JP5229679B2 - 加熱加圧システム - Google Patents
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Description
なお、接触熱抵抗(=1/接触熱伝達率)とは物体同士の接触面が完全に密着しないことにより生じる熱抵抗のことであり、接触熱抵抗は加圧力や物体同士の表面粗さなどによって変化する。「接触熱抵抗を含む界面」とは、接触熱抵抗が発生している物体と物体との界面を意味する。
このような構成によれば、2つの物体が接合する面の温度が目標温度になるように制御することができるため、物質同士の接合不良が極めて少なくすることができる。
図1はウエハ張り合わせ装置100の全体斜視図であり、図2はウエハ張り合わせ装置100の上面概略図である。
ウエハ張り合わせ装置100は、ウエハローダーWL及びウエハホルダローダーWHLを有している。ウエハローダーWL及びウエハホルダローダーWHLは、多関節ロボットであり六自由度方向(X,Y,Z,θX,θY,θZ)に移動可能である。さらにウエハローダーWLはレールRAに沿ってY方向に長い距離移動可能であり、ウエハホルダローダーWHLはレールRAに沿ってX方向に長い距離移動可能である。
図3は加熱加圧装置70を示した側面の概念図である。
第2ベースプレートBP2は、耐摩耗用又は耐衝撃用に優れている合金から構成されている。
図4(b)は第2半導体ウエハW2と第2ウエハホルダWH2との界面であり、この界面における接触熱伝達率(=1/接触熱抵抗)をK(w、wh)とする。(c)は第2ウエハホルダWH2と第2トッププレートTP2との界面であり、この界面における接触熱伝達率をK(wh、tp)とする。(d)は第2トッププレートTP2と第2温度調整プレートAT2との界面であり、この界面における接触熱伝達率をK(tp、at)とする。(e)は第2温度調整プレートAT2とヒーターHTとの界面であり、この界面における接触熱伝達率をK(at、ht)とする。
図5は、主制御装置90のうちの熱流体解析システムを示したブロック図である。熱流体解析システムは、バスBで相互に接続されている表示部91と、キーボード及びマウス等で構成された入力部92と、接触熱抵抗算出部93と、接触熱抵抗モデルテーブル94と、温度予測部95と、温度制御部96と、記憶部99とを有している。
接触熱抵抗算出部93は、接触熱抵抗モデルごとにその接触面における接触熱抵抗又は熱伝導率Kを算出し、その算出結果を接触熱抵抗モデルテーブル94に記録する。
なお、表示部91に表示された熱流体解析プログラムによるGUI(Graphic
User Interface)に従って、操作者は接合面の目標温度、使用するウエハホルダWHの種類などを入力部92により入力する。
図6は、「橘の式」を用いて接触熱抵抗を算出する例である。
図6(a)は「橘の式」を示す。この「橘の式」において、各パラメータの意味は以下の通りである。
K:接触熱伝達率(W/m2℃)
δ1:接触面を構成する一方の部材の表面粗さ(μm)
δ2:接触面を構成する他方の部材の表面粗さ(μm)
δ0:接触相当長さ(=23μm)
λ1:接触面を構成する一方の部材の熱伝導率(W/m℃)
λ2:接触面を構成する他方の部材の熱伝導率(W/m℃)
P:接触圧力(MPa)
H:接触面を構成する部材のうち軟らかい方の硬度(HB)
λf:介在流体熱伝導率(W/m℃)。接触面の隙間にできる空気の熱伝導率を想定している。真空中であれば流体熱伝導率は0として考える。
接触熱抵抗は加圧力の影響を受けるため、半導体ウエハW同士の加圧力によって半導体ウエハの温度が変わってしまうことを説明する。
接触熱抵抗算出部93は加圧プロファイルBになったことによる、半導体ウエハWからヒーターHTまでの接触熱抵抗を算出する。算出結果は接触熱抵抗モデルテーブル94に記録される。
図7C(e)の加圧プロファイルCでは、ヒーターHTの加熱が始まってからしばらくして内側加圧アクチュエータ73及び外側加圧アクチュエータ75が半導体ウエハWの接合面に加圧力P0になるように加圧している。そして、内側加圧アクチュエータ73及び外側加圧アクチュエータ75は時刻t4で加圧力P0から加圧力ゼロになるように減圧している。
図8は、半導体ウエハWの接合のフローチャートである。
ステップP31において、操作者は表示部91に表示されたGUIに従って、半導体ウエハ枚数、目標温度H1、加圧力P、加圧プロファイル、半導体ウエハWの面粗さ、保持時間TT、冷却時間TCなどの条件を入力する。これらすべての条件を入力する必要はなく、例えば操作者は導体ウエハ枚数、目標温度H1及び加圧力P以外はデフォルトで設定されている条件を入力するようにしても良い。
ステップ33において、温度予測部95は、記録された接触熱抵抗などに基づいて所定の計算モジュールに従い半導体ウエハWの接合面の温度を算出する。
ステップP37において、ウエハ張り合わせ装置100を動作させ、加熱加圧装置70の温度制御部96がヒーターHTなどを制御する。
BP … ベースプレート
CL1 … 第1冷却管
CL2 … 第2冷却管
W … 半導体ウエハ (W1 … 第1半導体ウエハ、W2 … 第2半導体ウエハ)
HT … ヒーター
TP … トッププレート
TS … 温度センサー
WH … ウエハホルダ
WL … ウエハローダー
WHL … ウエハホルダローダー
10 … ウエハストッカー
20 … ウエハプリアライメント装置
30 … ウエハホルダストッカー
40 … ウエハホルダプリアライメント装置
50 … アライナー
70 … 加圧装置(73 … 内側加圧アクチュエータ、75 … 外側加圧アクチュエータ)
80 … 分離冷却ユニット
70 … 加圧装置
80 … 分離冷却ユニット
90 … 主制御装置(91 … 表示部、92 … 入力部、93 … 接触熱抵抗算出部、94 … 接触熱抵抗モデルテーブル、95 … 接合面温度算出部、96 … 温度制御部)
100 … ウエハ張り合わせ装置
Claims (6)
- 少なくとも2つの半導体ウエハを加熱し且つ加圧し一体物に加工する加熱加圧システムであって、
前記半導体ウエハの加熱加圧の条件を入力する入力部と、
前記入力部で入力された加熱の条件で前記半導体ウエハを加熱するヒーター部と、
前記入力部で入力された加圧の条件で前記半導体ウエハを加圧する加圧部と、
前記半導体ウエハから前記ヒーター部に至る構成部材同士の接触部分及び前記構成部材と前記半導体ウエハとの接触部分に存在する接触熱抵抗、並びに前記加熱加圧の条件に基づいて前記半導体ウエハが重ねて加圧された接合面の温度を予測する面温度予測部と、
前記面温度予測部が予測した温度に基づいて、前記ヒーター部の制御を行う温度制御部と、
を備えることを特徴とする加熱加圧システム。 - さらに、前記構成部材同士の接触部分及び前記構成部材と前記半導体ウエハとの接触部分に接触熱抵抗モデルを生成して前記接触熱抵抗を算出する接触熱抵抗算出部を有することを特徴とする請求項1に記載の加熱加圧システム。
- 前記接触熱抵抗モデルは、前記構成部材の表面粗さ、接触圧力、前記構成部材の熱伝導率、前記構成部材の硬度、及び前記接触部分の面積の少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする請求項2記載の加熱加圧システム。
- 前記面温度予測部は、前記加熱加圧の条件に基づいて時間成分を考慮した熱特性計算を行い、前記半導体ウエハの目標温度到達時間や冷却完了時間を予測することを特徴とした請求項3に記載の加熱加圧システム。
- 前記時間成分により前記半導体ウエハを加熱し且つ加圧し一体物に加工するスループット予測を行い、生産管理情報として出力することを特徴とする請求項4に記載の加熱加圧システム。
- 前記ヒーター部又は前記ヒーター部から前記半導体ウエハに至る構成部材に設けられた温度センサーを備え、
前記温度制御部は、前記温度センサーからの情報を参照し、前記接触熱抵抗モデルの計算精度を向上させる学習機能を持つことを特徴とする請求項2から請求項5のいずれか一項に記載の加熱加圧システム。
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