JP2011165952A5 - - Google Patents

Claims (26)

1. 第１基板と第２基板とを互いに重ね合わせて貼り合わせる基板貼り合せ装置であって、
   第１の気圧の下で前記第１基板および前記第２基板を位置合わせして重ね合わせる重ね合わせ部と、
   前記第１の気圧よりも真空度が高い第２の気圧下で前記第１基板および前記第２基板を加熱および加圧して貼り合せる加圧部と、
   前記重ね合わせ部と前記加圧部とを互いに連結し、前記第１基板および前記第２基板が搬入されるロードロック室と、
   前記ロードロック室に搬入された前記第１基板および前記第２基板を温調する温調部と
   を備える基板貼り合せ装置。
2. 前記温調部は、前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方が接触または近接する温調プレートを有する請求項１に記載の基板貼り合せ装置。
3. 前記温調プレートを加熱するヒータを備え、前記ヒータにより前記温調プレートを加熱することにより、前記温調プレートに接触または近接する前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方を温調する請求項２に記載の基板貼り合せ装置。
4. 前記温調プレートは、冷媒または熱媒を循環させる循環路を有する請求項２または３に記載の基板貼り合せ装置。
5. 前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方の温度を測定する温度センサーと、
   前記温調部の温調を制御する制御部と
   を備え、前記制御部は、前記温度センサーの測定結果に基づいて前記温調部の温調を制御する請求項１から４のいずれか一項に記載の基板貼り合せ装置。
6. 前記加圧部で貼り合わされた前記第１基板および前記第２基板は前記ロードロック室に搬入された後、前記ロードロック室から前記第１の気圧の環境に搬出され、
   前記温調部は、前記ロードロック室を前記第２の気圧から前記第１の気圧にする場合に導入される気体の温度を調整することにより、前記ロードロック室内の前記第１基板および前記第２基板を温調する請求項２から５のいずれか一項に記載の基板貼り合せ装置。
7. 前記温調部は、前記第２の気圧の状態で前記温調プレートにより前記第１基板および前記第２基板の温調を開始し、その後、温度が調整された前記気体により前記第１基板および前記第２基板を温調する請求項６に記載の基板貼り合せ装置。
8. 前記加圧部は、加熱された前記第１基板および前記第２基板を冷却する冷却室を有する請求項１から７のいずれか一項に記載の基板貼り合せ装置。
9. 前記温調部は、前記第１基板および前記第２基板が前記重ね合せ部の温度になるように温調する請求項１から８のいずれか一項に記載の基板貼り合せ装置。
10. 前記加圧部で貼り合わされた前記第１基板および前記第２基板は前記ロードロック室に搬入された後、前記ロードロック室から前記第１の気圧の環境に搬出され、
    前記温調部は、前記ロードロック室を前記第２の気圧から前記第１の気圧にする場合に導入される気体の温度を調整することにより、前記ロードロック室内の前記第１基板および前記第２基板を温調する請求項１に記載の基板貼り合せ装置。
11. 第１基板と第２基板とを互いに重ね合わせて貼り合わせる基板貼り合せ装置であって、
    前記第１基板および前記第２基板を位置合わせして重ね合わせる重ね合わせ部と、
    重ね合わされた前記第１基板および前記第２基板を加熱および加圧して貼り合せる加圧部と、
    前記重ね合わせ部と前記加圧部との間に配置され、前記第１基板および前記第２基板を加熱する加熱部と、
    を備える基板貼り合せ装置。
12. 第１基板と第２基板とを互いに重ね合わせて貼り合わせる基板貼り合せ装置であって、
    前記第１基板および前記第２基板を位置合わせして重ね合わせる重ね合わせ部と、
    重ね合わされた前記第１基板および前記第２基板を加熱および加圧して貼り合せる加圧部と、
    前記加圧部で貼り合わされた前記第１基板および前記第２基板を冷却する冷却部と、
    前記冷却された前記第１基板および前記第２基板の温度が前記重ね合せ部の温度になるように前記第１基板および前記第２基板を温調する温調部と、
    を備える基板貼り合せ装置。
13. 第１基板と第２基板とを互いに重ね合わせて貼り合わせる基板貼り合せ方法であって、
    第１の気圧下で前記第１基板および前記第２基板を位置合わせして重ね合わせる重ね合わせ工程と、
    前記第１の気圧よりも真空度が高い第２の気圧下で前記第１基板および前記第２基板を加熱および加圧して貼り合せる加圧工程と、
    前記重ね合わせ工程と前記加圧工程との間に、ロードロック室に前記第１基板および前記第２基板を搬入する搬入工程と、
    前記ロードロック室に搬入された前記第１基板および前記第２基板を温調する温調工程と
    を含む基板貼り合せ方法。
14. 前記温調工程は、前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方を温調プレートに接触または近接させる請求項１３に記載の基板貼り合せ方法。
15. 前記温調工程は、ヒータにより前記温調プレートを加熱することにより、前記温調プレートに接触または近接する前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方を温調する請求項１４に記載の基板貼り合せ方法。
16. 前記温調工程は、前記温調プレートに形成された通路に冷媒または熱媒を通す請求項１４または１５に記載の基板貼り合せ方法。
17. 前記温調工程は、前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方の温度を温度センサーで測定し、前記温度センサーの測定結果に基づいて前記温調を制御する請求項１３から１６のいずれか一項に記載の基板貼り合せ方法。
18. 前記加圧工程で貼り合わされた前記第１基板および前記第２基板は前記ロードロック室に搬入され、前記ロードロック室から前記第１の気圧の環境に搬出され、
    前記温調工程は、前記ロードロック室を前記第２の気圧から前記第１の気圧にする場合に導入される気体の温度を調整することにより、前記ロードロック室内の前記第１基板および前記第２基板を温調する請求項１４から１７のいずれか一項に記載の基板貼り合せ方法。
19. 前記温調工程は、前記第２の気圧の状態で前記温調プレートにより前記第１基板および前記第２基板の温調を開始し、その後、温度が調整された前記気体により前記第１基板および前記第２基板を温調する請求項１８に記載の基板貼り合せ方法。
20. 前記加圧工程は、加熱された前記第１基板および前記第２基板を冷却する冷却工程を有する請求項１３から１９のいずれか一項に記載の基板貼り合せ方法。
21. 前記温調工程は、前記第１基板および前記第２基板が前記重ね合せ部の温度になるように温調する請求項１３から２０のいずれか一項に記載の基板貼り合せ方法。
22. 前記加圧工程で貼り合わされた前記第１基板および前記第２基板は前記ロードロック室に搬入され、前記ロードロック室から前記第１の気圧の環境に搬出され、
    前記温調工程は、前記ロードロック室を前記第２の気圧から前記第１の気圧にする場合に導入される気体の温度を調整することにより、前記ロードロック室内の前記第１基板および前記第２基板を温調する請求項１３に記載の基板貼り合せ方法。
23. 第１基板と第２基板とを互いに重ね合わせて貼り合わせる基板貼り合せ方法であって、
    前記第１基板および前記第２基板を位置合わせして重ね合わせる重ね合わせ工程と、
    重ね合わされた前記第１基板および前記第２基板を加熱および加圧して貼り合せる加圧工程と、
    前記重ね合わせ工程と前記加圧工程との間で前記第１基板および前記第２基板を加熱する加熱工程と、
    を含む基板貼り合せ方法。
24. 第１基板と第２基板とを互いに重ね合わせて貼り合わせる基板貼り合せ方法であって、
    前記第１基板および前記第２基板を位置合わせして重ね合わせる重ね合わせ工程と、
    重ね合わされた前記第１基板および前記第２基板を加熱および加圧して貼り合せる加圧工程と、
    前記加圧工程で貼り合わされた前記第１基板および前記第２基板を冷却する冷却工程と、
    前記冷却工程で冷却された前記第１基板および前記第２基板の温度が前記重ね合せ工程の温度になるように前記第１基板および前記第２基板を温調する温調工程と、
    を含む基板貼り合せ方法。
25. 請求項１３から２４のいずれか１項に記載の基板貼り合せ方法により基板を貼り合せることを含む積層半導体装置製造方法。
26. 請求項２５に記載の積層半導体装置製造方法により製造された積層半導体装置。