JPS607159A - 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置とその製造方法Info
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- JPS607159A JPS607159A JP11392583A JP11392583A JPS607159A JP S607159 A JPS607159 A JP S607159A JP 11392583 A JP11392583 A JP 11392583A JP 11392583 A JP11392583 A JP 11392583A JP S607159 A JPS607159 A JP S607159A
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- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置とその製造方法に関する
。
。
樹脂封止型半導体装置のリードフレームは、第1図に示
すように、半導体チップを固着するダイバラ+y/と、
このダイパラ)′/全支えるタイツ々−2と、グイパッ
ド/を囲むように配されたインナーリーP3と、このイ
ンナーリード3の延長部分で外部端子となるアウターリ
ード1.tヲ有しており、これらを枠jで支えている。
すように、半導体チップを固着するダイバラ+y/と、
このダイパラ)′/全支えるタイツ々−2と、グイパッ
ド/を囲むように配されたインナーリーP3と、このイ
ンナーリード3の延長部分で外部端子となるアウターリ
ード1.tヲ有しており、これらを枠jで支えている。
従来の樹脂封止型半導体装置は、第2図に示すようにこ
のリードフレームを用い、ダイパッド/に半導体チップ
10を固着し、半導体テンプ10上のポンディングパッ
ドとインナーリード3をそれぞれ金の極細線等のボンデ
ィングワイヤ//により結線し、アラターリ−1−’u
を残してエポキシ等の樹脂/コによりモールドし、その
後タイバー2、アウターリード弘を枠jより切離し、ア
ウターリード4tf曲げ成形している。
のリードフレームを用い、ダイパッド/に半導体チップ
10を固着し、半導体テンプ10上のポンディングパッ
ドとインナーリード3をそれぞれ金の極細線等のボンデ
ィングワイヤ//により結線し、アラターリ−1−’u
を残してエポキシ等の樹脂/コによりモールドし、その
後タイバー2、アウターリード弘を枠jより切離し、ア
ウターリード4tf曲げ成形している。
アウターIJ−F″ψを曲げ成形する場合従来は第3図
に示すように、モールドされ枠jより切離された半導体
装置を下金型/3に載せ、上金型/4’によりアウター
リードμの根元を押えた後上金型13を下降して曲げ成
形している。アラターリ−P≠を曲げ成形する際に、そ
の根元を押えているのは、曲げ成形による力でインナー
リード3が引っ張られたり、樹脂/2が破壊されたりす
ることを防止するとともに、アウターリード弘の曲げの
位置を正確に定めるためである。
に示すように、モールドされ枠jより切離された半導体
装置を下金型/3に載せ、上金型/4’によりアウター
リードμの根元を押えた後上金型13を下降して曲げ成
形している。アラターリ−P≠を曲げ成形する際に、そ
の根元を押えているのは、曲げ成形による力でインナー
リード3が引っ張られたり、樹脂/2が破壊されたりす
ることを防止するとともに、アウターリード弘の曲げの
位置を正確に定めるためである。
このように従来はアウターリード弘を曲げ成形する際に
押さえる部分を必要とするため、樹脂/ユの外形よりも
半導体装置全体の外形が大きくなるという問題があった
。すなわち、半導体チップの大きさに対して半導体装置
の大きさが太きいため、近年要求される高密度実装に対
して障害となっていた。
押さえる部分を必要とするため、樹脂/ユの外形よりも
半導体装置全体の外形が大きくなるという問題があった
。すなわち、半導体チップの大きさに対して半導体装置
の大きさが太きいため、近年要求される高密度実装に対
して障害となっていた。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、半導体テ
ノゾの大きさに対して全体の外形を小さくし、高密度実
装に適した樹脂制止型半導体装置とその製造方法を提供
することを目的とする。
ノゾの大きさに対して全体の外形を小さくし、高密度実
装に適した樹脂制止型半導体装置とその製造方法を提供
することを目的とする。
この目的を達成するために本発明による樹脂封止型半導
体装置は、少なくともインナーリードおよびタイバーの
一部に、これらを相互に結合して補強する絶縁性メツシ
ュ部材を設けたことを特徴とする。
体装置は、少なくともインナーリードおよびタイバーの
一部に、これらを相互に結合して補強する絶縁性メツシ
ュ部材を設けたことを特徴とする。
またこの樹脂封止型半導体装置の製造方法は、絶縁性メ
ツシュ部材を貼り付ける工程を少なくともワイヤボンデ
ィング工程の前に設け、アラターリ−13ヲ曲げ加工す
る工程を少なくともグイボンディング工程の前に設ける
ことを特徴とする。
ツシュ部材を貼り付ける工程を少なくともワイヤボンデ
ィング工程の前に設け、アラターリ−13ヲ曲げ加工す
る工程を少なくともグイボンディング工程の前に設ける
ことを特徴とする。
以下図ボの一実施例に基づいて本発明を説明する。本発
明の紀/の実施例による樹脂封止型半導体装置は 第グ
図に示すように、ダイパッド/とこのダイパッド/に固
着された半導体チップIOと、インナーリード3とを樹
脂/コによりモールドしている。この樹脂封止型半導体
装置は、ダイパッド/とインブーリード3の下部に例え
ばポリイミド網等の絶縁性メツシュ部材Jを貼り付けて
補強している。絶縁性としたのはダイパッドlとインナ
ーI)−1’Jの相互で電気的に導通するのを防止する
ためであり、メツシュにしたのはモールドしたときに樹
脂/、2がダイパッド/とインナーリー1す3の上下部
に充分入り込むようにし、上下の分1111iが発生し
ないようにするだめである。そしてアウター IJ −
pμは従来の上りにモールドされた樹脂/aから飛び出
すことなく形成されており、樹脂7.2の外形と半導体
装置の外形とは同じである。
明の紀/の実施例による樹脂封止型半導体装置は 第グ
図に示すように、ダイパッド/とこのダイパッド/に固
着された半導体チップIOと、インナーリード3とを樹
脂/コによりモールドしている。この樹脂封止型半導体
装置は、ダイパッド/とインブーリード3の下部に例え
ばポリイミド網等の絶縁性メツシュ部材Jを貼り付けて
補強している。絶縁性としたのはダイパッドlとインナ
ーI)−1’Jの相互で電気的に導通するのを防止する
ためであり、メツシュにしたのはモールドしたときに樹
脂/、2がダイパッド/とインナーリー1す3の上下部
に充分入り込むようにし、上下の分1111iが発生し
ないようにするだめである。そしてアウター IJ −
pμは従来の上りにモールドされた樹脂/aから飛び出
すことなく形成されており、樹脂7.2の外形と半導体
装置の外形とは同じである。
絶縁性メツシュ部材20は、第5図に示すようにダイバ
ラP/とタイツ々−λとインナーリード3の下面をおお
うように形成してもよいが、第を図に示すようにタイバ
ー−とインナーリー13の一部の下面をおおうようにし
てもよい。このようにダイパッド/とその近くのインナ
ーリード3をおおわない絶縁性メツシュ部材、20であ
れば、第7図に示すように上面に形成してもよい。
ラP/とタイツ々−λとインナーリード3の下面をおお
うように形成してもよいが、第を図に示すようにタイバ
ー−とインナーリー13の一部の下面をおおうようにし
てもよい。このようにダイパッド/とその近くのインナ
ーリード3をおおわない絶縁性メツシュ部材、20であ
れば、第7図に示すように上面に形成してもよい。
このように構成することにより、樹脂によるモールr前
にアウターリードを曲げることができる。
にアウターリードを曲げることができる。
これは、単に曲げただけではインナーリーPやアウター
リードが組立て途中の搬送等で変形しやすいが、絶縁性
メツシュ部材によりそのような変形を防止できるからで
ある。モールP前にアウターリードを曲げ成形できれば
、樹脂の外形に対して半導体装同全体の外形が不必要に
大きくなることなく形成できる。
リードが組立て途中の搬送等で変形しやすいが、絶縁性
メツシュ部材によりそのような変形を防止できるからで
ある。モールP前にアウターリードを曲げ成形できれば
、樹脂の外形に対して半導体装同全体の外形が不必要に
大きくなることなく形成できる。
次にこの樹脂封止型半導体装置の製造方法を第r図に示
す。まず第2図(a)に示すようにプレス又はxッチン
グで成形されたリードツレ−ムラ用意する。次に第2図
色)に示すようにこのリードフレームのうちダイパッド
/とタイツ々−コとインナーリード3の下面に絶縁性メ
ツシュ部材mを貼り付ける。接着剤としては例えばアク
リル系接着剤、エポキシ系接着剤、ポリイミド系接着剤
を用いる。
す。まず第2図(a)に示すようにプレス又はxッチン
グで成形されたリードツレ−ムラ用意する。次に第2図
色)に示すようにこのリードフレームのうちダイパッド
/とタイツ々−コとインナーリード3の下面に絶縁性メ
ツシュ部材mを貼り付ける。接着剤としては例えばアク
リル系接着剤、エポキシ系接着剤、ポリイミド系接着剤
を用いる。
次に第r図(c)に示すようにアラターリ−)11 p
を曲は加工する。絶H性メyシュ部拐コOによりすでに
補強されているため曲げ加工をしても問題を生じない。
を曲は加工する。絶H性メyシュ部拐コOによりすでに
補強されているため曲げ加工をしても問題を生じない。
次に第r図(d)に示すように半導体チップ10をグイ
パッド/上にグイボンディングし、ワイヤ//IfCて
、半導体テップ10上のポンディングパッドとインナー
リーF:″3を接続する。次に第r図(e)に示すよう
に樹脂7.2にてモール1:″し7、枠jを切り離し、
最終的に妃f [121(f)に示すようになり半導体
装置が完成する。
パッド/上にグイボンディングし、ワイヤ//IfCて
、半導体テップ10上のポンディングパッドとインナー
リーF:″3を接続する。次に第r図(e)に示すよう
に樹脂7.2にてモール1:″し7、枠jを切り離し、
最終的に妃f [121(f)に示すようになり半導体
装置が完成する。
なお、絶縁性メッシュ部材、2/llを貼り付けて補強
する工程娃1、アラターリ−Pを曲げた後でもよいし、
グイマウント後でもよい。要は組立て途中の搬送等によ
るfi1撃や振動がおきる可能性のある工程の前であれ
ば、この絶#Ep性メツシュ部イオコ0を貼り付けるこ
とkl: 治効で、男るからである。
する工程娃1、アラターリ−Pを曲げた後でもよいし、
グイマウント後でもよい。要は組立て途中の搬送等によ
るfi1撃や振動がおきる可能性のある工程の前であれ
ば、この絶#Ep性メツシュ部イオコ0を貼り付けるこ
とkl: 治効で、男るからである。
甘たアラクーリードグを曲げ成形する工程は、絶縁性メ
ツシュ部材ノOを貼り付ける前でもよく、要はグイポン
ディング工程前でル〕れはよい。
ツシュ部材ノOを貼り付ける前でもよく、要はグイポン
ディング工程前でル〕れはよい。
なお、樹脂をモールl゛する方法としては、樹脂を加圧
加熱しながら溶融してキャビティ内に移送充填するトラ
ンスファ、:TニールP法でもよいし、窪みに溶融した
樹脂を入れて成形するキースティン(7) グ法でもよいし、真中部分に中空部分のある中空封止法
でもよい。1だ、以上の実施例はD工Pについてであっ
たが、リードの曲げ加工を必要とする樹脂封止型のフラ
ノトパッヶー、ジに(適用できるのはいうまでも々い。
加熱しながら溶融してキャビティ内に移送充填するトラ
ンスファ、:TニールP法でもよいし、窪みに溶融した
樹脂を入れて成形するキースティン(7) グ法でもよいし、真中部分に中空部分のある中空封止法
でもよい。1だ、以上の実施例はD工Pについてであっ
たが、リードの曲げ加工を必要とする樹脂封止型のフラ
ノトパッヶー、ジに(適用できるのはいうまでも々い。
以上の通り本発明によれば半導体装置全体の外形を、樹
脂外形の大きさとほぼ同じにすることができる。したが
って半導体装置全体の大きさに対して、より大きな半導
体チップを塔載することができ、高密度実装に適した半
導体装置を得ることができる。
脂外形の大きさとほぼ同じにすることができる。したが
って半導体装置全体の大きさに対して、より大きな半導
体チップを塔載することができ、高密度実装に適した半
導体装置を得ることができる。
第1図は樹脂封止型半導体装置に用いられるリードフレ
ーJの刺視図、第2図は従来の樹脂封止型#渚体装檻の
断面図、第3図は同樹脂封止型半導体装置の金型を示す
断面図、 第グ図は本発明の一実施例による樹脂封止型半導体装置
の断面図、第5図、第6図、第7図はそ(,1’) れぞれ同樹脂封止型半導体装置に用いられる絶縁性メツ
シュ部制の具体例を示す斜視図、gz図(a)。 (b) 、(c) 、 +d1− (e) 、(f)け
同樹脂封止型半導体装置の製造方法の工程図である。 /・・ダイバラ1.2・・・タイツクー13山インナー
リード、弘・・アラターリ−1?、j・・・枠、10・
・・半導体ナツツ、//・・・ワイヤ、/コ山樹脂、/
3・・・下金型、/グ、/!;・・・止金型、I・・・
絶縁性メツシュ部材。 出願人代理人 猪 股 清 区 区 −N 輪 C 図 N 1寸 毅 鯛
ーJの刺視図、第2図は従来の樹脂封止型#渚体装檻の
断面図、第3図は同樹脂封止型半導体装置の金型を示す
断面図、 第グ図は本発明の一実施例による樹脂封止型半導体装置
の断面図、第5図、第6図、第7図はそ(,1’) れぞれ同樹脂封止型半導体装置に用いられる絶縁性メツ
シュ部制の具体例を示す斜視図、gz図(a)。 (b) 、(c) 、 +d1− (e) 、(f)け
同樹脂封止型半導体装置の製造方法の工程図である。 /・・ダイバラ1.2・・・タイツクー13山インナー
リード、弘・・アラターリ−1?、j・・・枠、10・
・・半導体ナツツ、//・・・ワイヤ、/コ山樹脂、/
3・・・下金型、/グ、/!;・・・止金型、I・・・
絶縁性メツシュ部材。 出願人代理人 猪 股 清 区 区 −N 輪 C 図 N 1寸 毅 鯛
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体チップと、この半導体チップを載せるダイパ
ッドと、このダイパッドを支えるタイツ々−と、前記ダ
イパッドとほぼ同一平面にあって前記ダイパッドを囲む
ように配され、前記半導体チップのポンディングパッド
とそれぞれワイヤで電気的に接続される複数のインナー
リードと、これらインナーリードの延長部分であって外
部端子と力る複数のアウターリードとを備え、これら半
導体チップとダイパッドとタイツ々−とインナーリーP
とを樹脂封止して形成された樹脂封止型半導体装置にお
いて、 少々くとも前記インナーリードおよび前記タイツ々−の
一部に、前記インナーリード相互間およびタイ・々−を
結合して補強する絶縁性メソシュ部材を設けたことを特
徴とする樹脂側止型半導体装置。 2、リードフレームの外枠からタイツ々−で支えられて
いるダイパッドに半導体チップをグイボンディングする
グイボンディング工程と、前記外枠からのアラタリーP
の延長部分であるインナーリードと前記半導体チップの
ポンディングパッドとをワイヤボンディングするワイヤ
ボンディング工程と、これら半導体チップとダイパッド
とタイツ9−とインナーリードとを樹脂制止する樹脂封
止工程とを有する、樹脂封止型半導体装置の製造方法に
おいて、 絶縁性メツシュ部材を少なくとも前記インナーリーrお
よび前記タイツ々−の一部に貼り付ける工程を少なくと
も前記ワイヤボンディング工程の前に設け、前記アウタ
ーリードを曲げ加工′する工程を少々くとも前記グイボ
ンディング工程の前に設けることf:特徴とする、樹脂
封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11392583A JPS607159A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11392583A JPS607159A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS607159A true JPS607159A (ja) | 1985-01-14 |
Family
ID=14624624
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11392583A Pending JPS607159A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS607159A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5084753A (en) * | 1989-01-23 | 1992-01-28 | Analog Devices, Inc. | Packaging for multiple chips on a single leadframe |
JP2008545278A (ja) * | 2005-06-30 | 2008-12-11 | サンディスク コーポレイション | 非対称なリードフレームコネクションを有するダイパッケージ |
-
1983
- 1983-06-24 JP JP11392583A patent/JPS607159A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5084753A (en) * | 1989-01-23 | 1992-01-28 | Analog Devices, Inc. | Packaging for multiple chips on a single leadframe |
JP2008545278A (ja) * | 2005-06-30 | 2008-12-11 | サンディスク コーポレイション | 非対称なリードフレームコネクションを有するダイパッケージ |
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