JPH09214122A - はんだ付け方法およびその装置 - Google Patents
はんだ付け方法およびその装置Info
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- JPH09214122A JPH09214122A JP2129996A JP2129996A JPH09214122A JP H09214122 A JPH09214122 A JP H09214122A JP 2129996 A JP2129996 A JP 2129996A JP 2129996 A JP2129996 A JP 2129996A JP H09214122 A JPH09214122 A JP H09214122A
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- laser light
- soldering
- solder
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3494—Heating methods for reflowing of solder
Abstract
(57)【要約】
【課題】プリント基板に熱損傷を与えることなく良好に
はんだ付けできるはんだ付け方法を提供することにあ
る。 【解決手段】半導体パッケージ１２の複数のアウタリー
ド１３をプリント基板１１の電極パッド１４にはんだ付
けするはんだ付け方法において、前記半導体パッケージ
のアウタリード１３を予めはんだが供給されたプリント
基板１１の電極パッド１４に装着する第１の工程と、レ
ーザ光Ｌを集光して前記半導体パッケージ１２のアウタ
リード１３に照射し前記はんだを溶融すると同時に、前
記レーザ光Ｌを照射する位置もしくは前記レーザ光Ｌの
走査方向に対して前方に加熱ガス２６を噴射し、半導体
パッケージ１２のアウタリード１３を加熱する第２の工
程とを具備したことを特微とする。
はんだ付けできるはんだ付け方法を提供することにあ
る。 【解決手段】半導体パッケージ１２の複数のアウタリー
ド１３をプリント基板１１の電極パッド１４にはんだ付
けするはんだ付け方法において、前記半導体パッケージ
のアウタリード１３を予めはんだが供給されたプリント
基板１１の電極パッド１４に装着する第１の工程と、レ
ーザ光Ｌを集光して前記半導体パッケージ１２のアウタ
リード１３に照射し前記はんだを溶融すると同時に、前
記レーザ光Ｌを照射する位置もしくは前記レーザ光Ｌの
走査方向に対して前方に加熱ガス２６を噴射し、半導体
パッケージ１２のアウタリード１３を加熱する第２の工
程とを具備したことを特微とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、多数のアウタリ
ードを有する半導体パッケージをプリント基板に実装す
るはんだ付け方法及びその装置に関する。
ードを有する半導体パッケージをプリント基板に実装す
るはんだ付け方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、多数のアウタリードを有する半導
体パッケージをプリント基板へレーザ光を用いてアウタ
リードボンディングする方法は、例えば特開平４−４４
３９０号公報等で知られている。このアウタリードボン
ディングは、図５に示すように、半導体パッケージ１が
具備する複数本のアウタリード２をプリント基板３の表
面に設けられた電極パッド４に相対する形で、前記半導
体パッケージ１をプリント基板３上に装着する。
体パッケージをプリント基板へレーザ光を用いてアウタ
リードボンディングする方法は、例えば特開平４−４４
３９０号公報等で知られている。このアウタリードボン
ディングは、図５に示すように、半導体パッケージ１が
具備する複数本のアウタリード２をプリント基板３の表
面に設けられた電極パッド４に相対する形で、前記半導
体パッケージ１をプリント基板３上に装着する。
【０００３】ついで、加熱源であるレーザ光をレーザ発
振器５で発振し、レンズを通して集光した後、光ファイ
バー６内に入射する。光ファイバー６から出射されたレ
ーザ光を集光ユニット８によって集光し、集光したレー
ザ光７を前記半導体パッケージ１のアウタリード２部分
およびアウタリード２に相対する位置に設けられた電極
パッド４に照射する。
振器５で発振し、レンズを通して集光した後、光ファイ
バー６内に入射する。光ファイバー６から出射されたレ
ーザ光を集光ユニット８によって集光し、集光したレー
ザ光７を前記半導体パッケージ１のアウタリード２部分
およびアウタリード２に相対する位置に設けられた電極
パッド４に照射する。
【０００４】この電極パッド４上にはあらかじめ接合材
としてはんだ９が供給されており、照射するレーザ光７
のエネルギにより、前記はんだ９を加熱して溶融しアウ
タリード２と電極パッド４をはんだ付けする。
としてはんだ９が供給されており、照射するレーザ光７
のエネルギにより、前記はんだ９を加熱して溶融しアウ
タリード２と電極パッド４をはんだ付けする。
【０００５】前記電極パッド４はアウタリード２に相対
する形でプリント基板３の表面に多数隣接して設けられ
ており、前記レーザ光７を照射する位置を移動させるこ
とにより、隣接した電極パッド４に沿って連続してはん
だ付けを行なうことができる。
する形でプリント基板３の表面に多数隣接して設けられ
ており、前記レーザ光７を照射する位置を移動させるこ
とにより、隣接した電極パッド４に沿って連続してはん
だ付けを行なうことができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
レーザ光によるアウタリードボンディングは、レーザ光
７を集光してアウタリード２の表面に向かって照射し、
アウタリード２の配列方向にそって走査している。この
場合、アウタリード２、プリント基板３、電極パッド４
およびはんだ９の表面のレーザ光７が走査するが、これ
らの表面の色、光沢が異なるため、レーザ光７の反射効
率が異なる。
レーザ光によるアウタリードボンディングは、レーザ光
７を集光してアウタリード２の表面に向かって照射し、
アウタリード２の配列方向にそって走査している。この
場合、アウタリード２、プリント基板３、電極パッド４
およびはんだ９の表面のレーザ光７が走査するが、これ
らの表面の色、光沢が異なるため、レーザ光７の反射効
率が異なる。
【０００７】つまり、プリント基板３が茶、黒または黒
に近い色であるためレーザ光７の吸収率が高く、逆にア
ウタリード２が金めっき等が施されて光沢があり、レー
ザ光７を反射してしまうためレーザ光７の吸収効率が低
い場合や、半導体パッケージ１のアウタリード２のはん
だ濡れ性が悪い場合、良好なはんだ付け状態を得るのに
必要な熱量を供給するには、レーザ光７のエネルギ出力
を上げる、もしくはレーザ光７を照射する時間を長くす
る必要がある。
に近い色であるためレーザ光７の吸収率が高く、逆にア
ウタリード２が金めっき等が施されて光沢があり、レー
ザ光７を反射してしまうためレーザ光７の吸収効率が低
い場合や、半導体パッケージ１のアウタリード２のはん
だ濡れ性が悪い場合、良好なはんだ付け状態を得るのに
必要な熱量を供給するには、レーザ光７のエネルギ出力
を上げる、もしくはレーザ光７を照射する時間を長くす
る必要がある。
【０００８】しかし、前記熱量を加えたことによるプリ
ント基板３の温度がプリント基板３の耐熱温度を超過す
ると、良好なはんだ付け状態から得られる前にプリント
基板３が熱損傷する恐れがある。
ント基板３の温度がプリント基板３の耐熱温度を超過す
ると、良好なはんだ付け状態から得られる前にプリント
基板３が熱損傷する恐れがある。
【０００９】この発明は、前記事情に着目してなされた
もので、その目的とするところは、基板が熱損傷するこ
となく半導体パッケージのアウタリードを基板の電極パ
ッドに良好なはんだ付けできるはんだ付け方法およびそ
の装置を提供することにある。
もので、その目的とするところは、基板が熱損傷するこ
となく半導体パッケージのアウタリードを基板の電極パ
ッドに良好なはんだ付けできるはんだ付け方法およびそ
の装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明は、前記目的を
達成するために、請求項１は、半導体パッケージの複数
のアウタリードを基板の電極パッドにはんだ付けするは
んだ付け方法において、前記アウタリードをあらかじめ
はんだが供給された前記基板の電極パッドに位置合せし
て装着する第１の工程と、レーザ光を集光して前記半導
体パッケージのアウタリードに照射し前記はんだを溶融
すると同時に、前記レーザ光を照射する位置もしくは前
記レーザ光の走査方向に対して前方に加熱ガスを噴射
し、半導体パッケージのアウタリードを加熱する第３の
工程と、を具備したことを特徴とする。
達成するために、請求項１は、半導体パッケージの複数
のアウタリードを基板の電極パッドにはんだ付けするは
んだ付け方法において、前記アウタリードをあらかじめ
はんだが供給された前記基板の電極パッドに位置合せし
て装着する第１の工程と、レーザ光を集光して前記半導
体パッケージのアウタリードに照射し前記はんだを溶融
すると同時に、前記レーザ光を照射する位置もしくは前
記レーザ光の走査方向に対して前方に加熱ガスを噴射
し、半導体パッケージのアウタリードを加熱する第３の
工程と、を具備したことを特徴とする。
【００１１】請求項２は、半導体パッケージの複数のア
ウタリードを基板の電極パッドにはんだ付けするはんだ
付け方法において、前記アウタリードをあらかじめはん
だが供給された前記基板の電極パッドに位置合せして装
着する第１の工程と、加熱ガスを噴射し、半導体パッケ
ージの全体のアウタリードを加熱する第２の工程と、前
記第２の工程で加熱ガスが噴射された前記半導体パッケ
ージのアウタリードにレーザ光を照射して前記はんだを
溶融する第３の工程と、を具備したことを特徴とする。
ウタリードを基板の電極パッドにはんだ付けするはんだ
付け方法において、前記アウタリードをあらかじめはん
だが供給された前記基板の電極パッドに位置合せして装
着する第１の工程と、加熱ガスを噴射し、半導体パッケ
ージの全体のアウタリードを加熱する第２の工程と、前
記第２の工程で加熱ガスが噴射された前記半導体パッケ
ージのアウタリードにレーザ光を照射して前記はんだを
溶融する第３の工程と、を具備したことを特徴とする。
【００１２】請求項３は、請求項１，２の加熱ガスは、
空気もしくは不活性ガスの温度であり、１００℃〜２０
０℃に加熱されていることを特徴とする。請求項４は、
半導体パッケージの複数のアウタリードを基板の電極パ
ッドにはんだ付けするはんだ付け装置において、あらか
じめはんだが供給された前記基板の電極パッドに装着さ
れた前記半導体パッケージのアウタリードにレーザ光を
照射するレーザ光照射装置と、あらかじめはんだが供給
された前記基板の電極パッドに装着された前記半導体パ
ッケージのアウタリードに加熱ガス噴射するホットガス
噴射装置と、を具備したことを特徴とする。
空気もしくは不活性ガスの温度であり、１００℃〜２０
０℃に加熱されていることを特徴とする。請求項４は、
半導体パッケージの複数のアウタリードを基板の電極パ
ッドにはんだ付けするはんだ付け装置において、あらか
じめはんだが供給された前記基板の電極パッドに装着さ
れた前記半導体パッケージのアウタリードにレーザ光を
照射するレーザ光照射装置と、あらかじめはんだが供給
された前記基板の電極パッドに装着された前記半導体パ
ッケージのアウタリードに加熱ガス噴射するホットガス
噴射装置と、を具備したことを特徴とする。
【００１３】請求項５は、請求項４のレーザ光照射装置
と加熱ガス噴射装置とは一体的に前記アウタリードの配
列方向に相対的に走査可能であることを特徴とする。請
求項６は、請求項４の加熱ガス噴射装置は、前記半導体
パッケージから導出されたアウタリード全体に同時に加
熱ガスを噴射できるノズルを有していることを特徴とす
る。
と加熱ガス噴射装置とは一体的に前記アウタリードの配
列方向に相対的に走査可能であることを特徴とする。請
求項６は、請求項４の加熱ガス噴射装置は、前記半導体
パッケージから導出されたアウタリード全体に同時に加
熱ガスを噴射できるノズルを有していることを特徴とす
る。
【００１４】加熱ガスを噴射してアウタリードを加熱す
ることにより、アウタリードのはんだ濡れ性を改善でき
る。また、アウタリードの表面が光沢状態で加熱源であ
るレーザ光の吸収率が小さくてもホットエアもしくはホ
ット不活性ガスを介してアウタリードを加熱できる。
ることにより、アウタリードのはんだ濡れ性を改善でき
る。また、アウタリードの表面が光沢状態で加熱源であ
るレーザ光の吸収率が小さくてもホットエアもしくはホ
ット不活性ガスを介してアウタリードを加熱できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。図１〜図３は第１の実施形態を
示し、１０はＸＹ方向に移動自在なステージであり、こ
のステージ１０にはプリント基板１１が搭載されてい
る。プリント基板１１には半導体パッケージ１２のアウ
タリード１３のピッチおよび幅に対応して多数の電極パ
ッド１４が形成されており、この電極パッド１４の表面
には予めはんだ１５が供給されている。
面に基づいて説明する。図１〜図３は第１の実施形態を
示し、１０はＸＹ方向に移動自在なステージであり、こ
のステージ１０にはプリント基板１１が搭載されてい
る。プリント基板１１には半導体パッケージ１２のアウ
タリード１３のピッチおよび幅に対応して多数の電極パ
ッド１４が形成されており、この電極パッド１４の表面
には予めはんだ１５が供給されている。
【００１６】ステージ１０の上方には部品吸着ヘッド１
６が設けられており、半導体パッケージ１２の上面を真
空吸着してステージ１０上のプリント基板１１に搭載す
るようになっており、この場合、半導体パッケージ１２
から導出された多数のアウタリード１３はガルウィング
形状をなしており、アウタリード１３に相対する位置に
設けられた電極パッド１４に装着される。
６が設けられており、半導体パッケージ１２の上面を真
空吸着してステージ１０上のプリント基板１１に搭載す
るようになっており、この場合、半導体パッケージ１２
から導出された多数のアウタリード１３はガルウィング
形状をなしており、アウタリード１３に相対する位置に
設けられた電極パッド１４に装着される。
【００１７】ステージ１０の側方には加熱源であるレー
ザ光を発振するＹＡＧレーザ等のレーザ発振器１７が設
けられており、このレーザ発振器１７で発振されたレー
ザ光Ｌはレンズ（図示しない）を通して集光した後、光
ファイバー１８内に入射されるようになっている。光フ
ァイバー１８から出射されたレーザ光Ｌを再度レンズ
（図示しない）を備えた集光ユニット１９によって集光
し、集光したレーザ光Ｌを出射するレーザ光照射装置２
０を構成している。ここで、集光されたレーザ光Ｌのス
ポット径はアウタリード１３の幅によって異なるが、直
径１．３〜１．５ｍｍであり、アウタリード１３の幅方
向の全体に照射できるように集光量を調節してスポット
径を制御できる。
ザ光を発振するＹＡＧレーザ等のレーザ発振器１７が設
けられており、このレーザ発振器１７で発振されたレー
ザ光Ｌはレンズ（図示しない）を通して集光した後、光
ファイバー１８内に入射されるようになっている。光フ
ァイバー１８から出射されたレーザ光Ｌを再度レンズ
（図示しない）を備えた集光ユニット１９によって集光
し、集光したレーザ光Ｌを出射するレーザ光照射装置２
０を構成している。ここで、集光されたレーザ光Ｌのス
ポット径はアウタリード１３の幅によって異なるが、直
径１．３〜１．５ｍｍであり、アウタリード１３の幅方
向の全体に照射できるように集光量を調節してスポット
径を制御できる。
【００１８】また、２１は空気もしくは不活性ガスを例
えばギアポンプなどによって所定の圧力に加圧するガス
供給タンクであり、このガス供給タンク２１から吐出さ
れた空気もしくは不活性ガスはホース２２を介して加熱
ユニット２３に導かれている。加熱ユニット２３には電
気ヒータ等が内蔵されており、空気もしくは不活性ガス
を所定の温度（例えば100 ℃〜200 ℃）に加熱してノズ
ル２４からレーザ光Ｌが照射されるアウタリード１３に
向って噴射するようになっており、加熱ガス噴射装置２
５を構成している。ここで、加熱ユニット２３はノズル
２４から噴射する加熱ガス２６の温度がプリント基板１
１の耐熱温度もしくは半導体パッケージ１２の耐熱温度
を超過しないように制御する機構を有している。
えばギアポンプなどによって所定の圧力に加圧するガス
供給タンクであり、このガス供給タンク２１から吐出さ
れた空気もしくは不活性ガスはホース２２を介して加熱
ユニット２３に導かれている。加熱ユニット２３には電
気ヒータ等が内蔵されており、空気もしくは不活性ガス
を所定の温度（例えば100 ℃〜200 ℃）に加熱してノズ
ル２４からレーザ光Ｌが照射されるアウタリード１３に
向って噴射するようになっており、加熱ガス噴射装置２
５を構成している。ここで、加熱ユニット２３はノズル
２４から噴射する加熱ガス２６の温度がプリント基板１
１の耐熱温度もしくは半導体パッケージ１２の耐熱温度
を超過しないように制御する機構を有している。
【００１９】前記レーザ光Ｌの照射位置と加熱ガス２６
の噴射位置との位置関係は常に一定になるように集光ユ
ニット１９とノズル２４とは固定されており、レーザ光
Ｌの照射位置と加熱ガス２６の噴射位置とが同一位置
（図１参照）またはレーザ光Ｌの照射位置より数ｍｍ走
査方向前方（図２参照）のアウタリード１３に噴射して
アウタリード１３を加熱するようになっている。
の噴射位置との位置関係は常に一定になるように集光ユ
ニット１９とノズル２４とは固定されており、レーザ光
Ｌの照射位置と加熱ガス２６の噴射位置とが同一位置
（図１参照）またはレーザ光Ｌの照射位置より数ｍｍ走
査方向前方（図２参照）のアウタリード１３に噴射して
アウタリード１３を加熱するようになっている。
【００２０】次に、前述のように構成されたはんだ付け
装置を用いてはんだ付けする方法を説明する。部品吸着
ヘッド１６によって半導体パッケージ１２の上面を真空
吸着し、半導体パッケージ１２から導出されたアウタリ
ード１３をステージ１０に搭載されたプリント基板１１
上の電極パッド１４との位置が相対的に−致するように
半導体パッケージ１２を位置合わせした後、プリント基
板１１に装着する。
装置を用いてはんだ付けする方法を説明する。部品吸着
ヘッド１６によって半導体パッケージ１２の上面を真空
吸着し、半導体パッケージ１２から導出されたアウタリ
ード１３をステージ１０に搭載されたプリント基板１１
上の電極パッド１４との位置が相対的に−致するように
半導体パッケージ１２を位置合わせした後、プリント基
板１１に装着する。
【００２１】ついで、レーザ発振器１７によりレーザ光
を発振し、発振されたレーザ光をレンズを通して集光
し、光ファイバー１８に入射する。レーザ光は光ファイ
バー１８を通して半導体パッケージ１２上まで光伝送さ
れ、集光ユニット１９によって再び集光された後、半導
体パッケージ１２のアウタリード１３へ照射される。
を発振し、発振されたレーザ光をレンズを通して集光
し、光ファイバー１８に入射する。レーザ光は光ファイ
バー１８を通して半導体パッケージ１２上まで光伝送さ
れ、集光ユニット１９によって再び集光された後、半導
体パッケージ１２のアウタリード１３へ照射される。
【００２２】レーザ光Ｌが照射と同時にガス供給タンク
２１から吐出された空気もしくは不活性ガスは、ホース
２２を介して加熱ユニット２３に導かれ、加熱ユニット
２３によって所定の温度に加熱されノズル２４からレー
ザ光Ｌが照射されるアウタリード１３に向って噴射され
る。
２１から吐出された空気もしくは不活性ガスは、ホース
２２を介して加熱ユニット２３に導かれ、加熱ユニット
２３によって所定の温度に加熱されノズル２４からレー
ザ光Ｌが照射されるアウタリード１３に向って噴射され
る。
【００２３】そして、レーザ光照射と加熱ガス２６の噴
射をアウタリード１３の配列方向に相対的に走査するこ
とにより、電極パッド１４上のはんだ１５が溶融し、は
んだ１５によって電極パッド１４に半導体パッケージ１
２のアウタリード１３がはんだ付けされる。
射をアウタリード１３の配列方向に相対的に走査するこ
とにより、電極パッド１４上のはんだ１５が溶融し、は
んだ１５によって電極パッド１４に半導体パッケージ１
２のアウタリード１３がはんだ付けされる。
【００２４】したがって、アウタリード１３および電極
パッド１４に供給されたはんだ１５が加熱ガス２６が所
定の温度に加熱されているため半導体パッケージ１２の
アウタリード１３のはんだ濡れ性が悪い場合もしくはア
ウタリード１３の表面が光沢状でレーザ光Ｌの吸収率が
小さい場合であっても、プリント基板１１に熱損傷を与
えることなく良好なはんだ付けを行うことができる。
パッド１４に供給されたはんだ１５が加熱ガス２６が所
定の温度に加熱されているため半導体パッケージ１２の
アウタリード１３のはんだ濡れ性が悪い場合もしくはア
ウタリード１３の表面が光沢状でレーザ光Ｌの吸収率が
小さい場合であっても、プリント基板１１に熱損傷を与
えることなく良好なはんだ付けを行うことができる。
【００２５】図４は第２の実施例を示し、第１の実施例
と同一構成部分は同一番号を付して説明を省略する。本
実施形態は、加熱ユニット２３に半導体パッケージ１２
から導出された多数のアウタリード１３全体に加熱され
た加熱ガス２６を噴射できるノズル２７を設けたもので
あり、ノズル２７は半導体パッケージ１２の２辺もしく
は４辺から導出するアウタリード１３の配列に対応して
平行もしくは矩形状に構成されている。
と同一構成部分は同一番号を付して説明を省略する。本
実施形態は、加熱ユニット２３に半導体パッケージ１２
から導出された多数のアウタリード１３全体に加熱され
た加熱ガス２６を噴射できるノズル２７を設けたもので
あり、ノズル２７は半導体パッケージ１２の２辺もしく
は４辺から導出するアウタリード１３の配列に対応して
平行もしくは矩形状に構成されている。
【００２６】本実施形態においては、半導体パッケージ
１２全体を加熱ガス２６の噴射により加熱した状態で、
アウタリード１３にレーザ光Ｌを照射するようにしたも
ので、第１の実施形態と同様に、アウタリード１３およ
び電極パッド１４に塗布されたはんだ１５が加熱ガス２
６が所定の温度に加熱されているため半導体パッケージ
１２のアウタリード１３のはんだ濡れ性が悪い場合もし
くはアウタリード１３の表面が光沢状でレーザ光Ｌの吸
収率が小さい場合であっても、プリント基板１１に熱損
傷を与えることなく良好なはんだ付けを行うことができ
る。
１２全体を加熱ガス２６の噴射により加熱した状態で、
アウタリード１３にレーザ光Ｌを照射するようにしたも
ので、第１の実施形態と同様に、アウタリード１３およ
び電極パッド１４に塗布されたはんだ１５が加熱ガス２
６が所定の温度に加熱されているため半導体パッケージ
１２のアウタリード１３のはんだ濡れ性が悪い場合もし
くはアウタリード１３の表面が光沢状でレーザ光Ｌの吸
収率が小さい場合であっても、プリント基板１１に熱損
傷を与えることなく良好なはんだ付けを行うことができ
る。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１によれ
ば、複数のアウタリードを有する半導体パッケージをプ
リント基板へレーザ光を用いてはんだ付けする方法にお
いて、前記レーザ光の照射位置のアウタリードに加熱ガ
スを噴射して加熱することにより、アウタリードのはん
だ濡れ性が悪い場合、もしくはアウタリード表面が光沢
状で加熱源であるレーザ光の吸収率が小さい場合であっ
ても、プリント基板に熱損傷を与えることなく良好には
んだ付けできるという効果がある。
ば、複数のアウタリードを有する半導体パッケージをプ
リント基板へレーザ光を用いてはんだ付けする方法にお
いて、前記レーザ光の照射位置のアウタリードに加熱ガ
スを噴射して加熱することにより、アウタリードのはん
だ濡れ性が悪い場合、もしくはアウタリード表面が光沢
状で加熱源であるレーザ光の吸収率が小さい場合であっ
ても、プリント基板に熱損傷を与えることなく良好には
んだ付けできるという効果がある。
【００２８】請求項２，３によれば、請求項１と同様の
効果がある。請求項４によれば、レーザ光照射装置と加
熱ガス噴射装置とによって半導体パッケージのアウタリ
ードの目的とする部分を確実に加熱することができる。
請求項５，６によれば、請求項４に加え、はんだ付け装
置の構成の簡素化を図ることができ、制御も簡単である
という効果がある。
効果がある。請求項４によれば、レーザ光照射装置と加
熱ガス噴射装置とによって半導体パッケージのアウタリ
ードの目的とする部分を確実に加熱することができる。
請求項５，６によれば、請求項４に加え、はんだ付け装
置の構成の簡素化を図ることができ、制御も簡単である
という効果がある。
【図１】この発明の第１の実施形態のはんだ付け方法を
示す斜視図。
示す斜視図。
【図２】同実施形態のはんだ付け方法を示す斜視図。
【図３】同実施形態のはんだ付け装置を示す側面図。
【図４】この発明の第２の実施形態のはんだ付け装置を
示す側面図。
示す側面図。
【図５】従来のはんだ付け装置の側面図
１１…プリント基板 １２…半導体パッケージ １３…アウタリード １４…電極パッド １５…はんだ ２０…レーザ光照射装置 ２５…加熱ガス噴射装置 ２６…加熱ガス
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体パッケージの複数のアウタリード
を基板の電極パッドにはんだ付けするはんだ付け方法に
おいて、 前記半導体パッケージのアウタリードを予めはんだが供
給された前記基板の電極パッドに位置合せして装着する
第１の工程と、 レーザ光を集光して前記半導体パッケージのアウタリー
ドに照射し前記はんだを溶融すると同時に、前記レーザ
光を照射する位置もしくは前記レーザ光の走査方向に対
して前方に加熱ガスを噴射し、半導体パッケージのアウ
タリードを加熱する第２の工程と、 を具備したことを特徴とするはんだ付け方法。 - 【請求項２】 半導体パッケージの複数のアウタリード
を基板の電極パッドにはんだ付けするはんだ付け方法に
おいて、 前記半導体パッケージのアウタリードを予めはんだが供
給された前記基板の電極パッドに位置合せして装着する
第１の工程と、 加熱ガスを噴射し、半導体パッケージの全体のアウタリ
ードを加熱する第２の工程と、 前記第２の工程で加熱ガスが噴射された前記半導体パッ
ケージのアウタリードにレーザ光を照射して前記はんだ
を溶融する第３の工程と、 を具備したことを特徴とするはんだ付け方法。 - 【請求項３】 前記加熱ガスは、空気もしくは不活性ガ
スであり、かつ１００〜２００℃に加熱されていること
を特徴とする請求項１または２記載のはんだ付け方法。 - 【請求項４】 半導体パッケージの複数のアウタリード
を基板の電極パッドにはんだ付けするはんだ付け装置に
おいて、 予めはんだが供給された前記基板の電極パッドに装着さ
れた前記半導体パッケージのアウタリードにレーザ光を
照射するレーザ光照射装置と、 予めはんだが供給された前記基板の電極パッドに装着さ
れた前記半導体パッケージのアウタリードに加熱ガスを
噴射する加熱ガス噴射装置と、 を具備したことを特徴とするはんだ付け装置。 - 【請求項５】 前記レーザ光照射装置と加熱ガス噴射装
置とは一体的に前記アウタリードの配列方向に相対的に
走査可能であることを特徴とする請求項４記載のはんだ
付け装置。 - 【請求項６】 前記加熱ガス噴射装置は、前記半導体パ
ッケージから導出されたアウタリード全体に同時に加熱
ガスを噴射できるノズルを有していることを特徴とする
請求項４記載のはんだ付け装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2129996A JPH09214122A (ja) | 1996-02-07 | 1996-02-07 | はんだ付け方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2129996A JPH09214122A (ja) | 1996-02-07 | 1996-02-07 | はんだ付け方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09214122A true JPH09214122A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=12051275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2129996A Pending JPH09214122A (ja) | 1996-02-07 | 1996-02-07 | はんだ付け方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09214122A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007073661A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Fujifilm Corp | レーザはんだ付け方法及びレーザはんだ付け装置 |
-
1996
- 1996-02-07 JP JP2129996A patent/JPH09214122A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007073661A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Fujifilm Corp | レーザはんだ付け方法及びレーザはんだ付け装置 |
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