CN115106652A - 一种基于激光的集成电路高速焊接方法及其装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种基于激光的集成电路高速焊接方法及其装置，所述基于激光的集成电路高速焊接方法包括：步骤S1，将焊料片、焊膏层或导电浆料层置于线路板或衬底的焊接区域与芯片之间，发射激光束得到激光面光源，从线路板或衬底附着芯片的一面扫描线路板或衬底的焊接区域，使焊料片、焊膏层或导电浆料层达到焊接的预热温度；步骤S2，第二次发射激光束得到激光面光源，从线路板或衬底附着芯片的一面扫描线路板或衬底的焊接区域，使经过步骤S1预热后的焊料片、焊膏层或导电浆料层熔融，形成焊接层，将芯片与线路板或衬底焊接。采用本发明的技术方案，可以快速对芯片进行焊接，整个过程焊接时间很短，对芯片的影响小，提高了焊接可靠性、产品良率和生产效率。

Description

一种基于激光的集成电路高速焊接方法及其装置

技术领域

本发明属于激光焊接技术领域，尤其涉及一种基于激光的集成电路高速焊接方法及其装置。

背景技术

目前，将芯片焊接到线路板上，贴片元器件一般采用回流焊的方式，引脚元器件采用波峰焊的方式进行批量生产，但是不论是回流焊或波峰焊炉的方式，线路板在回流焊或波峰焊炉中通过时，线路板上的不同位置的温度是有差异的，那么实际上线路板上不同大小、不同位置的元器件接收到的热量是不同的，而为了保证线路板上所有的元器件都能焊接好，一般温度都比较高，这样针对尺寸小的芯片而言，高温就会其对造成损伤；特别对于将巨量的微米级芯片焊接到线路板上，采用回流焊的方式，焊接时间又比较长，就会容易造成部分芯片的损坏，产品良率低，生产效率也低。

发明内容

针对以上技术问题，本发明公开了一种基于激光的集成电路高速焊接方法及其装置，焊接时间短，而且对芯片的影响小，提高了产品良率，也提高了生产效率。这里所述的高速是相对于现有的回流焊等方式，焊接所需要的时间大大减小，焊接速度更快。

对此，本发明采用的技术方案为：

一种基于激光的集成电路高速焊接方法，其包括：

步骤S1，将焊料片、焊膏层或导电浆料层置于线路板或衬底的焊接区域与芯片之间，发射激光束得到激光面光源，从线路板或衬底附着芯片的一面扫描线路板或衬底的焊接区域，使焊料片、焊膏层或导电浆料层达到焊接的预热温度；

步骤S2，第二次发射激光束得到激光面光源，从线路板或衬底附着芯片的一面扫描线路板或衬底的焊接区域，使经过步骤S1预热后的焊料片、焊膏层或导电浆料层熔融，形成焊接层，将芯片与线路板或衬底焊接。

采用此技术方案，可以通过激光面光源实现一次扫描就可以对线路板或衬底上的巨量芯片完成焊接，整个焊接过程芯片的温度都很低，避免了芯片高温损坏的可能。另外通过现有技术得到激光面光源，然后照射线路板或衬底的焊接区域，使焊料片、焊膏层或导电浆料层达到焊接的预热温度，再次照射，使其达到熔融温度，可以降低步骤S2的激光输出功率，进一步减小对芯片的损害的概率。通过至少两次激光照射，且通过控制激光输出的功率，实现先预热，再熔融的步骤，便于焊料片、焊膏层或导电浆料层更好的实现焊接，避免过快的温升对焊料片、焊膏层或导电浆料层的微观结构的影响，减少内部应力，也减少焊料片、焊膏层或导电浆料层内部的孔洞的形成，提高焊接的质量。

作为本发明的进一步改进，所述基于激光的集成电路高速焊接方法还包括：

步骤S3，第三次发射激光束得到激光面光源，从线路板或衬底附着芯片的一面扫描线路板或衬底的焊接区域，使焊接层达到后处理温度，进行冷却。

采用此技术方案，在步骤S2后，再次发射激光束，使焊接层达到后处理温度，为了提供足够的工艺时间释放应力，避免热胀冷缩带来的焊点开裂风险。

作为本发明的进一步改进，步骤S1、步骤S2之间的间隔时间，步骤S2与步骤S3之间的间隔时间不超过1s。此技术方案采用三个过程衔接紧密，更好的发挥步骤S1和步骤S2的作用，避免激光焊接即热即冷的特性影响步骤S1和步骤S2作用的发挥。

作为本发明的进一步改进，步骤S1、步骤S2中，所述激光面光源照射到线路板或衬底的激光光斑的固定宽度不小于待扫描的线路板或衬底的焊接区域的宽度。其中，所述光面光源照射到线路板或衬底的激光光斑的固定宽度为输出的激光光斑的固定宽度，也就是与扫描方向垂直的方向的宽度。激光面光源可以按照此固定宽度沿扫描方便扫描，从而将完成整个待焊接区域的照射，当然，也可以是激光面光源的长和宽本身就与焊接区域的相同，直接控制照射时间，不需要扫描就完成。

作为本发明的进一步改进，步骤S1、步骤S2中，所述激光面光源照射到线路板或衬底的激光光斑的扫描宽度不小于线路板或衬底的焊接区域的芯片的宽度。

作为本发明的进一步改进，步骤S1、步骤S2中，所述激光面光源照射到线路板或衬底的激光光斑的形状和大小与焊接区域的形状和大小相同，或不小于焊接区域的大小。采用此技术方案，可以通过一次照射就完成该步骤，时间更短，对芯片的影响更小。

作为本发明的进一步改进，步骤S3中，所述激光面光源照射到线路板或衬底的激光光斑的固定宽度不小于待扫描的线路板或衬底的焊接区域的宽度。

作为本发明的进一步改进，步骤S3中，所述激光面光源照射到线路板或衬底的激光光斑的扫描宽度不小于线路板或衬底的焊接区域的芯片的宽度。

作为本发明的进一步改进，步骤S3中，所述激光面光源照射到线路板或衬底的激光光斑的形状和大小与焊接区域的形状和大小相同，或不小于焊接区域的大小。

作为本发明的进一步改进，所述激光光斑为矩形光斑，所述矩形光斑的长和宽不小于线路板或衬底的焊接区域的长和宽。

作为本发明的进一步改进，步骤S1中，所述预热温度为90~150℃；步骤S3中，所述后处理温度为60~150℃。

作为本发明的进一步改进，步骤S1与步骤S2之间的间隔时间不大于5s；步骤S2与步骤S3之间的间隔时间不大于5s。

作为本发明的进一步改进，在步骤S1与步骤S2之间还可以增加一次激光面光源的照射，使焊料片、焊膏层或导电浆料层达到的温度位于预热温度与熔融温度之间，便于焊料片、焊膏层或导电浆料层更完全的熔融，实现焊接，提高焊接的可靠性。

作为本发明的进一步改进，以及步骤S2与步骤S3之间还可以增加一次激光面光源的照射，使焊料片、焊膏层或导电浆料层达到的温度位于熔融温度与步骤S3的冷却温度之间，便于焊接层、芯片缓慢冷却，控制冷却速度，提高焊接的可靠性。

作为本发明的进一步改进，步骤S1中，采用透明固定构件将芯片压在设置了焊料片、焊膏层或导电浆料层的线路板或衬底上。采用此技术方案，可以确保被焊接芯片或者器件在焊接时的稳定，而且采用透明固定构件，激光可以透过，不影响焊接效果。

作为本发明的进一步改进，所述透明固定构件的材质为玻璃、石英、陶瓷或硬塑料。

作为本发明的进一步改进，所述透明固定构件通过解粘胶与芯片的上表面粘接。进一步的，所述解粘胶为UV解粘胶或热解粘胶。采用此技术方案，可以保证整个焊接过程前、中、后期的被焊接电路的稳定可靠，待焊接过程完成后，可使用对应材料的解粘方式将透明材料揭下来，清洗过后可重新背胶反复使用。这个过程相当于延长了芯片或者器件被压覆在电路上的时间，更利于提高焊接的可靠性。作为本发明的进一步改进，步骤S1采用第一激光模块，步骤S2采用第二激光模块，步骤S3采用第三激光模块；

所述第一激光模块、第二激光模块、第三激光模块依次设置，使第一激光模块、第二激光模块、第三激光模块得到的激光光斑依次相邻；将焊料片、焊膏层或导电浆料层置于线路板或衬底的焊接区域与芯片后，使附着芯片的一面朝着第一激光光源，并依次经过第一激光模块、第二激光模块和第三激光模块的照射；

或者，将焊料片、焊膏层或导电浆料层置于线路板或衬底的焊接区域与芯片后，使附着芯片的一面朝着第一激光模块，经过第一激光模块的照射后，依次使第二激光模块、第三激光模块进行照射。也就是将三个激光光斑的光路结构集成，光斑移动而被焊接电路不动，这样可以最大限度的避免焊接过程中被焊接芯片因为运动振动造成的位移，从而避免影响焊接质量。

本发明还公开了如上所述的芯片的激光焊接装置，其包括：焊接载台、第一激光模块、第二激光模块，所述第一激光模块、第二激光模块位于焊接载台的上方；

所述焊接载台用于承载待焊接物品，所述待焊接物品为将焊料片、焊膏层或导电浆料层置于线路板或衬底的焊接区域与芯片之间得到；

所述第一激光模块用于得到第一激光面光源，从线路板或衬底侧扫描线路板或衬底的焊接区域，使焊料片、焊膏层或导电浆料层达到焊接的预热温度；

所述第二激光模块用于得到第二激光面光源，从线路板或衬底侧扫描线路板或衬底的焊接区域，使经过预热后的焊料片、焊膏层或导电浆料层熔融，形成焊接层，将芯片与线路板或衬底焊接。

作为本发明的进一步改进，所述芯片的激光焊接装置包括：位于焊接载台上方的第三激光模块，所述第三激光模块用于得到第三激光面光源，从线路板或衬底侧扫描线路板或衬底的焊接区域，使焊接层达到后处理温度，进行冷却。

作为本发明的进一步改进，所述焊接载台上设有输送机构，待焊接物品放置在输送机构上，所述第一激光模块、第二激光模块、第三激光模块依次相邻设置在输送机构的上方，使第一激光模块、第二激光模块、第三激光模块得到的激光光斑依次相邻；

或者，所述第一激光模块、第二激光模块、第三激光模块分别与移动驱动机构连接，所述移动驱动机构驱动第一激光模块、第二激光模块、第三激光模块依次移动到待焊接物品的上方进行照射。

本发明还公开了如上所述的基于激光的集成电路高速焊接装置，其包括：焊接载台、激光模块和控制器，所述激光模块位于焊接载台的上方，并与控制器连接；

所述焊接载台用于承载待焊接物品，所述待焊接物品为将焊料片、焊膏层或导电浆料层置于线路板或衬底的焊接区域与芯片之间得到；

所述控制器控制激光模块得到第一激光面光源，从线路板或衬底侧扫描线路板或衬底的焊接区域，使焊料片、焊膏层或导电浆料层达到焊接的预热温度；

所述控制器控制激光模块得到第二激光面光源，从线路板或衬底侧扫描线路板或衬底的焊接区域，使经过预热后的焊料片、焊膏层或导电浆料层熔融，形成焊接层，将芯片与线路板或衬底焊接。

作为本发明的进一步改进，所述控制器控制激光模块得到第三激光面光源，从线路板或衬底侧扫描线路板或衬底的焊接区域，使焊接层达到后处理温度，进行冷却。

与现有技术相比，本发明的有益效果为：

采用本发明的技术方案，将焊料片、焊膏层或导电浆料层置于线路板或衬底的焊接区域与芯片之间，采用不同能量的激光光斑依次照射到线路板的焊接区域，依次进行对芯片的预热、焊接和冷却，可以快速对芯片进行焊接，整个过程焊接时间很短，芯片的温升小，对芯片的影响小，被照射的线路板的各点的能量均匀，提高了整个线路板的焊接可靠性；另外通过设置预热、冷却等环节，进一步减小了快速的温度升高对芯片、焊料、线路板等的影响；而且焊接过程都属于低温焊接，避免了芯片高温损坏的可能，提高了产品良率，也提高了生产效率。

该基于激光的集成电路高速焊接方法可以用于所有微小型的大量集中布局在集成电路板上的芯片、传感器、MEMS的焊接中，尤其适用于替代倒装Flip-chip方式的芯片或者器件的传统回流焊或者波峰焊。

附图说明

图1是本发明实施例的一种基于激光的集成电路高速焊接方法的流程示意图。

具体实施方式

下面对本发明的较优的实施例作进一步的详细说明。

实施例1

一种基于激光的集成电路高速焊接方法，其包括：

步骤S1，将焊料片、焊膏层或导电浆料层置于基板的焊接区域与芯片之间，发射激光束得到激光面光源，从基板附着芯片的一面扫描焊接区域，使焊料片、焊膏层或导电浆料层达到焊接的预热温度；

步骤S2，第二次发射激光束得到激光面光源，从基板附着芯片的一面扫描基板的焊接区域，使经过步骤S1预热后的焊料片、焊膏层或导电浆料层熔融，形成焊接层，将芯片与基板焊接。

步骤S3，第三次发射激光束得到激光面光源，从基板附着芯片的一面扫描基板的焊接区域，使焊接层达到后处理温度，进行冷却。

步骤S1、步骤S2之间的间隔时间，步骤S2与步骤S3之间的间隔时间不超过1s。进一步的，不超过0.5s。

步骤S1、步骤S2、步骤S3中，所述激光面光源照射到基板的激光光斑的固定宽度不小于待扫描的基板的焊接区域的宽度。其中，所述光面光源照射到基板的激光光斑的固定宽度为输出的激光光斑的固定宽度，也就是与扫描方向垂直的方向的宽度。激光面光源可以按照此固定宽度沿扫描方便扫描，从而将完成整个待焊接区域的照射，当然，也可以是激光面光源的长和宽本身就与焊接区域的相同，直接控制照射时间，不需要扫描就完成。

优选的，步骤S1、步骤S2、步骤S3中，所述激光面光源照射到基板的激光光斑的形状和大小与焊接区域的形状和大小相同，或不小于焊接区域的大小。进一步优选的，所述待焊接区域与激光光斑均为矩形，也就是所述激光面光源照射得到矩形光斑，这样方便控制。

步骤S1中，所述预热温度为90~150℃；步骤S3中，所述后处理温度为60~150℃，步骤S2中，使经过步骤S1预热后的焊料片、焊膏层或导电浆料层熔融的温度，为根据采用的焊料片、焊膏层或导电浆料层确定，目的为熔融实现焊接。

步骤S1与步骤S2之间的间隔时间不大于5s；步骤S2与步骤S3之间的间隔时间不大于5s。其中，步骤S1、步骤S2和步骤S3的照射时间为1-2s以内，或者时间更短。

步骤S1中，采用透明固定构件将芯片压在设置了焊料片、焊膏层或导电浆料层的基板上，确保被焊接芯片或者器件在焊接时的稳定；所述透明固定构件的材质为玻璃、石英、陶瓷或硬塑料。所述透明固定构件通过解粘胶与芯片的上表面粘接，如UV解粘胶或者热解粘胶，以保证整个焊接过程前、中、后期的被焊接电路的稳定可靠，待焊接过程完成后，可使用对应材料的解粘方式将透明材料揭下来，清洗过后可重新背胶反复使用。这个过程相当于延长了芯片或者器件被压覆在电路上的时间，更利于提高焊接的可靠性。

上述方法的实现方式可以采用如下三种：

（1）步骤S1采用第一激光模块，步骤S2采用第二激光模块，步骤S3采用第三激光模块；所述第一激光模块、第二激光模块、第三激光模块依次设置，使第一激光模块、第二激光模块、第三激光模块得到的激光光斑依次相邻，类似光斑相互拼接，如图1所示。将焊料片、焊膏层或导电浆料层置于基板的焊接区域与芯片后，使附着芯片的一面朝着第一激光光源，经过第一激光光源照射后，通过输送机构输送到第二激光模块的下方进行照射，然后输送到第三激光模块的下方进行照射。

（2）将焊料片、焊膏层或导电浆料层置于基板的焊接区域与芯片后，使附着芯片的一面朝着第一激光模块，经过第一激光模块的照射后，依次采用第二激光模块、第三激光模块进行照射。此种方法，可以采用移动驱动机构驱动第一激光模块、第二激光模块、第三激光模块，使第一激光模块、第二激光模块、第三激光模块依次位于基板侧的上方进行照射。

（3）采用一个激光模块，通过控制器，预先获得该激光模块照射基板的焊接区域达到预热温度、熔融温度和冷却温度的设定参数，然后通过控制器根据达到预热温度的参数控制该激光模块，使其照射基板的焊接区域后达到预热温度；然后通过控制器根据达到熔融温度的参数控制该激光模块，使其照射基板的焊接区域后达到焊料片、焊膏层或导电浆料层的熔融温度；最后，通过控制器根据达到后处理温度的参数控制该激光模块，使其照射基板的焊接区域后达到后处理温度，从而完成焊接。

对于被焊接电路结构上的器件或者芯片尺寸很小的（如微米级），优选采用第二种实现方式，即基板（基板）位置固定，保证被焊接器件的稳定，使第一激光模块、第二激光模块、第三激光模块运动，从X、Y、Z（适应复杂电路结构的调焦）方向调整焊接头或者焊接头模组的位置。

实施例2

如图1所示，一种基于激光的集成电路高速焊接装置，其包括：焊接载台、第一激光模块、第二激光模块、第三激光模块，所述第一激光模块、第二激光模块、第三激光模块位于焊接载台的上方；

所述焊接载台用于承载待焊接物品，所述待焊接物品为将焊料片、焊膏层或导电浆料层置于基板的焊接区域与芯片之间得到；

所述第一激光模块用于得到第一激光面光源，从基板侧扫描基板的焊接区域，使焊料片、焊膏层或导电浆料层达到焊接的预热温度；

所述第二激光模块用于得到第二激光面光源，从基板侧扫描基板的焊接区域，使经过预热后的焊料片、焊膏层或导电浆料层熔融，形成焊接层，将芯片与基板焊接；

所述第三激光模块用于得到第三激光面光源，从基板侧扫描基板的焊接区域，使焊接层达到后处理温度，进行冷却。

所述第一激光模块、第二激光模块、第三激光模块分别与移动驱动机构连接，所述移动驱动机构驱动第一激光模块、第二激光模块、第三激光模块依次移动到待焊接物品的上方进行照射。

实施例3

一种芯片的激光焊接装置，其包括：焊接载台、激光模块和控制器，所述激光模块位于焊接载台的上方，并与控制器连接；

所述焊接载台用于承载待焊接物品，所述待焊接物品为将焊料片、焊膏层或导电浆料层置于基板的焊接区域与芯片之间得到基板；

所述控制器控制激光模块得到第一激光面光源，从基板侧扫描基板的焊接区域，使焊料片、焊膏层或导电浆料层达到焊接的预热温度；

所述控制器控制激光模块得到第二激光面光源，从基板侧扫描基板的焊接区域，使经过预热后的焊料片、焊膏层或导电浆料层熔融，形成焊接层，将芯片与基板焊接；

所述控制器控制激光模块得到第三激光面光源，从基板侧扫描基板的焊接区域，使焊接层达到后处理温度，进行冷却。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种基于激光的集成电路高速焊接方法，其特征在于，其包括：

步骤S1，将焊料片、焊膏层或导电浆料层置于线路板或衬底的焊接区域与芯片之间，发射激光束得到激光面光源，从线路板或衬底附着芯片的一面扫描线路板或衬底的焊接区域，使焊料片、焊膏层或导电浆料层达到焊接的预热温度；

步骤S2，第二次发射激光束得到激光面光源，从线路板或衬底附着芯片的一面扫描线路板或衬底的焊接区域，使经过步骤S1预热后的焊料片、焊膏层或导电浆料层熔融，形成焊接层，将芯片与线路板或衬底焊接。

2.根据权利要求1所述的基于激光的集成电路高速焊接方法，其特征在于，还包括：

步骤S3，第三次发射激光束得到激光面光源，从线路板或衬底附着芯片的一面扫描线路板或衬底的焊接区域，使焊接层达到后处理温度，进行冷却；

步骤S1、步骤S2之间的间隔时间，步骤S2与步骤S3之间的间隔时间不超过1s。

3.根据权利要求2所述的基于激光的集成电路高速焊接方法，其特征在于，步骤S1、步骤S2和步骤S3中，所述激光面光源照射到线路板或衬底的激光光斑的固定宽度不小于待扫描的线路板或衬底的焊接区域的宽度；所述激光面光源照射到线路板或衬底的激光光斑的扫描宽度不小于线路板或衬底的焊接区域的芯片的宽度。

4.根据权利要求3所述的基于激光的集成电路高速焊接方法，其特征在于：步骤S1、步骤S2和步骤S3中，所述激光面光源照射到线路板或衬底的激光光斑的形状和大小与焊接区域的形状和大小相同，或不小于焊接区域的大小；基于激光的集成电路高速焊接方法步骤S1中，所述预热温度为90~150℃；步骤S3中，所述后处理温度为60~150℃；

步骤S1与步骤S2之间的间隔时间不大于5s；步骤S2与步骤S3之间的间隔时间不大于5s。

5.根据权利要求2~4任意一项所述的基于激光的集成电路高速焊接方法，其特征在于：步骤S1中，采用透明固定构件将芯片压在设置了焊料片、焊膏层或导电浆料层的线路板或衬底上；所述透明固定构件的材质为玻璃、石英、陶瓷或硬塑料；

所述透明固定构件通过解粘胶与芯片的上表面粘接。

6.根据权利要求2所述的基于激光的集成电路高速焊接方法，其特征在于：步骤S1采用第一激光模块，步骤S2采用第二激光模块，步骤S3采用第三激光模块；

所述第一激光模块、第二激光模块、第三激光模块依次设置，使第一激光模块、第二激光模块、第三激光模块得到的激光光斑依次相邻；将焊料片、焊膏层或导电浆料层置于线路板或衬底的焊接区域与芯片后，使附着芯片的一面朝着第一激光光源，并依次经过第一激光模块、第二激光模块和第三激光模块的照射；

或者，将焊料片、焊膏层或导电浆料层置于线路板或衬底的焊接区域与芯片后，使附着芯片的一面朝着第一激光模块，经过第一激光模块的照射后，依次使第二激光模块、第三激光模块进行照射。

7.如权利要求1所述的基于激光的集成电路高速焊接装置，其特征在于，其包括：焊接载台、第一激光模块、第二激光模块，所述第一激光模块、第二激光模块位于焊接载台的上方；

所述焊接载台用于承载待焊接物品，所述待焊接物品为将焊料片、焊膏层或导电浆料层置于线路板或衬底的焊接区域与芯片之间得到；

所述第一激光模块用于得到第一激光面光源，从线路板或衬底侧扫描线路板或衬底的焊接区域，使焊料片、焊膏层或导电浆料层达到焊接的预热温度；

所述第二激光模块用于得到第二激光面光源，从线路板或衬底侧扫描线路板或衬底的焊接区域，使经过预热后的焊料片、焊膏层或导电浆料层熔融，形成焊接层，将芯片与线路板或衬底焊接。

8.根据权利要求8所述的基于激光的集成电路高速焊接装置，其特征在于，其包括：位于焊接载台上方的第三激光模块，所述第三激光模块用于得到第三激光面光源，从线路板或衬底侧扫描线路板或衬底的焊接区域，使焊接层达到后处理温度，进行冷却；

所述焊接载台上设有输送机构，待焊接物品放置在输送机构上，所述第一激光模块、第二激光模块、第三激光模块依次相邻设置在输送机构的上方，使第一激光模块、第二激光模块、第三激光模块得到的激光光斑依次相邻；

或者，所述第一激光模块、第二激光模块、第三激光模块分别与移动驱动机构连接，所述移动驱动机构驱动第一激光模块、第二激光模块、第三激光模块依次移动到待焊接物品的上方进行照射。

9.如权利要求1所述的基于激光的集成电路高速焊接装置，其特征在于，其包括：焊接载台、激光模块和控制器，所述激光模块位于焊接载台的上方，并与控制器连接；

所述焊接载台用于承载待焊接物品，所述待焊接物品为将焊料片、焊膏层或导电浆料层置于线路板或衬底的焊接区域与芯片之间得到；

所述控制器控制激光模块得到第一激光面光源，从线路板或衬底侧扫描线路板或衬底的焊接区域，使焊料片、焊膏层或导电浆料层达到焊接的预热温度；

所述控制器控制激光模块得到第二激光面光源，从线路板或衬底侧扫描线路板或衬底的焊接区域，使经过预热后的焊料片、焊膏层或导电浆料层熔融，形成焊接层，将芯片与线路板或衬底焊接。

10.根据权利要求9所述的基于激光的集成电路高速焊接装置，其特征在于，其包括：所述控制器控制激光模块得到第三激光面光源，从线路板或衬底侧扫描线路板或衬底的焊接区域，使焊接层达到后处理温度，进行冷却。

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