JPH06120654A

JPH06120654A - リード接合装置およびリード接合構造

Info

Publication number: JPH06120654A
Application number: JP4240420A
Authority: JP
Inventors: Toshie Uchiyama; 淑恵内山; Teruo Miyamoto; 照雄宮本; Yasuto Nai; 康人名井; Masaaki Tanaka; 正明田中; Teru Adachi; 照安達; Kohei Murakami; 光平村上; Tatsuya Iwasa; 辰弥岩佐
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1992-08-17
Filing date: 1992-09-09
Publication date: 1994-04-28

Abstract

(57)【要約】【目的】レーザビームを用いたリード接合装置でのレ
ーザビームの透過率低下による半田付け性能の低下を抑
制し、装置の信頼性を向上させる。【構成】電子部品の外部リード８を基板１０の被半田
付け面上に載置し、この部分にレーザ光２を照射するこ
とにより、リードの半田付けが行なわれる。リードの被
半田付け面からの浮きをリード上方から噴射されるガス
流１２により抑制するリード浮き抑制用ガス流発生装置
１３，１４を設ける。また、リード浮き抑制用ガスとし
て、還元性ガスを含んだものを用いる。さらに、リード
浮き抑制用ガス流発生装置には、ガスの温度を室温以上
に調節するためのガス温度調節機構が選択的に付設され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、たとえば集積回路（Ｉ
Ｃ）のような電子部品から引き出された複数本の外部リ
ードを回路基板上またはこの回路基板上に設けたパッド
の被半田付け面にレーザビームを用いて半田付けするリ
ード接合装置およびリード接合構造に関し、特に電子部
品での外部リードの厚みが薄く、幅も狭く、さらにはリ
ードピッチも微細となっている微細なリードを半田付け
する場合に用いて好適なリード接合装置およびリード接
合構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小型軽量化、多機能化
に伴い、プリント回路基板の高密度実装化が進み、これ
に搭載される電子部品もますます小型化が進んでいる。
たとえばＴＣＰなどの集積回路にあっては、パッケージ
本体から引き出される複数本の外部リードも、薄片化、
幅狭化さらには微細ピッチ化が顕著である。

【０００３】そして、このような微細化されているリー
ドにあっては、これらを回路基板上に形成した半田パッ
ド上にそれぞれ設置し、この状態で加熱手段としてのレ
ーザ光を照射して加熱し、半田を溶融させて半田付けに
より接合することが困難となっている。

【０００４】このため、レーザビームを用いて半田付け
する従来のリード接合装置にあっては、図５に示すよう
な構成が採用されていた。これを簡単に説明すると、従
来のレーザビームを用いたリード接合装置は、レーザ発
振器１と、このレーザ発振器１からのレーザビーム２を
所要の方向に偏向させるレーザビーム偏向ミラー３と、
この偏向ミラー３からのレーザビーム２を走査して照射
させるためのレーザビーム走査機構４と、レーザビーム
２を集光するための集光レンズ５と、リード接合用の作
業台となるステージ１１と、このステージ１１に対し上
方から垂下されるように構成され回路基板１０上にリー
ド８を押し付けて浮き上がりを防ぐためのリード浮き抑
制機構６を備えている。

【０００５】ここで、上述したレーザ走査機構４は、二
枚のミラーにより構成されており、図５中において紙面
に対して水平方向および垂直方向の任意の方向にレーザ
ビーム２を偏向することができる。さらに、前記集光レ
ンズ５は、いわゆるｆθレンズである。

【０００６】また、図５中７は半導体素子等を樹脂封止
したパッケージ本体、８はこのパッケージ本体７の外部
に引き出されている複数本のリードで、これら各リード
８は、回路基板１０上に設けられているパッド９の被半
田付け面上に設置され、レーザビーム２が照射されるこ
とにより半田付けされるようになっている。なお、複数
本のリード８は、パッケージ本体７と共に電子部品を構
成する。

【０００７】このような従来のリード接合装置におい
て、たとえばＹＡＧレーザなどの光ビーム熱源であるレ
ーザ発振器１から出射されたレーザビーム２は、偏向ミ
ラー３により向きを変えられ、レーザビーム走査機構４
へと導かれる。そして、このようなレーザビーム走査機
構４で偏向されたレーザビーム２は、集光レンズ５に導
かれて集光され、前記リード浮き抑制機構６へと導か
れ、このリード浮き抑制機構６で押え付けられることに
よりパッド９からの浮き上がりが抑制されているリード
８の半田付けが行なうようになっている。

【０００８】すなわち、上述したリード８は、パッケー
ジ本体７から略水平に引き出された基端部とこの基端部
から鋭角的に屈曲形成されたテーパ部とこのテーパ部か
ら屈曲されて略水平方向に延在する先端部とからなり、
この先端部を、前記基板１０のパッド９上に浮き上がり
を生じないように設置し、この状態でレーザビーム２を
照射することにより半田付けすることが必要である。

【０００９】しかし、このようなリード８は、厚みが薄
く、しかも幅に狭くなる傾向にあり、剛性が低下し、リ
ード形状に変形が生じ易く、その先端部をパッド９に対
し均一に設置させることが困難であり、このためにリー
ド８を半田付け時に押え付けてリード８の浮き上がりを
防止し半田付けミスを防ぐための押え治具として、上述
したリード浮き抑制機構６が用いられている。特に、こ
のようなリード浮き抑制機構６は、リード８が微細化す
る程、必要とされる。

【００１０】ここで、このリード浮き抑制機構６は、レ
ーザビーム２が透過できるように光透過性材料である石
英ガラスにより構成されている。このような石英ガラス
は半田との濡れ性は悪いので、溶融した半田が付着する
という問題は少ない。

【００１１】また、前述したように照射されるレーザビ
ーム２は、リード浮き抑制機構６を透過した後、被半田
付け面であるリード８に照射される。なお、これらのリ
ード８とパッド９は、液体状フラックスに予め浸されて
いる。

【００１２】そして、リード８とパッド９とは、集光し
て照射されたレーザビーム２によって加熱され、これに
よりリード８やパッド９上に予め塗布された半田が溶融
し、その結果として回路基板１０上にあるパッド９と半
田付けにより接合される。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来のレーザビームを用いたリード接合装置に
よれば、石英ガラスで形成されているリード浮き抑制機
構６によって、リード８のパッド９上からの浮き上がり
を抑制していたので、レーザビーム２の照射で半田付け
を行なう毎に、被半田付け面からのフラックスの蒸発に
伴なって発生する煙が、石英ガラス表面に徐々に付着し
て汚れを生じることを避けられないものであった。

【００１４】そして、このようなフラックスによる煙に
伴なう石英ガラス表面の汚れによって、時間の経過と共
にレーザ透過率が徐々に低下し、結果としてこのリード
接合装置での半田付け性能が劣化するという問題を生じ
るもので、このような問題を解決し得る何らかの対策を
講じることが望まれている。

【００１５】また、上述したようなレーザビームを用い
て微細なリード８を回路基板１０のパッド９上に半田付
けするにあたって問題とされることの一つに、半田付け
工程時においてリード８をパッド９の被半田付け面上に
横方向での位置ずれを生じることなく、安定して載置
し、この状態で半田付けを行なえるような構成とするこ
とで、このような点についての対策も必要とされてい
る。

【００１６】すなわち、従来一般には、リード８のパッ
ド９上での位置ずれ量を計測しておき、許容値範囲（リ
ード幅の１／３）内にある場合は、リード８をそのまま
でパッド９上に半田付けし、また範囲外にあるリード８
は、これを矯正した後に半田付けするようになっている
が、特に微細なリード８であって、しかも多数本のリー
ドを有し、そのリードピッチが微細である場合には、煩
雑でしかも確実性に欠けるという問題があり、このよう
な問題点を解決することが望まれる。

【００１７】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであり、電子部品の外部リードを回路基板上または
この回路基板に設けられるパッド上にレーザ光を用いて
半田付けするにあたって、従来のようなフラックスによ
る煙の発生によって、レーザ光の透過率が経時的に低下
されるといった問題を引き起こさず、装置の信頼性を向
上させることが可能となるレーザビームを用いたリード
接合装置を得ることを目的としている。

【００１８】また、本発明は、電子部品の外部リードを
回路基板上またはこの回路基板に設けられるパッド上に
レーザ光を用いて半田付けするにあたって、従来のよう
な横方向での位置ずれを生じることなく、安定して半田
付けを行なうことが可能となり、装置の信頼性を向上さ
せることが可能となるレーザビームを用いたリード接合
構造を得ることを目的としている。

【００１９】

【課題を解決するための手段】このような要請に応える
ために本発明に係るリード接合装置は、電子部品の外部
リードを基板の被半田付け面上に載置し、この半田付け
個所にレーザ光を集光して照射することによりリードの
半田付けを行なうにあたって、リードの被半田付け面か
らの浮きを、使用レーザ波長に対して吸収率の低いよう
なガス流を、前記リードの上方から吹き付けることによ
り抑制するリード浮き抑制用のガス流発生装置を設けて
いる。

【００２０】また、本発明に係るリード接合装置は、電
子部品の外部リードを基板の被半田付け面上に載置し、
この半田付け個所にレーザ光を集光して照射することに
よりリードの半田付けを行なうにあたって、リードの被
半田付け面からの浮きを、使用レーザ波長に対して吸収
率の低く、しかも半田付けにあたってフラックスを必要
としない還元性ガスを含んだガス流を、前記リードの上
方から吹き付けることにより抑制するリード浮き抑制用
のガス流発生装置を設けている。

【００２１】さらに、本発明に係るリード接合装置は、
電子部品の外部リードを基板の被半田付け面上に載置
し、この半田付け個所にレーザ光を集光して照射するこ
とによりリードの半田付けを行なうにあたって、リード
の被半田付け面からの浮きを、使用レーザ波長に対して
吸収率の低いようなガス流を、前記リードの上方から吹
き付けることにより抑制するリード浮き抑制用のガス流
発生装置を設けるとともに、このガス流発生装置からの
リード浮き抑制用ガスの温度を室温以上に調節するため
のガス温度調節機構を設けている。

【００２２】また、本発明に係るリード接合装置は、電
子部品の外部リードを基板の被半田付け面上に載置し、
この半田付け個所にレーザ光を集光して照射することに
よりリードの半田付けを行なうにあたって、リードの被
半田付け面からの浮きを、使用レーザ波長に対して吸収
率の低く、しかも半田付けにあたってフラックスを必要
としない還元性ガスを含んだガス流を、前記リードの上
方から吹き付けることにより抑制するリード浮き抑制用
のガス流発生装置を設けるとともに、このガス流発生装
置からのリード浮き抑制用ガスの温度を室温以上に調節
するためのガス温度調節機構を設けている。

【００２３】さらに、本発明に係るリード接合構造は、
電子部品の外部リードを、回路基板またはこの回路基板
上に設けられたパッドの被半田付け面上に載置した状態
で、レーザ光を照射して半田付けするにあたって、リー
ドと回路基板または回路基板上のパッドとに、これらが
基板またはパッド上の被半田付け面の面方向での位置ず
れを生じないように互いに補完して係合する凹凸形状を
呈する位置決め手段を設けている。

【００２４】

【作用】本発明によれば、リードを基板の被半田付け面
上に載置し、かつこのリードの上方に、リード浮き抑制
用ガス流発生装置からガス流を噴射し、このガス流の噴
射によってリードの被半田付け面からの浮きを抑制した
状態でレーザ光を照射し、リードを被半田付け面上に半
田付けする。

【００２５】また、本発明によれば、リードを基板の被
半田付け面上に載置し、かつこのリードの上方に、リー
ド浮き抑制用ガス流発生装置から還元性ガスを含んだガ
ス流を噴射し、このガス流の噴射によってリードの被半
田付け面からの浮きを抑制した状態でレーザ光を照射
し、リードを被半田付け面上に、フラックスを要せずに
半田付けする。

【００２６】さらに、本発明によれば、リードを基板の
被半田付け面上に載置し、かつこのリードの上方に、リ
ード浮き抑制用ガス流発生装置からガス温度調節機構に
より室温以上の温度に調節されたガス流を噴射し、この
ガス流の噴射によってリードの被半田付け面からの浮き
を抑制した状態でレーザ光を照射し、リードを被半田付
け面上に半田付けするものである。

【００２７】また、本発明によれば、リードを基板の被
半田付け面上に載置し、かつこのリードの上方に、リー
ド浮き抑制用ガス流発生装置からガス温度調節機構によ
り室温以上の温度に調節された還元性ガスを含んだガス
流を噴射し、このガス流の噴射によってリードの被半田
付け面からの浮きを抑制した状態でレーザ光を照射し、
リードを被半田付け面上にフラックスを要せずに半田付
けするものである。

【００２８】さらに、本発明によれば、リードを、回路
基板またはこの回路基板上に設けられたパッドの被半田
付け面上に載置した状態で、レーザ光を照射して半田付
けするにあたって、リードが、回路基板または回路基板
上のパッド上に、凹凸形状を呈する位置決め手段の係合
によって、被半田付け面の面方向での位置ずれを生じな
い状態で位置決め保持され、この状態で半田付けを、基
板やパッドに損傷を生じることなく行なえる。

【００２９】

【実施例】実施例１．図１および図２は本発明に係るレ
ーザビームを用いたリード接合装置の一実施例を示すも
のであり、これらの図において、前述した図５と同一ま
たは相当する部分には同一番号を付して詳細な説明は省
略する。

【００３０】すなわち、本発明に係るレーザビームを用
いたリード接合装置は、従来と同様に、レーザ発振器１
と、レーザビーム偏向ミラー３と、レーザビーム走査機
構４と、集光レンズ５と、ステージ１１とを備えてい
る。

【００３１】ここで、上述したレーザビーム走査機構４
は、二枚のミラーにより構成されており、図１中におい
て紙面に対して水平方向および垂直方向の任意の方向に
レーザビーム２を偏向することができる。さらに、前記
集光レンズ５は、いわゆるｆθレンズである。

【００３２】また、図中７は半導体素子等を樹脂封止し
たパッケージ本体、８はこのパッケージ本体７の外部に
引き出されている複数本のリードで、これら各リード８
は、回路基板１０上形成されているパッド９上に設置さ
れ、半田付けにより接合されるようになっている。ここ
で、複数本のリード８は、パッケージ本体７と共に電子
部品としてたとえばＴＣＰ等の集積回路を構成する。

【００３３】このようなリード接合装置において、本実
施例によれば、リード８の被半田付け面からの浮きを、
使用レーザ波長に対して吸収率の低いようなガス流１２
を、前記リード８の上方から吹き付けることにより抑制
するリード浮き抑制用のガス流発生装置として、ガス流
噴射ノズル１３と不活性ガス供給装置１４とを設けてい
る。

【００３４】ここで、上述したガス流噴射ノズル１３と
しては、たとえば細孔を利用してガス流を噴射するもの
でも、またジェットガスを噴射させるものでもよい。

【００３５】以上の構成によるレーザビーム２を用いた
リード接合装置によれば、ＹＡＧレーザなどのレーザ発
振器１から出射されたレーザビーム２は、偏向ミラー３
により向きを変えられ、レーザビーム走査機構４へと導
かれる。そして、このレーザビーム走査機構４を出たレ
ーザビーム２は、集光レンズ５への導かれ、ここで集光
されたレーザビーム２は、被半田付け面へと導かれる。

【００３６】このとき、ガス流噴射ノズル１３は、不活
性ガス供給装置１４から供給された不活性ガスのガス流
１２を被半田付け個所に噴射する役割を果たす。

【００３７】したがって、リード８は、ガス流噴射ノズ
ル１３から噴出されるガス流１２によって、回路基板１
０上に設けられているパッド９の被半田付け面上に押え
付けられ、浮き上がりを抑制されている。そして、液体
状フラックスに予め浸されているリード８とパッド９と
は、ガス流１２により押え付けられた後、集光されたレ
ーザビーム２により加熱され、リード８上に予め塗布さ
れた半田が溶融し、基板１０上のパッド９に半田付けさ
れる。

【００３８】ここで、ガス流噴射ノズル１３の噴出口形
状および本数は、特に限定されるものではなく、一本あ
るいは同時に複数本のリード８を押え付けることができ
るだけのガス流１２の流量が得られればよい。

【００３９】そして、このような構成によれば、リード
８をパッド９に半田付けする時に発生するフラックスの
煙が生じても、従来のような石英ガラスによる押え治具
であるリード浮き抑制機構が存在しないため、レーザ光
の透過率の低下が発生しなくなり、その結果としてリー
ド接合装置を長期にわたって安定して動作させることが
可能で、装置の信頼性を向上させることができる。

【００４０】実施例２．上述した実施例では、リード８
を回路基板１０上のパッド９に半田付けするにあたっ
て、フラックスを使用しているが、本発明はこれに限定
されず、リード８の浮き抑制用ガスとして不活性ガスに
より希釈された、たとえば水素などの還元性ガスを用
い、これをガス流噴射ノズル１３から半田付け個所に噴
射するようにしてもよい。

【００４１】そして、このようにすれば、水素ガスは、
半田付け時の酸化抑制剤としての役割を果たし、フラッ
クスを使用せずに、半田付けが行なえるため、従来のよ
うなフラックスによる煙の問題は一掃される。ここで、
その他の動作については、図１および図２により説明し
た実施例１と同様であるので、その説明は省略する。

【００４２】実施例３．図３は本発明に係るレーザビー
ムを用いたリード接合装置の別の実施例を示し、この実
施例では、リード８を回路基板１０上のパッド９に半田
付けするにあたって、リード８の浮き抑制用ガス流をガ
ス流噴射ノズル１３から噴射させるための不活性ガス供
給装置１４に、リード浮き抑制用ガスの温度を室温以上
の調節するためのガス温度調節機構１５を付設してい
る。

【００４３】すなわち、リード８の浮きを抑制するため
に半田付け個所の上方から、使用レーザ波長に対して吸
収率の低い不活性ガスを吹き付ける際に、このガス流１
２の温度が室温程度であると、レーザ照射により昇温し
ている半田付け個所の温度を下げてしまうことがある。
そして、このような状況となると、半田付けに必要とす
る熱量を供給するには、レーザパワーを増すか、照射時
間を増やす必要がある。このようなレーザパワーの過剰
な投入は、ビームの位置ずれのときに回路基板１０やパ
ッド９を損傷してしまい、また照射時間の増加は、タク
トタイムの増加を招くという問題につながる。

【００４４】この実施例では、ガス温度調節機構１５を
付設することにより、ガス流１２の温度を室温以上に調
節し、これを吹付けることによりリード８の半田付け部
分を余熱しておくことができる。このとき、温度の上限
は、それぞれ半田付けされるリード８間のブリッジを防
ぐため、１５０℃（半田溶融温度）以下程度にするとよ
い。その結果、回路基板１０やパッド９を損傷すること
なく、安定して半田付けを行なえ、またタクトアウトを
短くし、スループットが向上するという利点も奏する。

【００４５】ここで、その他の動作については、図１お
よび図２により説明した実施例１，２と同様であるの
で、その説明は省略する。なお、この実施例３におい
て、不活性ガスによるガス流１２を、前述した実施例３
のように還元性ガスを含んだガス流としてもよいこと
は、勿論である。

【００４６】実施例４．図４は本発明に係るリード接合
構造として、リード８と回路基板１０上に設けられたパ
ッド９の被半田付け面（または回路基板１０の被半田付
け面）との接合部構造の実施例を、（Ａ），（Ｂ），
（Ｃ），（Ｄ）に示している。

【００４７】すなわち、リード８を回路基板１０のパッ
ド９上にレーザビームによって半田付けするにあたっ
て、前述した各実施例のように、リード８の浮きを抑制
するために半田付け個所の上方から不活性ガス１２を吹
き付けておくだけでは、基板１０またはパッド９上に当
たって拡散するガス流によって、リード８が横方向つま
り被半田付け面の面方向に向って位置ずれする虞れがあ
り、しかもこの位置ずれ量が許容値範囲（リード幅の１
／３）を越えてしまうことがある。

【００４８】このようなリード８のパッド９上での位置
ずれを防止するためには、リード８と回路基板１０上の
パッド９（または回路基板１０でもよい）の被半田付け
面とに、これらがこの被半田付け面の面方向での位置ず
れを生じないように互いに補完して係合する凹凸形状を
呈する位置決め手段を設けるとよい。

【００４９】ここで、同図（Ａ）中２０は従来形状のリ
ード８が係入されるように幅広に形成したパッド９に形
成された位置決め手段となる凹部、同図（Ｂ）中２１
Ａ，２１Ｂはリード９とパッド９に形成した位置決め手
段となる突部およびこれに係合する凹部、同図（Ｃ）中
２２は幅狭に形成したパッド９が係合するようにリード
８に形成された位置決め手段となる凹部、同図（Ｄ）中
２３は回路基板１０に凹設されパッド９がその内部に形
成されるとともにリード８が係入される位置決め手段と
なる凹部である。

【００５０】そして、このような構成によれば、前述し
たリード浮き抑制用のガス流１２によって、リード８
を、回路基板１０またはこの回路基板１０上に設けられ
たパッド９の被半田付け面上に押え付けると同時に、こ
のリード８を、凹凸形状を呈する位置決め手段（２０；
２１Ａ，２１Ｂ；２２；２３）の係合によって、パッド
９または回路基板１０に対し、被半田付け面の面方向で
の位置ずれを生じない状態で位置決め保持することが可
能で、この状態で半田付けを、回路基板１０やパッド９
に損傷を生じることなく安定して行なえる。

【００５１】実施例５．また、上述した実施例では、レ
ーザビームとしてＹＡＧレーザを用いたが、他の波長の
レーザ、たとえばＣＯ2 レーザ、Ａｒレーザ、エキシマ
レーザ等であってもよい。さらに、赤外線ランプなどの
レーザ以外の光ビーム源を用いても同様の効果を奏す
る。

【００５２】

【発明の効果】以上説明したように本発明に係るリード
接合装置によれば、リードを基板の被半田付け面上に載
置し、この半田付け個所にレーザ光を集光して照射する
ことによりリードの半田付けを行なうにあたって、リー
ドの被半田付け面からの浮きを、使用レーザ波長に対し
て吸収率の低いガス流を、リード上方から吹き付けるこ
とで抑制するリード浮き抑制用のガス流発生装置を設け
たので、簡単な構造にもかかわらず、リードの浮きを、
リード上方からのガス流により所要の状態で抑えること
ができ、従来のような石英ガラスによるリード浮き抑制
機構を用いる必要がなくなり、これにより半田付け時に
発生するフラックスの煙によるレーザ光の透過率の低下
という問題の発生をなくし、装置の安定した動作を得て
信頼性を向上させることができる。

【００５３】また、本発明に係るリード接合装置によれ
ば、リードの被半田付け面からの浮きを防止するため
に、使用レーザ波長に対して吸収率の低く、しかも半田
付けにあたってフラックスを必要としない還元性ガスを
含んだガス流を、リード上方から吹き付けるようにした
ので、簡単な構造にもかかわらず、リードの半田付けに
あたってフラックスを不要とし、これにより従来のよう
なフラックスの煙による問題を一掃できるという利点が
ある。

【００５４】さらに、本発明に係るリード接合装置によ
れば、リードを基板の被半田付け面上に載置し、かつこ
のリードの上方に、リード浮き抑制用ガス流発生装置か
らガス温度調節機構により室温以上の温度に調節された
不活性ガスによるガス流または還元性ガスを含んだガス
流を噴射しているので、半田付け部分に噴射されるガス
流の温度を室温以上に保ち、レーザパワーを増したり、
照射時間を増やすことなく、リードを被半田付け面上に
所要の状態で安定して半田付けすることができ、また従
来のような回路基板やパッド等の損傷を生じることもな
く、装置の信頼性が向上するという利点がある。

【００５５】また、本発明に係るリード接合構造によれ
ば、リードを、回路基板またはこの回路基板上に設けら
れたパッドの被半田付け面上に載置するにあたって、リ
ードと回路基板または回路基板上のパッドとの間に凹凸
形状を呈する位置決め手段を形成しているので、これら
の係合によってリードの被半田付け面の面方向での位置
ずれを生じない状態で位置決め保持することができ、こ
の状態で半田付けを、基板やパッドに損傷を生じること
なく、所要の状態で安定して行なえ、装置の信頼性を向
上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るレーザビームを用いたリード接合
装置の一実施例を示す概略構成図である。

【図２】図１の要部を拡大して示す概略図である。

【図３】本発明に係るレーザビームを用いたリード接合
装置の別の実施例を示す概略構成図である。

【図４】本発明に係るリード接合構造としてリードとパ
ッドまたは回路基板との接合部構造を、（Ａ），
（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ）に示す概略断面図である。

【図５】従来のレーザビームを用いたリード接合装置を
例示する概略構成図である。

【符号の説明】

１レーザ発振器２レーザビーム３レーザビーム偏向ミラー４レーザビーム走査機構５集光レンズ７微細なリードを有する集積回路によるパッケージ
本体８リード９パッド１０回路基板１１ステージ１２リード浮き抑制用ガス流１３ガス流噴射ノズル（リード浮き抑制用ガス流発
生装置）１４不活性ガス供給装置（リード浮き抑制用ガス流
発生装置）１５ガス温度調節機構

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者田中正明兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号三菱電機株式会社生産技術研究所内 (72)発明者安達照兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号三菱電機株式会社生産技術研究所内 (72)発明者村上光平兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号三菱電機株式会社生産技術研究所内 (72)発明者岩佐辰弥兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号三菱電機株式会社生産技術研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電子部品の外部リードを基板の被半田付
け面上に載置し、この部分にレーザ光を照射することに
より、リードを被半田付け面上に半田付けするリード接
合装置において、前記リードの被半田付け面からの浮き
を、リード上方からのガス流により抑制するリード浮き
抑制用ガス流発生装置を設けたことを特徴とするリード
接合装置。
【請求項２】電子部品の外部リードを基板の被半田付
け面上に載置し、この部分にレーザ光を照射することに
より、リードを被半田付け面上に半田付けするリード接
合装置において、前記リードの被半田付け面からの浮き
を、リード上方からの還元性ガスを含んだガス流によっ
て抑制するリード浮き抑制用ガス流発生装置を設けたこ
とを特徴とするリード接合装置。
【請求項３】電子部品の外部リードを基板の被半田付
け面上に載置し、この部分にレーザ光を照射することに
より、リードを被半田付け面上に半田付けするリード接
合装置において、前記リードの被半田付け面からの浮き
を、リード上方からのガス流により抑制するリード浮き
抑制用ガス流発生装置を設けるとともに、このガス流発
生装置からのリード浮き抑制用ガスの温度を室温以上に
調節するためのガス温度調節機構を設けたことを特徴と
するリード接合装置。
【請求項４】電子部品の外部リードを基板の被半田付
け面上に載置し、この部分にレーザ光を照射することに
より、リードを被半田付け面上に半田付けするリード接
合装置において、前記リードの被半田付け面からの浮き
を、リード上方からの還元性ガスを含んだガス流によっ
て抑制するリード浮き抑制用ガス流発生装置を設けると
ともに、このガス流発生装置からのリード浮き抑制用ガ
スの温度を室温以上に調節するためのガス温度調節機構
を設けたことを特徴とするリード接合装置。
【請求項５】電子部品の外部リードを、回路基板また
はこの回路基板上に設けられたパッドの被半田付け面上
に載置した状態で、レーザ光を照射することによって半
田付けするリード接合構造において、前記リードと前記
回路基板または前記回路基板上のパッドとに、これらが
前記被半田付け面の面方向での位置ずれを生じないよう
に互いに補完して係合する凹凸形状を呈する位置決め手
段を設けたことを特徴とするリード接合構造。