JPH04356349A - 不活性ガスリフロー装置の雰囲気管理方法 - Google Patents
不活性ガスリフロー装置の雰囲気管理方法Info
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- JPH04356349A JPH04356349A JP12988291A JP12988291A JPH04356349A JP H04356349 A JPH04356349 A JP H04356349A JP 12988291 A JP12988291 A JP 12988291A JP 12988291 A JP12988291 A JP 12988291A JP H04356349 A JPH04356349 A JP H04356349A
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Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】〔発明の目的〕
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、窒素ガス等の不活性ガ
スを使用する不活性ガスリフロー装置の雰囲気管理方法
に関するものである。
スを使用する不活性ガスリフロー装置の雰囲気管理方法
に関するものである。
【０００３】
【従来の技術】図５に示されるように、炉１１の内部に
仕切板１２により複数のプリヒート室１３およびリフロ
ー室１４が形成され、各室１３，１４にファン１５およ
びヒータ１６が設けられ、炉１１に対し窒素等の不活性
ガスの注入口１７が設けられ、そして、基板搬入口１８
から基板搬出口１９にわたって炉内を貫通した基板搬送
コンベヤ２０により表面実装基板Ｐを搬送しながら、ヒ
ータ１６により加熱された不活性ガスをファン１５によ
り基板Ｐに吹付け、高温の不活性ガスが有する熱で基板
Ｐのソルダペーストをリフローするリフロー装置がある
。
仕切板１２により複数のプリヒート室１３およびリフロ
ー室１４が形成され、各室１３，１４にファン１５およ
びヒータ１６が設けられ、炉１１に対し窒素等の不活性
ガスの注入口１７が設けられ、そして、基板搬入口１８
から基板搬出口１９にわたって炉内を貫通した基板搬送
コンベヤ２０により表面実装基板Ｐを搬送しながら、ヒ
ータ１６により加熱された不活性ガスをファン１５によ
り基板Ｐに吹付け、高温の不活性ガスが有する熱で基板
Ｐのソルダペーストをリフローするリフロー装置がある
。
【０００４】このような不活性ガスリフロー装置は、高
温空気の強制対流による加熱でリフローを行うエアリフ
ロー装置と比べると、基板の酸化、はんだ濡れ性の低下
、ソルダペーストの活性低下等の問題を改善できること
が知られている。
温空気の強制対流による加熱でリフローを行うエアリフ
ロー装置と比べると、基板の酸化、はんだ濡れ性の低下
、ソルダペーストの活性低下等の問題を改善できること
が知られている。
【０００５】そこで、従来は、窒素等の不活性ガスを炉
内にできるだけ多く供給して、炉内の酸素濃度を限界ま
で低下させ、無酸素雰囲気中でリフローはんだ付けを行
うことを理想として目指していた。
内にできるだけ多く供給して、炉内の酸素濃度を限界ま
で低下させ、無酸素雰囲気中でリフローはんだ付けを行
うことを理想として目指していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、最近になっ
て、炉内の酸素濃度を極度に低下させると、かえって前
記濡れ性が低下することがわかった。例えば、図４に示
されるように、酸素濃度２０ｐｐｍ の濡れ性は酸素濃
度１００ｐｐｍの濡れ性よりも劣り、不活性ガスの経済
性等も考慮すると、最良の酸素濃度範囲は５０〜１００
ｐｐｍであることがわかった。特に、リフロー装置の空
運転（基板の搬入がない状態）が続くことにより、極め
て低酸素濃度となった炉内に基板が搬入されると、その
濡れ性に問題が生じていた。
て、炉内の酸素濃度を極度に低下させると、かえって前
記濡れ性が低下することがわかった。例えば、図４に示
されるように、酸素濃度２０ｐｐｍ の濡れ性は酸素濃
度１００ｐｐｍの濡れ性よりも劣り、不活性ガスの経済
性等も考慮すると、最良の酸素濃度範囲は５０〜１００
ｐｐｍであることがわかった。特に、リフロー装置の空
運転（基板の搬入がない状態）が続くことにより、極め
て低酸素濃度となった炉内に基板が搬入されると、その
濡れ性に問題が生じていた。
【０００７】本発明は、このような点に鑑みなされたも
ので、炉内不活性ガス雰囲気中の酸素濃度を管理するこ
とで、はんだ濡れ性を改善することを目的とするもので
ある。
ので、炉内不活性ガス雰囲気中の酸素濃度を管理するこ
とで、はんだ濡れ性を改善することを目的とするもので
ある。
【０００８】〔発明の構成〕
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、炉１１内に供
給され加熱される不活性ガス中でリフローはんだ付けを
行うリフロー装置において、炉内の不活性ガス中に酸素
を供給して、炉内雰囲気中の酸素濃度を制御する不活性
ガスリフロー装置の雰囲気管理方法である。
給され加熱される不活性ガス中でリフローはんだ付けを
行うリフロー装置において、炉内の不活性ガス中に酸素
を供給して、炉内雰囲気中の酸素濃度を制御する不活性
ガスリフロー装置の雰囲気管理方法である。
【００１０】
【作用】本発明は、不活性ガス雰囲気中の酸素濃度を適
正に管理することにより、基板の酸化やソルダペースト
の活性が問題とならない範囲で、はんだ濡れ性を向上さ
せる。
正に管理することにより、基板の酸化やソルダペースト
の活性が問題とならない範囲で、はんだ濡れ性を向上さ
せる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明を図１乃至図３に示される実施
例を参照して詳細に説明する。
例を参照して詳細に説明する。
【００１２】図１は本発明の一実施例を示し、炉１１の
内部に仕切板１２により複数のプリヒート室１３および
複数のリフロー室１４が形成され、各室１３，１４にフ
ァン１５およびヒータ１６が設けられ、そして、中央の
室１３に対し窒素等の不活性ガスの注入口１７が設けら
れている。炉１１の一側および他側には基板搬入口１８
および基板搬出口１９が設けられ、基板搬入口１８から
基板搬出口１９にわたって炉内を貫通した基板搬送コン
ベヤ２０が設けられている。
内部に仕切板１２により複数のプリヒート室１３および
複数のリフロー室１４が形成され、各室１３，１４にフ
ァン１５およびヒータ１６が設けられ、そして、中央の
室１３に対し窒素等の不活性ガスの注入口１７が設けら
れている。炉１１の一側および他側には基板搬入口１８
および基板搬出口１９が設けられ、基板搬入口１８から
基板搬出口１９にわたって炉内を貫通した基板搬送コン
ベヤ２０が設けられている。
【００１３】前記中央の室１３にインジェクタ２１が接
続され、このインジェクタ２１に対する管２２中に電磁
弁２３が介設され、この電磁弁２３のソレノイド２４に
制御回路２５の出力端子が接続されている。さらに、前
記中央の室１３に炉外に設けられた酸素濃度計２６のサ
ンプリングチューブ２７が挿入され、この酸素濃度計２
６の出力線が前記制御回路２５の入力端子に接続されて
いる。
続され、このインジェクタ２１に対する管２２中に電磁
弁２３が介設され、この電磁弁２３のソレノイド２４に
制御回路２５の出力端子が接続されている。さらに、前
記中央の室１３に炉外に設けられた酸素濃度計２６のサ
ンプリングチューブ２７が挿入され、この酸素濃度計２
６の出力線が前記制御回路２５の入力端子に接続されて
いる。
【００１４】また、前記窒素等の不活性ガスの注入口１
７に接続された不活性ガス供給管３０にもインジェクタ
３１が接続され、このインジェクタ３１に対する管３２
中にも電磁弁３３が介設され、この電磁弁３３のソレノ
イド３４にも前記制御回路２５の出力端子が接続されて
いる。
７に接続された不活性ガス供給管３０にもインジェクタ
３１が接続され、このインジェクタ３１に対する管３２
中にも電磁弁３３が介設され、この電磁弁３３のソレノ
イド３４にも前記制御回路２５の出力端子が接続されて
いる。
【００１５】次に、この図１に示された実施例の作用を
説明する。
説明する。
【００１６】注入口１７より窒素等の不活性ガスが炉内
に供給されるが、それと同時にまたは必要に応じて、イ
ンジェクタ２１，３１の一方または両方から酸素含有ガ
ス（１００ｐｐｍ〜大気の酸素を含む窒素ガス）をパル
ス噴射または連続噴射する。酸素含有ガスが高酸素濃度
の場合は、パルス制御された電磁弁２３，３３を経てパ
ルス噴射すると、高精度の酸素濃度管理を行える。酸素
含有ガスが低酸素濃度の場合は連続噴射でもよい。いず
れにしても、炉内酸素濃度は前記酸素濃度計２６により
検出され、制御回路２５にフィードバックされ、この制
御回路２５で設定された設定値と比較され、その誤差に
基づきに電磁弁２３，３３の一方または両方がオン・オ
フ制御される。
に供給されるが、それと同時にまたは必要に応じて、イ
ンジェクタ２１，３１の一方または両方から酸素含有ガ
ス（１００ｐｐｍ〜大気の酸素を含む窒素ガス）をパル
ス噴射または連続噴射する。酸素含有ガスが高酸素濃度
の場合は、パルス制御された電磁弁２３，３３を経てパ
ルス噴射すると、高精度の酸素濃度管理を行える。酸素
含有ガスが低酸素濃度の場合は連続噴射でもよい。いず
れにしても、炉内酸素濃度は前記酸素濃度計２６により
検出され、制御回路２５にフィードバックされ、この制
御回路２５で設定された設定値と比較され、その誤差に
基づきに電磁弁２３，３３の一方または両方がオン・オ
フ制御される。
【００１７】このようにして炉内不活性ガス雰囲気の酸
素濃度を５０〜１００ｐｐｍに管理する。この範囲の酸
素濃度であれば、基板の酸化が問題にならないとともに
、ソルダペーストの活性を劣化させないで、はんだ濡れ
性を向上できる。
素濃度を５０〜１００ｐｐｍに管理する。この範囲の酸
素濃度であれば、基板の酸化が問題にならないとともに
、ソルダペーストの活性を劣化させないで、はんだ濡れ
性を向上できる。
【００１８】この濃度管理された炉内雰囲気は、中央の
室１３から基板搬入側の室１３および基板搬出側の室１
４に拡大され、各室１３，１４においてヒータ１６によ
り加熱され、ファン１５により対流される。この各室１
３，１４の高温雰囲気中に、基板搬入口１８から基板搬
送コンベヤ２０により表面実装基板Ｐを搬入し、プリヒ
ート室１３では高温雰囲気が有する熱で基板Ｐを予加熱
し、リフロー室１４ではさらに高温雰囲気が有する熱で
表面実装基板Ｐのソルダペーストをリフローする。
室１３から基板搬入側の室１３および基板搬出側の室１
４に拡大され、各室１３，１４においてヒータ１６によ
り加熱され、ファン１５により対流される。この各室１
３，１４の高温雰囲気中に、基板搬入口１８から基板搬
送コンベヤ２０により表面実装基板Ｐを搬入し、プリヒ
ート室１３では高温雰囲気が有する熱で基板Ｐを予加熱
し、リフロー室１４ではさらに高温雰囲気が有する熱で
表面実装基板Ｐのソルダペーストをリフローする。
【００１９】次に、図２を参照して、炉内雰囲気の酸素
濃度変化を説明すると、時間Ｔｏ から不活性ガス（例
えば１０ｐｐｍ の酸素を含む窒素ガス）を炉内に供給
し続けると、酸素濃度が低下して２０ｐｐｍ に近付く
。これでは既に述べたように酸素濃度が低すぎるので、
基板搬入前の時間Ｔ１ で前記酸素含有ガスを炉内にパ
ルス噴射して、炉内酸素濃度を１００ｐｐｍを越えない
範囲で一時的に上昇させる。このときも、不活性ガスの
炉内供給は継続しているから、酸素含有ガスの噴射停止
後は炉内酸素濃度が低下する傾向にあるが、基板が炉内
に搬入されるたびに（Ｔ２ ，Ｔ３ ，Ｔ４）、その基
板が炉内に持込む空気により炉内酸素濃度が若干上昇し
、結局、炉内酸素濃度は５０〜１００ ｐｐｍ の間に
保たれる。一方、基板が炉内に搬入されない空運転が続
くと（Ｔ４ 〜Ｔ５ ）、再び酸素濃度が５０ｐｐｍ
以下に下がるので、時間Ｔ５で前記酸素含有ガスを炉内
にパルス噴射して、炉内酸素濃度を１００ｐｐｍを越え
ない範囲で上昇させる。
濃度変化を説明すると、時間Ｔｏ から不活性ガス（例
えば１０ｐｐｍ の酸素を含む窒素ガス）を炉内に供給
し続けると、酸素濃度が低下して２０ｐｐｍ に近付く
。これでは既に述べたように酸素濃度が低すぎるので、
基板搬入前の時間Ｔ１ で前記酸素含有ガスを炉内にパ
ルス噴射して、炉内酸素濃度を１００ｐｐｍを越えない
範囲で一時的に上昇させる。このときも、不活性ガスの
炉内供給は継続しているから、酸素含有ガスの噴射停止
後は炉内酸素濃度が低下する傾向にあるが、基板が炉内
に搬入されるたびに（Ｔ２ ，Ｔ３ ，Ｔ４）、その基
板が炉内に持込む空気により炉内酸素濃度が若干上昇し
、結局、炉内酸素濃度は５０〜１００ ｐｐｍ の間に
保たれる。一方、基板が炉内に搬入されない空運転が続
くと（Ｔ４ 〜Ｔ５ ）、再び酸素濃度が５０ｐｐｍ
以下に下がるので、時間Ｔ５で前記酸素含有ガスを炉内
にパルス噴射して、炉内酸素濃度を１００ｐｐｍを越え
ない範囲で上昇させる。
【００２０】次に、図３は本発明の他の実施例を示し、
各プリヒート室１３およびリフロー室１４に、それぞれ
窒素等の不活性ガスの注入口１７および酸素含有ガス噴
射用のインジェクタ２１を設けたものである。このよう
にすると、各室内で基板の温度条件等に応じた最適な酸
素濃度管理を行うことが可能である。なお、他の構造お
よび作用の説明は、図１と同様であるから、同一符号を
付して省略する。
各プリヒート室１３およびリフロー室１４に、それぞれ
窒素等の不活性ガスの注入口１７および酸素含有ガス噴
射用のインジェクタ２１を設けたものである。このよう
にすると、各室内で基板の温度条件等に応じた最適な酸
素濃度管理を行うことが可能である。なお、他の構造お
よび作用の説明は、図１と同様であるから、同一符号を
付して省略する。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、炉内の不活性ガス中に
酸素を供給して、炉内雰囲気中の酸素濃度を制御するよ
うにしたから、炉内不活性ガス雰囲気中の酸素濃度が極
端に低下することを避けて適正濃度に制御することで、
最良のはんだ濡れ性を確保できる。
酸素を供給して、炉内雰囲気中の酸素濃度を制御するよ
うにしたから、炉内不活性ガス雰囲気中の酸素濃度が極
端に低下することを避けて適正濃度に制御することで、
最良のはんだ濡れ性を確保できる。
【図１】本発明の雰囲気管理方法に係る不活性ガスリフ
ロー装置の一実施例を示す断面図である。
ロー装置の一実施例を示す断面図である。
【図２】同上不活性ガスリフロー装置の炉内雰囲気の酸
素濃度変化を示すグラフである。
素濃度変化を示すグラフである。
【図３】同上不活性ガスリフロー装置の他の実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】不活性ガス中の酸素濃度と濡れ性との関係を示
すグラフである。
すグラフである。
【図５】従来の雰囲気管理方法に係る不活性ガスリフロ
ー装置の断面図である。
ー装置の断面図である。
１１ 炉
Claims (1)
- 【請求項１】 炉内に供給され加熱される不活性ガス
中でリフローはんだ付けを行うリフロー装置において、
炉内の不活性ガス中に酸素を供給して、炉内雰囲気中の
酸素濃度を制御することを特徴とする不活性ガスリフロ
ー装置の雰囲気管理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3129882A JPH07106446B2 (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 不活性ガスリフロー装置の雰囲気管理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3129882A JPH07106446B2 (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 不活性ガスリフロー装置の雰囲気管理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04356349A true JPH04356349A (ja) | 1992-12-10 |
| JPH07106446B2 JPH07106446B2 (ja) | 1995-11-15 |
Family
ID=15020666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3129882A Expired - Lifetime JPH07106446B2 (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 不活性ガスリフロー装置の雰囲気管理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07106446B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0774462A (ja) * | 1993-09-01 | 1995-03-17 | Nippon Dennetsu Keiki Kk | はんだ付け装置の不活性ガス雰囲気制御装置 |
| JP2001501008A (ja) * | 1996-12-20 | 2001-01-23 | レール・リキード・ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | チャンバーに気体を供給するためのプロセスおよびそのようなチャンバーにおける雰囲気の所定の成分の含有量を調節する方法 |
| CN117587209A (zh) * | 2024-01-16 | 2024-02-23 | 新江科技(江苏)有限公司 | 一种镁合金铸件热处理设备 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH038392A (ja) * | 1989-05-22 | 1991-01-16 | Hitachi Chem Co Ltd | はんだ付け方法及びその装置 |
| JPH03101296A (ja) * | 1989-09-14 | 1991-04-26 | Fujitsu Ltd | プリント基板の半田付け用リフロー炉の構造 |
-
1991
- 1991-05-31 JP JP3129882A patent/JPH07106446B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH038392A (ja) * | 1989-05-22 | 1991-01-16 | Hitachi Chem Co Ltd | はんだ付け方法及びその装置 |
| JPH03101296A (ja) * | 1989-09-14 | 1991-04-26 | Fujitsu Ltd | プリント基板の半田付け用リフロー炉の構造 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0774462A (ja) * | 1993-09-01 | 1995-03-17 | Nippon Dennetsu Keiki Kk | はんだ付け装置の不活性ガス雰囲気制御装置 |
| JP2001501008A (ja) * | 1996-12-20 | 2001-01-23 | レール・リキード・ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | チャンバーに気体を供給するためのプロセスおよびそのようなチャンバーにおける雰囲気の所定の成分の含有量を調節する方法 |
| CN117587209A (zh) * | 2024-01-16 | 2024-02-23 | 新江科技(江苏)有限公司 | 一种镁合金铸件热处理设备 |
| CN117587209B (zh) * | 2024-01-16 | 2024-05-14 | 新江科技(江苏)有限公司 | 一种镁合金铸件热处理设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07106446B2 (ja) | 1995-11-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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