JPH0630365B2 - フリツプチツプの実装方法 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は電子回路装置に備えられるフリツプチツプの回
路基板への実装方法に関する。
路基板への実装方法に関する。
〈従来技術〉 マイクロ接続技術の一つとして高密度実装が可能なフリ
ツプチツプボンデイングがある。これはフリツプチツプ
を直径0.2mm程度の複数の微細なはんだ、すなわちは
んだバンプを介して回路基板に接続するものである。
ツプチツプボンデイングがある。これはフリツプチツプ
を直径0.2mm程度の複数の微細なはんだ、すなわちは
んだバンプを介して回路基板に接続するものである。
このようなフリツプチツプの実装方法として、従来、例
えば第2図、第3図に示す方法が提案されている。
えば第2図、第3図に示す方法が提案されている。
第2図に示す方法は、金属パターンが形成された回路基
板、例えば液晶を具備するLCDガラス基板1の一方の
面2上に、はんだバンブ3を有するフリツプチツプ4を
配置し、このフリツプチツプ4を挟むようにLCDガラ
ス基板1の両側に一対のホツトガスヒータ5、6を配置
し、これらのホツトガスヒータ5、6から、はんだバン
プ3部分の温度が330〜350℃程度の温度になるように高
温ガス7をフリツプチツプ4の方向に与え、LCDガラ
ス基板1を構成するガラスの熱衝撃をやわらげながらフ
リツプチツプ4のはんだバンプ3およびLCDガラス基
板1上の予備はんだを溶融させ、この溶融したはんだを
介してフリツプチツプ4をLCDガラス基板1に接続す
るものである。
板、例えば液晶を具備するLCDガラス基板1の一方の
面2上に、はんだバンブ3を有するフリツプチツプ4を
配置し、このフリツプチツプ4を挟むようにLCDガラ
ス基板1の両側に一対のホツトガスヒータ5、6を配置
し、これらのホツトガスヒータ5、6から、はんだバン
プ3部分の温度が330〜350℃程度の温度になるように高
温ガス7をフリツプチツプ4の方向に与え、LCDガラ
ス基板1を構成するガラスの熱衝撃をやわらげながらフ
リツプチツプ4のはんだバンプ3およびLCDガラス基
板1上の予備はんだを溶融させ、この溶融したはんだを
介してフリツプチツプ4をLCDガラス基板1に接続す
るものである。
なお、上記したホツトガスヒータ5、6のうちの図示下
方に位置するホツトガスヒータ6を省略した方法もあ
る。
方に位置するホツトガスヒータ6を省略した方法もあ
る。
また、第3図に示す方法は、LCDガラス基板1の一方
の面2上にはんだバンブ3を有するフリツプチツプ4を
配置し、このフリツプチツプ4に対応する位置のLCD
ガラス基板1の他方の面側に、当該LCDガラス基板1
に密着させてヒートブロツク9を配置し、このヒートブ
ロツク9によつて加熱し、矢印10で示すように熱伝導
を介してフリツプチツプ4のはんだバンプ3部分を加熱
溶融させ、これによつてフリツプチツプ4をLCDガラ
ス基板1に接続するものである。
の面2上にはんだバンブ3を有するフリツプチツプ4を
配置し、このフリツプチツプ4に対応する位置のLCD
ガラス基板1の他方の面側に、当該LCDガラス基板1
に密着させてヒートブロツク9を配置し、このヒートブ
ロツク9によつて加熱し、矢印10で示すように熱伝導
を介してフリツプチツプ4のはんだバンプ3部分を加熱
溶融させ、これによつてフリツプチツプ4をLCDガラ
ス基板1に接続するものである。
なお、このようなヒートブロツク9を設けることに併せ
て、フリツプチツプ4側にホツトガスヒータを配置し、
このホツトガスヒータによる加熱を併用したものもあ
る。
て、フリツプチツプ4側にホツトガスヒータを配置し、
このホツトガスヒータによる加熱を併用したものもあ
る。
〈発明が解決しようとする問題点〉 ところで、上記した第2図に示す従来の方法にあつて
は、ホツトガスヒータ5、6から放出された高温ガスが
フリツプチツプ4の周囲に分散し、また第3図に示す従
来の方法にあつてはヒートブロツク9の熱がフリツプチ
ツプ4の周囲に伝わり、共にフリツプチツプ4の近傍の
加熱をしてはならない回路部分、例えばLCDガラス基
板1上の液晶を加熱するおそれがあり、このため当該加
熱をしてはならない回路部分を冷却する冷却装置を要
し、この実装作業が煩雑になるとともに、製作費が高く
なる不具合がある。なお、上記した液晶は120℃以上に
は加熱してはならないものである。
は、ホツトガスヒータ5、6から放出された高温ガスが
フリツプチツプ4の周囲に分散し、また第3図に示す従
来の方法にあつてはヒートブロツク9の熱がフリツプチ
ツプ4の周囲に伝わり、共にフリツプチツプ4の近傍の
加熱をしてはならない回路部分、例えばLCDガラス基
板1上の液晶を加熱するおそれがあり、このため当該加
熱をしてはならない回路部分を冷却する冷却装置を要
し、この実装作業が煩雑になるとともに、製作費が高く
なる不具合がある。なお、上記した液晶は120℃以上に
は加熱してはならないものである。
また、第2、第3図に示す従来の方法はいずれもLCD
ガラス基板1を構成するガラスが直接に加熱されるの
で、当該ガラスの割れを防止するためにゆつくり加熱を
おこなわなければならず、このフリツプチツプ4の接続
作業に少なくとも30秒以上の時間がかかり、作業能率
の向上を見込み難い。
ガラス基板1を構成するガラスが直接に加熱されるの
で、当該ガラスの割れを防止するためにゆつくり加熱を
おこなわなければならず、このフリツプチツプ4の接続
作業に少なくとも30秒以上の時間がかかり、作業能率
の向上を見込み難い。
また逆に、このように接続作業に時間がかかることは、
それだけ加熱による影響をフリツプチツプ4の周囲に及
ぼすことになり、上記した冷却装置を不可欠なものとし
ている。
それだけ加熱による影響をフリツプチツプ4の周囲に及
ぼすことになり、上記した冷却装置を不可欠なものとし
ている。
本発明は、上記した従来技術における実情に鑑みてなさ
れたもので、その目的は、フリツプチツプの接続作業に
際してフリツプチツプの周囲に対する熱の影響を抑制で
き、しかも、この接続作業を短時間でおこなうことので
きるフリツプチツプの実装方法を提供することにある。
れたもので、その目的は、フリツプチツプの接続作業に
際してフリツプチツプの周囲に対する熱の影響を抑制で
き、しかも、この接続作業を短時間でおこなうことので
きるフリツプチツプの実装方法を提供することにある。
〈問題点を解決するための手段〉 この目的を達成するために本発明は、フリツプチツプを
回路基板にはんだ付けするフリツプチツプの実装方法に
おいて、上記回路基板の一方の面にフリツプチツプを配
置し、この面側にフリツプチツプの予備加熱用のヒータ
を配置すると共に、回路基板の他方の面側にYAGレー
ザ照射装置を配置し、上記ヒータによつて上記フリツプ
チツプをそのはんだバンプが溶融しない十分に低い温度
で予備加熱した後、上記YAGレーザ照射装置のレーザ
光を上記回路基板を透過させて上記フリツプチツプのは
んだバンプ部分に与え、このはんだバンプ部分を溶融さ
せて該フリツプチツプを回路基板に接続する構成にして
ある。
回路基板にはんだ付けするフリツプチツプの実装方法に
おいて、上記回路基板の一方の面にフリツプチツプを配
置し、この面側にフリツプチツプの予備加熱用のヒータ
を配置すると共に、回路基板の他方の面側にYAGレー
ザ照射装置を配置し、上記ヒータによつて上記フリツプ
チツプをそのはんだバンプが溶融しない十分に低い温度
で予備加熱した後、上記YAGレーザ照射装置のレーザ
光を上記回路基板を透過させて上記フリツプチツプのは
んだバンプ部分に与え、このはんだバンプ部分を溶融さ
せて該フリツプチツプを回路基板に接続する構成にして
ある。
〈作用〉 本発明は、上記のようにYAGレーザ光を回路基板を透
過させてフリツプチツプのはんだバンプ部分に与えるよ
うにしたので、回路基板がガラス基板等である場合に当
該ガラス基板等を加熱することなくはんだバンプ部分を
溶融させることができ、これによつてフリツプチツプの
周囲に対する熱の影響を抑制できる。
過させてフリツプチツプのはんだバンプ部分に与えるよ
うにしたので、回路基板がガラス基板等である場合に当
該ガラス基板等を加熱することなくはんだバンプ部分を
溶融させることができ、これによつてフリツプチツプの
周囲に対する熱の影響を抑制できる。
また、YAGレーザ光によつてはんだバンプ部分を溶融
させる前に、ヒータによつてそのはんだバンプが溶融し
ない十分に低い温度で予備加熱されるため、回路基板の
割りを防止できるのみならず、フリツプチツプの接続作
業が短時間でおこなうことができる。
させる前に、ヒータによつてそのはんだバンプが溶融し
ない十分に低い温度で予備加熱されるため、回路基板の
割りを防止できるのみならず、フリツプチツプの接続作
業が短時間でおこなうことができる。
〈実施例〉 以下、本発明のフリツプチツプの実装方法を説明する。
第1図は本発明のフリツプチツプの実装方法の一実施例
を示す説明図である。
を示す説明図である。
この第1図において、1は回路基板、例えばLCDガラ
ス基板1、4はフリツプチツプで、はんだバンブ3を有
している。
ス基板1、4はフリツプチツプで、はんだバンブ3を有
している。
この実施例では、同第1図に示すように、LCDガラス
基板1の一方の面2上にフリツプチツプ4を配置し、こ
のフリツプチツプ4の位置するLCDガラス基板1の一
方の面2側にフリツプチツプ4の予備加熱用のホツトガ
スヒータ11を配置し、LCDガラス基板1の他方の面
12側に、YAGレーザ照射装置13を配置する。この
際、YAGレーザ照射装置13の照射部14の中心と、
フリツプチツプ4の中心と、ホツトガスヒータ11の中
心とがほぼ一直線上に位置するように配置する。
基板1の一方の面2上にフリツプチツプ4を配置し、こ
のフリツプチツプ4の位置するLCDガラス基板1の一
方の面2側にフリツプチツプ4の予備加熱用のホツトガ
スヒータ11を配置し、LCDガラス基板1の他方の面
12側に、YAGレーザ照射装置13を配置する。この
際、YAGレーザ照射装置13の照射部14の中心と、
フリツプチツプ4の中心と、ホツトガスヒータ11の中
心とがほぼ一直線上に位置するように配置する。
なお、上記したホツトガスヒータ11は、LCDガラス
基板1を構成するガラスのサーマルシヨツクを緩和させ
るために設けたものであり、その吐出口15より、加熱
されたチツ素、二酸化炭素、空気等のガス16を放出
し、このガス16によりフリツプチツプ4およびLCD
ガラス基板1のフリツプチツプ4近傍のガラス部分を予
備加熱するもので、ガス16の温度調節、吐出量調節が
可能になつている。そして、放出されるガス16の温度
は、フリツプチツプ4のはんだバンブ3が溶融しない十
分に低い温度、例えばLCDガラス基板1に具備される
液晶に影響を与えない110℃程度に設定してある。
基板1を構成するガラスのサーマルシヨツクを緩和させ
るために設けたものであり、その吐出口15より、加熱
されたチツ素、二酸化炭素、空気等のガス16を放出
し、このガス16によりフリツプチツプ4およびLCD
ガラス基板1のフリツプチツプ4近傍のガラス部分を予
備加熱するもので、ガス16の温度調節、吐出量調節が
可能になつている。そして、放出されるガス16の温度
は、フリツプチツプ4のはんだバンブ3が溶融しない十
分に低い温度、例えばLCDガラス基板1に具備される
液晶に影響を与えない110℃程度に設定してある。
また、上記したYAGレーザ照射装置13は、ネオジウ
ムイオンを活性イオンとして含むYAG(イツトリウム
・アルミニウム・ガーネツト)レーザ光を照射するもの
であり、このYAGレーザ光の波長はCO2レーザ光の
波長の1/10程度の1.06μmであり、セラミツク
基板、ガラスエポキシ基板、フレキシブル基板、ガラス
基板等の絶縁体における吸収がCO2レーザ光における
よりもはるかに少ない。したがつて、はんだバンプ3部
分が溶融し鏡面になつた場合でも、当該はんだ鏡面から
の反射光による基板の損傷がきわめて少なく、上述のよ
うにLCDガラス基板1の裏面から当該YAGレーザ光
を照射してフリツプチツプ4部分のはんだバンプ3部分
を溶融させることができる。なお、YAGレーザ光によ
るはんだバンプ3部分の加熱温度は330〜350℃程度であ
る。また、このYAGレーザ照射装置13ではフアイバ
ーを介してYAGレーザ光を導くことができ、小型で、
取扱い易い。
ムイオンを活性イオンとして含むYAG(イツトリウム
・アルミニウム・ガーネツト)レーザ光を照射するもの
であり、このYAGレーザ光の波長はCO2レーザ光の
波長の1/10程度の1.06μmであり、セラミツク
基板、ガラスエポキシ基板、フレキシブル基板、ガラス
基板等の絶縁体における吸収がCO2レーザ光における
よりもはるかに少ない。したがつて、はんだバンプ3部
分が溶融し鏡面になつた場合でも、当該はんだ鏡面から
の反射光による基板の損傷がきわめて少なく、上述のよ
うにLCDガラス基板1の裏面から当該YAGレーザ光
を照射してフリツプチツプ4部分のはんだバンプ3部分
を溶融させることができる。なお、YAGレーザ光によ
るはんだバンプ3部分の加熱温度は330〜350℃程度であ
る。また、このYAGレーザ照射装置13ではフアイバ
ーを介してYAGレーザ光を導くことができ、小型で、
取扱い易い。
そして、上記のようにフリツプチツプ4を挟むようにホ
ツトガスヒータ11およびYAGレーザ照射装置13を
配置した状態において、まず、ホツトガスヒータ11か
らガスヒータ16をフリツプチツプ4方向に放出してL
CDガラス基板1を構成するガラスをサーマルシヨツク
を生じない程度に予備加熱し、次いでYAGレーザ照射
装置13の照射部14から同第1図に示すようにレーザ
光17を照射すると、このレーザ光17はLCDガラス
基板1を透過してフリツプチツプ4のはんだバンプ3部
分に至り、このレーザ光17によつて当該はんだバンプ
3およびLCDガラス基板1上の予備はんだが直接的に
加熱されて溶融し、フリツプチツプ4がLCDガラス基
板1に接続(ボンデイング)される。
ツトガスヒータ11およびYAGレーザ照射装置13を
配置した状態において、まず、ホツトガスヒータ11か
らガスヒータ16をフリツプチツプ4方向に放出してL
CDガラス基板1を構成するガラスをサーマルシヨツク
を生じない程度に予備加熱し、次いでYAGレーザ照射
装置13の照射部14から同第1図に示すようにレーザ
光17を照射すると、このレーザ光17はLCDガラス
基板1を透過してフリツプチツプ4のはんだバンプ3部
分に至り、このレーザ光17によつて当該はんだバンプ
3およびLCDガラス基板1上の予備はんだが直接的に
加熱されて溶融し、フリツプチツプ4がLCDガラス基
板1に接続(ボンデイング)される。
このように構成した実施例にあつては、上述したように
YAGレーザ照射装置13のレーザ光17を用いるよう
にしてあることから、照射領域を正確に設定でき、すな
わち必要なはんだバンプ3部分のみの加熱を実現でき、
フリツプチツプ4の周囲への熱影響を低く押さえること
できる。
YAGレーザ照射装置13のレーザ光17を用いるよう
にしてあることから、照射領域を正確に設定でき、すな
わち必要なはんだバンプ3部分のみの加熱を実現でき、
フリツプチツプ4の周囲への熱影響を低く押さえること
できる。
また、YAGレーザ照射装置13のレーザ光17はLC
Dガラス基板1を透過してしまうのでLCDガラス基板
1をほとんど加熱することがなく、これによつてもフリ
ツプチツプ4の周囲へのはんだバンプ3部分の加熱によ
る熱影響を低く押さえることができる。
Dガラス基板1を透過してしまうのでLCDガラス基板
1をほとんど加熱することがなく、これによつてもフリ
ツプチツプ4の周囲へのはんだバンプ3部分の加熱によ
る熱影響を低く押さえることができる。
また、YAGレーザ照射装置13はそのエネルギ密度を
高くすることができるので、はんだ付けに要する時間が
例えば5秒以内の短時間で済む。また、このように短時
間で接続作業をおこなえることから、LCDガラス基板
1における熱伝導によるフリツプチツプ4の周囲への熱
影響も低く押さえることができる。
高くすることができるので、はんだ付けに要する時間が
例えば5秒以内の短時間で済む。また、このように短時
間で接続作業をおこなえることから、LCDガラス基板
1における熱伝導によるフリツプチツプ4の周囲への熱
影響も低く押さえることができる。
また、この実施例ではホツトガスヒータ11から放出さ
れるガス16にチツ素、一酸化炭素等の不活性ガスを用
いることができ、このような不活性ガスを用いた場合に
はフラツクスを用いずにはんだ付けをおこなうことがで
きる。
れるガス16にチツ素、一酸化炭素等の不活性ガスを用
いることができ、このような不活性ガスを用いた場合に
はフラツクスを用いずにはんだ付けをおこなうことがで
きる。
また、この実施例ではホツトガスヒータ11から放出さ
れるガス16の温度は110℃程度に設定してあることか
ら、LCDガラス基板1上の液晶に熱損傷を与えること
なく、フリツプチツプ4を予備加熱することができる。
れるガス16の温度は110℃程度に設定してあることか
ら、LCDガラス基板1上の液晶に熱損傷を与えること
なく、フリツプチツプ4を予備加熱することができる。
また、上記したようにはんだバンプ3部分の加熱による
フリツプチツプ4の周囲への熱影響を低く押さえること
ができることと、ホツトガスヒータ11による予備加熱
をLCDガラス基板1に具備される液晶の熱損傷を生じ
ない程度に低い温度で実施することから、このような接
続作業に際して、フリツプチツプ4の周囲に、加熱から
保護するための冷却装置を要することがない。
フリツプチツプ4の周囲への熱影響を低く押さえること
ができることと、ホツトガスヒータ11による予備加熱
をLCDガラス基板1に具備される液晶の熱損傷を生じ
ない程度に低い温度で実施することから、このような接
続作業に際して、フリツプチツプ4の周囲に、加熱から
保護するための冷却装置を要することがない。
なお、上記実施例では回路基板としてLCDガラス基板
1を挙げたが、本発明はこれに限定されず、LCDガラ
ス基板1の代わりにポリイミドなどのフレキシブル基
板、すなわちプラスチツクLCDを配置してフリツプチ
ツプ4の実装をおこなうことも可能である。
1を挙げたが、本発明はこれに限定されず、LCDガラ
ス基板1の代わりにポリイミドなどのフレキシブル基
板、すなわちプラスチツクLCDを配置してフリツプチ
ツプ4の実装をおこなうことも可能である。
〈発明の効果〉 本発明のフリツプチツプの実装方法は上記のように構成
してあることから、フリツプチツプの接続作業に際して
フリツプチツプの周囲に対する熱の影響を抑制でき、し
たがつて、従来のようなフリツプチツプの周囲を冷却保
護する冷却装置を要することがなく、接続作業を簡単に
おこなうことができて製作費を低減させることができ、
また短時間でフリツプチツプと回路基板との接続をおこ
なうことができ、これによつて従来に比べて作業能率を
向上させることができる効果がある。
してあることから、フリツプチツプの接続作業に際して
フリツプチツプの周囲に対する熱の影響を抑制でき、し
たがつて、従来のようなフリツプチツプの周囲を冷却保
護する冷却装置を要することがなく、接続作業を簡単に
おこなうことができて製作費を低減させることができ、
また短時間でフリツプチツプと回路基板との接続をおこ
なうことができ、これによつて従来に比べて作業能率を
向上させることができる効果がある。
第1図は本発明のフリツプチツプの実装方法の一実施例
を示す説明図、第2図および第3図はそれぞれ従来のフ
リツプチツプの実装方法を例示する説明図である。 1……LCDガラス基板(回路基板)、2……一方の
面、3……はんだバンブ、4……フリツプチツプ、11
……ホツトガスヒータ、12……他方の面、13……Y
AGレーザ照射装置、14……照射部、15……吐出
口、16……ガス、17……レーザ光。
を示す説明図、第2図および第3図はそれぞれ従来のフ
リツプチツプの実装方法を例示する説明図である。 1……LCDガラス基板(回路基板)、2……一方の
面、3……はんだバンブ、4……フリツプチツプ、11
……ホツトガスヒータ、12……他方の面、13……Y
AGレーザ照射装置、14……照射部、15……吐出
口、16……ガス、17……レーザ光。
Claims (2)
- 【請求項1】フリツプチツプを回路基板にはんだ付けす
るフリツプチツプの実装方法において、上記回路基板の
一方の面にフリツプチツプを配置し、この面側にフリツ
プチツプの予備加熱用のヒータを配置すると共に、回路
基板の他方の面側にYAGレーザ照射装置を配置し、上
記ヒータによつて上記フリツプチツプをそのはんだバン
プが溶融しない十分に低い温度で予備加熱した後、上記
YAGレーザ照射装置のレーザ光を上記回路基板を透過
させて上記フリツプチツプのはんだバンプ部分に与え、
このはんだバンプ部分を溶融させて該フリツプチツプを
当該回路基板に接続することを特徴とするフリツプチツ
プの実装方法。 - 【請求項2】上記ヒータとしてホツトガスヒータを用い
ることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載のフリ
ツプチツプの実装方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61134950A JPH0630365B2 (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | フリツプチツプの実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61134950A JPH0630365B2 (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | フリツプチツプの実装方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62291934A JPS62291934A (ja) | 1987-12-18 |
JPH0630365B2 true JPH0630365B2 (ja) | 1994-04-20 |
Family
ID=15140352
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61134950A Expired - Fee Related JPH0630365B2 (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | フリツプチツプの実装方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0630365B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0964608A3 (en) | 1998-06-12 | 2001-09-05 | Ford Motor Company | Method for laser soldering |
KR101113850B1 (ko) * | 2005-08-11 | 2012-02-29 | 삼성테크윈 주식회사 | 플립 칩 본딩 방법 및 이를 채택한 플립 칩 본딩 장치 |
WO2012128341A1 (ja) * | 2011-03-24 | 2012-09-27 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5132275A (ja) * | 1974-09-13 | 1976-03-18 | Hitachi Ltd |
-
1986
- 1986-06-12 JP JP61134950A patent/JPH0630365B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62291934A (ja) | 1987-12-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |