JP2018147911A - ボンディングヘッド冷却システムおよびこれを備えた実装装置ならびに実装方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 半導体実装に用いられるボンディングヘッドを冷却するのに際して、タクトタイムの短縮と接合品質を両立するボンディングヘッド冷却システムを提供すること。
【解決手段】 ボンディングヘッド内部に設けられた流路に気体を送り込んで冷却するボンディングヘッド冷却システムであって、外部から供給される加圧気体を受け入れる受入配管と、前記受入配管を２流路に分岐する分岐部と、前記分岐部に接続した、開閉弁を設けた第１配管と、流量制御弁を設けた第２配管と、前記第１配管と前記第２配管の下流側を１つの流路に合流させる合流部と、前記合流部と前記ボンディングヘッド内部の流路をつなぎ、開閉弁を設けた冷却配管と、前記第１配管に設けた開閉弁と、前記第２配管に設けた流量制御弁と、前記冷却配管に設けた開閉弁とを制御する制御部と、を備えたボンディングヘッド冷却システムである
【選択図】 図１

Description

半導体実装に用いられるボンディングヘッドを冷却するボンディングヘッド冷却システムおよびこれを備えた実装装置ならびに実装方法に関する。

電子機器の高密度化に伴いフリップチップ実装の採用が進んでいる。 フリップチップ実装は図９に一例を示すような実装装置１００によって行なわれる。実装装置１００は、ボンディングヘッド８の先端部にあるアタッチメントツール８１が吸着保持した半導体チップＣを基板Ｗに熱圧着するものであり、熱圧着の工程は図１０に例示するように進められる。

まず、半導体チップＣのバンプＢと基板Ｗの電極Ｅの位置合わせが行われ（図１０（ａ））、その後にボンディングヘッド８が下降し、半導体チップＣと基板Ｗが接触（図１０（ｂ））する。その後、半導体チップＣが加熱圧着され、半導体チップＣのバンプＢは溶融して基板Ｗの電極Ｅと接合する（図１０（ｃ））。なお、図１０（ａ）では半導体チップＣのバンプＢ側の面に未硬化の熱硬化性接着剤Ｒを付着させた状態を示しているが、この熱硬化性接着剤Ｒは必須ではないものの、熱圧着段階で硬化して接合後のバンプＣと電極Ｅを機械的に固定するものである。熱圧着が完了した後は、アタッチメントツール８１は半導体チップＣの吸着を解除して上昇し（図１０（ｄ））、アタッチメントツール８１は次に実装する半導体チップＣの吸着保持を行なう。

ところで、半導体チップＣの熱圧着（図１０（ｃ））において、アタッチメントツール８１を上昇（図１０（ｄ））する前に、半導体チップＣを冷却する工程（以後「半導体チップ冷却工程」と記す）が入る。この半導体チップ冷却工程では、溶融したバンプＢをアタッチメント８１が離れる前に確実に固化することが出来て、接合の信頼性が向上する。

また、図１０（ｄ）のように半導体チップＣから離れた後にはアタッチメントツール８１の温度を下げるためにボンディングヘッド８を更に冷却する工程（以後「ボンディングヘッド冷却工程」と記す）が入る。このボンディングヘッド冷却工程では、次に実装する半導体チップＣを吸着する際に、半導体チップＣに熱的な悪影響を与えないために必要である。特に、図１０の例では、アタッチメントツール８１の温度が熱硬化性樹脂Ｒの硬化開始温度以上であると、図１０（ａ）の段階で熱硬化性樹脂Ｒの硬化が進み、図１０（ｂ）の状態で加熱圧着しても半導体チップＣを基板Ｗに充分押し込むことが出来ず、接合不良の原因となる。

以上のような加熱工程および冷却工程に用いられるボンディングヘッド８の一例を示したのが図１１である。図１１に示すボンディングヘッド８は、アタッチメントツール８１、ヒータ８２、断熱部材８３およびボンディングヘッド本体８４を主な構成要素とし、アタッチメントツール８１およびヒータ８２を空冷するための流路８５が形成されている。

図１１のボンディングヘッド８では、ヒータ８２に通電することでアタッチメントツール８１を加熱し、ボンディングヘッド本体８４に設けられた（流路８５の）流入孔８５Ａから加圧気体を導入することで、ヒータ８２およびアタッチメントツール８１を冷却する。ここで、流入孔８５Ａに加圧気体を導入するために図１２のような構成のボンディングヘッド冷却システムが用いられている。図１２において、冷却時には開閉弁３００を開くことで流入孔８５Ａに加圧気体が導入され、加熱時には開閉弁３００を閉じることで流入孔８５Ａへの加圧気体の導入は停止される。この開閉弁３００の操作は制御部５０によって行なわれる。

特開２０１５−１６５５６６号公報

ボンディングヘッド８の高さＺｈおよび、ボンディングヘッド８のアタッチメントツール８１の時間ｔに対する温度変化を示したのが、図１３である。温度Ｔ０で半導体チップＣを吸着保持し、半導体チップＣが基板Ｗに接触してから温度ＴＨまで昇温して熱圧着を行ない、冷却して温度ＴＬまで降温（半導体チップ冷却工程）した段階でボンディングヘッド８を上昇させえアタッチメントツール８１を半導体チップＣから離し、半導体チップＣから離れた状態で更に冷却して、温度Ｔ０まで降温（ボンディングヘッド冷却工程）するというものである。（以後の文を削除）
半導体チップ冷却工程では、タクトタイム短縮のためには冷却速度が速い方がよいが、速すぎると半導体チップＣや基板Ｗが反ったり、バンプＢと電極Ｅの接合が破断する可能性がある。このため、流量調整弁４００（図１２）によって調整された加圧気体によって冷却が行なわれる。

ところで、図１４のように三次元実装を行なう場合は積層段毎に半導体チップ冷却の適正条件が異なり、半導体チップ冷却工程において冷却に用いる流量も積層毎に変えることが望ましいにもかかわらず、図１２の構成のボンディングヘッド冷却システムでは積層毎に流量を変更することが出来ない。

一方、ボンディングヘッド冷却工程は実装品質に影響を及ぼすものではないためタクトタイム短縮（生産性向上）のためには短いほど良い。ところが、図１２の構成を用いた場合、（アタッチメントツール８１が半導体チップCから離れることで冷却対象の熱容量が減少するため）半導体チップ冷却工程に比べてアタッチメントツール８１の温度は低下しやすくなるものの、流量調整弁４００で流量が制限されているため温度ＴＬまで低下するのに時間を要し、タクトタイムに無視出来ない影響を及ぼしている。

このような問題に対して、半導体チップ冷却工程とボンディングヘッド冷却工程で異なるラインから加圧気体を導入する構成が考えられている。例えば、特許文献１には図１５のような構成のボンディングヘッド冷却システム２００が示されている。

ボンディングヘッド冷却システム２００は、半導体チップ冷却工程に際しては開閉弁３０を閉じ、流量制御弁４によって制御された流量の加圧気体をボンディングヘッド８の流入孔８５Ａに導入する。ここで、流量制御弁４は、制御部５１からの指示信号によって、加圧気体が流れた状態でその流量を変更することが可能である。

また、ボンディングヘッド冷却システム２００は、ボンディングヘッド冷却工程では流量制御弁４を全閉状態にして、開閉弁３０を開とすることで、外部から供給された加圧気体を直結でボンディングヘッド８の流入孔８５Ａに導入する。

このように、半導体チップ冷却工程とボンディングヘッド冷却工程で異なるラインから加圧気体を導入する構成により、半導体チップ冷却工程で流量設定を随時変更することが可能になり、ボンディングヘッド冷却工程の時間を短縮することも可能となった。

しかし、図１５のボンディングヘッド冷却システム２００では、半導体チップ冷却工程において冷却開始遅れが生じる。すなわち、熱圧着工程において開閉弁３０を閉とするとともに流量制御弁４を全閉状態にしているため、半導体チップ冷却工程において流量制御弁４を全閉状態から所定の設定値になるまでに時間を要する。更に、流量制御弁４での流量が設定値になっても、設定値の流量がボンディングヘッド８の流入孔８５Ａに到達するのにも時間を要する。この半導体チップ冷却工程での冷却開始遅れは、タクトタイム短縮の妨げとなることから好ましくない。

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、半導体実装に用いられるボンディングヘッドを冷却するのに際して、タクトタイムの短縮と接合品質を両立するボンディングヘッド冷却システムおよびこれを備えた実装装置ならびに実装方法を提供するものである。

上記課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、
半導体実装に用いられるボンディングヘッドを、前記ボンディングヘッド内部に設けられた流路に気体を送り込んで冷却するボンディングヘッド冷却システムであって、
外部から供給される加圧気体を受け入れる受入配管と、前記受入配管を２流路に分岐する分岐部と、前記分岐部に接続した、開閉弁を設けた第１配管と、流量制御弁を設けた第２配管と、前記第１配管と前記第２配管の下流側を１つの流路に合流させる合流部と、前記合流部と前記ボンディングヘッド内部の流路をつなぎ、開閉弁を設けた冷却配管と、前記第１配管に設けた開閉弁と、前記第２配管に設けた流量制御弁と、前記冷却配管に設けた開閉弁とを制御する制御部と、を備えたボンディングヘッド冷却システムである。

請求項２に記載の発明は、
半導体実装に用いられるボンディングヘッドを、前記ボンディングヘッド内部に設けられた流路に気体を送り込んで冷却するボンディングヘッド冷却システムであって、
外部から供給される加圧気体を受け入れる受入配管と、前記受入配管を２流路に分岐しつつ、加圧気体の供給先を前記２流路のいずれか一方に選択可能な切換弁と、前記切換弁に接続した、第１配管と、流量制御弁を設けた第２配管と、前記第１配管と前記第２配管の下流側を１つの流路に合流させる合流部と、前記合流部と前記ボンディングヘッド内部の流路をつなぎ、開閉弁を設けた冷却配管と、前記切換弁と、前記第２配管に設けた流量制御弁と、前記冷却配管に設けた開閉弁とを制御する制御部と、を備えたボンディングヘッド冷却システムである。

請求項３に記載の発明は、請求項１または請求項２の何れかに記載のボンディングヘッド冷却システムであって、
前記冷却配管に設けた開閉弁から、前記冷却配管と前記ボンディングヘッド内部の流路との接続部までの距離が３００ｍｍ以下であるボンディングヘッド冷却システムである。

請求項４に記載の発明は、請求項１から請求項３の何れかに記載のボンディングヘッド冷却システムであって、
前記第２配管に設ける流量制御弁として電空レギュレータを用いるボンディングヘッド冷却システムである。

請求項５に記載の発明は、半導体チップを基板に実装する実装装置であって、
基板を保持する基板ステージと、半導体チップを保持して、前記半導体チップを前記基板に加熱圧着する機能を有したボンディングヘッドと、前記ボンディングヘッドを冷却するための、請求項１から請求項４の何れかに記載のボンディングヘッド冷却システムとを備えた実装装置である。

請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の実装装置を用いた実装方法であって、
前記ボンディングヘッドが保持した前記半導体チップを前記基板に加熱圧着する加熱圧着工程と、前記ボンディングヘッドが前記半導体チップを保持した状態で、加熱を止めるとともに、前記第２配管に設けた流量制御弁によって流量を制御された冷却空気前記を前記ボンディングヘッド内部の流路に導く半導体チップ冷却工程と、前記ボンディングヘッドが前記半導体チップの保持を解除し、前記外部から供給される加圧気体を流量制御することなく前記ボンディングヘッド内部の流路に導くボンディングヘッド冷却工程と、を備えた実装方法である。

本発明により、半導体実装に用いられるボンディングヘッドを冷却するのに際して、タクトタイムの短縮と接合品質を両立が可能となる。

本発明の施形態に係るボンディングヘッド冷却システムの構成を示す図である。 本発明の実施形態に係るボンディングヘッド冷却システムの制御内容を示す図である。 （ａ）本発明の実施形態に係るボンディングヘッド冷却システムによる半導体チップ冷却工程での状態を示す図である（ｂ）同システムによるボンディングヘッド冷却工程の状態を示す図である。 （ａ）本発明の実施形態に係るボンディングヘッド冷却システムによる温度変化を示す図である（ｂ）同温度変化とする冷却気体の流量変化である。 本発明の別の実施形態に係るボンディングヘッド冷却システムの構成を示す図である。 本発明の別の実施形態に係るボンディングヘッド冷却システムの制御内容を示す図である。 （ａ）本発明の別の実施形態に係るボンディングヘッド冷却システムによる温度変化を示す図である（ｂ）同温度変化とする冷却気体の流量変化である。 本発明の施形態に係るボンディングヘッド冷却システムの変形構成を示す図である。 フリップチップ実装を行なう実装装置の一例を示す図である。 （ａ）半導体チップと基板の位置合わせの状態を示す図である（ｂ）半導体チップを基板に熱圧着する前の状態を示す図である（ｃ）半導体チップを基板に熱圧着した状態を示す図である（ｄ）半導体チップの基板への熱圧着が完了した状態を示す図である。 ボンディングヘッドの構成の一例を示す図である。 従来のボンディングヘッド冷却システムの構成を示図である。 ボンディングヘッド温度の理想的変化と従来方式による変化を示す図である。 三次元実装について説明する図である。 公知の改良型ボンディングヘッド冷却システムの構成を示す図である。

本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。
まず、図１に示した本発明に係る一実施形態であるボンディングヘッド冷却システム１について説明する。図１のボンディングヘッド冷却システム１は、図示しない外部供給源から供給される加圧気体を受け入れる受入配管１０、受入配管１０に供給される加圧気体を２つの流路に分岐する分岐部２０、分岐部２０から分岐した第１配管１１および第２配管１２、第１配管１１と第２配管１２の下流側を合流させる合流部２１、合流部２１とボンディングヘッド８内部の流路８５（の流入孔８５A）を接続する冷却配管１３を備え、第１配管１１に開閉弁３０、第２配管１２に流量制御弁４、冷却配管１３に開閉弁３１を設け、開閉弁３０、流量制御弁４、開閉弁３１の動作は制御部５によって制御される構成となっている。

なお、第１配管１１では分岐部２０から開閉弁３０迄が第１配管上流部１１A、開閉弁３０から合流部２１迄が第１配管下流部１１Ｂである。同様に、第２配管では分岐部２０から流量制御弁４迄が第２配管上流部１２Ａ、流量制御弁４から合流部２１迄が第２配管下流部１２Ｂであり、冷却流路１３では合流部２１から開閉弁３１迄が冷却配管上流部１３Ａ、開閉弁３１からボンディングヘッド８の流入孔８５Ａ迄が冷却配管下流部１３Ｂである。

受入配管１０、第１配管１１、第２配管１２、冷却配管１３に用いる材質としてはステンレス等の金属や、ナイロン樹脂やフッ素樹脂等の樹脂や、ゴム材が用いることができ、配管毎に材質を変えてもよい。例えば、冷却配管１３で、冷却流路上流部１３Ａを金属として冷却配管下流部１３Ｂを樹脂とすることも可能である。

開閉弁３０および開閉弁３１は電磁弁等の外部信号によって開閉が切り替えられるもの
である。流量制御弁４はマスフローコントローラ等の、外部信号によって下流側（図１では第２配管下流部１２Ｂ側）の流量を制御するものである。

制御部５は、開閉弁３０と開閉弁３１の開閉を制御し、流量制御弁４の下流側の流量を制御するものである。制御部５による制御は経過時間によって設定内容を変更するものであってもよいが、例えばボンディングヘッド８に設けたセンサの温度信号を入力して設定内容を変更するものであってもよい。

以下、図１のボンディングヘッド冷却システム１の制御動作について、図２から図４を用いて説明する。

図２は、各工程で、閉弁３０、流量制御弁４および開閉弁３１に対して制御部５が指示している内容を示す。図３（ａ）はボンディングヘッド冷却システム１の半導体チップ冷却工程での状態を示すもので、図３（ｂ）はボンディングヘッド冷却工程での状態を示すものである。また、図４（ａ）はボンディングヘッド８のアタッチメントツール８１近傍の温度変化を示すものであり、図４（ｂ）は冷却配管下流部１３Ｂを流れる加圧気体の流量変化を示すものである。なお、図２、図４（ａ）および図４（ｂ）で、ｔ０は加熱圧着開始時点、ｔ１は所定加熱温度への到達時点、ｔ２は半導体チップ冷却工程開始時点、ｔ３はボンディングヘッド冷却工程開始時点、ｔ４はボンディングヘッド冷却終了時点である。

まず、ボンディングヘッド８が半導体チップＣを熱圧着している状態では、ボンディングヘッド８を冷却する必要がなく開閉弁３１が閉じている必要がある。他方、開閉弁３１が閉じているため、開閉弁３０と流量制御弁４は、どのような設定であっても熱圧着に影響はない。ただし、半導体チップ冷却工程に切り替る前には、半導体チップ冷却工程に遅延なく移行できるよう開閉弁３０を閉として、流量制御弁４の流量を半導体チップ冷却工程の初期条件に設定しておくことが好ましい。

開閉弁３０を閉として流量制御弁４の流量を半導体チップ冷却工程の初期状態にしておくことで、開閉弁３１を開（図３（ａ））とした直後に、開閉弁３１の下流側（冷却配管下流部１３Ｂ側）に所定の流量の加圧気体が流れる。

ここで、開閉弁３１を開にしても、所定流量の加圧気体は冷却配管下流部１３Ｂを通化後にボンディングヘッド８の流入孔８５Ａに導入されるため、冷却配管下流部１３Ｂは極力短いが良い。ただし、ボンディングヘッド８は上下移動するとともに加熱されることから短すぎる弊害もあり、冷却配管下流部１３Ｂの長さは５０ｍｍ〜３００ｍｍ程度であることが好ましい。

なお、図１５のボンディングヘッド冷却システム２００において、第２配管下流部１２Ｂおよび冷却配管１３を短くすることで、流量制御弁４を開にした直後の流量をボンディングヘッド８の流入孔８５Ａに導入するまでの時間を短縮することは可能である。しかし、流量制御弁４が全閉状態から所定の流量に設定するまでには時間を要する。更に、流量制御弁４としてマスフローコントローラを用いる場合、マスフローコントローラ自体の重量が数ｋｇあり、上下動作を行なうボンディングヘッド８の近傍に設置するのは極めて困難である。一方、開閉弁３１として電磁弁を用いる場合、電磁弁は単純な構造でマスフローコントローラに比べて小型・軽量なことからボンディングヘッド８の近傍に設置するのに適している。

図１のボンディングヘッド冷却システム１では、制御部５が流量制御弁４の設定流量を随時変更することが可能である。このため、図４（ｂ）のように、半導体チップ冷却工程での加圧気体の設定流量を、半導体チップ冷却工程初期のＬ１から適宜変更することで、図４（ａ）に示すようにボンディングヘッド８（のアタッチメントツール８１近傍）の温度を直線的に（時間ｔ２から時間ｔ３までの温度ＴＨから温度ＴＬ）下降（させることができる。ただし、一般的には、直線的に温度を下降させる必要はなく、半導体チップ冷却工程での加圧気体流量を一定としてもよい。

ここで、半導体チップ冷却工程における流量制御弁４の設定流量を決定するために、事前に、流量制御弁４の流量変化とボンディングヘッド８のアタッチメントツール８１近傍の温度変化の関係を実測して適正化しておくことが望ましい。

半導体チップ冷却工程の後、ボンディングヘッド冷却工程に移行する。図２および図３（ｂ）に示すように、ボンディングヘッド冷却工程では、開閉弁３１を開としたままで開閉弁３０を開にして流量制御弁４を全閉とするものであるが、移行直後に流量制御弁４を全閉にするのは困難であるので、移行直後には第２配管１２経由の加圧気体も合流部２１を経由して冷却配管１３を通過する。図４（ｂ）に示すように、開閉弁３０を開とすることで、流量制御を受けていない（外部供給源から受け入れたのと同等の流量の）加圧気体をボンディングヘッド８の流入孔８５Ａに導入し、ボンディングヘッド８の冷却が迅速に進み、短時間でアタッチメントツール８１が半導体チップＣを保持可能な状態（温度Ｔ０）となる。

次に、本発明の別の実施形態を図５に示す。図５に示すボンディングヘッド冷却システム２の、図１に示したボンディングヘッド１との相違点は、分岐点２０の箇所に切換弁２２を設け、開閉弁３０を削除したことである。各弁の制御動作は図６のようになり、ボンディングヘッド冷却システム２による半導体チップ冷却工程の状態を図７（ａ）に示し、ボンディングヘッド冷却工程の状態を図７（ｂ）に示している。

ボンディングヘッド冷却システム２においても、加熱圧着時に開閉弁３１が閉となっていれば切換弁２２が第１配管１１と第２配管１２の何れを選択していても良いが、半導体チップ冷却工程に移行する前には切換弁２２は第２配管１２を選択しておくことが好ましい。

ボンディングヘッド冷却システム２によるボンディングヘッドによるボンディングヘッド８のアタッチメントツール８１近傍の温度変化および冷却配管下流部１３Ｂを流れる加圧気体の流量変化は、図４（ａ）および図４（ｂ）に示したものと同等である。

ボンディングヘッド冷却システム２では、半導体チップ冷却工程からボンディングヘッド冷却工程への移行に際して、移行直後に冷却配管２に導入される加圧気体の全てが第１配管経由となることが、ボンディングヘッド冷却システム１との実質的な差異となる。

本発明に係る実施形態の変形例として、図８のボンディングヘッド冷却システム３のように、流量制御弁４の代わりに圧力制御弁４１を用いることも可能である。圧力制御弁４１として電空レギュレータを用いれば、流量制御弁４としてマスフローコントローラを用いる場合に比べて小型・軽量となり、価格的にも安価とすることが出来る。

以上のように、本発明では、ボンディングヘッド８の冷却流路８５に導入する冷却用加圧気体の流量を素早く変えることができ、半導体実装における実装（接合）品質とタクトタイム短縮を両立することが可能である。

また、図１４に示したような三次元実装においては、半導体チップＣの積層段毎に、適正な半導体チップ冷却工程の加圧気体流量を設定することも可能である。

１、２、３ ボンディングヘッド冷却システム
４ 流量制御弁
５ 制御部
８ ボンディングヘッド
１０ 受入配管
１１ 第１配管
１２ 第２配管
１３ 冷却配管
２０ 分岐部
２１ 合流部
２２ 切換弁
３０、３１ 開閉弁
８５ 冷却流路
Ｂ バンプ
Ｃ 半導体チップ
Ｅ 電極
Ｗ 基板

Claims (6)

1. 半導体実装に用いられるボンディングヘッドを、前記ボンディングヘッド内部に設けられた流路に気体を送り込んで冷却するボンディングヘッド冷却システムであって、
   外部から供給される加圧気体を受け入れる受入配管と、
   前記受入配管を２流路に分岐する分岐部と、
   前記分岐部に接続した、開閉弁を設けた第１配管と、流量制御弁を設けた第２配管と、
   前記第１配管と前記第２配管の下流側を１つの流路に合流させる合流部と、
   前記合流部と前記ボンディングヘッド内部の流路をつなぎ、開閉弁を設けた冷却配管と、
   前記第１配管に設けた開閉弁と、前記第２配管に設けた流量制御弁と、前記冷却配管に設けた開閉弁とを制御する制御部と、を備えたボンディングヘッド冷却システム。
2. 半導体実装に用いられるボンディングヘッドを、前記ボンディングヘッド内部に設けられた流路に気体を送り込んで冷却するボンディングヘッド冷却システムであって、
   外部から供給される加圧気体を受け入れる受入配管と、
   前記受入配管を２流路に分岐しつつ、加圧気体の供給先を前記２流路のいずれか一方に選択可能な切換弁と、
   前記切換弁に接続した、第１配管と、流量制御弁を設けた第２配管と、
   前記第１配管と前記第２配管の下流側を１つの流路に合流させる合流部と、
   前記合流部と前記ボンディングヘッド内部の流路をつなぎ、開閉弁を設けた冷却配管と、
   前記切換弁と、前記第２配管に設けた流量制御弁と、前記冷却配管に設けた開閉弁とを制御する制御部と、を備えたボンディングヘッド冷却システム。
3. 請求項１または請求項２の何れかに記載のボンディングヘッド冷却システムであって、
   前記冷却配管に設けた開閉弁から、前記冷却配管と前記ボンディングヘッド内部の流路との接続部までの距離が３００ｍｍ以下であるボンディングヘッド冷却システム。
4. 請求項１から請求項３の何れかに記載のボンディングヘッド冷却システムであって、
   前記第２配管に設ける流量制御弁として電空レギュレータを用いるボンディングヘッド冷却システム。
5. 半導体チップを基板に実装する実装装置であって、
   基板を保持する基板ステージと、
   半導体チップを保持して、前記半導体チップを前記基板に加熱圧着する機能を有したボンディングヘッドと、
   前記ボンディングヘッドを冷却するための、請求項１から請求項４の何れかに記載のボンディングヘッド冷却システムとを備えた実装装置。
6. 請求項５に記載の実装装置を用いた実装方法であって、
   前記ボンディングヘッドが保持した前記半導体チップを前記基板に加熱圧着する加熱圧着工程と、
   前記ボンディングヘッドが前記半導体チップを保持した状態で、加熱を止めるとともに、前記第２配管に設けた流量制御弁によって流量を制御された冷却空気前記を前記ボンディングヘッド内部の流路に導く半導体チップ冷却工程と、
   前記ボンディングヘッドが前記半導体チップの保持を解除し、前記外部から供給される加圧気体を流量制御することなく前記ボンディングヘッド内部の流路に導くボンディングヘッド冷却工程と、を備えた実装方法。

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