JP3194378B2 - ワイヤボンディング装置 - Google Patents

ワイヤボンディング装置

Info

Publication number
JP3194378B2
JP3194378B2 JP03491099A JP3491099A JP3194378B2 JP 3194378 B2 JP3194378 B2 JP 3194378B2 JP 03491099 A JP03491099 A JP 03491099A JP 3491099 A JP3491099 A JP 3491099A JP 3194378 B2 JP3194378 B2 JP 3194378B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
gas
temperature
injection means
gas injection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP03491099A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000235991A (ja
Inventor
寛司 阿部
秀樹 狩野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP03491099A priority Critical patent/JP3194378B2/ja
Publication of JP2000235991A publication Critical patent/JP2000235991A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3194378B2 publication Critical patent/JP3194378B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7865—Means for transporting the components to be connected
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/789—Means for monitoring the connection process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85053—Bonding environment
    • H01L2224/85054—Composition of the atmosphere
    • H01L2224/85075—Composition of the atmosphere being inert
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01007—Nitrogen [N]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体チップの電極
とリードフレームとをボンディングワイヤにより接続す
るワイヤボンディング装置に関し、特に、リードフレー
ムの酸化を防止することができるワイヤボンディング装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置においては、パッケージの薄
型化及びリードフレームの多連化が進んでいる。これに
伴い、半導体チップの電極とリードフレームとをボンデ
ィングワイヤにより接続するワイヤボンディング工程に
おいて、リードフレームが長時間熱処理されることによ
り、リードフレームが過剰に酸化されてリードフレーム
とパッケージング用の樹脂との間の密着性が悪化するこ
とがある。これにより、半導体装置を実装基板に半田実
装する場合において、リードフレームと樹脂との間に剥
離が発生し、特にリードフレームの裏面に位置する樹脂
が膨らむことにより外部リード端子が実装基板から浮い
て、電気的な不具合が生じることがあるという問題点が
ある。
【０００３】上述したような問題点を解決するために、
特開昭６３−８０５４４号公報に、リードフレームを加
熱するヒータブロックの内部に、ボンディング部を加熱
するヒータと予熱部を加熱するヒータとを別個に設け、
夫々別個のボンディング部コントローラ及び予熱部コン
トローラにより温度制御する装置が開示されている。こ
の装置において、各コントローラは対応するヒータの温
度を熱伝対により検出して温度制御しリードフレームに
加える熱ストレスを緩和している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
６３−８０５４４号公報に開示された装置においては、
以下に示す問題点がある。
【０００５】第１に、加熱されたヒートブロックにより
リードフレームを加熱しているので、リードフレームを
加熱する際の温度調整が難しく、過度に加熱することに
よりリードフレームが過度に酸化するという問題点があ
る。
【０００６】第２に、ヒートブロック内部に熱伝対を設
けて加熱温度をコントロールする構造であるため、リー
ドフレームの測定温度の精度が低い。このため、リード
フレームの加熱が過度であったり不足する場合があり、
リードフレームを安定してボンディングに最適な温度に
することができないという問題点がある。
【０００７】第３に、熱容量の大きいヒートブロックを
使用しているため、加熱温度の初期設定時に、リードフ
レームを最適な温度にするまでに長い時間を要するとい
う問題点がある。
【０００８】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、リードフレームの過度の酸化を防止し、リ
ードフレームを安定してボンディングに最適な温度にす
ると共に、最適な温度にするまでの時間が短いワイヤボ
ンディング装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係るワイヤボン
ディング装置は、半導体チップの電極とリードフレーム
とをボンディングワイヤにより接続するワイヤボンディ
ング装置において、前記リードフレームに加熱ガスを噴
射して前記リードフレームを加熱する第１のガス噴射手
段と、リードフレームの進行方向における前記第１のガ
ス噴射手段よりも下流側に配置され、前記リードフレー
ムに冷却ガスを噴射することにより前記リードフレーム
を冷却する第２のガス噴射手段と、を有することを特徴
とする。
【００１０】リードフレームの進行方向における前記第
１のガス噴射手段よりも上流側に配置され、前記リード
フレームに加熱ガスを噴射することにより前記リードフ
レームを予熱する第３のガス噴射手段が設けられている
と好ましい。
【００１１】
【００１２】更に、前記リードフレームの温度を検出す
る非接触式の温度センサと、前記温度センサが検出した
温度に基づき前記リードフレームが所定の温度に近づく
ように前記第１のガス噴射手段、第２のガス噴射手段及
び第３のガス噴射手段からなる群から選択された少なく
とも１つのガス噴射手段から噴射されるガスの温度を調
節する温度制御手段とを設けることができる。
【００１３】更にまた、前記第１のガス噴射手段、第２
のガス噴射手段及び第３のガス噴射手段からなる群から
選択された少なくとも１つのガス噴射手段へのガスの流
量を調節するガス流量調節手段を有し、このガス流量調
節手段は前記温度制御手段により前記リードフレームが
所定の温度に近づくようにガスの流量が調節されるもの
とすることができる。
【００１４】更にまた、前記ガスは不活性ガスであって
もよく、前記不活性ガスは窒素ガスであってもよい。
【００１５】本発明においては、第１のガス噴射手段か
ら噴射される加熱ガスによりリードフレームを加熱して
ボンディングを行なうため、リードフレームを加熱する
際の温度調整が容易であり、リードフレームを過度に加
熱することがないため、リードフレームが過度に酸化す
ることがなくボンディングを行なうことができる。ま
た、リードフレームに微妙且つ短時間で熱を伝えること
ができるので、加熱温度の初期設定時にリードフレーム
をボンディングに最適な温度にするまでの時間を短くす
ることができる。
【００１６】また、第３のガス噴射手段が設けられてい
ると、ボンディング工程前に予めリードフレームを予熱
することができるので、ボンディング工程における加熱
時間を短くすることができる。
【００１７】更に、第２のガス噴射手段が設けられてお
り、ボンディング工程後にリードフレームを冷却するこ
とができるので、リードフレームの酸化の防止効果を更
に向上させることができる。
【００１８】更にまた、温度センサと、温度制御手段と
が設けられていると、ガス噴出手段から噴射されるガス
の温度を調節することができるため、リードフレームを
安定してボンディングに最適な温度に維持することがで
きる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例に係るワイ
ヤボンディング装置について、添付の図面を参照して具
体的に説明する。図１は本発明の実施例に係るワイヤボ
ンディング装置を示す模式図である。
【００２０】図１に示すように、本実施例に係るワイヤ
ボンディング装置は、半導体チップ２の電極（図示せ
ず）とリードフレーム１とをボンディングワイヤ３によ
りボンディングするものであり、ボンディング工程の前
に予熱工程が設けられ、ボンディング工程の後に冷却工
程が設けられたものである。リードフレーム１の上方の
所定の位置にボンディングワイヤ３を打つためのキャピ
ラリ４が設けられている。また、リードフレーム１のヒ
ータとして、リードフレーム１の下方に窒素ガスを複数
のノズルからリードフレーム１に向けて窒素ガスを噴射
可能なエアガンが３個設けられている。これらのエアガ
ンは前工程側から予備加熱を行なうための予備加熱用高
熱エアガン６Ｂ、ボンディング用の加熱を行なうための
ボンディング用高熱エアガン６Ａ及び冷却を行なうため
の冷却用エアガン６Ｃとなっており、夫々複数個のノズ
ル１０Ｂ、１０Ａ及び１０Ｃが設けられている。また、
予備加熱用高熱エアガン６Ｂ、ボンディング用高熱エア
ガン６Ａ及び冷却用エアガン６Ｃに対応して、リードフ
レーム１の上方にリードフレーム１の温度を測定可能な
３個の非接触型の温度センサ（予備加熱用温度センサ５
Ｂ、ボンディング用温度センサ５Ａ及び冷却用温度セン
サ５Ｃ）が設けられている。
【００２１】更に、各エアガンへの窒素ガスを供給する
窒素ガス供給管１１Ｂ、１１Ａ及び１１Ｃ並びに各窒素
ガス供給管の窒素ガス流量を調節する窒素ガスバルブ８
Ｂ、８Ａ及び８Ｃが設けられている。更にまた、温度コ
ントローラ５Ｂ、５Ａ及び５Ｃにより検出された温度に
基づき各エアガン６Ｂ、６Ａ及び６Ｃにおける窒素ガス
の温度を調節すると共に、各窒素ガスバルブ８Ｂ、８Ａ
及び８Ｃの窒素ガス流量を調節することにより各温度セ
ンサ５Ｂ、５Ａ及び５Ｃにより検出される温度、即ち、
所定の工程におけるリードフレーム１の温度を制御する
ことができる３個の温度コントローラ（予備加熱用温度
コントローラ７Ｂ、ボンディング用温度コントローラ７
Ａ及び冷却用温度コントローラ７Ｃ）が設けられてい
る。なお、半導体チップ２が載置されたリードフレーム
１は搬送手段（図示せず）により搬送されるようになっ
ている。
【００２２】また、リードフレームの温度の制御手順に
ついて以下に説明する。図２はリードフレームの温度の
制御手順を示すフローチャート図である。
【００２３】図２に示すように、先ず、温度センサ５Ａ
乃至５Ｃはリードフレーム１の温度を検出しその温度信
号を温度コントローラ７Ａ乃至７Ｃに出力する（ステッ
プＳ１）。
【００２４】次に、温度コントローラ７Ａ乃至７Ｃは入
力された温度信号を予め設定されたボンディングに適正
な温度であるか判定し、適正な温度であると判定した場
合は温度センサ５Ａ乃至５Ｃに温度検出を継続させるよ
うにフィードバックを行なう。一方、適正な温度でない
と判定した場合は、リードフレーム１を適正温度にする
ために高熱エアガン６Ａ乃至６Ｃに窒素ガスの温度を調
節させる信号を出力する共に、窒素ガスバルブ８Ａ乃至
８Ｃに窒素ガス流量を調整させる信号を出力する（ステ
ップＳ２）。
【００２５】次に、高熱エアガン６Ａ乃至６Ｃは噴射さ
れる窒素ガスの温度を調節する（ステップＳ３）と共
に、窒素ガスバルブ８Ａ乃至８Ｃは窒素ガスの流量を調
節する（ステップＳ４）。
【００２６】この制御がフィードバックされボンディン
グ工程が終了するまで継続されることにより、リードフ
レーム１の温度はボンディングに最適な温度に調節され
て維持される。
【００２７】このように構成された本発明の実施例のワ
イヤボンディング装置においては、先ず、搬送装置によ
り、半導体チップ２が載置されたリードフレーム１を予
熱を行なう領域からボンディングを行なう領域を経由し
て冷却を行なう領域に向けて搬送する。次に、予熱処理
を行なう領域において、リードフレーム１の下方から予
備加熱用高熱エアガン６Ｂは高温に加熱された窒素ガス
をノズル１０Ｂからリードフレーム１に向けて噴射する
ことにより、リードフレーム１を予熱する。次に、ボン
ディングの加熱処理を行なう領域において、リードフレ
ーム１の下方からボンディング用高熱エアガン６Ａは高
温に加熱された窒素ガスをノズル１０Ａからリードフレ
ーム１に向けて噴射することにより、リードフレーム１
を更に加熱しボンディングに最適な温度（一般的に、２
００℃程度）にした後、キャピラリ４によりボンディン
グワイヤ３が打たれ、半導体チップの電極とリードフレ
ームとが接続される。加熱され高温になったリードフレ
ーム１がすぐに大気中に曝されると酸化が促進されるた
め、次に、冷却を行なう領域において、リードフレーム
１の下方から冷却用エアガン６Ｃは低温の窒素ガスをノ
ズル１０Ｃから噴射することにより、リードフレーム１
の温度を常温に近い約３０℃乃至２５℃に下降させた
後、リードフレーム１を大気に曝す。なお、各エアガン
に対応する温度コントローラ７Ａ、７Ｂ及び７Ｃは、対
応するエアガンから噴射される窒素ガスの温度を制御し
て、各工程において設定された適正温度になるようにリ
ードフレーム１の温度を調節する。
【００２８】このように、本実施例においては、加熱し
た窒素ガスを噴射する高熱エアガン６Ａ乃至６Ｃを使用
してリードフレーム１を加熱しているので、ヒートブロ
ックを使用する場合と比較して、リードフレーム１を加
熱する際の温度調整が容易であり、リードフレーム１を
過度に加熱することがないため、リードフレーム１が過
度に酸化することがなくボンディングを行なうことがで
きる。
【００２９】また、非接触型の温度センサ５Ａ乃至５Ｃ
によりリードフレーム１の温度を測定しているため高精
度に温度を検出することができる共に、温度コントロー
ラ７Ａ乃至７Ｃにより高熱エアガン６Ａ乃至６Ｃにおけ
る窒素ガスの加熱温度及び窒素ガスバルブ８Ａ乃至８Ｃ
における窒素ガスの流量を調整しているので、リードフ
レーム１を安定してボンディングに最適な温度に維持す
ることができる。
【００３０】更に、従来のように熱容量の大きいヒート
ブロックを使用せず、ガスにより加熱しているため、リ
ードフレーム１に微妙且つ短時間で熱を伝えることがで
きるので、加熱温度の初期設定時にリードフレーム１を
ボンディングに最適な温度にするまでの時間を短くする
ことができる。
【００３１】
【００３２】
【００３３】
【００３４】
【００３５】
【００３６】
【００３７】
【００３８】このように、本発明の実施例においては、
ボンディングを行なう前にリードフレーム１の予熱を行
なうことができると共に、ボンディングを行なった後に
リードフレーム１の冷却を行なうことができるため、ボ
ンディング工程における加熱時間を短くすることができ
ると共に、リードフレーム１の酸化の防止効果を更に向
上させることができる。
【００３９】なお、本実施例においては、窒素ガスを使
用しているが、本発明においては、これに限らず、他の
不活性ガス、又は、所望の特性を持つ他のガスを使用す
ることができる。
【００４０】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
リードフレームを過度に加熱することがないため、リー
ドフレームが過度に酸化することがなくボンディングを
行なうことができる。また、リードフレームに微妙且つ
短時間で熱を伝えることができるので、加熱温度の初期
設定時にリードフレームをボンディングに最適な温度に
するまでの時間を短くすることができる。また、温度セ
ンサと、温度制御手段とが設けられていると、ガス噴出
手段から噴射されるガスの温度を調節することができる
ため、リードフレームを安定してボンディングに最適な
温度に維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に係るワイヤボンディング装置
を示す模式図である。
【図２】リードフレームの温度の制御手順を示すフロー
チャート図である。
【符号の説明】
１；リードフレーム ２；半導体チップ ３；ボンディングワイヤ ４；キャピラリ ５Ａ；予備加熱用温度センサ ５Ｂ；ボンディング用温度センサ ５Ｃ；冷却用温度センサ ６Ａ；予備加熱用高熱エアガン ６Ｂ；ボンディング用高熱エアガン ６Ｃ；冷却用エアガン ７Ａ；予備加熱用温度コントローラ ７Ｂ；ボンディング用温度コントローラ ７Ｃ；冷却用温度コントローラ ８Ａ、８Ｂ、８Ｃ；窒素ガスバルブ １０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ；ノズル １１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ；窒素ガス供給管
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−76729（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−25140（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−37737（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−136538（ＪＰ，Ａ) 実開 平４−70737（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60 H01L 21/50 H01L 23/50

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体チップの電極とリードフレームと
    をボンディングワイヤにより接続するワイヤボンディン
    グ装置において、前記リードフレームに加熱ガスを噴射
    して前記リードフレームを加熱する第１のガス噴射手段
    と、リードフレームの進行方向における前記第１のガス
    噴射手段よりも下流側に配置され、前記リードフレーム
    に冷却ガスを噴射することにより前記リードフレームを
    冷却する第２のガス噴射手段と、を有することを特徴と
    するワイヤボンディング装置。
  2. 【請求項２】 リードフレームの進行方向における前記
    第１のガス噴射手段よりも上流側に配置され、前記リー
    ドフレームに加熱ガスを噴射することにより前記リード
    フレームを予熱する第３のガス噴射手段を有することを
    特徴とする請求項１に記載のワイヤボンディング装置。
  3. 【請求項３】 前記リードフレームの温度を検出する非
    接触式の温度センサと、前記温度センサが検出した温度
    に基づき前記リードフレームが所定の温度に近づくよう
    に前記第１のガス噴射手段、第２のガス噴射手段及び第
    ３のガス噴射手段からなる群から選択された少なくとも
    １つのガス噴射手段から噴射されるガスの温度を調節す
    る温度制御手段と、を有することを特徴とする請求項１
    又は２のいずれか１項に記載のワイヤボンディング装
    置。
  4. 【請求項４】 前記第１のガス噴射手段、第２のガス噴
    射手段及び第３のガス噴射手段からなる群から選択され
    た少なくとも１つのガス噴射手段へのガスの流量を調節
    するガス流量調節手段を有し、このガス流量調節手段は
    前記温度制御手段により前記リードフレームが所定の温
    度に近づくようにガスの流量が調節されるものであるこ
    とを特徴とする請求項３に記載のワイヤボンディング装
    置。
  5. 【請求項５】 前記ガスは不活性ガスであることを特徴
    とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のワイヤボ
    ンディング装置。
  6. 【請求項６】 前記不活性ガスは窒素ガスであることを
    特徴とする請求項５に記載のワイヤボンディング装置。
JP03491099A 1999-02-12 1999-02-12 ワイヤボンディング装置 Expired - Fee Related JP3194378B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP03491099A JP3194378B2 (ja) 1999-02-12 1999-02-12 ワイヤボンディング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP03491099A JP3194378B2 (ja) 1999-02-12 1999-02-12 ワイヤボンディング装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000235991A JP2000235991A (ja) 2000-08-29
JP3194378B2 true JP3194378B2 (ja) 2001-07-30

Family

ID=12427371

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP03491099A Expired - Fee Related JP3194378B2 (ja) 1999-02-12 1999-02-12 ワイヤボンディング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3194378B2 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100401017B1 (ko) * 1999-09-07 2003-10-08 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 히트블럭 및 이를 이용한 반도체패키지의 제조방법
JP4014579B2 (ja) 2004-04-01 2007-11-28 沖電気工業株式会社 ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法
CN104084659B (zh) * 2014-07-02 2016-04-20 佛山市施翔腾科技设备有限公司 采用热风焊接方法制备晶体管的生产方法
CN112620863B (zh) * 2020-12-07 2022-12-06 科大讯飞股份有限公司 风枪控制系统及方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000235991A (ja) 2000-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2793528B2 (ja) ハンダ付け方法、ハンダ付け装置
US6491202B1 (en) Wire bonding apparatus and method
US20080179378A1 (en) Method of forming bumps on a wafer utilizing a post-heating operation, and an apparatus therefore
JP3194378B2 (ja) ワイヤボンディング装置
US5934996A (en) Semiconductor assembling method and apparatus
KR101006632B1 (ko) 감압식 가열 장치와 그 가열 방법 및 전자 제품의 제조 방법
WO2007077727A1 (ja) リフロー装置
CN113020742B (zh) 一种提高焊接精准度的焊线机
JP2005294621A (ja) ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法
KR100724587B1 (ko) 솔더 다이본딩 및 에폭시 다이본딩 겸용 다이본딩 장치 및이를 이용한 다이본딩 방법
JP2001110840A (ja) ワイヤボンド装置及び方法
JP2829471B2 (ja) ワイヤボンダ
JP3633442B2 (ja) 半導体装置の製造方法及びその製造装置
JP3178518B2 (ja) リードフレームの加熱装置
JP3184621B2 (ja) ボンディング装置
JP3377660B2 (ja) 加熱炉およびダイボンドペーストの硬化方法
JPH09275107A (ja) 電極形成のための転写方法および装置
KR0164131B1 (ko) 와이어 본딩용 히터 블럭
JPH03102842A (ja) 半導体のワイヤボンディング装置
JP2818870B2 (ja) ワイヤボンディング装置
KR20010065754A (ko) 열화를 억제하는 와이어 본딩 방법
JPH11145610A (ja) リフロー装置
JP2018147911A (ja) ボンディングヘッド冷却システムおよびこれを備えた実装装置ならびに実装方法
JPH11111786A (ja) ボンディングツール
JPH10214851A (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees