JP2003037131A - ボンディング装置 - Google Patents

ボンディング装置

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JP2003037131A
JP2003037131A JP2001225154A JP2001225154A JP2003037131A JP 2003037131 A JP2003037131 A JP 2003037131A JP 2001225154 A JP2001225154 A JP 2001225154A JP 2001225154 A JP2001225154 A JP 2001225154A JP 2003037131 A JP2003037131 A JP 2003037131A
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Japan
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cover
bonding apparatus
bonding
plate
insulated
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Norihiro Sakai
紀泰 酒井
Koji Seki
幸治 関
Toshihiko Tono
俊彦 東野
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ボンディング装置において、ワイヤーボンデ
ィング工程時、作業孔周囲のカバーが反り上がること
で、反り上がったカバーとトーチ電極とでミススパーク
を起こすという問題があった。 【解決手段】 本発明の認識装置を備えたボンディング
装置２１では、作業孔２４周囲に位置するカバー２３の
一部２３１を絶縁処理することに特徴がある。そして、
作業領域内は基板載置台２２内のヒーター３０により、
例えば、２３０℃程度の高温に維持され、常時、高温下
に置かれることでカバー２３の一部４７１は反り上が
る。しかし、カバー２３の一部２３１は絶縁処理されて
いることで、トーチ電極２８とミススパークを起こすこ
とないボンディング装置を実現することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、作業領域を形成す
るカバーとトーチ電極とのミススパークを防止するボン
ディング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来における半導体装置では、リードフ
レーム上に形成された搭載部にワイヤーボンディングを
行う場合には各搭載部毎に行われており、その１実施例
として、例えば、特開昭６３−２９５３５号公報にその
ボンディング装置について開示されている。
【０００３】図７に示すように、ヒートブロック部１上
には、チップ１０が付されたトランジスタリードフレー
ム２が載置されている。そして、ヒートブロック部１上
のリードフレーム２上部には、ボンディングアーム３が
設置されており、ボンディングアーム３先端にはキャピ
ラリー４が設置されている。このキャピラリー４にはワ
イヤ５が設置されたおり、キャピラリ４近傍にはワイヤ
５のボール形成行うためのトーチ電極６が設置されてい
る。
【０００４】そして、この熱圧着型ボンディング装置に
は、ワイヤボンド位置認識部７、ボンディングヘッド駆
動部８が設置されており、ボンディングヘッド駆動部８
のＸＹ方向への稼働と連動して稼働するようにセットさ
れた、ボンディング部を局部的に加熱するための局部加
熱装置９も設置されている。この局部加熱装置９として
は例えばレーザー光線装置を用いることができる。
【０００５】次に動作について説明する。ヒートブロッ
ク部１により加熱されたリードフレーム２に、ワイヤボ
ンド位置認識部７の情報によりあらかじめプログラムさ
れた通りボンディングヘッド駆動部８を稼働させるとと
もに、局部加熱装置９をボンディング中のみ稼働させて
チップ１０上の熱不足を補いつつボールボンドし、その
後キャピラリー４をリードフレーム２側に移動させ、再
び局部加熱装置９をボンディング中のみ稼働させてリー
ドフレーム２側の熱不足を補いつつステッチボンドを行
ない、その後トーチ電極６により切断されたワイヤ５の
先端にボール部を形成させる。
【０００６】次にチップ１０上のもう一方の電極に、局
部加熱装置９をボンディング中のみ稼働させてチップ１
０上の熱不足を補いつつボールボンドし、その後キャピ
ラリー４をリードフレーム側に移動させ、再び局部加熱
装置９をボンディング中のみ稼働させ、リードフレーム
側の熱不足を補いつつステッチボンドを行ない、その後
トーチ電極６により切断されたワイヤ５の先端にボール
を形成させる。以上のようにボンディング部の熱不足を
補いつつボンディングさせているため、高品質なワイヤ
ボンドが得られる。またさらに超音波をも併用すればよ
り高品質なワイヤボンドが得られるものである。
【０００７】また、上記実施例では、トランジスタチッ
プの場合について示したが、チップはこれに限らずダイ
オード、ＩＣなどであってもよく、本発明は任意の半導
体装置のワイヤボンダーとして適用できるものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、完全
に打ち抜かれたリードフレーム２上に搭載部が形成され
ている場合は、ワイヤーボンディング時に当該搭載部の
みが、例えば、２５０℃くらいに加熱されれば良い。つ
まり、リードフレーム２全体が、常に、高温状態に有る
わけではなく部分加熱で可能であるため、特に、上記に
おけるボンディング装置ではリードフレーム２の表面が
酸化する等の問題を考慮する必要はなかった。
【０００９】しかし、本発明の実施の形態で詳細はする
が、小面積に多数の搭載部を有する集合ブロックをリー
ドフレーム等上に形成した場合は、１つの集合ブロック
の全てのワイヤーボンディング工程が終わるまではリー
ドフレーム等は高温状態に維持されたままである。その
ことにより、集合ブロックを有するリードフレーム等
は、上記の高温状態に長時間置かれることにより酸化し
てしまう。そのため、上記したリードフレーム２等が酸
化することを防止するためには、高温状態に有るリード
フレームを不活性ガス、例えば、窒素ガスで満たされた
空間に置くことで防ぐ必要がある。
【００１０】そのためには、この空間を形成するために
は、リードフレームを載置する作業台上に不活性ガス充
填空間を形成し、更に、その空間上部には認識用および
ワイヤーボンディング用の作業孔を形成しなければなら
ない。この時、不活性ガスが空間内で高温に加熱され上
昇気流により作業孔から外部に出るが、このとき作業孔
を形成するカバー周端が高温等の影響により反り上がっ
てしまう。その結果、トーチ電極６と反り上がったカバ
ーとでミススパークを起こし、ワイヤ５の先端にボール
部を形成することができないという課題があった。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記した従来
の課題に鑑みてなされたもので、本発明のボンディング
装置では、加熱機能を備えた基板載置台と、前記基板載
置台上に作業領域を覆うカバーと、前記カバー上面に設
けられた作業孔と、前記作業孔上方に設けた照明と、前
記照明側面に設けたキャピラリーおよびトーチ電極と、
前記照明上方に備えた鏡筒内に設けたパターン認識用カ
メラとを備え、前記カバーには、前記作業孔周囲が絶縁
処理され、前記トーチ電極と前記カバー間でのスパーク
発生を防止することを特徴とする。
【００１２】本発明のボンディング装置は、好適には、
前記カバーには、前記トーチ電極先端に最も近い側辺を
有する前記作業孔周辺にのみ絶縁処理されることを特徴
とする。
【００１３】更に、本発明のボンディング装置は、好適
には、前記カバーには、耐熱絶縁テープを貼ることで絶
縁処理されることを特徴とする。
【００１４】更に、本発明のボンディング装置は、好適
には、前記耐熱絶縁テープは、フッ素系樹脂から成るテ
ープであることを特徴とする。
【００１５】更に、本発明のボンディング装置は、好適
には、前記カバーには、フッ素系樹脂から成る絶縁層を
形成することで絶縁処理されることを特徴とする。
【００１６】更に、本発明のボンディング装置は、好適
には、前記カバーには、絶縁板を貼り合わせることで絶
縁処理されることを特徴とする。
【００１７】更に、本発明のボンディング装置は、好適
には、前記絶縁板はセラミック板であることを特徴とす
る。
【００１８】更に、本発明のボンディング装置は、好適
には、前記カバー裏面に前記作業孔形成時の打ち抜き面
が位置することを特徴とする。
【００１９】また、上記した課題を解決するために、本
発明のボンディング装置は、加熱機能を備えた基板載置
台と、前記基板載置台上に作業領域を覆うカバーと、前
記カバー上面に設けられた作業孔と、前記作業孔上方に
設けた照明と、前記照明側面に設けたキャピラリーおよ
びトーチ電極と、前記照明上方に備えた鏡筒内に設けた
パターン認識用カメラとを備え、前記カバーはクランパ
ー上面を導電板で覆うことから成り、前記導電板には前
記導電板に設けられた前記作業孔周辺が絶縁処理され、
前記トーチ電極と前記導電板間でのスパークの発生を防
止することを特徴とする。
【００２０】本発明のボンディング装置は、回路装置の
製造方法は、好適には、前記導電板はステンレスから成
ることを特徴とする。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明であるボンディング装置に
ついて、図１〜図６を参照しながら詳細に説明する。
【００２２】本発明の実施の形態では、認識装置とボン
ディング装置が連動し、一台の認識装置を備えたボンデ
ィング装置２１として形成されている。
【００２３】図１に示す如く、ボンディング装置２１の
主な構造は、載置台２２、載置台２２上に作業スペース
を覆うカバー２３、カバー２３上面に設けられた作業孔
２４、作業孔２４上方に設置されたリング照明２５、リ
ング照明２５側面に設置されたボンディングアーム２
６、ボンディングアーム２６先端部に設けられたキャピ
ラリー２７、キャピラリー２７近傍に設けられたトーチ
電極２８、リング照明２５上方に設けられた鏡筒２９、
図示はしていないが、鏡筒２９内に設置された認識カメ
ラおよび陽炎防止ブロー機構３１により成る。そして、
本発明の特徴として、作業孔２４が設けられたカバー２
３の周辺部２３１は、絶縁処理が施されている。
【００２４】次に、個々の構成要素の特徴を説明しなが
ら、その動作についても説明する。
【００２５】先ず、載置台２２は多数の搭載部を有する
リードフレーム３４が載置され、リードフレーム３４を
加熱することでワイヤーボンディング性を向上させるた
めにヒータ３０機能を備えている。このヒータ３０によ
り、載置台２２およびカバー２３により構成される作業
スペース内は、ワイヤーボンディング工程の間中、例え
ば、２３０℃程度の高温状態に維持することができる。
【００２６】次に、詳細は後述するが図４に示す如く、
カバー２３の一部はクランパー４０から成り、このクラ
ンパー４０上面を、例えば、ステンレス製の板４７で蓋
をすることでこのカバー２３は構成されている。そし
て、クランパー４０からは不活性ガスとして、例えば、
４リットル／分の窒素ガスをカバー２３内に吹き込んで
いる。この吹き込み量は作業用途に応じて可変である。
そして、カバー２３の上面には作業孔２４が設けられて
いる。この作業孔２４を介してワイヤーボンディング工
程の際、パターン認識、ワイヤーボンディングが行われ
る。
【００２７】次に、リング照明２５および鏡筒２９につ
いて説明する。リング照明２５上方には鏡筒２９が設置
されている。そして、作業孔２４を介してリング照明２
５により照射されたリードフレーム３４と半導体素子３
５とは反射率の違いより認識が可能となっている。この
反射光を鏡筒２９内に設置された認識カメラにより認識
することでリードフレーム３４上をパターン認識するこ
とができる。このとき、照明としてリング照明２５を用
いることで、リードフレーム３４、半導体素子３５に対
して偏ることなく照射することができ、影が発生せずパ
ターン認識をより精密に行うことができる。また、図示
はしていないが、鏡筒２９は、途中で載置台２２表面に
対して９０度に屈折しており、この屈折部の先に認識カ
メラが設置されている。そして、この屈折部には、載置
台２２表面に対して４５度の角度を有する鏡が設置され
ており、この構造によりパターン認識を行うことができ
る。
【００２８】ここで、リードフレーム３４上には、例え
ば、搭載部が１０行５列が１つの集合ブロック３７（図
４参照）として成り、この集合ブロック３７が複数形成
されている。そして、作業孔２４の大きさは、この１つ
の集合ブロック３７に対して、例えば、２行分の２０個
の搭載部が上部から認識できる大きさを有している。こ
の作業孔２４はパターン認識等に活用される。尚、この
作業孔２４の大きさは、特に規定されている訳ではな
く、ボンディング装置２１の認識パターン方法等によ
り、その都度作業目的に応じて決定される。
【００２９】次に、ボンディングアーム２６、キャピラ
リー２７およびトーチ電極２８について説明する。図２
に示す如く、パターン認識した後リング照明２５および
ボンディングアーム２６、キャピラリー２７は移動し、
キャピラリー２７は作業孔２４上に位置する。そして、
認識カメラにより得たデータに基づいてワイヤーボンデ
ィングが行われるが、キャピラリー２７は作業孔２４か
らカバー２３内に侵入し半導体素子の電極パッドと所望
の電極パターンとをワイヤボンディングする。このと
き、トーチ電極２８はステッチボンドを行なって切断さ
れた金属細線の先端にボール３８（図５参照）を形成さ
せる。
【００３０】次に、ブロー装置について図３を用いて説
明する。図３は、図１および図２に示す如く、認識装置
を備えたボンディング装置２１の簡略図である。
【００３１】図１〜図３にも示す如く、リング照明２５
とカバー２３との間で作業孔２４近傍に陽炎防止ブロー
機構３１は設置されている。そして、陽炎防止ブロー機
構３１からは、カバー２３表面に対して横方向に、そし
て、作業孔２４上を、例えば、３リットル／分の窒素ガ
スのブロー３３が吹きでている。一方、上記したよう
に、カバー２３内には窒素ガスが、例えば、４リットル
／分で吹き込まれている。一方、カバー２３内は載置台
２２に組み込まれたヒータ３０により、例えば、２３０
℃に維持されている。その後、注入される窒素ガスは、
例えば、７０℃であるが、このヒータ３０による熱によ
り２３０℃に加熱される。
【００３２】そして、加熱された窒素ガスはカバー２３
内の上昇気流により作業孔２４から外部に吹き出すが、
このとき室温は、例えば、２０℃であるため、窒素ガス
と室温との温度差によりほぼ窒素ガスから成る陽炎３２
が発生する。その結果、リング照明２５下部およびリン
グ照明２５内は陽炎３２が立ちこめてしまい、認識カメ
ラの認識精度が悪化し、ワイヤーボンディング精度が落
ちてしまう。
【００３３】しかし、図３に示す如く、陽炎防止ブロー
機構３１は、リング照明２５の下端の直ぐ脇に設置され
ており、リング照明２５と一体に移動する。そして、陽
炎防止ブロー機構３１は、作業孔２４から吹き出す窒素
ガスから成る陽炎３２を、例えば、３リットル／分の窒
素ガスのブロー３３で、作業孔２４上および照明リング
２５周囲から吹き飛ばすことができる。このとき、上記
したように、陽炎防止ブロー機構３１はリング照明２５
の下端の直ぐ脇に設置されているので、作業部屋の空
気、特に、酸素を窒素ガス３３内に混在させることはな
い。そのことで、陽炎防止ブロー機構３１からの窒素ガ
ス３３が作業孔２４からカバー２３内に侵入することが
あっても、窒素ガス３３内には酸素が混在していないの
で、リードフレーム３４の酸化を促進することはない。
【００３４】そして、陽炎防止ブロー機構３１により、
事前に、リング照明２５下方、リング照明２５内および
鏡筒２９内に立ちこめるであろう陽炎３２を除去するこ
とができる。そのことにより、ボンディング装置２１
は、長時間載置台上にリードフレーム３４が載置されて
も酸化させないように、ワイヤーボンディング工程の間
中窒素ガスを充填することができる。その結果、リード
フレーム３４表面は酸化することはなくなるので、認識
パターンの際の反射性が良好となり認識精度を向上させ
ることができる。
【００３５】更に、リードフレーム３４表面が酸化する
と、例えば、１５０℃まで対応できる酸化防止剤膜が剥
がれることで樹脂との結合性が悪化するが、このことに
も対処することができ、半導体装置の耐湿性、耐剥離性
も向上させるボンディング装置となる。
【００３６】更に、カバー２３内で加熱された窒素ガス
がカバー２３内の上昇気流により作業孔２４を介して外
部に吹き出す際の室温との温度差により発生する陽炎３
２を上記した位置に設置された陽炎防止ブロー機構３１
により除去することができる。そのことで、リング照明
２５内に陽炎３２が侵入することはなく、認識カメラに
よりパターン認識をμｍオーダーまで精度良く行うこと
ができ、更に、ワイヤーボンディングも高精度に行うこ
とができる。
【００３７】最後に、本発明の特徴であるカバー２３を
構成する板４７の作業孔２４周辺部４７１における絶縁
処理について、図４〜図６を参照にして説明する。
【００３８】図４（Ａ）に示す如く、カバー２３はクラ
ンパー４０とステンレス製の板４７により構成されてい
る。この板４７はクランパー上部の凹部４８にはめ込ま
れており、クランパー４０表面と水平方向で、リードフ
レーム３４の移動方向と直角方向への移動は自由であ
る。そして、板４７には作業孔２４が形成されており、
この作業孔２４がリードフレーム３４上の行方向の搭載
部に対応して移動することで、ブロック３７に対してパ
ターン認識、ワイヤーボンディングが行われる。
【００３９】そして、以下では、カバー２３はクランパ
ー４０と板４７とから成るので、上述した符号２３１は
符号４７１と一致している。
【００４０】先ず、ボンディング装置２１の作用につい
て以下に、簡単に説明する。
【００４１】ボンディング装置２１では、図４（Ａ）に
示す如く、載置台２２上には、クランパー４０が設置さ
れており、クランパー４０によってリードフレーム３４
のブロック３７の周端を押さえ、リードフレーム３４を
載置台２２表面のヒートブロック４４に密着させる。そ
して、ヒートブロック４４上に固定されたリードフレー
ム３４を作業孔２４を介して鏡筒２９内の認識カメラに
よりパターン認識する。パターン認識後、図示はしてい
ないが、ブロック３７内の各搭載部のエミッタ電極と導
電パターン、ベース電極と導電パターンを、熱圧着によ
るボールボンディング及び超音波によるウェッヂボンデ
ィングにより行う。
【００４２】ここで、クランパー４０は、図４（Ｂ）に
示す如く、ブロック３７とほぼ同等の大きさの開口部４
１を有し、リードフレーム３４に当接する部分には凹凸
部４３が設けられている。凹凸部４３でブロック３７の
周端を押さえることによって、ブロック３７の裏面をヒ
ートブロック４４に密着させる。そして、クランパー４
０の内部には窒素ガスを流通させるための経路４５と４
６が設けられている。
【００４３】そして、ブロック３７内には多数の搭載部
を有し、このブロック３７毎にワイヤボンディングを一
括して行うので、従来の回路装置の製造方法と比較し
て、ブロック３７を加熱する時間が長くなり、ブロック
３７が酸化することが考えられる。この問題を解決する
ために、上述したように、クランパー４０からブロック
３７の表面に窒素ガスを吹き付けると同時に、クランパ
ー４０と板４７とで形成される作業領域内を窒素ガスで
充填することでこの問題を解決している。
【００４４】次に、板４７に設けられた作業孔２４とキ
ャピラリー２７、トーチ電極２８との関係について、図
５を参照として説明する。
【００４５】図５（Ａ）に示す如く、板４７に設けられ
た作業孔２４上部には、キャピラリー２７およびトーチ
電極２８が設置されている。そして、上述したように、
キャピラリー２７は認識カメラにより得たデータに基づ
いて作業孔２４から作業領域内に侵入し半導体素子２５
の電極パッドと所望の電極パターンとをワイヤボンディ
ングする。このとき、トーチ電極２８とキャピラリー２
７間に電圧を印加することで、ステッチボンドを行なっ
て切断された金属細線３６の先端にボール３８を形成す
る。
【００４６】そして、板４７はステンレス製であるの
で、図示した如く、キャピラリー２７先端とトーチ電極
２８との距離をａ、トーチ電極２８と作業孔２４形成部
の板４７の先端部との距離をｂとすると、ａ＞ｂの関係
を満足することで、キャピラリー２７先端とトーチ電極
２８とで確実にスパークし金属細線３６の先端にボール
３８を形成する作業が行われる。つまり、板４７は導電
部材から成るため、もしａ、ｂ両者の関係がａ＜ｂの関
係となる場合はトーチ電極２８と作業孔２４形成部の板
４７の先端部とでスパークを起こしてしまい金属細線３
６の先端にボール３８を形成する作業が行うことができ
ない。
【００４７】しかし、上述したように、本発明のボンデ
ィング装置２１では、作業領域内は載置台２２に内蔵さ
れたヒータ３０機能により、例えば、２３０℃に維持さ
れている。そのため、窒素ガスが、例えば、７０℃で吹
き込まれるとしても、窒素ガスは作業領域内でヒータ３
０により２３０℃に加熱され、作業領域内の上昇気流に
より作業孔から吹き出す。そのため、作業孔２４が形成
されている板４７には、常時、２３０℃に加熱された窒
素ガスにさらされるため、長期間の使用により板４７の
作業孔２４周辺部が反り上がってしまう。その結果、上
述のａ、ｂの関係がａ＜ｂとなってしまいトーチ電極２
８と作業孔２４形成部の板４７の先端部でスパークして
しまうという問題が発生する。
【００４８】更に、図６に示す如く、板４７は、例え
ば、厚さ５０μｍであり、クランパー４０の前後部には
ローラ３９が設置されており、このローラ３９により板
４７はリードフレーム３４の移動方向と直角方向へ移動
することができる。そして、作業孔２４の大きさは、１
つの集合ブロック３７に対して、例えば、２行分の搭載
部を上部から認識できる大きさで形成されており、作業
孔２４をスライドさせることで一括したパターン認識、
ワイヤーボンディングを行っている。そのため、作業孔
２４形成部もこのローラ３９の直前まで移動するため、
作業孔２４が形成されている板４７は反り上がり易くな
っている。その結果、長期間の使用により上述のａ、ｂ
両者の関係がａ＜ｂとなってしまいトーチ電極２８と作
業孔２４形成部の板４７の先端部でスパークしてしまう
という問題が発生する。
【００４９】そして、上述の如く、これらの作業孔２４
が形成されている板４７は反り上がるという問題はワイ
ヤーボンディング工程を行う上で必須の作業によりもた
らされる。そこで、本発明のボンディング装置では、板
４７の斜線でハッチングした領域４７１に絶縁処理を施
すことを特徴とする。具体的には、板４７の斜線でハッ
チングした領域４７１にフッ素系樹脂から成るテープ、
例えば、テフロン（登録商標）テープを貼り付けたり、
耐熱性のある非導電性のテープを貼り付ける。または、
板４７の斜線でハッチングした領域４７１にフッ素系樹
脂から成る絶縁層、例えば、テフロン（登録商標）コー
トや断熱のコーティングを行う。または、板４７の斜線
でハッチングした領域４７１にセラミック板等の絶縁板
を貼り合わせる。そのことにより、上述したａ、ｂ両者
の関係がａ＜ｂという関係となるが、板４７の作業孔２
４が形成されている周辺部４７１は絶縁処理されている
のでミススパークを起こすことはない。その結果、リー
ドフレーム３４表面の酸化防止、作業孔２４を移動させ
ることによるボンディングスピードの向上等のメリット
を妨げることなく、更に、ミススパークも防ぐことがで
きるボンディング装置を実現できる。
【００５０】尚、図面では板４７に形成された作業孔２
４を囲むように絶縁処理を施した場合について示した
が、特に、トーチ電極２８の先端と一番近い側辺を有す
る作業孔２４の周囲にのみ絶縁処理を施すことで、上述
のａ＜ｂという関係によるミススパークを解決すること
ができる。
【００５１】また、本発明のボンディング装置２１で
は、図５（Ｂ）に示す如く、板４７に作業孔２４を形成
する時の打ち抜き面を作業領域内面側に位置させること
にも特徴がある。具体的には、板４７の作業領域内面側
に作業孔２４形成時の曲面４７２が位置し、板４７の作
業領域内面と反対面側に作業孔２４形成時の突出部４７
３が位置するようにする。そして、クランパー４０と板
４７とで形成される作業領域の高さは５ｍｍ程度であ
り、板４７は板４７表面から２ｍｍ程度反り上がる。も
し、板４７が作業領域内に垂れ下がった場合、上述した
ミススパークは防ぐことはできるが、垂れ下がった板４
７により作業領域が狭められるという問題が発生する。
【００５２】しかし、本発明の構造のように、板４７に
作業孔２４を形成する時の打ち抜き面を作業領域内面側
に位置させることで、高温等による板４７を反らせる要
因がかかっても、板４７を作業領域上部に反り上がらせ
ることができる。そのことにより、クランパー４０と板
４７とで形成される作業領域は常時確保され、反った板
４７により作業領域内の金属細線を折り曲げる等の問題
がないボンディング装置を実現できる。
【００５３】尚、本実施の形態では、ワイヤーボンディ
ングについて詳細したが、光学的な認識装置を持つダイ
ボンディング等についても同等な効果を得ることができ
る。また、載置台に載置されるのはリードフレームに限
定されることはなく、導電箔等の酸化を防止する必要が
あるものであれば同等の効果を得ることができる。更
に、金属基板、プリント基板、セラミック基板等をダイ
ボンド、ワイヤーボンドする際、また、半田部分を部分
的に塗布する装置においても光学的認識装置を有するも
のであれば応用できる。その他、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲で、種々の変更が可能である。
【００５４】
【発明の効果】本発明のボンディング装置によれば、前
記基板載置台上に作業領域を覆うカバーを構成する導電
板において、前記導電板の作業孔周囲を絶縁処理するこ
とを特徴とする。そのことにより、前記作業孔周囲の導
電板が反り上がることで発生する前記導電板とトーチ電
極とのミススパークを防止することができる。その結
果、前記作業領域内でのリードフレーム表面の酸化防
止、前記作業孔を移動させることでのボンディングスピ
ードの向上等のメリットを妨げることなく、更に、ミス
スパークも防ぐことができるボンディング装置を実現で
きる。
【００５５】更に、本発明のボンディング装置によれ
ば、前記導電板に前記作業孔を形成する際の打ち抜き面
を前記作業領域内面側に位置させることを特徴とする。
そのことにより、前記作業孔周囲の導電板は前記作業領
域上部に反り上がる。その結果、前記作業領域は前記作
業孔周囲の導電板により領域を侵されることはなく、前
記作業孔周囲の導電板により前記作業領域内の金属細線
を折り曲げる等の問題がないボンディング装置を実現で
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の認識装置を備えたボンディング装置を
説明する図である。
【図２】本発明の認識装置を備えたボンディング装置を
説明する図である。
【図３】本発明の認識装置を備えたボンディング装置を
簡略化して説明する図である。
【図４】本発明の認識装置を備えたボンディング装置を
説明する図である。
【図５】本発明の認識装置を備えたボンディング装置を
説明する図である。
【図６】本発明の認識装置を備えたボンディング装置を
説明する図である。
【図７】従来の認識装置を備えたボンディング装置を説
明する図である。
【符号の説明】
２１ 認識装置を備えたボンディング装置 ２２ 載置台 ２３ カバー ２４ 作業孔 ２７ キャピラリー ２８ トーチ電極 ２９ 鏡筒 ３１ 陽炎防止ブロー機構
フロントページの続き (72)発明者 東野 俊彦 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5F044 BB00 BB11

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 加熱機能を備えた基板載置台と、 前記基板載置台上に作業領域を覆うカバーと、 前記カバー上面に設けられた作業孔と、 前記作業孔上方に設けた照明と、 前記照明側面に設けたキャピラリーおよびトーチ電極
    と、 前記照明上方に備えた鏡筒内に設けたパターン認識用カ
    メラとを備え、 前記カバーには、前記作業孔周辺が絶縁処理され、前記
    トーチ電極と前記カバー間でのスパーク発生を防止する
    ことを特徴とするボンディング装置。
  2. 【請求項２】 前記カバーには、前記トーチ電極先端に
    最も近い側辺を有する前記作業孔周辺にのみ絶縁処理さ
    れることを特徴とする請求項１記載のボンディング装
    置。
  3. 【請求項３】 前記カバーには、耐熱絶縁テープを貼る
    ことで絶縁処理されることを特徴とする請求項１または
    請求項２記載のボンディング装置。
  4. 【請求項４】 前記耐熱絶縁テープは、フッ素系樹脂か
    ら成るテープであることを特徴とする請求項３記載のボ
    ンディング装置。
  5. 【請求項５】 前記カバーには、フッ素系樹脂から成る
    絶縁層を形成することで絶縁処理されることを特徴とす
    る請求項１または請求項２記載のボンディング装置。
  6. 【請求項６】 前記カバーには、絶縁板を貼り合わせる
    ことで絶縁処理されることを特徴とする請求項１または
    請求項２記載のボンディング装置。
  7. 【請求項７】前記絶縁板はセラミック板であることを特
    徴とする請求項６記載のボンディング装置。
  8. 【請求項８】 前記カバー裏面に前記作業孔形成時の打
    ち抜き面が位置することを特徴とする請求項１記載のボ
    ンディング装置。
  9. 【請求項９】 加熱機能を備えた基板載置台と、 前記基板載置台上に作業領域を覆うカバーと、 前記カバー上面に設けられた作業孔と、 前記作業孔上方に設けた照明と、 前記照明側面に設けたキャピラリーおよびトーチ電極
    と、 前記照明上方に備えた鏡筒内に設けたパターン認識用カ
    メラとを備え、 前記カバーはクランパー上面を導電板で覆うことから成
    り、前記導電板には前記導電板に設けられた前記作業孔
    周辺が絶縁処理され、前記トーチ電極と前記導電板間で
    のスパークの発生を防止することを特徴とするボンディ
    ング装置。
  10. 【請求項１０】 前記導電板には、前記トーチ電極先端
    に最も近い側辺を有する前記作業孔周辺にのみ絶縁処理
    されることを特徴とする請求項９記載のボンディング装
    置。
  11. 【請求項１１】 前記導電板には、フッ素系樹脂から成
    る絶縁層を形成することで絶縁処理されることを特徴と
    する請求項９または請求項１０記載のボンディング装
    置。
  12. 【請求項１２】 前記導電板裏面に前記作業孔形成時の
    打ち抜き面が位置することを特徴とする請求項９記載の
    ボンディング装置。
  13. 【請求項１３】 前記導電板には、絶縁板を貼り合わせ
    ることで絶縁処理されることを特徴とする請求項９また
    は請求項１０記載のボンディング装置。
  14. 【請求項１４】 前記絶縁板はセラミック基板であるこ
    とを特徴とする請求項１３記載のボンディング装置。
  15. 【請求項１５】 前記導電板には、耐熱絶縁テープを貼
    ることで絶縁処理されることを特徴とする請求項９また
    は請求項１０記載のボンディング装置。
  16. 【請求項１６】 前記耐熱絶縁テープは、フッ素系樹脂
    から成るテープであることを特徴とする請求項１５記載
    のボンディング装置。
  17. 【請求項１７】 前記導電板はステンレスから成ること
    を特徴とする請求項９記載のボンディング装置。
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