JP4014579B2 - ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法 - Google Patents

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Description

この発明は、ワイヤボンディング装置、及びこれを用いたワイヤボンディング方法に関する。
ワイヤボンディングとは、半導体チップとこの半導体チップが搭載されたリードフレーム等の被搭載板との間を金属細線で結線する技術をいう。
ワイヤボンディングを行う際には、半導体チップ及び被搭載板がワイヤボンディングに適した温度に加熱される。
ところが、この加熱によって、リードフレーム等の被搭載板の表面に、金属細線の接合不良の原因となる酸化膜が発生することが知られている。また、こうした酸化膜の発生は、ワイヤボンディングにおいてはもとよりダイボンディングの際にも問題であった。
そこで、より信頼性の高いワイヤボンディングを実現するために、リードフレームに加熱したガスを吹き付けてからダイボンディングを行う方法や、ワイヤボンディング前にリードフレームに加熱したガスを噴射してリードフレームが長時間加熱処理されるのを抑制する方法が提案されている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。
特開２０００−２３５９９１号公報 特開平５−３４３４４６号公報
ところで、半導体装置の多機能化による高密度実装が進むなかで、リードフレームの表裏面に半導体チップが搭載された、リードフレーム型マルチチップパッケージが提案されている。
しかしながら、リードフレーム型マルチチップパッケージの製造工程のうち、リードフレームの表裏面に対するワイヤボンディングでは、以下に述べる問題があった。
半導体チップがリードフレームの一方の面上にのみ搭載された構造に対するワイヤボンディングは、加熱手段を具えるヒートブロックに取り付けられたヒートプレート上に、リードフレームを載置して行う。
そのため、加熱手段からの熱が、ヒートブロック、ヒートプレート及びリードフレームを介して半導体チップに効率良く伝熱されるため、半導体チップをワイヤボンディングに適した温度に加熱することができる。
これに対して、上述したリードフレームの表裏面に半導体チップが搭載された構造に対するワイヤボンディングでは、リードフレームを、一方のワイヤボンディング済みの半導体チップがリードフレームの下側となるようにしてヒートプレート上に載置して行う。
そのため、ヒートプレートに、リードフレームの下側に位置する半導体チップとこの半導体チップに接合されたワイヤとを収容する、凹部が必要となる。
しかし、こうした凹部の形成によって熱伝達効率が低下し、リードフレームの上側に位置する他方の半導体チップがワイヤボンディングに適した所定温度になりにくい。
そこで、この発明の主たる目的は、リードフレーム等の被搭載板の表裏面に半導体チップが搭載された構成でのワイヤボンディングに適用可能であって、かつ高信頼性なワイヤボンディングを実現可能なワイヤボンディング装置、及びこれを用いたワイヤボンディング方法を提供することにある。
この目的の達成を図るため、この発明のワイヤボンディング装置によれば、下記のような構成上の特徴を有する。
すなわち、被搭載板の第１の主面とこの第１の主面上に搭載された第１の半導体チップとが第１の金属細線によって結線されている被搭載板の、第１の主面と対向する第２の主面とこの第２の主面上に搭載された第２の半導体チップとを第２の金属細線で結線するワイヤボンディング装置であり、被搭載板が載置される載置台とこの載置台を加熱する加熱手段とを具えている。
載置台は、被搭載板が第１の主面側を載置台に向けて載置されるとき、第１の金属細線が載置台と非接触の状態で、第１の半導体チップと第１の金属細線とを収容する凹部と、載置台を貫通して設けられていて、載置台の外と凹部内とを連通する管と、この管を介して凹部内にガスを供給するガス供給手段とを具えている。
また、この発明のワイヤボンディング方法によれば、下記のような構成上の特徴を有する。
すなわち、被搭載板が載置される載置台と、この載置台を加熱する加熱手段とを具えたワイヤボンディングボンディング装置を用いて、被搭載板の第１の主面とこの第１の主面上に搭載された第１の半導体チップとが第１の金属細線によって結線されている該被搭載板の、第１の主面と対向する第２の主面とこの第２の主面上に搭載された第２の半導体チップとを第２の金属細線で結線するワイヤボンディング方法であって、被搭載板載置工程と、ガス供給工程とを含んでいる。
被搭載板載置工程では、第１の主面側が該載置台に向けられた被搭載板を、第１の金属細線が載置台と非接触の状態で、第１の半導体チップと第１の金属細線とが載置台に形成された凹部に収容されるように載置する。ガス供給工程では、載置台を貫通するとともにこの載置台の外と凹部内とを連通する管を介して凹部内にガスを供給して、第２の半導体チップを加熱する。
このような構成によれば、被搭載板を当該被搭載板の第１の主面側を被搭載板に向けて載置台に載置した場合に、第１の金属細線が潰れて変形する懸念が無い。
よって、第１のワイヤの接合不良が発生し、製品歩留まりや信頼性が低下するのを抑制することができる。
さらに、このような構成によれば、載置台に形成された凹部内から排出される加熱ガスの対流伝熱によって、被搭載板の第２の主面側にある第２の半導体チップへの伝熱が促進される。
よって、第２の半導体チップをワイヤボンディングに適した温度に迅速かつ確実に加熱することができるので、従来よりも信頼性の高いワイヤボンディングを生産性良く行うことができる。
さらに、被搭載板がリードフレームである場合には、長時間高温下に晒されることによって発生する表面酸化膜を抑制することができる。
以下に、この発明の実施の形態につき説明する。尚、各図は、この発明が理解できる程度に各構成成分の形状、大きさ及び配置関係を概略的に示してあるに過ぎず、従って、この発明は図示例に限定されるものではない。また、図を分かり易くするために、断面を示すハッチングは、一部分を除き省略してある。尚、以下の説明は、単なる好適例に過ぎず、また、例示した数値的条件は何らこれに限定されない。また、各図において同様の構成成分については同一の番号を付して示し、その重複する説明を省略することもある。
＜第１の実施の形態＞
図１から図３を参照して、この発明の第１の実施の形態に係るワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法について説明する。図１は、この実施の形態のワイヤボンディング装置１０００を概略的に示す断面図であり、図２のＩ−Ｉ線に沿って切断して得られる切り口（すなわち、断面）に対応している。図２は、ワイヤボンディング装置１０００の主要部であるワイヤボンディング部１００を概略的に示す平面図である。図３は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿って切断して得られる切り口を概略的に示す断面図である。尚、図２では第１及び第２の金属細線（ワイヤ）（５１、５２）及び第１の半導体チップ４１の図示を省略してある。
図１に示すように、この実施の形態のワイヤボンディング装置１０００は、主として、供給マガジン２５と収納マガジン３５との間にワイヤボンディング部１００が配置された構成である。
供給マガジン２５は、ワイヤボンディング部１００でワイヤボンディングされるリードフレームを所定枚数収容している。供給マガジン２５からボンディング部１００へのリードフレーム５０の搬出は、リードフレーム５０の縁部を挟持する搬送爪６０がガイドレール７０に沿って移動することによって行われる。
ここでのリードフレーム５０には、第１及び第２の主面（５０１、５０２）上に第１及び第２の半導体チップ（４１、４２）がそれぞれ搭載されているとともに、第１の半導体チップ４１と第１の主面５０１とは第１のワイヤ５１によって既に結線されている。
そのため、供給マガジン２５からは、リードフレーム５０が、第１の金属細線、すなわちワイヤ５１によって結線済みの第１の半導体チップ４１をリードフレーム５０の下側、すなわち第２の半導体チップ４２をリードフレーム５０の上側にして搬出される。
ワイヤボンディング部１００では、供給マガジン２５から搬送されたリードフレーム５０をヒートプレート１２２上の所定位置に載置した後、リードフレーム５０と当該リードフレーム５０の上側に搭載されている第２の半導体チップ４２との結線を行う。
収納マガジン３５は、ワイヤボンディング部１００でワイヤボンディングが終了したリードフレームを所定枚数収容する。ワイヤボンディング部１００からこの収納マガジン３５へのリードフレーム５０の搬入は、リードフレーム５０の縁部を挟持する搬送爪６０がガイドレール７０に沿って移動することによって行われる。
続いて、この実施の形態の特徴部分を有するワイヤボンディング部１００について詳細に説明する。
ワイヤボンディング部１００は、主として、載置台１２、管１３、加熱手段１４、キャピラリ１５、温度検知手段１６、ガス供給手段１８、ガス流量調節手段２０及び温度制御手段２２を具えている。
載置台１２は、加熱手段１４が内部に挿入されているヒートブロック１２１と、このヒートブロック１２１上に取り付けられ、リードフレーム５０を上面に載置可能なヒートプレート１２２とを具えている。ここでの加熱手段１４は、例えば、棒状の絶縁体に通電用の発熱線がコイル状に巻かれたカートリッジ式のヒータとすることができる。
ヒートブロック１２１は、内部に挿入されたヒータ１４からの熱をヒートプレート１２２に伝達し、例えば、ステンレス製とすることができる。
ヒートプレート１２２は、リードフレーム５０が載置されるとともに、ヒートブロック１２１からの熱をヒートプレート１２２上のリードフレーム５０に伝達し、例えば、鉄（Ｆｅ）製とすることができる。
この実施の形態では、ヒートプレート１２２に凹部１２２１が形成されている。
そのため、リードフレーム５０を、当該リードフレーム５０の第１の主面５０１側をヒートプレート１２２に向けて、すなわち第１の半導体チップ４１をリードフレーム５０の下側にしてヒートプレート１２２上の所定位置に載置する際に、この凹部１２２１に、第１の半導体チップ４１と第１のワイヤ５１とを、第１のワイヤ５１がヒートプレート１２２と接触しないように収容することができる。
そのため、リードフレーム５０を、第１の半導体チップ４１を下側にしてヒートフレーム１２２上に載置しても、第１のワイヤ５１が潰されて変形することが無いため、良好な接合状態を維持することができる。よって、第１のワイヤの接合不良等などが発生して、製品歩留まりや信頼性が低下するのを抑制することができる。
また、凹部１２２１の底面１２２２には、第１の半導体チップ４１のワイヤボンディング面４１１と接触する頂面を有する凸部１２２３が設けられている。この凸部１２２３を介してヒータからの熱が第１の半導体チップ４１に伝達される。
さらに、この実施の形態では、ヒートプレート１２２内に、ヒートプレート１２２の外と凹部１２２１内とを連通する管１３が形成されている。
この管１３の一方の開口端（１２５１、１２５２）は、凹部１２２１に開口を形成しており、もう一方の開口端１３５１はヒートプレート１２２に開口を形成している（詳細後述）。この開口端１３５１からガスが供給され、凹部１２２１に形成された開口端（１２５１、１２５２）から当該ガスが排出される。尚、ガス排出口となる開口端１２５１の配置位置及び数は、上述のみに限定されるものではなく、凹部１２２１内に設けられた開口端からガスが排出可能な構成であれば良い。また、ヒートプレート１２２は、リードフレーム５０の種類に応じて取り替え可能であり、鉄製の他にセラミック製等がある。また、ヒートプレート１２２は、ヒートプレート１２２の各側壁面１２２０がヒートブロック１２１の各側壁面１２１０よりも内側となるように配置されているのが良い。これにより、ヒートブロックからの伝熱ムラに伴うヒートプレート１２２内の温度むらを抑制できる。
キャピラリ１５は、ボンディングヘッド（不図示）の先端部に装着されており、Ｘ、Ｙ、及びＺ方向に動作させることにより、内部にセットされた、例えば、金（Ａｕ）等の第２の金属細線、すなわちワイヤによってワイヤボンディングを行う。
温度検知手段１６は、リードフレーム５０の上側に載置された第２の半導体チップ４２の温度を検知して、後述するガス流量調節手段２２に第２の半導体チップ４２の表面温度に関する信号を出力する。ここでは、温度検知手段１６としての熱電対を、第２の半導体チップ４２の表面と接触させることにより表面温度を測定する。尚、温度検知手段１６は、このような接触型に限定されず、第２の半導体チップ４２の上方に設置した熱電対によって第２の半導体チップ４２の表面温度を測定する非接触型としても良い。
ガス供給手段１８は、管１３を介して凹部１２２１内にガスを供給するポンプであり、ここでは、例えば、エア（空気）を供給する。尚、ここでのガスは、エアの他に不活性ガスである窒素（Ｎ2）など任意好適なガスを用いることができる。
ガス流量調節手段２０は、ガス供給手段１８から供給されるガスの流量を、後述する温度制御手段２２からの信号に基づいて調節する。
温度調節手段２２は、温度検知手段１６からの半導体チップ４０の表面温度に関する信号に基づいてガス流量調節手段２０を制御して、チップの表面温度が所定温度となるように調節する。
続いて、図１から図３を参照して、この実施の形態における管１３の配置例について説明する。
この構成例では、図１から図３に示すように、上述した凹部１２２１の底面１２２２に、ガス排出口となる開口端（１２５１、１２５２）が凸部１２２３を挟んで設けられている。ここでの開口端（１２５１、１２５２）は、凸部１２２３を挟んで３個ずつ向かい合うように形成されている（図２及び図３）。
また、図１から図３に示すように、ヒートプレート１２２内には、各開口端（１２５１、１２５２）から、下方すなわちヒートブロック１２１に向かって縦管（１２６１、１２６２）がそれぞれ伸びている。
そして、凸部１２２３を挟む位置に設けられた、一方側及び他方側それぞれ３つの縦管（１２６１、１２６２）の下端には、同一側の３つの縦管同士を連通する横管（１２７１、１２７２）がそれぞれ形成されている。
そして、これら横管（１２７１、１２７２）同士を連通するとともにヒートプレート１２２の長手方向に向かって水平に延在する長管１２８１が形成されている。この長管１２８１の端部は、ヒートプレート１２２の側壁面１２２０に開口端１３５１を形成しており、ポンプ１８側に接続されている。
続いて、図１を参照して、上述したワイヤボンディング装置１０００を用いたワイヤボンディング方法について以下に説明する。
先ず、供給マガジン２５から、リードフレーム５０を、第１のワイヤ５１によって結線済みの第１の半導体チップ４１をリードフレーム５０の下側にした状態で搬出した後、ヒートプレート１２２上の所定位置に載置する。
ここでのヒートフレーム１２２には、既に説明したように、第１の半導体チップ４１と第１のワイヤ５１とを、第１のワイヤ５１がヒートプレート１２２と接触しないように収容可能とする凹部１２２１が形成されている。
そこで、リードフレーム５０を、ヒートプレート１２２上のうち、当該ヒートプレート１２２に形成された凹部１２２１内に第１の半導体チップ４１及び第１のワイヤ５１とが収容される位置に載置することができる。
また、このとき、第１の半導体チップ４１のボンディング面４１１は、凹部１２２１の底面１２２２に形成されている凸部１２２３と接触している。
リードフレーム５０をヒートプレート１２２上の所定位置に載置した後、第２の半導体チップ４２及びリードフレーム５０をワイヤボンディングに適した温度に加熱してワイヤボンディングを行う。
第２の半導体チップ４２がワイヤボンディングに適した温度まで加熱される間に、ヒートプレート１２２上に密着しているリードフレーム５０部分はワイヤボンディングに適した温度となる。よって、第２の半導体チップ４２をワイヤボンディングに適した温度に加熱することにより、ワイヤボンディングを行う。
また、このときの第２の半導体チップ４２の表面温度の調整は、第２の半導体チップ４２の表面に接触させた温度検知手段１６から出力された温度に関する信号に基づいて、温度制御手段２２がガス流量調節手段２０のガス流量を調節することにより行うことができる。
こうして、第２の半導体チップ４２及びリードフレーム５０がワイヤボンディングに適した温度で加熱された状態で、キャピラリ１５を従来公知の方法で動作させて、第２の半導体チップ４２とリードフレーム５０とを第２のワイヤ５２で結線することができる。
この実施の形態では、第２の半導体チップ４２の加熱を、凸部１２２３を介するヒータ１４からの伝導伝熱によって加熱された第１の半導体チップからの伝熱と、ヒートプレート５０に形成された凹部内１２２１から排出される加熱ガスによる対流伝熱によって加熱された第１の半導体チップ４１からの伝熱とを利用して行う。
こうすることにより、凸部１２２３を介した伝導伝熱に加え、凹部１２２１内から排出される加熱ガスによる対流電熱によって第１の半導体チップ４１を加熱することができ、第２の半導体チップ４２への伝熱を促進させることができる。
そのため、第２の半導体チップ４２をワイヤボンディングに適した温度に確実かつ迅速に加熱することができる。また、リードフレームが長時間高温下に晒されることによって発生する表面酸化膜を抑制することができる。
よって、従来よりも信頼性の高いワイヤボンディングを生産性良く行うことができる。
さらに、この構成例では、ガス排出口となる開口端（１２５１、１２５２）が凸部１２２３を挟んで対称となるように配置されているため、第１の半導体チップ４１を均一に加熱することができる。
よって、第１の半導体チップ４１から第２の半導体チップ４２への伝熱の均一化を図ることができ、ワイヤボンディングの信頼性のより一層の向上を期待できる。
ワイヤボンディング終了した後、両面にワイヤボンディングが施されたリードフレーム５０を、収納マガジン３５へ搬出する。
続いて、 図４を参照して、ワイヤボンディング部１００の凹部１２２１から排出されるエア流量とこのときの第２の半導体チップ４２の表面温度との測定結果を示す。図４は、横軸に凹部から排出されるエア流量（Ｌ／ｍｉｎ）を示し、縦軸にこのときの第２のチップの表面温度（℃）を示してある。また、このときのヒータの設定温度を２５０℃とした。
図４に示すように、エアを供給しない場合（すなわち、エア流量０（Ｌ／ｍｉｎ）に相当する。）の第２の半導体チップ４２の表面温度が１５０℃程度であるのに対して、凹部から加熱されたエアを排出させることにより、第２の半導体チップ４２の表面温度は１５０℃以上になる。
また、エア流量を増大させるにしたがって、半導体チップの表面温度をヒータの設定温度付近まで単純上昇させることができ、例えば、エア流量４（Ｌ／ｍｉｎ）での第２の半導体チップ４２の表面温度は２１０℃程度である。
このことからも、凹部１２２１内から排出されるガス流量を調節することにより、第２の半導体チップ４２を、ワイヤボンディングに適した温度に確実にかつ迅速に加熱することができる。
＜第２の実施の形態＞
図５及び図６を参照して、この発明の第２の実施の形態に係るワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法について説明する。
この実施の形態では、ワイヤボンディング部２００が具える、ヒートブロック１２１の外と凹部１２２１内とを連通する管３３が、さらに、ヒートブロック内の加熱手段１４に沿って延在している点が第１の実施の形態との主たる相違点である。尚、第１の実施の形態で既に説明した構成要素と同一の構成要素には同一の番号を付して示しその具体的な説明を省略する。図５は、この実施の形態のワイヤボンディング装置２０００を概略的に示す断面図である。図６は、図５のＶＩ−ＶＩ線に沿って切断して得られる切り口を概略的に示す断面図である。
図５に示すように、この実施の形態のワイヤボンディング装置２０００が具えるワイヤボンディング部２００は、ヒートブロック１２１の外と凹部１２２１内とを連通する管３３が形成されている。
この管３３の一方の開口端（１２５１、１２５２）は、凹部１２２１に開口を形成しており、もう一方の開口端１３５２はヒートブロック１２１に開口を形成している。また、ヒートブロック１２１内に設けられた管３３は、ヒータ１４に沿って水平に延在する部分を含んでいる（詳細後述）。この開口端１３５２からガスが供給され、凹部１２２１に露出された開口端１２５１から当該ガスが排出される。
続いて、図５及び図６を参照して、管３３の配置例について具体的に説明する。
この構成例では、第１の実施の形態と同様に、上述した凹部１２２１の底面１２２２の開口端（１２５１、１２５２）から、下方すなわちヒートブロック１２１に向かって縦管（１２６１、１２６２）がそれぞれ伸びている。また、凸部１２２３を挟む位置に設けられた、一方側及び他方側それぞれの縦管（１２６１、１２６２）の下端には、同一側の３つの縦管同士を連通する横管（１２７１、１２７２）がそれぞれ形成されている。
この実施の形態では、各横管（１２７１、１２７２）を連通する程度の長さを有する横管１２９１が設けられている。
そして、この横管１２９１から、ヒートブロック１２１に到達する深さまで伸びる縦管１２９２が形成されている。さらに、この縦管１２９２に連通するとともに、ヒートブロック１２１の長手方向にヒータ１４に沿って水平に延在する横管１２９３が形成されている。この長管１２９３の端部は、ヒートブロック１２１の側壁面１２１０に開口端１３５２を形成しており、ポンプ１８側に接続されている。
また、このような構成のワイヤボンディング装置２０００を用いたワイヤボンディング方法を、第１の実施の形態で説明した方法と同様の方法でを行うことができる（説明省略）。
この構成例では、管３３の一部が熱源となるヒータ１４に沿って延在しているため、ヒータからの熱が効率良く管内のガスに伝達される。よって、ヒータ温度及びガス流量が同一である場合には、凹部内から排出されるガスの温度は第１の実施の形態よりも高くなる。
その結果、第２の半導体チップ４２への伝熱が第１の実施の形態よりもさらに促進されるため、ワイヤボンディングの対象となる第２の半導体チップ４２を、第１の実施の形態よりも迅速に加熱することができる。
上述した説明から明らかなように、この実施の形態によれば、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
さらに、この実施の形態によれば、第１の実施の形態よりも第２の半導体チップへの伝熱がさらに促進されるため、第１の実施の形態よりもより一層生産性が向上する。
この発明は、上述した実施の形態の組合せのみに限定されるものではなく、任意好適な段階において好適な条件を組み合わせても、この発明を適用することができる。
例えば、管の配置は上述した実施の形態のみに限定されず、目的や設計に応じて任意好適に選択することができる。
この発明の第１の実施の形態の説明に供する図（その１）である。 この発明の第１の実施の形態の説明に供する図（その２）である。 この発明の第１の実施の形態の説明に供する図（その３）である。 この発明の第１の実施の形態の説明に供する図（その４）である。 この発明の第２の実施の形態の説明に供する図（その１）である。 この発明の第２の実施の形態の説明に供する図（その２）である。
符号の説明
１２：載置台
１３、３３：管
１４：ヒータ（加熱手段）
１５：キャピラリ
１６：熱電対（温度検知手段）
１８：ポンプ（ガス供給手段）
２０：ガス流量調節手段
２２：温度制御手段
２５：供給マガジン
３５：収納マガジン
４１：第１の半導体チップ
４２：第２の半導体チップ
５０：リードフレーム（被搭載板）
５１：第１の金属細線（ワイヤ）
５２：第２の金属細線（ワイヤ）
６０：搬送爪
７０：ガイドレール
１００、２００：ワイヤボンディング部
１２１：ヒートブロック
１２２：ヒートプレート
４１１：第１の半導体チップのワイヤボンディング面
５０１：リードフレームの第１の主面
５０２：リードフレームの第２の主面
１０００、２０００：ワイヤボンディング装置
１２２１：凹部
１２２２：凹部の底面
１２２３：凸部
１２５１、１２５２、１３５１、１３５２：開口端
１２６１、１２６２、１２９２：縦管
１２７１、１２７２、１２９１：横管
１２８１、１２９３：長管

Claims (6)

  1. 被搭載板の第１の主面と該第１の主面上に搭載された第１の半導体チップとが第１の金属細線によって結線されている当該被搭載板の、前記第１の主面と対向する第２の主面と該第２の主面上に搭載された第２の半導体チップとを第２の金属細線で結線するワイヤボンディング装置であって、
    前記被搭載板が載置される載置台と、
    前記載置台を加熱する加熱手段と
    を具えており、
    前記載置台は、
    前記被搭載板が前記第１の主面側を該載置台に向けて載置されるとき、前記第１の金属細線が該載置台と非接触の状態で、前記第１の半導体チップと前記第１の金属細線とを収容する凹部と、
    前記載置台を貫通して設けられていて、該載置台の外と前記凹部内とを連通する管と、
    前記管を介して前記凹部内にガスを供給するガス供給手段と
    を具えており、
    前記凹部の底面には、前記第１の半導体チップの、前記第１の金属細線が結線されている面と接触する凸部が設けられていることを特徴とするワイヤボンディング装置。
  2. 請求項１に記載のワイヤボンディング装置において、
    前記載置台は、前記加熱手段を内部に有するヒートブロックと、該ヒートブロック上に取り付けられていて前記被搭載板が載置されるヒートプレートとを以て構成してあり、
    前記凹部は、ヒートプレートの前記被搭載基板の搭載面に設けられており、
    前記管は、前記ヒートプレート内に形成されていることを特徴とするワイヤボンディング装置。
  3. 請求項２に記載のワイヤボンディング装置において、
    前記管は、さらに、前記ヒートブロック内に前記加熱手段に沿って水平に延在する部分を有していることを特徴とするワイヤボンディング装置。
  4. 請求項１に記載のワイヤボンディング装置において、
    前記管の、前記凹部側の開口端は、前記凸部を挟む位置に設けられていることを特徴とするワイヤボンディング装置。
  5. 請求項１ないし４のいずれか一項に記載のワイヤボンディング装置において、
    前記第２の半導体チップの、前記第２の金属細線が結線される面の温度を検知する温度検知手段と、
    前記ガス供給手段から供給される前記ガスの流量を制御するガス流量調節手段と、
    前記温度検知手段により検知された温度に基づいて、前記第２の半導体チップの、前記第２の金属細線が結線される面が前記結線可能な温度となるように前記ガス流量調節手段を制御する温度制御手段と
    を具えることを特徴とするワイヤボンディング装置。
  6. 被搭載板が載置される載置台と当該載置台を加熱する加熱手段とを具えたワイヤボンディング装置を用いて、被搭載板の第１の主面と該第１の主面上に搭載された第１の半導体チップとが第１の金属細線によって結線されている当該被搭載板の、前記第１の主面と対向する第２の主面と該第２の主面上に搭載された第２の半導体チップとを第２の金属細線で結線するワイヤボンディング方法であって、
    前記第１の主面側が該載置台に向けられた前記被搭載板を、前記第１の金属細線が該載置台と非接触の状態で、前記第１の半導体チップと前記第１の金属細線とが前記載置台に形成された凹部に、前記第１の半導体チップが、該凹部の底面に形成されている凸部と接触して収容されるように載置する被搭載板載置工程と、
    前記載置台を貫通するとともに該載置台の外と前記凹部内とを連通する管を介して前記凹部内にガスを供給して、前記第２の半導体チップを加熱するガス供給工程と
    を含むことを特徴とするワイヤボンディング方法。
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