JPH11145610A - リフロー装置 - Google Patents
リフロー装置Info
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- JPH11145610A JPH11145610A JP30853397A JP30853397A JPH11145610A JP H11145610 A JPH11145610 A JP H11145610A JP 30853397 A JP30853397 A JP 30853397A JP 30853397 A JP30853397 A JP 30853397A JP H11145610 A JPH11145610 A JP H11145610A
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- sided mounting
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- furnace
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3494—Heating methods for reflowing of solder
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 両面実装基板のリフローはんだ付けを容易に
行えるリフロー装置を提供する。 【解決手段】 両面実装基板Ｗの供給を受けるリフロー
炉体14内に、両面実装基板Ｗの上面を加熱する加熱手段
22と、両面実装基板Ｗの下面に低温の不活性ガスを供給
する不活性ガス供給手段31とを設ける。不活性ガス供給
手段31は、基板検出センサ37による両面実装基板Ｗの検
出と連通して、制御弁34により不活性ガスの供給量を制
御する。
行えるリフロー装置を提供する。 【解決手段】 両面実装基板Ｗの供給を受けるリフロー
炉体14内に、両面実装基板Ｗの上面を加熱する加熱手段
22と、両面実装基板Ｗの下面に低温の不活性ガスを供給
する不活性ガス供給手段31とを設ける。不活性ガス供給
手段31は、基板検出センサ37による両面実装基板Ｗの検
出と連通して、制御弁34により不活性ガスの供給量を制
御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、不活性雰囲気中で
はんだ付けを行うリフロー装置に関するものである。
はんだ付けを行うリフロー装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、両面実装基板をリフロー装置によ
りはんだ付けする場合、基板の下面側に位置する実装部
品は、事前に接着剤により基板に接着し、その接着剤を
硬化炉で硬化させておく必要がある。
りはんだ付けする場合、基板の下面側に位置する実装部
品は、事前に接着剤により基板に接着し、その接着剤を
硬化炉で硬化させておく必要がある。
【０００３】このようにしないと、基板の上面に搭載さ
れた実装部品をリフローするときに、基板の下面にはん
だ付け済みの実装部品のはんだも再溶融して、その下面
側の実装部品が炉体内に落下するおそれがある。
れた実装部品をリフローするときに、基板の下面にはん
だ付け済みの実装部品のはんだも再溶融して、その下面
側の実装部品が炉体内に落下するおそれがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来は、
両面実装基板をリフロー装置にてはんだ付けする場合、
実装部品を接着する工程と、接着剤を硬化させる工程と
が必要になり、はんだ付けに要する工程が複雑になって
いる。
両面実装基板をリフロー装置にてはんだ付けする場合、
実装部品を接着する工程と、接着剤を硬化させる工程と
が必要になり、はんだ付けに要する工程が複雑になって
いる。
【０００５】本発明は、このような点に鑑みなされたも
ので、両面実装基板のはんだ付けを容易に行えるリフロ
ー装置を提供することを目的とするものである。
ので、両面実装基板のはんだ付けを容易に行えるリフロ
ー装置を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載された発
明は、両面実装基板の供給を受ける炉体と、炉体内に設
けられ両面実装基板の上面を加熱する加熱手段と、炉体
内に設けられ両面実装基板の下面に低温の不活性ガスを
供給する不活性ガス供給手段とを具備したリフロー装置
である。
明は、両面実装基板の供給を受ける炉体と、炉体内に設
けられ両面実装基板の上面を加熱する加熱手段と、炉体
内に設けられ両面実装基板の下面に低温の不活性ガスを
供給する不活性ガス供給手段とを具備したリフロー装置
である。
【０００７】そして、加熱手段により両面実装基板の上
面を加熱するとともに、不活性ガス供給手段から両面実
装基板の下面に低温の不活性ガスを供給してこの両面実
装基板下面を冷却することにより、両面実装基板上面の
実装部品はリフローによりはんだ付けし、両面実装基板
下面の実装部品は、はんだの再溶融による落下を防止す
る。
面を加熱するとともに、不活性ガス供給手段から両面実
装基板の下面に低温の不活性ガスを供給してこの両面実
装基板下面を冷却することにより、両面実装基板上面の
実装部品はリフローによりはんだ付けし、両面実装基板
下面の実装部品は、はんだの再溶融による落下を防止す
る。
【０００８】請求項２に記載された発明は、請求項１記
載のリフロー装置において、両面実装基板を炉体内に搬
入する基板搬送手段と、この基板搬送手段により炉体内
に搬入される両面実装基板を検出して不活性ガスの供給
量を制御する基板検出センサとを具備したものである。
載のリフロー装置において、両面実装基板を炉体内に搬
入する基板搬送手段と、この基板搬送手段により炉体内
に搬入される両面実装基板を検出して不活性ガスの供給
量を制御する基板検出センサとを具備したものである。
【０００９】そして、基板搬送手段により炉体内に搬入
された両面実装基板の上面が加熱を受けている間は、そ
の状態を基板検出センサにより検出して、両面実装基板
の下面に低温の不活性ガスを十分に供給し、両面実装基
板下面でのはんだの再溶融を防止し、炉体内に両面実装
基板がないときは、炉体内雰囲気を必要な不活性雰囲気
に保てる限度内で、不活性ガスの供給量を減少または停
止させる。
された両面実装基板の上面が加熱を受けている間は、そ
の状態を基板検出センサにより検出して、両面実装基板
の下面に低温の不活性ガスを十分に供給し、両面実装基
板下面でのはんだの再溶融を防止し、炉体内に両面実装
基板がないときは、炉体内雰囲気を必要な不活性雰囲気
に保てる限度内で、不活性ガスの供給量を減少または停
止させる。
【００１０】請求項３に記載された発明は、請求項１ま
たは２記載のリフロー装置における不活性ガス供給手段
が、不活性ガス流量を制御する制御弁を具備したもので
ある。
たは２記載のリフロー装置における不活性ガス供給手段
が、不活性ガス流量を制御する制御弁を具備したもので
ある。
【００１１】そして、炉体内に両面実装基板があるとき
は、制御弁を開いて、炉体内に供給される不活性ガス流
量を多く制御し、炉体内に両面実装基板がないときは、
制御弁を絞ったり閉じたりして、不活性ガスの供給量を
炉体内雰囲気の酸素濃度に応じて、減少または停止させ
る。
は、制御弁を開いて、炉体内に供給される不活性ガス流
量を多く制御し、炉体内に両面実装基板がないときは、
制御弁を絞ったり閉じたりして、不活性ガスの供給量を
炉体内雰囲気の酸素濃度に応じて、減少または停止させ
る。
【００１２】請求項４に記載された発明は、請求項１乃
至３のいずれかに記載のリフロー装置における不活性ガ
ス供給手段が、両面実装基板の幅方向に配置され不活性
ガスを吹出す複数のノズルと、各々のノズルの不活性ガ
ス供給元側にそれぞれ設けられ不活性ガス流量を個々に
調整する個別調整弁とを具備したものである。
至３のいずれかに記載のリフロー装置における不活性ガ
ス供給手段が、両面実装基板の幅方向に配置され不活性
ガスを吹出す複数のノズルと、各々のノズルの不活性ガ
ス供給元側にそれぞれ設けられ不活性ガス流量を個々に
調整する個別調整弁とを具備したものである。
【００１３】そして、両面実装基板の幅内に位置するノ
ズルの個別調整弁は開くとともに、両面実装基板の幅か
らはみ出したノズルの個別調整弁は閉じるか絞るかし
て、両面実装基板の幅寸法に応じた不活性ガス流量を供
給する。
ズルの個別調整弁は開くとともに、両面実装基板の幅か
らはみ出したノズルの個別調整弁は閉じるか絞るかし
て、両面実装基板の幅寸法に応じた不活性ガス流量を供
給する。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示された実
施の一形態を参照しながら説明する。
施の一形態を参照しながら説明する。
【００１５】図１は、リフロー装置の全体を示し、プリ
ント配線基板の両面に部品を実装された両面実装基板Ｗ
の供給を受ける第１プリヒート炉体11と、第２プリヒー
ト炉体12と、第３プリヒート炉体13と、リフロー炉体14
とが、それらの間に介在するダクト部15，16，17により
順次連結されている。
ント配線基板の両面に部品を実装された両面実装基板Ｗ
の供給を受ける第１プリヒート炉体11と、第２プリヒー
ト炉体12と、第３プリヒート炉体13と、リフロー炉体14
とが、それらの間に介在するダクト部15，16，17により
順次連結されている。
【００１６】第１プリヒート炉体11には基板搬入口18が
設けられ、リフロー炉体14には基板搬出口19が設けられ
ている。そして、基板搬入口18から基板搬出口19にわた
って、各炉体内および各ダクト部内を貫通して、両面実
装基板Ｗを各炉体内に搬入する基板搬送手段21が設けら
れている。
設けられ、リフロー炉体14には基板搬出口19が設けられ
ている。そして、基板搬入口18から基板搬出口19にわた
って、各炉体内および各ダクト部内を貫通して、両面実
装基板Ｗを各炉体内に搬入する基板搬送手段21が設けら
れている。
【００１７】各炉体11〜14内には、両面実装基板Ｗの上
面を加熱する加熱手段22が設けられている。この加熱手
段22は、ヒータ23とファン24とにより形成され、ヒータ
23により加熱された炉体内雰囲気をファン24により両面
実装基板Ｗに吹付けて対流させる熱風加熱を行う。
面を加熱する加熱手段22が設けられている。この加熱手
段22は、ヒータ23とファン24とにより形成され、ヒータ
23により加熱された炉体内雰囲気をファン24により両面
実装基板Ｗに吹付けて対流させる熱風加熱を行う。
【００１８】リフロー炉体14の上部には、窒素ガスなど
の不活性ガスを炉体内に供給して炉体内雰囲気を不活性
雰囲気に保つことで炉体内雰囲気を低酸素濃度に維持す
るための不活性ガス供給手段25が設けられている。
の不活性ガスを炉体内に供給して炉体内雰囲気を不活性
雰囲気に保つことで炉体内雰囲気を低酸素濃度に維持す
るための不活性ガス供給手段25が設けられている。
【００１９】この不活性ガス供給手段25は、リフロー炉
体14の上部に管状のノズル26が下向きに配置され、この
ノズル26に不活性ガスを供給する管路27が接続され、こ
の管路27中に不活性ガス流量をオン・オフ動作またはア
ナログ動作で制御する制御弁28が設けられ、この制御弁
28は管路にて窒素ガスなどの不活性ガスの供給源である
不活性ガス発生装置29に接続されている。
体14の上部に管状のノズル26が下向きに配置され、この
ノズル26に不活性ガスを供給する管路27が接続され、こ
の管路27中に不活性ガス流量をオン・オフ動作またはア
ナログ動作で制御する制御弁28が設けられ、この制御弁
28は管路にて窒素ガスなどの不活性ガスの供給源である
不活性ガス発生装置29に接続されている。
【００２０】さらに、リフロー炉体14内の基板搬送手段
21より下側には、両面実装基板Ｗの下面に低温、例えば
常温の不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段31が設
けられている。この不活性ガス供給手段31は、炉体内雰
囲気を不活性雰囲気に保つ機能も有する。
21より下側には、両面実装基板Ｗの下面に低温、例えば
常温の不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段31が設
けられている。この不活性ガス供給手段31は、炉体内雰
囲気を不活性雰囲気に保つ機能も有する。
【００２１】この不活性ガス供給手段31は、基板搬送手
段21の下側に管状のノズル32が上向きに配置され、この
ノズル32に不活性ガスを供給する管路33が接続され、こ
の管路33中に不活性ガス流量をオン・オフ動作またはア
ナログ動作で制御する制御弁34が設けられ、この制御弁
34は管路にて前記不活性ガス発生装置29に接続されてい
る。
段21の下側に管状のノズル32が上向きに配置され、この
ノズル32に不活性ガスを供給する管路33が接続され、こ
の管路33中に不活性ガス流量をオン・オフ動作またはア
ナログ動作で制御する制御弁34が設けられ、この制御弁
34は管路にて前記不活性ガス発生装置29に接続されてい
る。
【００２２】第３プリヒート炉体13とリフロー炉体14と
の間のダクト部17には、リフロー炉体14内の両面実装基
板Ｗを検出して不活性ガスの供給量を制御する基板検出
センサ37が設けられている。
の間のダクト部17には、リフロー炉体14内の両面実装基
板Ｗを検出して不活性ガスの供給量を制御する基板検出
センサ37が設けられている。
【００２３】この基板検出センサ37は、両面実装基板Ｗ
の有無を検出するフォトセンサであるが、基板搬送手段
21の駆動部に設けられたパルス発生装置38から両面実装
基板搬送速度と同調して発生するパルス信号があるた
め、両面実装基板有り状態でのパルス数から、両面実装
基板Ｗの長さを検出できるとともに、両面実装基板Ｗが
リフロー炉体14内でリフロー加熱を開始されるタイミン
グおよび終了されるタイミングを検出することができ
る。
の有無を検出するフォトセンサであるが、基板搬送手段
21の駆動部に設けられたパルス発生装置38から両面実装
基板搬送速度と同調して発生するパルス信号があるた
め、両面実装基板有り状態でのパルス数から、両面実装
基板Ｗの長さを検出できるとともに、両面実装基板Ｗが
リフロー炉体14内でリフロー加熱を開始されるタイミン
グおよび終了されるタイミングを検出することができ
る。
【００２４】これにより、基板搬送手段21によりリフロ
ー炉体14内に搬入された両面実装基板Ｗの上面が加熱を
受けている状態を、基板検出センサ37により間接的に検
出できる。
ー炉体14内に搬入された両面実装基板Ｗの上面が加熱を
受けている状態を、基板検出センサ37により間接的に検
出できる。
【００２５】図２は、前記下側の不活性ガス供給手段31
を示し、複数の管状のノズル32a ，32b ，32c ，32d が
両面実装基板Ｗの幅方向に配置され、各ノズル32a 〜32
d の上面部には不活性ガスを吹出すための複数の噴出孔
39が配列されている。
を示し、複数の管状のノズル32a ，32b ，32c ，32d が
両面実装基板Ｗの幅方向に配置され、各ノズル32a 〜32
d の上面部には不活性ガスを吹出すための複数の噴出孔
39が配列されている。
【００２６】各ノズル32a 〜32d の不活性ガス供給元側
の管路33a ，33b ，33c ，33d には、不活性ガス流量を
個々にオン・オフ動作またはアナログ動作で調整する個
別調整弁35a ，35b ，35c ，35d がそれぞれ介在され、
さらに、前記制御弁34を介して前記不活性ガス発生装置
29が接続されている。
の管路33a ，33b ，33c ，33d には、不活性ガス流量を
個々にオン・オフ動作またはアナログ動作で調整する個
別調整弁35a ，35b ，35c ，35d がそれぞれ介在され、
さらに、前記制御弁34を介して前記不活性ガス発生装置
29が接続されている。
【００２７】図３に示されるように、基板搬送手段21
は、一対のレール41，42の内部にそれぞれ無端チェン
（図示せず）を摺動自在に設け、これらの無端チェンか
ら突出された搬送ピン43，44の間に両面実装基板Ｗを支
持しながら搬送するチェンコンベアであるが、一側のレ
ール41は常に定位置に固定された固定レールであるのに
対し、他側のレール42は両面実装基板Ｗの幅方向（図３
の左右方向）の寸法に応じてその幅方向に固定レールと
平行のまま移動調整される可動レールである。以下、一
側のレールを固定レール41とし、他側のレールを可動レ
ール42とする。
は、一対のレール41，42の内部にそれぞれ無端チェン
（図示せず）を摺動自在に設け、これらの無端チェンか
ら突出された搬送ピン43，44の間に両面実装基板Ｗを支
持しながら搬送するチェンコンベアであるが、一側のレ
ール41は常に定位置に固定された固定レールであるのに
対し、他側のレール42は両面実装基板Ｗの幅方向（図３
の左右方向）の寸法に応じてその幅方向に固定レールと
平行のまま移動調整される可動レールである。以下、一
側のレールを固定レール41とし、他側のレールを可動レ
ール42とする。
【００２８】この可動レール42の幅方向移動量はセンサ
（図示せず）により検出し、可動レール42の幅方向移動
量に応じて、前記個別調整弁35a 〜35d を自動的に調整
すると良い。例えば、図２および図３に示された基板幅
の場合、両面実装基板Ｗから外れたノズル32d の個別調
整弁35d は、閉じたり絞ったりすると良い。
（図示せず）により検出し、可動レール42の幅方向移動
量に応じて、前記個別調整弁35a 〜35d を自動的に調整
すると良い。例えば、図２および図３に示された基板幅
の場合、両面実装基板Ｗから外れたノズル32d の個別調
整弁35d は、閉じたり絞ったりすると良い。
【００２９】各炉体11〜14内には、各炉体内の雰囲気温
度を検出するための温度センサ（図示せず）が設けら
れ、また、リフロー炉体14内には、炉体内雰囲気の酸素
濃度を検出するための酸素濃度センサ（図示せず）が設
けられ、これらの温度センサ、酸素濃度センサ、前記基
板検出センサ37および前記パルス発生装置38などは、コ
ントローラ（図示せず）の信号入力部に接続されてい
る。
度を検出するための温度センサ（図示せず）が設けら
れ、また、リフロー炉体14内には、炉体内雰囲気の酸素
濃度を検出するための酸素濃度センサ（図示せず）が設
けられ、これらの温度センサ、酸素濃度センサ、前記基
板検出センサ37および前記パルス発生装置38などは、コ
ントローラ（図示せず）の信号入力部に接続されてい
る。
【００３０】このコントローラは、各炉体11〜14内の各
ヒータ23への通電量を制御して加熱温度を制御し、ま
た、リフロー炉体14内の酸素濃度センサ、基板検出セン
サ37およびパルス発生装置38などから得られた情報に基
づき、不活性ガスの供給に係る制御弁28，34および個別
調整弁35a 〜35d をそれぞれ制御する。その制御例は、
以下に説明する。
ヒータ23への通電量を制御して加熱温度を制御し、ま
た、リフロー炉体14内の酸素濃度センサ、基板検出セン
サ37およびパルス発生装置38などから得られた情報に基
づき、不活性ガスの供給に係る制御弁28，34および個別
調整弁35a 〜35d をそれぞれ制御する。その制御例は、
以下に説明する。
【００３１】次に、この図示された実施形態の作用を説
明する。
明する。
【００３２】第１プリヒート炉体11、第２プリヒート炉
体12および第３プリヒート炉体13の各加熱手段22により
両面実装基板Ｗの上面側の温度を所定の温度プロファイ
ルで上昇させ、リフロー炉体14の加熱手段22により両面
実装基板Ｗの上面側をリフロー温度で加熱し、基板と部
品との間のソルダペーストを溶融し、はんだ付けする。
体12および第３プリヒート炉体13の各加熱手段22により
両面実装基板Ｗの上面側の温度を所定の温度プロファイ
ルで上昇させ、リフロー炉体14の加熱手段22により両面
実装基板Ｗの上面側をリフロー温度で加熱し、基板と部
品との間のソルダペーストを溶融し、はんだ付けする。
【００３３】このはんだ付けにおいて、リフロー炉体14
内に設けられた図示されない酸素濃度センサによりリフ
ロー炉体14内の酸素濃度を検出し、酸素濃度センサから
情報を得た図示されないコントローラにより、リフロー
炉体14内の酸素濃度に応じて、上側の不活性ガス供給手
段25における制御弁28の開度をオン・オフ動作またはア
ナログ動作で制御して、原則として上側のノズル26から
の不活性ガス供給により、炉体内雰囲気を希望する低酸
素濃度に維持する。
内に設けられた図示されない酸素濃度センサによりリフ
ロー炉体14内の酸素濃度を検出し、酸素濃度センサから
情報を得た図示されないコントローラにより、リフロー
炉体14内の酸素濃度に応じて、上側の不活性ガス供給手
段25における制御弁28の開度をオン・オフ動作またはア
ナログ動作で制御して、原則として上側のノズル26から
の不活性ガス供給により、炉体内雰囲気を希望する低酸
素濃度に維持する。
【００３４】一方、下側の不活性ガス供給手段31は、両
面実装基板Ｗの下面側の冷却に必要な不活性ガス流量を
供給するので、上側の不活性ガス供給手段25からの不活
性ガス供給流量を維持した場合は、この下面冷却用の不
活性ガス流量が加算されて、リフロー炉体14内の炉体内
酸素濃度はさらに低下する。
面実装基板Ｗの下面側の冷却に必要な不活性ガス流量を
供給するので、上側の不活性ガス供給手段25からの不活
性ガス供給流量を維持した場合は、この下面冷却用の不
活性ガス流量が加算されて、リフロー炉体14内の炉体内
酸素濃度はさらに低下する。
【００３５】これに対し、下側の不活性ガス供給手段31
による両面実装基板冷却用の不活性ガス流量があるとき
は、その分だけ、上側の不活性ガス供給手段25からの不
活性ガス供給流量を減少させるように、両方の制御弁2
8，34を連動制御するようにしても良い。
による両面実装基板冷却用の不活性ガス流量があるとき
は、その分だけ、上側の不活性ガス供給手段25からの不
活性ガス供給流量を減少させるように、両方の制御弁2
8，34を連動制御するようにしても良い。
【００３６】この場合は、両面実装基板Ｗの下面を冷却
するための不活性ガスが、リフロー炉体14内の炉体内雰
囲気の酸素濃度を基準値に保つためにも使われることを
考慮して、両方の不活性ガス供給手段25，31から供給さ
れる不活性ガスの総流量を正確に制御できる。
するための不活性ガスが、リフロー炉体14内の炉体内雰
囲気の酸素濃度を基準値に保つためにも使われることを
考慮して、両方の不活性ガス供給手段25，31から供給さ
れる不活性ガスの総流量を正確に制御できる。
【００３７】いずれにしても、リフロー中は、上側の加
熱手段22により両面実装基板Ｗの上面を加熱するととも
に、下側の不活性ガス供給手段31から両面実装基板Ｗの
下面に低温の不活性ガスを供給して両面実装基板下面を
冷却することにより、両面実装基板上面の実装部品は高
温のリフロー温度によりはんだ付けし、両面実装基板下
面の実装部品は、その部品の温度上昇を抑制して、はん
だの再溶融による落下を防止する。
熱手段22により両面実装基板Ｗの上面を加熱するととも
に、下側の不活性ガス供給手段31から両面実装基板Ｗの
下面に低温の不活性ガスを供給して両面実装基板下面を
冷却することにより、両面実装基板上面の実装部品は高
温のリフロー温度によりはんだ付けし、両面実装基板下
面の実装部品は、その部品の温度上昇を抑制して、はん
だの再溶融による落下を防止する。
【００３８】すなわち、下側の不活性ガス供給手段31
は、基板搬送手段21によりリフロー炉体14内に搬入され
た両面実装基板Ｗの上面が加熱を受けている間は、その
状態を基板検出センサ37により検出して、制御弁34によ
り、両面実装基板Ｗの下面に低温の不活性ガスを十分に
供給し、両面実装基板下面での部品の温度上昇を抑制し
て、はんだの再溶融を防止する。
は、基板搬送手段21によりリフロー炉体14内に搬入され
た両面実装基板Ｗの上面が加熱を受けている間は、その
状態を基板検出センサ37により検出して、制御弁34によ
り、両面実装基板Ｗの下面に低温の不活性ガスを十分に
供給し、両面実装基板下面での部品の温度上昇を抑制し
て、はんだの再溶融を防止する。
【００３９】一方、リフロー炉体14内に両面実装基板Ｗ
がないときは、炉体内雰囲気を必要な不活性雰囲気に保
てる限度内で、下側からの不活性ガスの供給量を制御弁
34により減少または停止させる。
がないときは、炉体内雰囲気を必要な不活性雰囲気に保
てる限度内で、下側からの不活性ガスの供給量を制御弁
34により減少または停止させる。
【００４０】要するに、制御弁34は、リフロー炉体14内
に両面実装基板Ｗがあるときは開いて、炉体内に供給さ
れる不活性ガス流量を多く制御し、リフロー炉体14内に
両面実装基板Ｗがないときは、絞ったり閉じたりして、
不活性ガスの供給量を炉体内雰囲気の酸素濃度に応じ
て、減少または停止させる。
に両面実装基板Ｗがあるときは開いて、炉体内に供給さ
れる不活性ガス流量を多く制御し、リフロー炉体14内に
両面実装基板Ｗがないときは、絞ったり閉じたりして、
不活性ガスの供給量を炉体内雰囲気の酸素濃度に応じ
て、減少または停止させる。
【００４１】次に、下側の不活性ガス供給手段31のみに
より炉体内雰囲気の酸素濃度を制御するようにしても良
い。
より炉体内雰囲気の酸素濃度を制御するようにしても良
い。
【００４２】例えば、リフロー炉体14内にて、炉体内雰
囲気の酸素濃度が高いときは、両面実装基板Ｗがないと
きでも、炉体内雰囲気を必要な不活性雰囲気に回復する
ように、十分な不活性ガスを、下側のノズル32から炉体
内に供給する。
囲気の酸素濃度が高いときは、両面実装基板Ｗがないと
きでも、炉体内雰囲気を必要な不活性雰囲気に回復する
ように、十分な不活性ガスを、下側のノズル32から炉体
内に供給する。
【００４３】一方、炉体内雰囲気の酸素濃度が基準値以
下であれば、両面実装基板Ｗがリフロー炉体14内に搬入
されたときのみ、両面実装基板Ｗの下面の冷却に必要な
不活性ガスを供給する。
下であれば、両面実装基板Ｗがリフロー炉体14内に搬入
されたときのみ、両面実装基板Ｗの下面の冷却に必要な
不活性ガスを供給する。
【００４４】次に、図２に示されるように、ノズル32の
個別調整弁35a 〜35d は、両面実装基板Ｗの幅内に位置
するものは開くとともに、両面実装基板Ｗの幅からはみ
出したものは閉じるか絞るかして、両面実装基板Ｗの幅
寸法に応じた不活性ガス流量を供給する。
個別調整弁35a 〜35d は、両面実装基板Ｗの幅内に位置
するものは開くとともに、両面実装基板Ｗの幅からはみ
出したものは閉じるか絞るかして、両面実装基板Ｗの幅
寸法に応じた不活性ガス流量を供給する。
【００４５】例えば、図３に示されるように、両面実装
基板Ｗを搬送するチェンコンベアの可動レール42を固定
レール41側に移動調整したとき、そのレール移動量に応
じてノズル32d の個別調整弁35d を自動的に制御して、
両面実装基板Ｗと対向しない不要なノズル32d からの不
活性ガスの吹出を停止すると良い。
基板Ｗを搬送するチェンコンベアの可動レール42を固定
レール41側に移動調整したとき、そのレール移動量に応
じてノズル32d の個別調整弁35d を自動的に制御して、
両面実装基板Ｗと対向しない不要なノズル32d からの不
活性ガスの吹出を停止すると良い。
【００４６】さらに、両面実装基板Ｗの幅方向位置によ
り基板実装部品の熱容量が異なる場合は、それに応じて
ノズル32a 〜32d の個別調整弁35a 〜35d を制御すると
良い。
り基板実装部品の熱容量が異なる場合は、それに応じて
ノズル32a 〜32d の個別調整弁35a 〜35d を制御すると
良い。
【００４７】例えば、両面実装基板Ｗの幅方向中央に配
列された基板下面の実装部品の熱容量が小さい場合は、
その実装部品が温度上昇しやすく、はんだの再溶融によ
り落下しやすいので、この中央の実装部品と対応するノ
ズル32b に供給される不活性ガス流量を個別調整弁35b
により増大させ、中央の実装部品を重点的に冷却して、
他の部分より冷却効果を高めるようにすると良い。
列された基板下面の実装部品の熱容量が小さい場合は、
その実装部品が温度上昇しやすく、はんだの再溶融によ
り落下しやすいので、この中央の実装部品と対応するノ
ズル32b に供給される不活性ガス流量を個別調整弁35b
により増大させ、中央の実装部品を重点的に冷却して、
他の部分より冷却効果を高めるようにすると良い。
【００４８】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、加熱手段
により両面実装基板の上面を加熱するとともに、不活性
ガス供給手段から両面実装基板の下面に低温の不活性ガ
スを供給してこの両面実装基板下面を冷却するから、両
面実装基板下面での実装部品の温度上昇を抑制して、は
んだの再溶融による部品落下を防止でき、実装部品を接
着剤により接着したり例えば硬化炉などで接着剤を硬化
させる必要がなくなり、両面実装基板のはんだ付けを容
易に行える。
により両面実装基板の上面を加熱するとともに、不活性
ガス供給手段から両面実装基板の下面に低温の不活性ガ
スを供給してこの両面実装基板下面を冷却するから、両
面実装基板下面での実装部品の温度上昇を抑制して、は
んだの再溶融による部品落下を防止でき、実装部品を接
着剤により接着したり例えば硬化炉などで接着剤を硬化
させる必要がなくなり、両面実装基板のはんだ付けを容
易に行える。
【００４９】請求項２記載の発明によれば、基板搬送手
段により炉体内に搬入される両面実装基板を基板検出セ
ンサにより検出して不活性ガスの供給量を制御するか
ら、炉体内の両面実装基板上面が加熱を受けている間
は、その状態を基板検出センサにより検出して、両面実
装基板の下面に低温の不活性ガスを十分に供給すること
で、両面実装基板下面でのはんだ再溶融を防止できると
ともに、炉体内に両面実装基板がないときは、不活性ガ
スの供給量を減少または停止させて、不活性ガスの消費
量を節約できる。
段により炉体内に搬入される両面実装基板を基板検出セ
ンサにより検出して不活性ガスの供給量を制御するか
ら、炉体内の両面実装基板上面が加熱を受けている間
は、その状態を基板検出センサにより検出して、両面実
装基板の下面に低温の不活性ガスを十分に供給すること
で、両面実装基板下面でのはんだ再溶融を防止できると
ともに、炉体内に両面実装基板がないときは、不活性ガ
スの供給量を減少または停止させて、不活性ガスの消費
量を節約できる。
【００５０】請求項３記載の発明によれば、不活性ガス
供給手段が、不活性ガス流量制御用の制御弁を備えてい
るから、炉体内の両面実装基板の有無、炉体内雰囲気の
酸素濃度などに応じて、炉体内に供給される不活性ガス
流量を適切に制御できる。
供給手段が、不活性ガス流量制御用の制御弁を備えてい
るから、炉体内の両面実装基板の有無、炉体内雰囲気の
酸素濃度などに応じて、炉体内に供給される不活性ガス
流量を適切に制御できる。
【００５１】請求項４記載の発明によれば、両面実装基
板の幅方向に不活性ガスを吹出す複数のノズルが配置さ
れ、各々のノズルの不活性ガス供給元側に不活性ガス流
量を個々に調整する個別調整弁がそれぞれ設けられたか
ら、両面実装基板の幅からはみ出したノズルの個別調整
弁は閉じるか絞るかして、不活性ガスの消費量を節約で
きる。
板の幅方向に不活性ガスを吹出す複数のノズルが配置さ
れ、各々のノズルの不活性ガス供給元側に不活性ガス流
量を個々に調整する個別調整弁がそれぞれ設けられたか
ら、両面実装基板の幅からはみ出したノズルの個別調整
弁は閉じるか絞るかして、不活性ガスの消費量を節約で
きる。
【図１】本発明に係るリフロー装置の断面図である。
【図２】同上リフロー装置における不活性ガス供給手段
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図３】同上リフロー装置における基板搬送手段と不活
性ガス供給手段との関係を示す正面図である。
性ガス供給手段との関係を示す正面図である。
Ｗ 両面実装基板 14 炉体 21 基板搬送手段 22 加熱手段 31 不活性ガス供給手段 32a 〜32d ノズル 34 制御弁 35a 〜35d 個別調整弁 37 基板検出センサ
Claims (4)
- 【請求項１】 両面実装基板の供給を受ける炉体と、 炉体内に設けられ両面実装基板の上面を加熱する加熱手
段と、 炉体内に設けられ両面実装基板の下面に低温の不活性ガ
スを供給する不活性ガス供給手段とを具備したことを特
徴とするリフロー装置。 - 【請求項２】 両面実装基板を炉体内に搬入する基板搬
送手段と、 この基板搬送手段により炉体内に搬入される両面実装基
板を検出して不活性ガスの供給量を制御する基板検出セ
ンサとを具備したことを特徴とする請求項１記載のリフ
ロー装置。 - 【請求項３】 不活性ガス供給手段は、 不活性ガス流量を制御する制御弁を具備したことを特徴
とする請求項１または２記載のリフロー装置。 - 【請求項４】 不活性ガス供給手段は、 両面実装基板の幅方向に配置され不活性ガスを吹出す複
数のノズルと、 各々のノズルの不活性ガス供給元側にそれぞれ設けられ
不活性ガス流量を個々に調整する個別調整弁とを具備し
たことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の
リフロー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30853397A JP4064508B2 (ja) | 1997-11-11 | 1997-11-11 | リフロー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30853397A JP4064508B2 (ja) | 1997-11-11 | 1997-11-11 | リフロー装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11145610A true JPH11145610A (ja) | 1999-05-28 |
| JP4064508B2 JP4064508B2 (ja) | 2008-03-19 |
Family
ID=17982185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30853397A Expired - Lifetime JP4064508B2 (ja) | 1997-11-11 | 1997-11-11 | リフロー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4064508B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003037357A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | はんだ付け方法及び加熱装置 |
-
1997
- 1997-11-11 JP JP30853397A patent/JP4064508B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003037357A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | はんだ付け方法及び加熱装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4064508B2 (ja) | 2008-03-19 |
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