JPH0345539B2 - - Google Patents
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- JPH0345539B2 JPH0345539B2 JP57046271A JP4627182A JPH0345539B2 JP H0345539 B2 JPH0345539 B2 JP H0345539B2 JP 57046271 A JP57046271 A JP 57046271A JP 4627182 A JP4627182 A JP 4627182A JP H0345539 B2 JPH0345539 B2 JP H0345539B2
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
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- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体装置の組立てに用いるワイヤ
ボンデイング装置に関する。
ボンデイング装置に関する。
半導体装置の一例のエポキシ樹脂モールドタイ
プのICにつき説明する。このタイプのICは通常
第１図に示される金属のリードフレーム１を使用
し、その素子取付部１ａやワイヤボンデイング部
に金または銀等のめつきを施して素子やワイヤの
接合を容易にしている。そして、その組立ての順
序はリードフレームの素子取付部に素子を例えば
銀入りエポキシペーストで接着後200℃のオーブ
ンで２〜３時間キユアアリングを施すとか、金−
シリコンの共晶接合や、はんだ材を利用して接合
を施すが、上記共晶接合では370℃の共晶点以上
の温度、はんだ接合では250℃以上の温度で達せ
られる。ついで、径25〜30μｍの金のボンデイン
グワイヤで素子電極とリードフレームのインナリ
ード１ｂとの接続、すなわち、ワイヤボンデイン
グが行われ、次のモールド封止工程へと組立工程
が進められる。
プのICにつき説明する。このタイプのICは通常
第１図に示される金属のリードフレーム１を使用
し、その素子取付部１ａやワイヤボンデイング部
に金または銀等のめつきを施して素子やワイヤの
接合を容易にしている。そして、その組立ての順
序はリードフレームの素子取付部に素子を例えば
銀入りエポキシペーストで接着後200℃のオーブ
ンで２〜３時間キユアアリングを施すとか、金−
シリコンの共晶接合や、はんだ材を利用して接合
を施すが、上記共晶接合では370℃の共晶点以上
の温度、はんだ接合では250℃以上の温度で達せ
られる。ついで、径25〜30μｍの金のボンデイン
グワイヤで素子電極とリードフレームのインナリ
ード１ｂとの接続、すなわち、ワイヤボンデイン
グが行われ、次のモールド封止工程へと組立工程
が進められる。
上記ワイヤボンデイングは一般に第２図に示さ
れるワイヤボンデイング装置に行なわれる。図に
おいて、２ａはローデイング部で、リードフレー
ムがマガジンに収納、装填され、ここからフレー
ム送り部３に載せられる。そして、リードフレー
ムはフレーム送り部３によつて送られボンデイン
グポジシヨン４に至る。このボンデイングポジシ
ヨンのやや手前から下部に設けられたボンデイン
グ用ヒータ５によつてリードフレームが加熱さ
れ、ボンデイングポジシヨンにて叙上の接合に好
適する温度になりボンデイングが施される。さら
にリードフレームはフレーム送り部によつてアン
ローデイング部２ｂに送られ、マガジンに収納さ
れるものである。
れるワイヤボンデイング装置に行なわれる。図に
おいて、２ａはローデイング部で、リードフレー
ムがマガジンに収納、装填され、ここからフレー
ム送り部３に載せられる。そして、リードフレー
ムはフレーム送り部３によつて送られボンデイン
グポジシヨン４に至る。このボンデイングポジシ
ヨンのやや手前から下部に設けられたボンデイン
グ用ヒータ５によつてリードフレームが加熱さ
れ、ボンデイングポジシヨンにて叙上の接合に好
適する温度になりボンデイングが施される。さら
にリードフレームはフレーム送り部によつてアン
ローデイング部２ｂに送られ、マガジンに収納さ
れるものである。
叙上の従来の装置によれば半導体素子とリード
フレームとにワイヤボンデイングを施す際に200
℃以上の温度に加熱されるので、素子のアルミニ
ウムで形成された電極面や、リードフレームの前
記ボンデイング部めつき面が酸化する。このた
め、ワイヤボンデイングの際のボンダビリテイを
悪化させ、ボンデイング強度が低下し製造上の歩
留低下や品質事故につながる等の重大な欠点があ
つた。
フレームとにワイヤボンデイングを施す際に200
℃以上の温度に加熱されるので、素子のアルミニ
ウムで形成された電極面や、リードフレームの前
記ボンデイング部めつき面が酸化する。このた
め、ワイヤボンデイングの際のボンダビリテイを
悪化させ、ボンデイング強度が低下し製造上の歩
留低下や品質事故につながる等の重大な欠点があ
つた。
この発明は上記従来の欠点を改良するためのワ
イヤボンデイング装置を提供する。
イヤボンデイング装置を提供する。
この発明にかかる半導体用ワイヤボンデイング
装置は、半導体装置の組立における半導体素子と
外囲器との内部接続を行うワイヤボンデイング装
置において、前記被加工体をワイヤボンデイング
ポジシヨンへ順次送り込むフイーダ部とボンデイ
ングポジシヨンとを連接して被包する一体のトン
ネルと、前記トンネルの内部に設けられた還元性
ガス導入部と、前記トンネルの下部に還元用ヒー
タとを具備して前記トンネル内を還元性雰囲気に
保持し、前記被加工体を積極的に還元させること
を特徴とする。
装置は、半導体装置の組立における半導体素子と
外囲器との内部接続を行うワイヤボンデイング装
置において、前記被加工体をワイヤボンデイング
ポジシヨンへ順次送り込むフイーダ部とボンデイ
ングポジシヨンとを連接して被包する一体のトン
ネルと、前記トンネルの内部に設けられた還元性
ガス導入部と、前記トンネルの下部に還元用ヒー
タとを具備して前記トンネル内を還元性雰囲気に
保持し、前記被加工体を積極的に還元させること
を特徴とする。
第３図に１実施例のワイヤボンデイング装置を
示す。図について、背景技術の装置とはフレーム
送り部のみ相違し他は変らないので相違する部分
のみ以下に詳細に説明する。
示す。図について、背景技術の装置とはフレーム
送り部のみ相違し他は変らないので相違する部分
のみ以下に詳細に説明する。
この装置のフレーム送り部１１はローデイング
部２ａ側からボンデイングポジシヨン４に至る間
がトンネル１１ａで被包され、その内部にN290
％、H210％の混合気（フオーミングガス）を送
入する還元性ガス導入部１１ｂと、トンネルの下
部に還元用ヒータ１１ｃを備える。このヒータは
トンネル内を300℃以上に加熱し、電極、フレー
ム面又はフレームのめつき部を還元活性化する。
部２ａ側からボンデイングポジシヨン４に至る間
がトンネル１１ａで被包され、その内部にN290
％、H210％の混合気（フオーミングガス）を送
入する還元性ガス導入部１１ｂと、トンネルの下
部に還元用ヒータ１１ｃを備える。このヒータは
トンネル内を300℃以上に加熱し、電極、フレー
ム面又はフレームのめつき部を還元活性化する。
なお、上記トンネル部はローデイング部からボ
ンデイングポジシヨンに至るまでに限られず、こ
れをアンローデイング部に至るまで、すなわち、
フレーム送り部の全長にわたつて設けてもよい。
但しボンデイング後は除冷しトンネル部より搬出
された所では100℃以下になつていることが活性
面の酸化を防止する上で良い。また、上記トンネ
ルの構造は一体の角筒型、（だ）円筒型などに限
られず、ヒータ板とこの上部のフレーム搬送機構
を包囲するふた体とで構成されたトンネルであつ
てもよい。
ンデイングポジシヨンに至るまでに限られず、こ
れをアンローデイング部に至るまで、すなわち、
フレーム送り部の全長にわたつて設けてもよい。
但しボンデイング後は除冷しトンネル部より搬出
された所では100℃以下になつていることが活性
面の酸化を防止する上で良い。また、上記トンネ
ルの構造は一体の角筒型、（だ）円筒型などに限
られず、ヒータ板とこの上部のフレーム搬送機構
を包囲するふた体とで構成されたトンネルであつ
てもよい。
この発明によれば、リードフレームのボンデイ
ング部の酸化によるボンダビリテイの低下をボン
デイングポジシヨン前に積極的に還元させること
によつて完全に改良できる。さらに上記還元に
は、前記被加工体をワイヤボンデイングポジシヨ
ンへ順次送り込むフイーダ部とボンデイングポジ
シヨンとを連接して被包する一体のトンネルと、
前記トンネルの内部に設けられた還元性ガス導入
部と、前記トンネルの下部に還元用ヒータとを具
備して前記トンネル内を還元性雰囲気に保持せし
め、還元効果を高めるとともに確実にする。ま
た、還元用ヒータ１１ｃとボンデイング用ヒータ
５とは各温度を任意に設定してよいが、還元用ヒ
ータの熱をリードフレームやフレーム搬送機構が
備えてボンデイングポジシヨンに入るのでボンデ
イング時の加熱にも寄与する。さらに、還元性雰
囲気はボンデイングポジシヨンにもおよぶのでボ
ンデイングのコンデイシヨンも良好にするなどの
顕著な利点がある。
ング部の酸化によるボンダビリテイの低下をボン
デイングポジシヨン前に積極的に還元させること
によつて完全に改良できる。さらに上記還元に
は、前記被加工体をワイヤボンデイングポジシヨ
ンへ順次送り込むフイーダ部とボンデイングポジ
シヨンとを連接して被包する一体のトンネルと、
前記トンネルの内部に設けられた還元性ガス導入
部と、前記トンネルの下部に還元用ヒータとを具
備して前記トンネル内を還元性雰囲気に保持せし
め、還元効果を高めるとともに確実にする。ま
た、還元用ヒータ１１ｃとボンデイング用ヒータ
５とは各温度を任意に設定してよいが、還元用ヒ
ータの熱をリードフレームやフレーム搬送機構が
備えてボンデイングポジシヨンに入るのでボンデ
イング時の加熱にも寄与する。さらに、還元性雰
囲気はボンデイングポジシヨンにもおよぶのでボ
ンデイングのコンデイシヨンも良好にするなどの
顕著な利点がある。
第１図はリードフレームの正面図、第２図は従
来のワイヤボンデイング装置の概略を示す側面
図、第３図は１実施例のワイヤボンデイング装置
の要部を示す側面図である。 １……リードフレーム、２ａ……ローデイング
部、２ｂ……アンローデイング部、４……ボンデ
イングポジシヨン、５……ボンデイング用ヒー
タ、１１……フレーム送り部、１１ａ……（フレ
ーム送り部の）トンネル、１１ｂ……還元性ガス
導入部、１１ｃ……還元用ヒータ。
来のワイヤボンデイング装置の概略を示す側面
図、第３図は１実施例のワイヤボンデイング装置
の要部を示す側面図である。 １……リードフレーム、２ａ……ローデイング
部、２ｂ……アンローデイング部、４……ボンデ
イングポジシヨン、５……ボンデイング用ヒー
タ、１１……フレーム送り部、１１ａ……（フレ
ーム送り部の）トンネル、１１ｂ……還元性ガス
導入部、１１ｃ……還元用ヒータ。
Claims (1)
- １ 半導体装置の組立における半導体素子と外囲
器との内部接続を行うワイヤボンデイング装置に
おいて、前記被加工体をワイヤボンデイングポジ
シヨンへ順次送り込むフイーダ部とボンデイング
ポジシヨンとを連接して被包する一体のトンネル
と、前記トンネルの内部に設けられた還元性ガス
導入部と、前記トンネルの下部に還元用ヒータと
を具備して前記トンネル内を還元性雰囲気に保持
し、前記被加工体を積極的に還元させることを特
徴とする半導体用ワイヤボンデイング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57046271A JPS58164234A (ja) | 1982-03-25 | 1982-03-25 | 半導体用ワイヤボンデイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57046271A JPS58164234A (ja) | 1982-03-25 | 1982-03-25 | 半導体用ワイヤボンデイング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58164234A JPS58164234A (ja) | 1983-09-29 |
| JPH0345539B2 true JPH0345539B2 (ja) | 1991-07-11 |
Family
ID=12742558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57046271A Granted JPS58164234A (ja) | 1982-03-25 | 1982-03-25 | 半導体用ワイヤボンデイング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58164234A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014159813A1 (en) | 2013-03-13 | 2014-10-02 | Moderna Therapeutics, Inc. | Long-lived polynucleotide molecules |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2526790B2 (ja) * | 1993-06-28 | 1996-08-21 | 日本電気株式会社 | 半導体製造装置 |
| CN103801866B (zh) * | 2014-03-06 | 2015-07-01 | 成都先进功率半导体股份有限公司 | 一种焊线机推片下料装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5513824A (en) * | 1978-07-14 | 1980-01-31 | Hitachi Ltd | Passage of gas chromatography |
| JPS55127025A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-01 | Toshiba Corp | Assembly for semiconductor device and its apparatus |
| JPS55138246A (en) * | 1979-04-13 | 1980-10-28 | Toshiba Corp | Manufacture of semicondoctor device |
-
1982
- 1982-03-25 JP JP57046271A patent/JPS58164234A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5513824A (en) * | 1978-07-14 | 1980-01-31 | Hitachi Ltd | Passage of gas chromatography |
| JPS55127025A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-01 | Toshiba Corp | Assembly for semiconductor device and its apparatus |
| JPS55138246A (en) * | 1979-04-13 | 1980-10-28 | Toshiba Corp | Manufacture of semicondoctor device |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014159813A1 (en) | 2013-03-13 | 2014-10-02 | Moderna Therapeutics, Inc. | Long-lived polynucleotide molecules |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58164234A (ja) | 1983-09-29 |
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