素子（Ｓ）
の寸法が大きく、必然的に押圧具（１４）の開孔（１７
）、 （１９）が大きい場合、おるいはワイヤのループ
が長いために、大きな開孔（１７）、 （１９）を必要
とする場合などに有効である。
と、ワイヤボンディング時、押圧具（１４）の開孔（１
７）、 （１９）内に露出する半導体素子（Ｓ）および
リードフレーム（Ｌ）のインナーリード部を、ガス供給
管（２１）から押圧具（１４）に設けられたガス導通路
を介して供給されるガス雰囲気中に保ってワイヤボンデ
ィングをおこなうことができる。すなわち、ワイヤボン
ディング位置においてリードフレーム（［）を押圧固定
するために、フィーダカバー（２）の開孔（４）を通っ
て駆動される押圧具（１４）が外部空気を開孔（４）下
に巻込んでも、この押圧具（１４）から導入されるガス
が開孔（１７）、 （１９）内への侵入を防止する。し
たがって、酸化しやすいリードフレーム（［）やワイヤ
（Ｗ）を使用しても、それらを酸化させることなく、安
定して所定のワイヤボンディング強度をもつ信頼性の高
いワイヤボンディングをおこなうことができる。特にこ
のようなワイヤボンディング装置は、半導体素子（Ｓ）
の寸法が大きく、必然的に押圧具（１４）の開孔（１７
）、 （１９）が大きい場合、おるいはワイヤのループ
が長いために、大きな開孔（１７）、 （１９）を必要
とする場合などに有効である。
なお、上記実施例では、押圧具の開孔内に露出する半導
体素子およびリードフレームのインナーリード部に対し
て、４方向からガスが流込むように押圧具本体の開孔周
辺部にガイド突起を形成したが、この押圧具の開孔内へ
のガスの流込みは、半導体素子およびリードフレームに
対して３方向、２方向あるいは１方向から流込むように
適宜変更してもよい。
体素子およびリードフレームのインナーリード部に対し
て、４方向からガスが流込むように押圧具本体の開孔周
辺部にガイド突起を形成したが、この押圧具の開孔内へ
のガスの流込みは、半導体素子およびリードフレームに
対して３方向、２方向あるいは１方向から流込むように
適宜変更してもよい。
［発明の効果コ
リートフレームに取付けられた半導体素子およびリード
フレームのインナーリード部を露出させる開孔が形成さ
れた押圧具に還元性または不活性ガスを導くガス導通路
を設けたので、押圧具が加熱されたリードフレームを抑
圧固定するとき、その開孔内に露出する半導体素子とリ
ードフレームのインナーリード部を所要の雰囲気中に保
つことができ、酸化しやすいリードフレームやワイヤを
酸化させることなく、安定した所定のボンディング強度
をもつ信頼性の高いボンディングをおこなうワイヤボン
ディング装置を構成することができる。
フレームのインナーリード部を露出させる開孔が形成さ
れた押圧具に還元性または不活性ガスを導くガス導通路
を設けたので、押圧具が加熱されたリードフレームを抑
圧固定するとき、その開孔内に露出する半導体素子とリ
ードフレームのインナーリード部を所要の雰囲気中に保
つことができ、酸化しやすいリードフレームやワイヤを
酸化させることなく、安定した所定のボンディング強度
をもつ信頼性の高いボンディングをおこなうワイヤボン
ディング装置を構成することができる。
第１図はこの発明の一実施例であるワイヤボンディング
装置の要部構成を示す図、第２図はその押圧具の分解斜
視図、第３図はその押圧具のガス供給を説明するための
図、第４図は従来のワイヤボンディング装置の要部構成
を示す図、第５図はその押圧具の斜視図である。 １・・・搬送路 ２・・・フィーダカバー３・
・・ヒータブロック ４・・・ボンディングツール５・
・・フィーダカバーの聞°孔 １４・・・押圧具 １１・・・押圧具本体の開
孔１８・・・押圧具の本体 １９・・・カバーの開孔
２０・・・カバー ２１・・・ガス供給管２２
・・・ガス導入孔 ２３・・・第１の溝２４・・・
第２の溝 ２５・・・ガイド突起Ｉ・・・インナ
ーリード部 Ｌ・・・リードフレーム Ｓ・・・半導体素子Ｗ・・・
ワイヤ 代理人 弁理士 大 胡 典 夫 第 ２ 図
装置の要部構成を示す図、第２図はその押圧具の分解斜
視図、第３図はその押圧具のガス供給を説明するための
図、第４図は従来のワイヤボンディング装置の要部構成
を示す図、第５図はその押圧具の斜視図である。 １・・・搬送路 ２・・・フィーダカバー３・
・・ヒータブロック ４・・・ボンディングツール５・
・・フィーダカバーの聞°孔 １４・・・押圧具 １１・・・押圧具本体の開
孔１８・・・押圧具の本体 １９・・・カバーの開孔
２０・・・カバー ２１・・・ガス供給管２２
・・・ガス導入孔 ２３・・・第１の溝２４・・・
第２の溝 ２５・・・ガイド突起Ｉ・・・インナ
ーリード部 Ｌ・・・リードフレーム Ｓ・・・半導体素子Ｗ・・・
ワイヤ 代理人 弁理士 大 胡 典 夫 第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 リードフレームを加熱する加熱装置と、上記リードフレ
ームに取付けられた半導体素子および上記リードフレー
ムのインナーリード部を露出させる開孔が形成され、こ
の開孔を取囲む枠部で上記リードフレームを押圧する押
圧具とを有し、この押圧具により上記加熱装置により加
熱されたリードフレームを押圧固定して上記開孔内に露
出する上記半導体素子の電極と上記リードフレームのイ
ンナーリード部とをワイヤにより接続するワイヤボンデ
ィング装置において、 上記押圧具にこの押圧具の開孔内に露出する半導体素子
およびリードフレームのインナーリード部に還元性また
は不活性ガスを導くガス導通路が形成されていることを
特徴とするワイヤボンディング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63187847A JPH0237732A (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | ワイヤボンディング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63187847A JPH0237732A (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | ワイヤボンディング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0237732A true JPH0237732A (ja) | 1990-02-07 |
Family
ID=16213262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63187847A Pending JPH0237732A (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | ワイヤボンディング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0237732A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0459141U (ja) * | 1990-07-24 | 1992-05-21 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62276840A (ja) * | 1986-05-26 | 1987-12-01 | Hitachi Ltd | ボンデイング装置 |
-
1988
- 1988-07-27 JP JP63187847A patent/JPH0237732A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62276840A (ja) * | 1986-05-26 | 1987-12-01 | Hitachi Ltd | ボンデイング装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0459141U (ja) * | 1990-07-24 | 1992-05-21 |
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