TWI389280B - 覆晶黏結的方法與裝置 - Google Patents

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Description

覆晶黏結的方法與裝置
本發明是關於覆晶黏結的方法和使用該方法的覆晶黏結裝置，特別是藉由調整雷射直徑大小和照射方向來進行不同晶片尺寸的覆晶黏結方法與裝置。
隨著電子產品的尺寸越來越小以及功能越來越多，使得晶片的集積度和效能大幅增加。為了保護高集積度和高效能的晶片免於各種外在環境因素的破壞例如粉塵、水氣、電氣和外力等，因此對於輕、薄、小和多腳數的封裝要求越來越多。
由於傳統的打線技術很難達到多腳數封裝對於輕、薄、短小的要求，因此產生很多新的封裝技術。凸塊黏結也稱為“覆晶黏結”是一種包括：將凸塊(例如金凸塊或錫凸塊)放置在晶片訊號I/O腳墊上，將晶片翻轉使凸塊向下，將晶片直接黏結到基板或是電路軟板上等步驟的封裝技術。
傳統的覆晶封裝技術主要可分成兩種：熱壓黏結和雷射焊接。如日本公開公報號碼No.2002－141376中所揭露的熱壓黏結技術，由於熱傳部份的熱損失，所以必須加熱晶片一段時間，因此會使得產能減少。由於需要長時間才能達到凸塊黏結溫度，所以這個方法也不適用於對高溫敏感的材料。熱壓黏結的另一個缺點是晶片和基板間熱膨脹係數的差異會造成晶片和基板的對位偏差。另一個問題是晶片和基板冷卻後的收縮會造成黏結部份產生裂痕。
雷射焊接技術包括將凸塊放到晶片預定黏結基板凸塊的對應位置，在壓合晶片時使用雷射加熱等步驟。雷射加熱可以提高生產力並減少熱膨脹的差異。
第1圖美國專利No.5,500,502中揭露以雷射焊接引腳和晶片凸塊的傳統封裝設備10的區塊圖。參考第1圖，具有凸塊2A的晶片1A放置在支撐座1而具有多個引腳9的腳架則放置在晶片1A上。由雷射產生裝置3發出的雷射光11經過快門25後由雙向鏡5反射，再由聚焦透鏡7聚焦後照射加熱引腳9和晶片1A，將引腳9和晶片1A焊接在一起。
感溫器13接收引腳9和晶片1A受熱時由引腳9所發出的紅外線，並產生電訊號。感溫器13所產生的電訊號經由放大器15初級放大後，送到濾波電路17濾去高頻部份。然後將濾波電路17的輸出訊號以類比數位轉換器19轉換成數位訊號並送給電腦21。電腦21根據類比數位轉換器19的訊號判定引腳9和凸塊2A之間的接觸狀況，並將結果顯示在顯示器23。電腦會根據判定的焊接狀態控制快門25的開關。
傳統的雷射焊接方式只能在聚焦透鏡7聚焦的位置進行焊接。另一個問題是照射到表面的雷射強度呈高斯分佈。因此以照射在中心部份的雷射進行焊接時，光束周圍的強度會不足。如果增加雷射強度，使得周圍的強度足夠時，中心部份的強度會過高。所以經過聚焦透鏡7照射在焊接區域的雷射光會有中心和周圍強度分佈不均勻的問題。
雷射強度本身的高斯分佈使其很難均勻地照射在晶片9上。由於晶片9上的凸塊2A受熱不均勻，造成晶片的能量分佈不均勻。不均勻的能量分佈會造成晶片9熱變形扭曲，由於有些凸塊2A加熱不足而使得焊接強度不夠，以及增加加熱時間。特別是基板的晶片尺寸改變時這些問題會更嚴重。因此必須解決這些問題。
為了解決上述這些問題，並在晶片1A的整個區域中進行焊接，支撐座1必須能夠準確地移動讓雷射照射到凸塊2的位置。然而，隨著晶片1A尺寸變大，支撐座1必須移動讓聚焦雷射照射的距離也跟著增加。因此可以預期，當晶片1A變大時，越來越難達到支撐座1移動所需的精確度，而且支撐座1也會變得越來越大。
針對以上的問題，亟需一種改良的雷射覆晶黏結的方法與裝置。
本發明提出一種以雷射進行覆晶黏結的方法和裝置，其可以提高生產力和焊錫黏結的可靠度。
本發明提出一種覆晶黏結的方法和裝置，其可以用雷射均勻地照射晶片。
本發明也提出一種覆晶黏結的方法和裝置，其可以不用移動黏結座來進行整個晶片的黏結。
根據本發明的實施態樣，所提出的覆晶黏晶機具有：放置基板的黏結座；拾取晶片和將晶片放到基板的黏結頭；和將晶片加熱到黏結溫度的晶片加熱單元。晶片加熱單元具有：發出雷射的雷射光源；和折射雷射的透鏡組件讓雷射的中心部份在晶片上表面移動。
透鏡組件還可以具有至少一個的掃描鏡，其位於雷射光源和晶片的光路之間將雷射折射到晶片上表面。
透鏡組件還可以具有聚焦透鏡，其位於雷射光源和掃描鏡之間的光路，以調整照射晶片上表面的雷射直徑。透鏡組件也可以具有線速度調整透鏡，其位於掃描鏡和晶片的光路之間，以折射雷射定速度地照射在晶片上表面。線速度調整透鏡可以位於黏結頭內。
覆晶黏晶機還可以具有：控制掃描透鏡的掃描鏡驅動器；和控制雷射光源的雷射驅動器。覆晶黏晶機還可以用光纖形成從雷射光源到透鏡組件的雷射光路。
在另一實施例中，晶片加熱單元包括：雷射光源；第一掃描鏡；和與第一掃描鏡光連結的第二掃描鏡。第一掃描鏡相對第一軸旋轉，所以雷射光源發出的雷射被折射並沿著晶片表面的第一方向連續移動。第二掃描鏡相對與第一軸不同方向的第二軸旋轉，所以雷射被折射並沿著晶片表面的第二方向連續移動。因此，第一和第二掃描鏡共同讓雷射中心在晶片上表面的兩個方向上連續移動。第一軸可以垂直第二軸。
根據本發明的另一實施態樣，提出一種覆晶黏結方法具有以下步驟：在基板上對位晶片；由雷射光源產生雷射；以雷射照射晶片上表面，讓雷射的中心部份沿著晶片上表面連續移動；和加熱晶片要黏結到基板的部份並將晶片黏結到基板。
在以雷射照射晶片上表面的步驟中，至少具有一個掃描鏡位於雷射光源和晶片之間的光路，在晶片表面以線性方式連續移動雷射。雷射可以被位於雷射光源和晶片光路之間的兩個掃描鏡折射。
在以雷射照射晶片上表面的步驟中，經過掃描鏡的雷射會被折射而以定速度照射在晶片上表面。在這個步驟中，掃描透鏡和雷射光源可以獨立驅動或是一起驅動。在相同步驟中，雷射的直徑可以根據晶片尺寸進行調整。
此外，覆晶黏結方法還可以具有步驟：在基板上對位晶片；由雷射光源產生雷射；根據晶片尺寸調整雷射直徑大小；使用至少一個掃描鏡在雷射折射的方向上連續移動；藉由掃描鏡折射雷射以定速度在晶片上表面移動；以雷射均勻照射晶片上表面；和加熱晶片要黏結到基板的部份並將晶片黏結到基板。
參考第2圖，根據本發明第一實施例的覆晶黏晶機100具有黏結座140(例如一個平台)，黏結頭130，和晶片加熱單元150。基板120由傳輸器(未圖示)依序傳輸放置在黏結座140。雖然未圖示於第2圖中，在黏結座140的上表面上具有多個彼此平行的吸氣(例如真空)流道。吸氣流道所產生的吸力可以將基板120固定在黏結座140。黏結座140可以具有加熱器(未圖示)將基板120預熱到預定溫度以減少黏結時間。
黏結頭130在黏結座140上方沿垂直方向移動，並將翻轉的晶片110壓向位於黏結座140的基板120。黏結頭130上具有吸取(例如真空)流道132藉由負壓拾取晶片110。而黏結頭130藉由釋放負壓或供應流道132正壓將晶片110壓向基板120。
位於晶片110電極下表面的導電凸塊115與晶片110的電極和基板120的接點黏結，將晶片110的電極黏結在基板120的接點。
晶片加熱單元150具有雷射光源152和以雷射光源152發出的雷射L照射晶片110的透鏡組件153。
透鏡組件153將雷射L折射到晶片上表面，中心雷射的照射位置沿晶片110的上表面連續移動，讓雷射L均勻地照射在晶片110的上表面。也就是說，中心雷射的照射位置並不是如第1圖的傳統封裝設備是固定在晶片110上表面的某個位置上，而是沿著晶片110的表面移動。藉由在晶片110的上表面移動雷射L，可以得到光強度分佈均勻的雷射照射區。由於晶片110上表面的光強度不會過高或過低，因此晶片110可以被均勻地附著在基板120上。
透鏡組件153具有至少一個掃描鏡155。掃描鏡155位於雷射光源152和晶片110之間的光路讓雷射沿著晶片110的表面掃描或是線性移動如第3圖。參考第3圖，當掃描鏡155位於第一位置155_1時，中心雷射的照射位置位於晶片110的一端A_1。當掃描鏡155旋轉預定角度時，中心雷射的照射位置沿著晶片110的上表面移動。當掃描鏡155旋轉到第二位置155_2時，中心照射位置位於另一端A_2。因此，當掃描鏡155旋轉預定角度時，中心照射位置沿著晶片110的表面從一端A_1線性移動到另一端A_2以照射整個上表面。
這時，當掃描鏡155以預定速度旋轉時，最好是以定速度旋轉，因此晶片110上表面的每個位置如第4圖會以雷射L照射相同的時間。雖然雷射L的光強度在光束中心位置可能會高於周圍區域，但是藉由雷射L的移動，可以在晶片110的上表面得到均勻的光強度分佈。而且也可以藉由掃描鏡155掃描雷射L來加熱晶片110與基板120黏結的部份，而不需要移動晶片110。
回到第2圖，位於雷射光源152和掃描鏡155光路之間的聚焦透鏡154可以調整照射在基板120與晶片110黏結位置(接下來稱為“黏結位置”)的雷射L直徑大小。聚焦透鏡154可以是圓柱透鏡以便調整一個方向入射雷射L的直徑。因此，當晶片尺寸110改變時，聚焦透鏡154調整雷射L的直徑(例如相當於晶片110的上表面)，而掃描鏡155折射雷射L使其沿著晶片110表面的長度方向移動，以達到有效率的雷射L掃描。
當晶片尺寸110改變時，可以補償晶片110和基板120對位的偏差值。也就是說，由於黏結座140的行程不需要如習知技術一樣必須改變，因此可以準確地控制黏結座140的移動。
位於掃描鏡155和晶片110光路之間的線速度調整透鏡156，以預定速度，最好是定線速度，折射雷射L使其照射在晶片110上表面。
也就是說，由於掃描鏡155掃描雷射L時的角度移動，雷射L有可能會以不均勻的線速度投在晶片110表面移動。雷射L以等角速度照射在晶片表面110上時，由於掃描在晶片110上的光量與線速度成正比，當雷射L的線速度改變時，沿著晶片110表面的掃描光量也會改變。為了避免這個問題，位於掃描鏡155和晶片110之間的線速度調整透鏡156可以控制光的不均勻，讓雷射L在晶片110表面的線速度均勻分佈。如圖，線速度調整透鏡156可以位於黏結頭130內，也可以另外放置。
覆晶黏晶機100還可以具有光纖157，例如，以傳輸雷射L從雷射光源152到透鏡組件153。覆晶黏晶機100還具有驅動掃描鏡155的掃描鏡驅動器165和驅動雷射光源152的雷射驅動器162。比較特別的是，掃描鏡驅動器165根據晶片尺寸110驅動掃描鏡155讓雷射L照射在晶片110上掃描。雷射驅動器162驅動雷射光源152以預定功率照射雷射L一段時間。掃描鏡驅動器165和雷射驅動器162的操作可以由單一個驅動控制器160控制，或是增加額外的控制器來控制。
雷射L可以是穿透晶片110的紅外光波長。雷射光源152可以是穿透晶片110近紅外線波長1,064 nm的固態雷射二極體。也就是說，雷射L照射在具有導電凸塊115的晶片110的另一表面並穿透晶片110以雷射加熱導電凸塊115。根據本發明的雷射覆晶黏結方法，在黏結形成在晶片110和基板120上的導電凸塊115時，使用雷射L加熱晶片110和導電凸塊115。
第5圖是根據本發明第二實施例的覆晶黏晶機200的區塊圖，而第6圖是第5圖中晶片加熱單元的透視圖。參考第5和6圖，覆晶黏晶機200具有黏結座140，黏結頭130和晶片加熱單元250。晶片加熱單元250具有雷射光源152和第一和第二掃描鏡255a和255b。由於黏結座140和雷射光源152與第2圖中的覆晶黏晶機100的結構和功能相同，在此不再贅述。
第一掃描鏡255a相對第一軸旋轉(例如垂直軸如第6圖)並折射由雷射光源152所發出的雷射L。雷射L的折射角度會隨著第一掃描鏡255a的旋轉而連續改變。
第二掃描鏡255b相對於與第一軸方向不同的第二軸旋轉(例如水平軸如第6圖)並經過第一掃描鏡255a將雷射L照射在晶片110的表面上。這時，從第一掃描鏡255a所發出折射到晶片110上表面的雷射角度隨著第二掃描鏡255b的旋轉連續改變，讓中心雷射的照射位置沿平面上的兩個方向連續移動並大致與晶片110的上表面共平面。
如果只用一個掃描鏡時，只能掃描一個方向。因此，當晶片尺寸110太大時，很難在晶片110表面達到均勻掃描。如果使用第一和第二掃描鏡255a和255b時，可以在晶片110上表面的每個位置達到二維掃描(例如在水平面的x和y方向上移動雷射L)。如第6圖，覆晶黏晶機200還可以具有至少一個擴散鏡253來擴散雷射L。
在本實施例，第一掃描鏡255a的第一旋轉軸可以垂直第二掃描鏡255b的第二旋轉軸。例如第7圖中，第一掃描鏡255a可以相對作為第一軸的X軸旋轉讓雷射L照射在一個方向，而第二掃描鏡255b可以相對作為第二軸的Y軸旋轉讓雷射L照射在另一個方向，使得雷射L以鋸齒狀的方式均勻掃描在晶片110的上表面。因此，不管晶片110的尺寸大小，都可以照射晶片110的整個表面而不用移動晶片110或黏結座140。比較特別是，當雷射L高速反覆掃描時，照射在晶片110的上表面的雷射L強度分佈可以藉由時間平均效應得到均勻分佈。
回到第5圖，晶片加熱單元250還具有聚焦透鏡254。位於雷射光源152和第一掃描鏡255a光路之間的聚焦透鏡254可以控制在晶片110黏結位置的雷射L直徑。聚焦透鏡254與第2圖中的覆晶黏晶機100具有相同的結構和功能，因此在此不再贅述。
光纖257可以形成光路，例如從雷射光源152到聚焦透鏡254或是從雷射光源152到第一掃描鏡255a。
覆晶黏晶機200還具有線速度調整透鏡256。如圖，位於第二掃描鏡255b和晶片110光路之間的線速度調整透鏡256可以以預定速度折射雷射L，特別是以定速度照射在晶片上表面。由於線速度調整透鏡256與第2圖中的覆晶黏晶機100具有相同的結構和功能，因此在此不再贅述。線速度調整透鏡256也可以位於黏結頭130內。
覆晶黏晶機200還具有驅動第一和第二掃描鏡255a和255b的掃描鏡驅動器165和驅動雷射光源152的雷射驅動器162。雖然掃描鏡驅動器165和雷射驅動器162可以由單一個驅動控制器160或是使用額外的控制器來進行控制。
參考第5圖，覆晶黏晶機200具有至少一個反射鏡158將雷射L反射到預定方向。雖然未圖示於第2－4圖中，第一實施例的覆晶黏晶機100可以具有至少一個反射鏡。
第8圖是根據本發明另一實施例的覆晶黏結方法的流程圖，而第9圖是第8圖中步驟S30的流程圖。第10A－10C圖是第8圖覆晶黏結方法的示意圖。參考第8圖，覆晶黏結方法具有以下步驟：在基板上對位晶片(S10)；從雷射光源發出雷射光束(S20)；以雷射照射晶片上表面讓中心雷射的照射位置沿晶片上表面連續移動(S30)；和加熱晶片並將晶片黏結到基板(S40)。
接下來參考第8、9和10A－10C圖說明覆晶黏結方法的步驟如下。如第10A圖，基板120位於可以加熱到預定溫度的黏結座140上。視覺系統(未圖示)根據基板120上的對位圖形127得到位置資訊。藉由黏結頭130中的吸取流道132以真空將晶片110吸到黏結頭130下面，然後移動黏結頭130將晶片110對位到基板120上。這時，視覺系統辨識晶片110下表面上的對位圖形117以獲得晶片110的位置資訊。晶片110和基板120的相對位置偏差可以計算求得並校正。然後將黏結頭130移向下使得晶片110上的導電凸塊115與基板120的電極125接觸。
如第10B圖，在步驟S20中由雷射光源152所發出的雷射L照射在晶片110的上表面，使得步驟S30中中心雷射的照射位置可以連續沿晶片上表面移動。比較特別的是，參考第9和10B圖，在步驟S31中，由雷射光源152所發出的雷射L由光纖157引導經過聚焦透鏡154以決定雷射L的直徑。經過聚焦透鏡154的雷射L至少經過一個掃描鏡155並照射在晶片110上表面。在步驟S32中，由於掃描鏡155相對一個軸旋轉，因此照射在晶片110的上表面的雷射L中心位置會連續移動。
在有些實施例中，經過聚焦透鏡154的雷射L可以在晶片表面110上的兩個方向連續移動。為了達到這個目的，必須使用兩個掃描鏡如第5圖。例如，如第7圖中經過聚焦透鏡154的雷射L經過第一掃描鏡255a之後會在X軸方向連續掃描，而經過第二掃描鏡255b之後會在Y軸方向連續掃描。
由於晶片尺寸110是藉由辨識對位圖形117由驅動控制器160預設，因此由驅動控制器160控制的掃描鏡驅動器165會旋轉掃描鏡155到適當的角度。驅動控制器160也會控制雷射驅動器162產生適當功率的雷射L照射所需要的時間。
在步驟S33中，雷射L的線速度，由掃描鏡155折射到晶片110上表面並以藉由線速度調整透鏡156達到均勻化。因此，在步驟S34中，雷射L雷射的中心位置沿晶片110上表面以定速度連續掃描。這時，藉由雷射L高速反覆掃描，雷射L照射在晶片110的分佈強度可以藉由時間平均效應達到均勻。
穿透晶片110的雷射L會轉換成在晶片110下表面導電凸塊115的熱能(和基板120的上表面)，使得導電凸塊115受熱與基板的電極125黏結在一起。步驟S40中，黏結頭130沿垂直方向對晶片110施加壓力使得以雷射L加熱的導電凸塊115被向下壓並黏結在基板120上的電極125。
如第10C圖，當晶片110結束黏結頭130的雷射L照射並開始冷卻時，導電凸塊115t的溫度也會下降。當導電凸塊115冷卻固化時，釋放吸取晶片110的真空並將黏結頭130移向上與晶片110分開，完成覆晶黏結程序。
在另一個實施例中，可以使用熱固性樹酯將晶片110覆晶黏結到基板120上(未圖示)。這時，晶片110與基板120的接點藉由熱結合在一起，同時晶片110和基板120接點之間的熱固性樹酯受熱硬化。這樣可以省略在晶片110和基板120之間為了避免腐蝕而封膠的步驟。
根據本發明的雷射覆晶黏結方法和覆晶黏晶機可以快速地加熱覆晶和凸塊，因此可以提高生產力，達到良好的黏結可靠度，並應用於對溫度敏感的基板材料。
本發明藉由移動雷射照射的中心位置可以在晶片整個上表面達到均勻加熱晶片的目的，避免晶片受熱不均所造成的扭曲變形。
本發明的掃描鏡根據晶片尺寸來旋轉雷射的照射，以去除改變黏結座行程的必要性並達到精密控制黏結座的目的。
本發明上述最佳實施例僅作為解釋目的，對於任何熟悉此項技術的人員都有可能在不偏離本專利申請範圍的條件下進行的各種修改、變更、取代或附加。
1．．．支撐座
1A．．．晶片
2、2A．．．凸塊
3．．．雷射產生裝置
5．．．雙向鏡
7．．．聚焦透鏡
9．．．引腳
10．．．傳統封裝設備
11．．．雷射光
13．．．感溫器
15．．．放大器
17．．．濾波電路
19．．．類比數位轉換器
21．．．電腦
23．．．顯示器
25．．．快門
100．．．顯示器
110．．．晶片
115．．．導電凸塊
120．．．基板
130．．．黏結頭
132．．．吸取流道
140．．．黏結座
150．．．晶片加熱單元
152．．．雷射光源
153．．．透鏡組件
154．．．聚焦透鏡
155．．．掃描鏡
156．．．線速度調整透鏡
157．．．光纖
160．．．驅動控制器
162．．．雷射驅動器
165．．．掃描鏡驅動器
158．．．反射鏡
200．．．覆晶黏晶機
254．．．聚焦透鏡
255a．．．第一掃描鏡
255b．．．第二掃描鏡
256．．．線速度調整透鏡
257．．．光纖
253．．．擴散鏡
117、127．．．對位圖形
125．．．電極
第1圖是揭露在美國專利No.5,500,502，傳統使用雷射黏結引腳到晶片凸塊的封裝設備的區塊圖；第2圖是根據本發明第一實施例的覆晶黏晶機的區塊圖；第3圖是第2圖中覆晶黏晶機隨著掃描鏡旋轉時中心雷射照射位置的變化；第4圖是第3圖中中心雷射的照射位置改變時晶片上表面雷射強度的變化；第5圖是根據本發明第二實施例的覆晶黏晶機的區塊圖；第6圖是第5圖中晶片加熱單元的透視圖；第7圖是中心雷射的照射位置隨著第5圖中覆晶黏晶機的第一和第二掃描鏡旋轉時變化的情形；第8圖是根據本發明實施例的覆晶黏結方法的流程圖；第9圖是第8圖中步驟S30的流程圖；和第10A－10C圖是第8圖中覆晶黏結方法的步驟。
100．．．覆晶黏結機
110．．．晶片
115．．．導電凸塊
120．．．基板
130．．．黏結頭
132．．．吸取流道
140．．．黏結座
150．．．晶片加熱單元
152．．．雷射光源
153．．．透鏡組件
154．．．聚焦透鏡
155．．．掃描鏡
156．．．線速度調整透鏡
157．．．光纖
160．．．驅動控制器
162．．．雷射驅動器
165．．．掃描鏡驅動器

Claims (21)

  1. 一種覆晶黏結裝置，具有：放置基板的黏結座；拾取晶片並將晶片放置於基板的黏結頭；發出雷射的雷射光源；將雷射折射到晶片上表面的透鏡組件；和位於雷射光源和晶片光路之間的掃描鏡，藉由掃描鏡的旋轉讓雷射在晶片的上表面上移動。
  2. 如申請專利範圍第1項的覆晶黏結裝置，其中的透鏡組件還具有聚焦透鏡位於雷射光源和掃描鏡光路之間，以調整雷射的直徑。
  3. 如申請專利範圍第1項的覆晶黏結裝置，其中的透鏡組件還具有線速度調整透鏡位於掃描鏡和晶片的光路之間，以折射雷射沿晶片上表面定線速度移動。
  4. 如申請專利範圍第3項的覆晶黏結裝置，其中線速度調整透鏡位於黏結頭內。
  5. 如申請專利範圍第1項的覆晶黏結裝置，還具有掃描鏡驅動器控制掃描透鏡的旋轉；和雷射驅動器控制雷射光源。
  6. 如申請專利範圍第1項的覆晶黏結裝置，還具有從雷射光源到透鏡組件由光纖所形成的雷射光路。
  7. 一種覆晶黏結裝置，具有：放置基板的黏結座；拾取晶片並將晶片放置於基板的黏結頭；發出雷射的雷射光源；與雷射光源光連結並相對第一軸旋轉的第一掃描鏡，使得雷射的折射角度可以連續改變；和與第一掃描鏡光連結並相對第二軸旋轉的第二掃描鏡，第二軸的方向與第一軸不同，讓雷射的折射角度可以連續改變，其中的第一和第二掃描鏡構成雷射沿晶片上表面連續移動。
  8. 如申請專利範圍第7項的覆晶黏結裝置，其中的第一軸垂直第二軸。
  9. 如申請專利範圍第7項的覆晶黏結裝置，還具有聚焦透鏡位於雷射光源和第一掃描鏡之間的光路，以調整雷射的直徑。
  10. 如申請專利範圍第7項的覆晶黏結裝置，還具有從雷射光源到聚焦透鏡由光纖所形成的雷射光路。
  11. 如申請專利範圍第7項的覆晶黏結裝置，還具有線速度調整透鏡位於第二掃描鏡和晶片之間的光路，以折射雷射定速度照射在晶片上表面。
  12. 如申請專利範圍第11項的覆晶黏結裝置，其中線速度調整透鏡位於黏結頭內。
  13. 如申請專利範圍第7項的覆晶黏結裝置，還具有：雷射驅動器控制雷射光源。
  14. 如申請專利範圍第7項的覆晶黏結裝置，還具有至少從雷射光源到第一掃描鏡由光纖所形成的雷射光路。
  15. 一種覆晶黏結方法，具有：放置晶片到基板上；對位晶片凸塊和基板凸塊；由雷射光源產生雷射；在晶片上表面移動雷射以照射上表面；和將晶片壓向基板以黏結該晶片凸塊與該基板凸塊。
  16. 如申請專利範圍第15項的覆晶黏結方法，其中的移動步驟具有：位於雷射光源和晶片之間光路的第一掃描鏡；和相對第一軸連續旋轉第一掃描鏡並折射雷射使其沿晶片上表面第一方向移動。
  17. 如申請專利範圍第16項的覆晶黏結方法，其中的移動步驟還具有：與第一掃描鏡光連結的第二掃描鏡；和相對第二軸連續旋轉第二掃描鏡並折射雷射使其沿晶片上表面第二方向移動。
  18. 如申請專利範圍第17項的覆晶黏結方法，其中的第一和第二掃描鏡共同構成第一掃描鏡和第二掃描鏡的旋轉步驟讓雷射以定線速度沿晶片上表面移動。
  19. 如申請專利範圍第17項的覆晶黏結方法其中的第一和第二掃描透鏡獨立旋轉。
  20. 如申請專利範圍第15項的覆晶黏結方法，還具有：決定晶片尺寸；和根據尺寸決定調整雷射直徑大小的步驟。
  21. 如申請專利範圍第17項的覆晶黏結方法 還具有將第一軸和第二軸轉向垂直的步驟。
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Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101165029B1 (ko) * 2007-04-24 2012-07-13 삼성테크윈 주식회사 칩 가열장치, 이를 구비한 플립 칩 본더 및 이를 이용한플립 칩 본딩 방법
JP4942055B2 (ja) * 2007-05-20 2012-05-30 シルバーブルック リサーチ ピーティワイ リミテッド ハンドル基板からｍｅｍｓデバイスを取り外す方法
KR100838089B1 (ko) * 2007-07-30 2008-06-16 삼성에스디아이 주식회사 회로 기판 조립체 및 이를 구비하는 플라즈마 디스플레이장치
US8168920B2 (en) * 2007-09-11 2012-05-01 Shibuya Kogyo Co., Ltd. Bonding device
JP4880561B2 (ja) 2007-10-03 2012-02-22 新光電気工業株式会社 フリップチップ実装装置
TW200947641A (en) * 2008-05-15 2009-11-16 Gio Optoelectronics Corp Die bonding apparatus
DE102009017659A1 (de) * 2009-04-16 2010-10-28 Schott Ag Verfahren zur leitenden Verbindung eines Bauelementes auf einem transprenten Substrat
US9161448B2 (en) * 2010-03-29 2015-10-13 Semprius, Inc. Laser assisted transfer welding process
TWI543264B (zh) * 2010-03-31 2016-07-21 應用材料股份有限公司 雷射光束定位系統
CN102315134B (zh) * 2010-07-08 2013-05-01 技鼎股份有限公司 快速升降温覆晶方法
KR101933549B1 (ko) 2011-07-06 2018-12-28 삼성전자주식회사 레이저를 이용한 반도체 칩의 제거장치 및 그의 제거방법
US9412727B2 (en) 2011-09-20 2016-08-09 Semprius, Inc. Printing transferable components using microstructured elastomeric surfaces with pressure modulated reversible adhesion
US8546802B2 (en) * 2011-11-07 2013-10-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pick-and-place tool for packaging process
KR101278043B1 (ko) * 2012-01-20 2013-06-24 주식회사 엘티에스 레이저를 이용한 프릿 실링장치
JP6064388B2 (ja) * 2012-06-28 2017-01-25 澁谷工業株式会社 ボンディングヘッド
JP6217902B2 (ja) * 2013-05-31 2017-10-25 澁谷工業株式会社 ボンディング装置
KR102135406B1 (ko) * 2013-07-10 2020-07-20 삼성디스플레이 주식회사 레이저 결정화 장치
KR101416820B1 (ko) * 2013-11-14 2014-07-09 (주)정원기술 레이저 압착 방식의 플립 칩 본딩을 위한 레이저 옵틱 장치
KR102207674B1 (ko) * 2013-11-27 2021-01-25 토레이 엔지니어링 컴퍼니, 리미티드 3차원 실장 방법 및 3차원 실장 장치
TW201540611A (zh) * 2014-04-23 2015-11-01 Beac Co Ltd 構件貼附裝置
MY182253A (en) 2014-07-20 2021-01-18 X Celeprint Ltd Apparatus and methods for micro-transfer-printing
KR20170006343A (ko) 2015-07-07 2017-01-18 주식회사 프로텍 플립칩 본딩 장치 및 방법
US9704821B2 (en) 2015-08-11 2017-07-11 X-Celeprint Limited Stamp with structured posts
JPWO2017115512A1 (ja) * 2015-12-28 2018-09-20 シャープ株式会社 撮像装置及び生体認証装置
JP6573289B2 (ja) * 2016-01-06 2019-09-11 ヤマハモーターロボティクスホールディングス株式会社 電子部品実装装置
EP3355342A1 (en) * 2017-01-27 2018-08-01 Detection Technology Oy Laser assisted solder bonding of direct conversion compound semiconductor detector
KR20180137888A (ko) * 2017-06-20 2018-12-28 주식회사 프로텍 반도체 칩 본딩 장치 및 반도체 칩 본딩 방법
KR101975103B1 (ko) * 2017-06-20 2019-05-03 주식회사 프로텍 플립칩 레이저 본딩 장치 및 플립칩 레이저 본딩 방법
CN108024392B (zh) * 2018-01-04 2024-01-12 承德福仁堂保健咨询服务有限公司 一种采用半导体芯片由内部加热石材的装置
KR102047445B1 (ko) * 2018-02-05 2019-11-21 레이저쎌 주식회사 전자소자의 본딩 및 디본딩 장치
KR102134169B1 (ko) * 2018-10-30 2020-07-17 한국생산기술연구원 얼라인헤드를 포함하는 본딩장치
US10748793B1 (en) 2019-02-13 2020-08-18 X Display Company Technology Limited Printing component arrays with different orientations
TW202119533A (zh) * 2019-11-04 2021-05-16 台灣愛司帝科技股份有限公司 具有晶片吸附功能的晶片承載結構
TWI751449B (zh) * 2019-11-12 2022-01-01 博隆精密科技股份有限公司 雷射加工佈線方法
US11410961B2 (en) 2020-03-17 2022-08-09 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for temperature modification in bonding stacked microelectronic components and related substrates and assemblies
KR102394825B1 (ko) 2020-04-23 2022-05-06 주식회사 프로텍 빅셀 소자를 이용한 플립칩 본딩 장치
CN111730204B (zh) * 2020-06-11 2022-03-08 苏州富强科技有限公司 一种激光焊接吸嘴及激光焊枪
KR102363436B1 (ko) * 2020-07-14 2022-02-15 주식회사 엠아이이큅먼트코리아 반도체 칩의 레이저 컴프레션 본딩장치 및 본딩방법
US11829077B2 (en) 2020-12-11 2023-11-28 Kla Corporation System and method for determining post bonding overlay
US11782411B2 (en) 2021-07-28 2023-10-10 Kla Corporation System and method for mitigating overlay distortion patterns caused by a wafer bonding tool

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3735911A (en) * 1971-04-30 1973-05-29 Ibm Integrated circuit chip repair tool
US4627151A (en) * 1984-03-22 1986-12-09 Thomson Components-Mostek Corporation Automatic assembly of integrated circuits
JPH0630365B2 (ja) * 1986-06-12 1994-04-20 アルプス電気株式会社 フリツプチツプの実装方法
JPS6421997A (en) * 1987-07-16 1989-01-25 Toshiba Corp Method of soldering electronic component
US5090609A (en) * 1989-04-28 1992-02-25 Hitachi, Ltd. Method of bonding metals, and method and apparatus for producing semiconductor integrated circuit device using said method of bonding metals
JPH03264159A (ja) * 1990-03-12 1991-11-25 Fuji Electric Co Ltd レーザはんだ付け装置
JPH0618433A (ja) 1992-06-30 1994-01-25 Mitsubishi Electric Corp ボンディング装置及び方法
JPH06120654A (ja) * 1992-08-17 1994-04-28 Mitsubishi Electric Corp リード接合装置およびリード接合構造
DE19751487A1 (de) * 1997-11-20 1999-06-02 Pac Tech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur thermischen Verbindung von Anschlußflächen zweier Substrate
JP3416091B2 (ja) * 2000-01-21 2003-06-16 株式会社新川 ボンディング装置およびボンディング方法
JP3646687B2 (ja) 2001-10-16 2005-05-11 松下電器産業株式会社 フリップチップの実装装置およびフリップチップの実装方法
US6849825B2 (en) 2001-11-30 2005-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus
CN100395897C (zh) * 2003-08-08 2008-06-18 厦门三安电子有限公司 一种氮化物器件倒装的方法

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