JP2024045793A - 半導体製造装置、剥離ユニットおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】レーザ照射装置への再帰を低減することが可能な技術を提供することにある。
【解決手段】半導体製造装置は、レーザ光により剥離する粘着シートで形成され、ダイが貼付されたダイシングテープを保持するウエハ保持台と、前記ダイシングテープの下方に設けられる剥離ユニットと、を備える。前記剥離ユニットは、上部に開口を有する空洞と前記開口の下方に設けられるレーザ照射装置とを有するレーザ照射部を備える。前記レーザ照射装置は、当該レーザ照射装置から照射されるレーザ光の照射方向が前記ダイシングテープの表面の法線方向に対して傾き、前記レーザ光が前記開口を通して前記ダイシングテープに照射されるように設けられる。
【選択図】図6
【解決手段】半導体製造装置は、レーザ光により剥離する粘着シートで形成され、ダイが貼付されたダイシングテープを保持するウエハ保持台と、前記ダイシングテープの下方に設けられる剥離ユニットと、を備える。前記剥離ユニットは、上部に開口を有する空洞と前記開口の下方に設けられるレーザ照射装置とを有するレーザ照射部を備える。前記レーザ照射装置は、当該レーザ照射装置から照射されるレーザ光の照射方向が前記ダイシングテープの表面の法線方向に対して傾き、前記レーザ光が前記開口を通して前記ダイシングテープに照射されるように設けられる。
【選択図】図6
Description
本開示は半導体製造装置に関し、例えばレーザ光の照射により粘着力がなくなるダイシングテープが用いられるダイボンダに適用可能である。
ダイボンダ等の半導体製造装置は、接合材料を用いて、例えば、素子を基板または素子の上にボンド(載置して接着)する装置である。接合材料は、例えば、液状またはフィルム状の樹脂やはんだ等である。素子は、例えば、半導体チップ、MEMS(Micro Electro Mechanical System)およびガラスチップ等のダイや電子部品である。基板は、例えば、配線基板や金属薄板で形成されるリードフレーム、ガラス基板等である。
例えば、ダイボンダによるダイボンディング工程の中には、半導体ウエハ(以下、単に、ウエハという。)から分割されたダイをダイシングテープから剥離する剥離工程がある。ダイシングテープは粘着層を有し、ウエハが貼付されている。剥離工程では、ダイシングテープ裏面から突上げブロック等によってダイを突き上げて、ダイ供給部に保持されたダイシングテープから、1個ずつ剥離し、コレット等の吸着ノズルを使って基板上に搬送する。
剥離工程では、ダイをダイシングテープから剥離してピックアップする際に、ダイに割れや欠けが生じることがある。
本開示の課題は、ダイの割れや欠けを低減することが可能な技術を提供することにある。その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
本開示のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
すなわち、半導体製造装置は、レーザ光により剥離する粘着シートで形成され、ダイが貼付されたダイシングテープを保持するウエハ保持台と、前記ダイシングテープの下方に設けられる剥離ユニットと、を備える。前記剥離ユニットは、上部に開口を有する空洞と前記開口の下方に設けられるレーザ照射装置とを有するレーザ照射部を備える。前記レーザ照射装置は、当該レーザ照射装置から照射されるレーザ光の照射方向が前記ダイシングテープの表面の法線方向に対して傾き、前記レーザ光が前記開口を通して前記ダイシングテープに照射されるように設けられる。
すなわち、半導体製造装置は、レーザ光により剥離する粘着シートで形成され、ダイが貼付されたダイシングテープを保持するウエハ保持台と、前記ダイシングテープの下方に設けられる剥離ユニットと、を備える。前記剥離ユニットは、上部に開口を有する空洞と前記開口の下方に設けられるレーザ照射装置とを有するレーザ照射部を備える。前記レーザ照射装置は、当該レーザ照射装置から照射されるレーザ光の照射方向が前記ダイシングテープの表面の法線方向に対して傾き、前記レーザ光が前記開口を通して前記ダイシングテープに照射されるように設けられる。
本開示によれば、ダイの割れや欠けを低減することが可能である。
以下、実施形態および変形例について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明を省略することがある。なお、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合がある。また、複数の図面の相互間においても、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は必ずしも一致していない。
半導体製造装置の一実施形態であるダイボンダの構成について図1から図3を用いて説明する。図1は実施形態におけるダイボンダの構成例を示す概略上面図である。図2は図1において矢印A方向から見たときの概略構成を説明する図である。図3は図1に示すウエハ供給部の主要部を示す概略断面図である。
ダイボンダ1は、大別して、ウエハ供給部10と、ピックアップ部20、中間ステージ部30と、ボンディング部40と、搬送部50、基板供給部60と、基板搬出部70と、制御部(制御装置)80と、を有する。Y方向がダイボンダ1の前後方向であり、X方向が左右方向であり、Z方向が上下方向である。ウエハ供給部10がダイボンダ1の前側に配置され、ボンディング部40が後側に配置される。
ウエハ供給部10は、ウエハカセットリフタ11と、ウエハ保持台12と、剥離ユニット13と、ウエハ認識カメラ14と、を有する。
ウエハカセットリフタ11は複数のウエハリングWRが格納されるウエハカセット(不図示)をウエハ搬送高さまで上下動させる。ウエハ修正シュート(不図示)はウエハカセットリフタ11から供給されるウエハリングWRのアライメントを行う。ウエハエキストラクタ(不図示)はウエハリングWRをウエハカセットから取出してウエハ保持台12に供給したり、ウエハ保持台12から取り出してウエハカセットに収納したりする。
ウエハ保持台12は、ウエハリングWRを保持するエキスパンドリング121と、ウエハリングWRに保持されダイシングテープDTを水平に位置決めする支持リング122と、を有する。剥離ユニット13は支持リング122の内側に配置される。なお、ダイDのピックアップ性を向上させるため、ダイDの剥離時に、ウエハリングWRを保持しているエキスパンドリング121は下げられ、ウエハリングWRに保持されているダイシングテープDTが引き伸ばされダイDの間隔が広げられる。
ダイシングテープDT上にウエハWが接着(貼付)されており、そのウエハWは複数のダイDに分割されている。ウエハWとダイシングテープDTとの間にダイアタッチフィルム(DAF)と呼ばれるフィルム状の接着材料DFを貼り付けている。接着材料DFは加熱することで硬化する。
ダイシングテープDTとして、例えば、常温では粘着力があり、加熱すると粘着層が膨張して粘着力が弱まり剥がれる加熱剥離テープを使用する。なお、加熱剥離テープは、接着材料DFの硬化温度(通常150℃)よりも低い温度で剥離するものが好ましい。また、接着材料DFの硬化は、指定温度を長い時間(1時間程度)掛けるものであり、加熱剥離テープの加熱時間が短い場合、加熱剥離シートの剥離温度は接着材料DFの硬化温度と同程度であってもよい。
ウエハ保持台12は図示しない駆動部によってXY方向に移動し、ピックアップするダイDを剥離ユニット13の位置に移動させる。また、ウエハ保持台12は図示しない駆動部によってXY平面内においてウエハリングWRを回転させる。剥離ユニット13は図示しない駆動部によって上下方向に移動する。剥離ユニット13はダイシングテープDTからダイDを剥離する。
ウエハ認識カメラ14はウエハWからピックアップするダイDのピックアップ位置を把握したり、ダイDの表面検査をしたりする。
ピックアップ部20は、ピックアップヘッド21と、Y駆動部23と、を有する。ピックアップヘッド21には、剥離されたダイDを先端に吸着保持するコレット22が設けられる。ピックアップヘッド21はウエハ供給部10からダイDをピックアップし、中間ステージ31に載置する。Y駆動部23はピックアップヘッド21をY軸方向に移動させる。ピックアップ部20は、ピックアップヘッド21を昇降、回転及びX方向移動させる各駆動部(不図示)を有する。
中間ステージ部30は、ダイDが載置される中間ステージ31と、中間ステージ31上のダイDを認識するためのステージ認識カメラ34と、を有する。中間ステージ31は載置されたダイDを吸着する吸引孔を備える。載置されたダイDは中間ステージ31に一時的に保持される。中間ステージ31はダイDが載置される載置ステージであると共に、ダイDがピックアップされるピックアップステージでもある。
ボンディング部40は、ボンドヘッド41と、Y駆動部43と、基板認識カメラ44と、ボンドステージ46と、を有する。ボンドヘッド41にはダイDを先端に吸着保持するコレット42が設けられる。Y駆動部43はボンドヘッド41をY軸方向に移動させる。基板認識カメラ44は基板Sを撮像し、ボンド位置を認識する。ここで、基板Sには、最終的に一つのパッケージとなる、複数の製品エリア(以下、パッケージエリアPという。)が形成されている。また、基板Sには、パッケージエリアPの位置認識マーク(不図示)が形成されている。ボンドステージ46は、基板SにダイDが載置される際、上昇させられ、基板Sを下方から支える。ボンドステージ46は基板Sを真空吸着するための吸引口(不図示)を有し、基板Sを固定することが可能である。ボンドステージ46は基板Sを加熱する加熱部(不図示)を有する。ボンディング部40は、ボンドヘッド41を昇降、回転及びX方向移動させる各駆動部(不図示)を有する。
このような構成によって、ボンドヘッド41は、ステージ認識カメラ34の撮像データに基づいてピックアップ位置や姿勢を補正し、中間ステージ31からダイDをピックアップする。そして、ボンドヘッド41は、基板認識カメラ44の撮像データに基づいて基板SのパッケージエリアP上にボンドし、または既に基板SのパッケージエリアPの上にボンドされたダイの上に積層する形でボンドする。
搬送部50は、基板Sを掴み搬送する搬送爪51と、基板Sが移動する搬送レーン52と、を有する。基板Sは、搬送レーン52に設けられた搬送爪51の図示しないナットを搬送レーン52に沿って設けられた図示しないボールネジで駆動することによってX方向に移動する。このような構成によって、基板Sは、基板供給部60から搬送レーン52に沿ってボンド位置まで移動し、ボンド後、基板搬出部70まで移動して、基板搬出部70に基板Sを渡す。
基板供給部60は、搬送治具に格納されて搬入された基板Sを搬送治具から取り出して搬送部50に供給する。基板搬出部70は、搬送部50により搬送された基板Sを搬送治具に格納する。
制御部80は、ダイボンダ1の各部の動作を監視し制御するプログラム(ソフトウエア)およびデータを格納する記憶装置と、記憶装置に格納されたプログラムを実行する中央処理装置(CPU)と、入出力装置(不図示)と、を備える。入出力装置は、画像取込装置(不図示)およびモータ制御装置(不図示)等を有する。画像取込装置は、ウエハ認識カメラ14、ステージ認識カメラ34および基板認識カメラ44からの画像データを取り込む。モータ制御装置は、ウエハ供給部10の駆動部、ピックアップ部20の駆動部、ボンディング部40の駆動部等を制御する。
ダイボンダ1を用いた半導体装置の製造工程の一部(半導体装置の製造方法)について図4を用いて説明する。図4は図1に示すダイボンダを用いた半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。以下の説明において、ダイボンダ1を構成する各部の動作は制御部80により制御される。
(ウエハ搬入工程:工程S1)
ウエハリングWRがウエハカセットリフタ11のウエハカセットに供給される。供給されたウエハリングWRがウエハ保持台12に供給される。なお、ウエハWは、予めプローバ等の検査装置により、ダイ毎に検査され、ダイ毎に良、不良を示すウエハマップデータが生成されており、制御部80の記憶装置に記憶される。
ウエハリングWRがウエハカセットリフタ11のウエハカセットに供給される。供給されたウエハリングWRがウエハ保持台12に供給される。なお、ウエハWは、予めプローバ等の検査装置により、ダイ毎に検査され、ダイ毎に良、不良を示すウエハマップデータが生成されており、制御部80の記憶装置に記憶される。
(基板搬入工程:工程S2)
基板Sが格納された搬送治具が基板供給部60に供給される。基板供給部60で搬送治具から基板Sが取り出され、基板Sが搬送爪51に固定される。
基板Sが格納された搬送治具が基板供給部60に供給される。基板供給部60で搬送治具から基板Sが取り出され、基板Sが搬送爪51に固定される。
(ピックアップ工程:工程S3)
工程S1後、所望するダイDをダイシングテープDTからピックアップできるようにウエハ保持台12が動かされる。ウエハ認識カメラ14によりダイDが撮影され、撮影により取得された画像データに基づいてダイDの位置決めおよび表面検査が行われる。画像データを画像処理することによって、ダイボンダのダイ位置基準点からのウエハ保持台12上のダイDのずれ量(X、Y、θ方向)が算出されて位置決めが行われる。なお、ダイ位置基準点は、予め、ウエハ保持台12の所定の位置を装置の初期設定として保持されている。画像データを画像処理することによって、ダイDの表面検査が行われる。
工程S1後、所望するダイDをダイシングテープDTからピックアップできるようにウエハ保持台12が動かされる。ウエハ認識カメラ14によりダイDが撮影され、撮影により取得された画像データに基づいてダイDの位置決めおよび表面検査が行われる。画像データを画像処理することによって、ダイボンダのダイ位置基準点からのウエハ保持台12上のダイDのずれ量(X、Y、θ方向)が算出されて位置決めが行われる。なお、ダイ位置基準点は、予め、ウエハ保持台12の所定の位置を装置の初期設定として保持されている。画像データを画像処理することによって、ダイDの表面検査が行われる。
位置決めされたダイDは剥離ユニット13およびピックアップヘッド21によりダイシングテープDTから剥離される。ダイシングテープDTから剥離されたダイDは、ピックアップヘッド21に設けられたコレット22に吸着、保持されて、中間ステージ31に搬送されて載置される。
ステージ認識カメラ34により中間ステージ31の上のダイDが撮影され、撮影により取得された画像データに基づいてダイDの位置決めおよび表面検査が行われる。画像データを画像処理することによって、ダイボンダのダイ位置基準点からの中間ステージ31上のダイDのずれ量(X、Y、θ方向)が算出されて位置決めが行われる。なお、ダイ位置基準点は、予め、中間ステージ31の所定の位置を装置の初期設定として保持されている。画像データを画像処理することによって、ダイDの表面検査が行われる。
ダイDを中間ステージ31に搬送したピックアップヘッド21はウエハ供給部10に戻される。上述した手順に従って、次のダイDがダイシングテープDTから剥離され、以後同様の手順に従ってダイシングテープDTから1個ずつダイDが剥離される。
(ボンド工程:工程S4)
搬送部50により基板Sがボンドステージ46に搬送される。ボンドステージ46上に載置された基板Sが基板認識カメラ44により撮像され、撮影によって画像データが取得される。画像データが画像処理されることによって、ダイボンダ1の基板位置基準点からの基板Sのずれ量(X、Y、θ方向)が算出される。なお、基板位置基準点は、予め、ボンディング部40の所定の位置を装置の初期設定として保持されている。
搬送部50により基板Sがボンドステージ46に搬送される。ボンドステージ46上に載置された基板Sが基板認識カメラ44により撮像され、撮影によって画像データが取得される。画像データが画像処理されることによって、ダイボンダ1の基板位置基準点からの基板Sのずれ量(X、Y、θ方向)が算出される。なお、基板位置基準点は、予め、ボンディング部40の所定の位置を装置の初期設定として保持されている。
工程S3において算出された中間ステージ31上のダイDのずれ量からボンドヘッド41の吸着位置が補正されてダイDがコレット42により吸着される。中間ステージ31からダイDを吸着したボンドヘッド41によりボンドステージ46に支持された基板Sの所定箇所にダイDがボンドされる。基板認識カメラ44により基板SにボンドされたダイDが撮影され、撮影により取得された画像データに基づいてダイDが所望の位置にボンドされたかどうか等の検査が行われる。
ダイDを基板Sにボンドしたボンドヘッド41は中間ステージ31に戻される。上述した手順に従って、次のダイDが中間ステージ31からピックアップされ、基板Sにボンドされる。これが繰り返されて基板SのすべてのパッケージエリアPにダイDがボンドされる。
(基板搬出工程:工程S5)
ダイDがボンドされた基板Sが基板搬出部70に搬送される。基板搬出部70で搬送爪51から基板Sが取り出されて搬送治具に格納される。ダイボンダ1から基板Sが格納されている搬送治具が搬出される。
ダイDがボンドされた基板Sが基板搬出部70に搬送される。基板搬出部70で搬送爪51から基板Sが取り出されて搬送治具に格納される。ダイボンダ1から基板Sが格納されている搬送治具が搬出される。
上述したように、ダイDは、基板S上に実装され、ダイボンダ1から搬出される。その後、例えば、ダイDが実装された基板Sが格納された搬送治具がワイヤボンディング工程に搬送され、ダイDの電極はAuワイヤ等を介して基板Sの電極と電気的に接続される。そして、基板Sがモールド工程に搬送され、ダイDとAuワイヤとをモールド樹脂(図示せず)で封止することによって、半導体パッケージが完成する。
積層ボンドする場合は、ワイヤボンディング工程に続いて、ダイDが実装された基板Sが載置格納された搬送治具がダイボンダに搬入されて基板S上に実装されたダイDの上にダイDが積層され、ダイボンダから搬出された後、ワイヤボンディング工程でAuワイヤを介して基板Sの電極と電気的に接続される。第二段目より上のダイDは、上述した方法でダイシングテープDTから剥離された後、ボンディング部に搬送されてダイDの上に積層される。上記工程が所定回数繰り返された後、基板Sがモールド工程に搬送され、複数個のダイDとAuワイヤとをモールド樹脂(図示せず)で封止することによって、積層パッケージが完成する。
次に、剥離ユニットの構成について図5および図6を用いて説明する。図5は図2に示す剥離ユニットの上面図である。図6は図5に示す剥離ユニットのA-A線に沿った断面図である。
剥離ユニット13は、ダイシングテープDTにレーザ光を照射するレーザ照射部131と、ダイシングテープDTを吸引する吸引部132と、それらを保持する円筒状のドーム133と、ドーム133に蓋をするドームプレート134と、を有する。
ドームプレート134はレーザ照射部131が配置される開口を有し、その周辺部には、複数の吸引口134aおよび複数の吸引口134aを連結する複数の溝134bが設けられている。吸引口134aは下方に設けられる吸引部132の空洞132aと連通している。空洞132aはレーザ照射部131の周りに環状に構成されている。空洞132aはパイプ132bと連通し、真空ポンプに接続されている。吸引口134aおよび溝134bのそれぞれの内部は、剥離ユニット13を上昇させてその上面をダイシングテープDTの裏面に接触させた際、上記真空ポンプによって減圧され、ピックアップ対象ダイ以外の部位のダイシングテープDTの裏面がドームプレート134の上面に密着するように構成されている。吸引口134a、吸引部132(空洞132a、パイプ132b)は真空経路を構成している。
レーザ照射部131からの熱によるドームプレート134の温度上昇に伴う周辺ダイの加熱を防止するため、レーザ照射部131とドームプレート134との間に間隙Gを設け、空気断熱している。間隙Gの幅は、例えば、0.5mm程度である。なお、ドームプレート134の温度上昇を低減するため、空洞132aの下方に壁を隔てて冷却部を設けてもよい。冷却部は、例えば、レーザ照射部131の周りに環状に設けられた空洞と、空洞と連通しているパイプと、により構成される。そして、パイプから空洞に冷却気体が供給され、供給された冷却気体は、空洞を形成する壁に設けられた排気孔から冷却部の外に排出されるようになっている。
レーザ照射部131は、空洞131a、レーザ照射装置131cおよび開口を有する照射範囲制限部品131dを備える。空洞131aの上部には開口131bが設けられる。レーザ照射装置131cは開口131bおよび照射範囲制限部品131dの開口を通してレーザ光をダイシングテープDTに照射して直接加熱する。ここで、レーザ照射装置131cは、その光軸がダイシングテープDTの表面の法線方向とは一致しない方向に斜めになるよう設置される。レーザ照射装置131cは、開口131bにおいては、開口131bの全体に広がる照射範囲を有する。すなわち、レーザ照射装置131cの照射範囲は固定されており、ダイDの大きさよりも大きい。レーザ照射装置131cには、例えば、波長940nm程度の加熱用赤外線レーザが用いられる。
照射範囲制限部品131dは、例えば、開口を有する矩形状のプレートで構成される。プレートはレーザ光を遮るマスクである。そのプレートの開口はダイDの形状および大きさ(ダイサイズ)と合ったものであり、交換可能である。すなわち、照射範囲制限部品131dは、ダイサイズに合わせて照射範囲が調整可能である。照射範囲制限部品131dは、例えばL字状のプレートを2枚組み合わせて構成される絞り(開口面積が可変な部品)を用いて照射範囲を調整可能にしてもよい。照射範囲制限部品131dを用いることにより、ダイサイズに応じてレーザ光を照射することができ、不要な部分の加熱を防止することができる。
実施形態によれば、下記の少なくとも一つの効果を有する。
(a)特許文献1のような突上げブロックを使用しないので、突上げブロックがドームプレートよりも高く突上げられない。これにより、低ストレスでピックアップすることが可能であり、ダイの割れや欠けを低減することが可能となる。
(b)ダイシングテープDTのうちピックアップするダイDの下に位置する部分にレーザ光を選択的に照射することで、ピックアップするダイ(剥離対象ダイ)の周辺に位置するダイ(周辺ダイ)および周辺ダイ下のダイシングテープDTへの熱の伝導を低減することが可能である。これにより、周辺ダイの剥がれ易くなることが抑制され、破損の恐れを低減することが可能となる。
上述した効果の他の本実施形態の効果について図7(a)および図7(b)を用いて説明する。図7(a)は比較例における剥離ユニット、ダイシングテープ、ダイおよびコレットを示す模式図である。図7(b)は実施形態における剥離ユニット、ダイシングテープ、ダイおよびコレットを示す模式図である。
図7(a)に示すように、比較例における剥離ユニット13のレーザ照射装置131cはレーザ光LLをダイシングテープDTの法線方向に沿って照射するよう設けられる。このため、ダイシングテープDTの粘着層の表面で正反射されたレーザ光RLは照射方向(ダイシングテープDTの法線方向)と同じ方向へ反射されるのでレーザ照射装置131cへ再帰し光源を過剰に加熱してしまう。
図7(b)に示すように、実施形態における剥離ユニット13のレーザ照射装置131cはレーザ光LLをダイシングテープDTの法線方向とは一致しないように照射するよう設けられる。このため、ダイシングテープDTの粘着層の表面で正反射されたレーザ光RLは照射方向と異なる方向へ反射されるのでレーザ照射装置131cへ再帰しない。これにより、レーザ光の再帰によるレーザ照射装置の過剰加熱を防止し、レーザ照射装置の短寿命化及び照射強度の不安定化を防止できる。
なお、レーザ光LLによる加熱時は、図7(b)に示すように、コレット22をダイDへ接触させずに待機させる。これにより、ダイDを介したコレット22への加熱を防止することが可能である。また、コレット22からのダイD(ダイシングテープDT)への冷熱伝導が抑制され、効率的にダイシングテープDTの加熱を行うことが可能である。
<変形例>
以下、実施形態の代表的な変形例について、幾つか例示する。以下の変形例の説明において、上述の実施形態にて説明されているものと同様の構成および機能を有する部分に対しては、上述の実施形態と同様の符号が用いられ得るものとする。そして、かかる部分の説明については、技術的に矛盾しない範囲内において、上述の実施形態における説明が適宜援用され得るものとする。また、上述の実施例の一部、および、複数の変形例の全部または一部が、技術的に矛盾しない範囲内において、適宜、複合的に適用され得る。
以下、実施形態の代表的な変形例について、幾つか例示する。以下の変形例の説明において、上述の実施形態にて説明されているものと同様の構成および機能を有する部分に対しては、上述の実施形態と同様の符号が用いられ得るものとする。そして、かかる部分の説明については、技術的に矛盾しない範囲内において、上述の実施形態における説明が適宜援用され得るものとする。また、上述の実施例の一部、および、複数の変形例の全部または一部が、技術的に矛盾しない範囲内において、適宜、複合的に適用され得る。
(第一変形例)
図8は第一変形例における剥離ユニット、ダイシングテープ、ダイおよびコレットを示す模式図である。
図8は第一変形例における剥離ユニット、ダイシングテープ、ダイおよびコレットを示す模式図である。
第一変形例における剥離ユニット13は、実施形態における剥離ユニットとは、レーザ光源が異なるが、その他の構成は同様である。
本変形例におけるレーザ照射装置131cは、照射範囲(スポット)がダイサイズよりも小さいレーザを用いる。レーザ照射装置131cは、制御部80の制御により、ダイDが位置する領域をスキャンするように構成される。レーザ照射装置131cのスポット径は、例えば、0.05mm以上0.5mm以下程度である。反射光が同一箇所に集中せず、レーザ照射装置131cの加熱を抑制できる。
なお、レーザ照射装置131cのスポットがダイDの四辺の内側を移動すると、ダイDの四隅にレーザが照射されない領域が出てくる。隣接するダイの間にはダイシングブレードの幅に対応する間隙がある。ダイシングテープのエクスパンド時はその間隙はさらに広がる。例えば、レーザ照射装置131cのスポットの中心がダイDの四辺上まで移動しても、スポット径が上記間隙よりも小さければ、隣接するダイの下のダイシングテープDTを直接加熱することはない。これにより、照射範囲制限部品131dの利用を避けることが可能である。
また、制御部80は、レーザをスキャンするダイDが位置する領域を事前にウエハ認識カメラ14により認識し、ダイサイズ及び位置、形状を把握してサイズに合わせてスキャンするようにしてもよい。
さらに、ドームプレート134内のレーザ照射部131内にカメラを設置し、制御部80は、ダイDの上方からウエハ認識カメラ14用の照明装置から照明光を照らすと共に、レーザ照射部131内のカメラによりダイシングテープDTを下方から撮影するようにしてもよい。これにより、ダイシングラインが認識可能であり、スキャンするダイDの位置が把握可能になる。これにより、レーザをより正確にスキャンすることが可能となる。
また、制御部80は、レーザ照射装置131cの照射パターンが、連続的なラインパターンで照射するのみならず、ドットパターンや間欠的なラインパターンで照射するように制御してもよい。これにより、加熱剥離ダイシングテープへの過剰加熱のコントロールやレーザ照射時間を短縮することが可能となる。
また、レーザ光をスキャンさせる方向、スキャン時間、速度を任意に設定できるようにしてもよい。これにより、製品の仕様(ダイの厚さ、大きさ、形状など)に応じて熱剥離ダイシングテープの剥離膨張させる順序や程度をコントロールできるとともに、剥離するダイ以外の部分への熱伝導もコントロールすることが可能となる。
(第二変形例)
図9(a)は実施形態におけるレーザ光の強度推移を示す図である。図9(b)は第二変形例におけるレーザ光の強度推移を示す図である。図9(a)および図9(b)の横軸は時間(t)、縦軸はレーザ光の強度(LI)である。
図9(a)は実施形態におけるレーザ光の強度推移を示す図である。図9(b)は第二変形例におけるレーザ光の強度推移を示す図である。図9(a)および図9(b)の横軸は時間(t)、縦軸はレーザ光の強度(LI)である。
図9(a)に示すように、実施形態では、レーザ照射装置131cはON/OFFの単純制御でレーザ光の強度を制御していない。このため、ダイシングテープDTの粘着層の発泡(FF)後も加熱(過剰な加熱(OH))が行われる。過剰な熱が発生するので、コレット22の退避が必要である。
図9(b)に示すように、第二変形例では、レーザ照射装置131cはON/OFFの他にレーザ光の強度を制御する。すなわち、レーザ照射装置131cは発泡に十分な強度の照射しかしない。発砲後は、ダイDやコレット22への伝熱により温度が低下し、発泡停止することを防ぐための強度の小さい予熱用の照射を続ける。これにより、過剰な熱の発生を低減することが可能である。
(第三変形例)
図10(a)および図10(b)は第三変形例におけるレーザ照射装置の構成および動作を示す図である。
図10(a)および図10(b)は第三変形例におけるレーザ照射装置の構成および動作を示す図である。
第三変形例におけるレーザ照射装置131cは集光レンズ101等の光学系を有し、外部に設置するレーザ光源から光ファイバー102等によりレーザ照射装置131cまで導入する。
図10(a)に示すように、レーザ照射装置131cは、光学系によりダイサイズ(照射範囲制限部品131dの開口面積)に応じてレーザ照射範囲(SS)を変更することが可能である。これにより、照射範囲制限部品131dの加熱をより低減することが可能となる。
図10(b)に示すように、照射装置131cはレーザ光の照射範囲の他に、照射形状も変更することが可能である。これにより、斜めに照射したレーザ光の照度をダイのサイズで均等に照射するため、ダイに照射するレーザ光の台形処理を行うことが可能である。
(第四変形例)
図11(a)から図11(c)は第四変形例における照射範囲制限部品の断面図である。
図11(a)から図11(c)は第四変形例における照射範囲制限部品の断面図である。
照射範囲制限部品131dにレーザ光が照射されるので、照射範囲制限部品131dへの加熱を低減する加熱抑止手段を設けるのが好ましい。これにより、照射範囲制限部品131dへの加熱が低減され、照射範囲制限部品131dによる剥離するダイ(剥離対象ダイ)の下に位置するダイシングテープDTの箇所以外のダイシングテープDTへの加熱を低減することが可能である。例えば、剥離対象ダイに隣接するダイ(隣接ダイ)の下に位置するダイシングテープDTの箇所への加熱を低減することが可能である。
以下に、加熱抑止手段を幾つか例示する。以下の加熱抑止手段を組み合させてもよい。
図11(a)に示すように、照射範囲制限部品131dの裏面(レーザ照射装置131c側)に、レーザ照射装置131cに直接反射しない方向への反射板103を設ける。この反射板は、例えば、レーザ照射装置131cが赤外線レーザである場合、金メッキされた板等である。
図11(b)に示すように、照射範囲制限部品131dをダイシングテープDTと接触する面積を小さくする形状にしてもよい。例えば、照射範囲制限部品131dの上面に凸部104および凹部105を設ける。ここで、凸部104の上面の面積の合計は凹部105の底面の面積の合計よりも小さくするのが好ましい。例えば、凸部104は上面の面積の小さいピン形状である。
図11(c)に示すように、照射範囲制限部品131dに冷却機構106を設けてもよい。冷却機構としては、例えば、ペルチェ素子が挙げられる。
照射範囲制限部品131dは、樹脂等の熱伝導の小さい材料により構成してもよい。樹脂としては、例えば、ポリエーテルエーテルケトンやポリオキシメチレンなどのエンジニアプラスチックが挙げられる。
以上、本開示者らによってなされた開示を実施形態および変形例に基づき具体的に説明したが、本開示は、上記実施形態および変形例に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。
例えば、実施形態では、ダイシングテープとして加熱性剥離テープを用いる場合を例に説明したが、これに限定されるものではなく、紫外線剥離テープを用いてもよい。
また、実施形態では、レーザ照射部131をドームプレート134内に配置する例を説明したが、これに限定されるものではなく、レーザ照射部131をドームプレート134外に設置して、ウエハ全体にレーザ光をスキャンすることが可能にするようにしてもよい。この場合、ピックアップ位置の認識精度が要求されない場合は、ドームプレートを備えなくてもよい。これにより、ウエハを移動しなくても剥離するダイのみにレーザ光を照射してピックアップすることが可能となる。なお、ピックアップ位置の認識精度が要求される場合は、ピックアップするダイが位置するダイシングテープの箇所のみにレーザ光を照射した後、ドームプレートによりダイシングテープを固定するようにしてもよい。
また、実施形態では、ダイアタッチフィルムを用いる例を説明したが、基板に接着剤を塗布するプリフォーム部を設けてダイアタッチフィルムを用いなくてもよい。
また、実施形態では、ウエハ供給部からダイをピックアップヘッドでピックアップして中間ステージに載置し、中間ステージに載置されたダイをボンディングヘッドで基板にボンディングするダイボンダについて説明したが、これに限定されるものではなく、ダイ供給部からダイをピックアップするダイボンディング装置に適用可能である。
例えば、中間ステージとピックアップヘッドがなく、ウエハ供給部のダイをボンディングヘッドで基板にボンディングするダイボンダにも適用可能である。
また、中間ステージがなく、ウエハ供給部からダイをピックアップしダイピックアップヘッドを上に回転してダイをボンディングヘッドに受け渡しボンディングヘッドで基板にボンディングするフリップチップボンダに適用可能である。
実施形態では、ダイボンダを例に説明したが、ピックアップしたダイをトレイに載置する半導体製造装置にも適用できる。
1・・・ダイボンダ(半導体製造装置)
12・・・ウエハ保持台
13・・・剥離ユニット
131・・・レーザ照射部
131a・・・空洞
131c・・・レーザ照射装置
D・・・ダイ
DT・・・ダイシングテープ
12・・・ウエハ保持台
13・・・剥離ユニット
131・・・レーザ照射部
131a・・・空洞
131c・・・レーザ照射装置
D・・・ダイ
DT・・・ダイシングテープ
Claims (17)
- レーザ光により剥離する粘着シートで形成され、ダイが貼付されたダイシングテープを保持するウエハ保持台と、
前記ダイシングテープの下方に設けられる剥離ユニットと、
を備え、
前記剥離ユニットは、上部に開口を有する空洞と前記開口の下方に設けられるレーザ照射装置とを有するレーザ照射部を備え、
前記レーザ照射装置は、当該レーザ照射装置から照射されるレーザ光の照射方向が前記ダイシングテープの表面の法線方向に対して傾き、前記レーザ光が前記開口を通して前記ダイシングテープに照射されるように設けられる半導体製造装置。 - 請求項1の半導体製造装置において、さらに、
前記ダイを吸着するコレットが設けられるヘッドと、
前記レーザ照射装置によりレーザ光を前記ダイシングテープに照射するとき、前記コレットを前記ダイから離れて位置に待機させるよう構成される制御装置と、
を備える半導体製造装置。 - 請求項1の半導体製造装置において、
前記レーザ照射装置は、照射するレーザ光の台形処理を行う光学系を有する半導体製造装置。 - 請求項1の半導体製造装置において、
前記レーザ照射装置の照射領域は前記ダイよりも大きく、
前記剥離ユニットは、さらに、前記開口の大きさを制限する照射範囲制限部品を備える半導体製造装置。 - 請求項4の半導体製造装置において、
前記照射範囲制限部品は前記ダイシングテープに対向する第一面と前記レーザ照射装置に対向する第二面とを有し、前記第二面側に前記レーザ照射装置からのレーザ光が前記レーザ照射装置に反射しない方向へ反射する反射板を有する半導体製造装置。 - 請求項4の半導体製造装置において、
前記照射範囲制限部品はプラスチックで構成されている半導体製造装置。 - 請求項4の半導体製造装置において、
前記照射範囲制限部品は前記ダイシングテープに対向する第一面と前記レーザ照射装置に対向する第二面とを有し、前記第一面側に前記ダイシングテープと当接する凸部を有する半導体製造装置。 - 請求項4の半導体製造装置において、
前記照射範囲制限部品は冷却機能を有する半導体製造装置。 - 請求項4の半導体製造装置において、
前記レーザ照射装置は前記レーザ光の照射範囲が変更可能である半導体製造装置。 - 請求項1の半導体製造装置において、
さらに、前記レーザ照射装置の照射強度を照射開始から所定期間経過後は照射初期よりも小さくするよう構成される制御装置を備える半導体製造装置。 - 請求項1の半導体製造装置において、
前記レーザ照射装置の照射領域は前記ダイよりも小さく、
前記レーザ照射装置は前記照射領域をスキャンするよう構成される半導体製造装置。 - 請求項11の半導体製造装置において、さらに、
カメラと、
前記レーザ照射装置が前記照射領域をスキャンする範囲を前記カメラにより事前に認識するよう構成される制御部を備える半導体製造装置。 - 請求項12の半導体製造装置において、
前記カメラは前記ウエハ保持台の上方に設けられる半導体製造装置。 - 請求項12の半導体製造装置において、
前記カメラは前記レーザ照射部内に設けられる半導体製造装置。 - 請求項11の半導体製造装置において、
さらに、スキャンする前記レーザ光をドットパターンまたは間欠的なラインパターンで前記レーザ照射装置により照射するよう構成される制御部を備える半導体製造装置。 - レーザ光により剥離する粘着シートで形成され、ダイが貼付されたダイシングテープを保持するウエハ保持台と共に用いられ、前記ダイシングテープの下方に設けられる剥離ユニットであって、
上部に開口を有する空洞と前記開口の下方に設けられるレーザ照射装置とを有するレーザ照射部を備え、
前記レーザ照射装置は、当該レーザ照射装置から照射されるレーザ光の照射方向が前記ダイシングテープの表面の法線方向に対して傾き、前記レーザ光が前記開口を通して前記ダイシングテープに照射されるように設けられる剥離ユニット。 - レーザ光により剥離する粘着シートで形成され、ダイが貼付されたダイシングテープを保持するウエハ保持台と、前記ダイシングテープの下方に設けられる剥離ユニットと、を備え、前記剥離ユニットは、上部に開口を有する空洞と前記開口の下方に設けられるレーザ照射装置とを有するレーザ照射部を備え、前記レーザ照射装置は、当該レーザ照射装置から照射されるレーザ光の照射方向が前記ダイシングテープの表面の法線方向に対して傾き、前記レーザ光が前記開口を通して前記ダイシングテープに照射されるように設けられる半導体製造装置に前記ダイシングテープを保持するウエハリングを搬入する工程と、
前記ウエハリングが保持する前記ダイシングテープからダイをピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020230120144A KR20240041236A (ko) | 2022-09-22 | 2023-09-11 | 반도체 제조 장치, 박리 유닛 및 반도체 장치의 제조 방법 |
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