JP2010010628A - 接合装置および接合方法 - Google Patents
接合装置および接合方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010010628A JP2010010628A JP2008171590A JP2008171590A JP2010010628A JP 2010010628 A JP2010010628 A JP 2010010628A JP 2008171590 A JP2008171590 A JP 2008171590A JP 2008171590 A JP2008171590 A JP 2008171590A JP 2010010628 A JP2010010628 A JP 2010010628A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- substrate holder
- unit
- substrates
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 351
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 78
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims description 12
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 11
- 239000002826 coolant Substances 0.000 abstract description 4
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Abstract
【解決手段】複数の基板を重ねて接合する基板接合装置であって、複数の基板を保持する複数の基板ホルダを加熱しつつ加圧する加圧部と、加圧部から搬出され、保持していた基板を離した基板ホルダの熱分布を、放置する場合よりも早く均一にする温度制御部とを備える。温度制御部は、気体の冷媒を用いてもよい。加圧部から搬出され、基板を保持している基板ホルダを冷却する冷却室をさらに備えてもよい。冷却室は、液体の冷媒を用いてもよい。
【選択図】図5
Description
Claims (11)
- 複数の基板を重ねて接合する基板接合装置であって、
前記複数の基板を保持する複数の基板ホルダを加熱しつつ加圧する加圧部と、
前記加圧部から搬出され、保持していた前記基板を離した前記基板ホルダの熱分布を均一にする温度制御部と
を備える接合装置。 - 前記温度制御部は、気体の冷媒を用いる請求項1に記載の接合装置。
- 前記加圧部から搬出され、前記基板を保持している前記基板ホルダを冷却する冷却室をさらに備える請求項1または2に記載の接合装置。
- 前記冷却室は、液体の冷媒を用いる請求項3に記載の接合装置。
- 前記冷却室から搬出された前記基板ホルダから前記複数の基板を取り外す基板取り外し部を更に備える請求項3または4に記載の接合装置。
- 前記冷却室および前記基板取り外し部は、互いに隣接して配置される請求項5に記載の接合装置。
- 前記加圧部は、前記複数の基板ホルダを冷却する冷却部を有する請求項1から6のいずれかに記載の接合装置。
- 前記加圧部を、前記温度制御部から断熱する断熱壁をさらに備える請求項1から7のいずれかに記載の接合装置。
- 前記複数の基板ホルダに保持された前記複数の基板を互いに位置決めする位置決め部と、
前記位置決め部を、前記加圧部、前記温度制御部から断熱する断熱壁と
をさらに備える請求項8に記載の接合装置。 - 複数の基板を保持した基板ホルダを加熱および加圧して接合する接合段階と、
接合段階の後に、保持していた前記基板を離した前記基板ホルダの熱分布を、放置する場合よりも早く均一にする温度制御段階と
を備える接合方法。 - 複数の加圧部を備えた接合装置に、前記加圧部の数よりも2以上多い数の前記基板ホルダを装備させて、
新たな基板の接合を開始した場合に、前記基板ホルダのうち、前記温度制御段階を最後に開始した基板ホルダ以外の前記基板ホルダを選択して次の前記接合段階を開始する請求項10に記載の接合方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008171590A JP5417751B2 (ja) | 2008-06-30 | 2008-06-30 | 接合装置および接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008171590A JP5417751B2 (ja) | 2008-06-30 | 2008-06-30 | 接合装置および接合方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013239053A Division JP5765405B2 (ja) | 2013-11-19 | 2013-11-19 | 基板接合装置及び基板接合方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010010628A true JP2010010628A (ja) | 2010-01-14 |
JP2010010628A5 JP2010010628A5 (ja) | 2012-02-02 |
JP5417751B2 JP5417751B2 (ja) | 2014-02-19 |
Family
ID=41590716
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008171590A Active JP5417751B2 (ja) | 2008-06-30 | 2008-06-30 | 接合装置および接合方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5417751B2 (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011089827A1 (ja) * | 2010-01-20 | 2011-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置、接合方法及びコンピュータ記憶媒体 |
WO2011089826A1 (ja) * | 2010-01-20 | 2011-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置、接合方法及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2011165885A (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-25 | Nikon Corp | ホルダラック |
WO2011105325A1 (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2011171684A (ja) * | 2010-02-22 | 2011-09-01 | Nikon Corp | 基板処理装置、積層半導体装置製造方法及び積層半導体装置 |
JP2011192676A (ja) * | 2010-03-11 | 2011-09-29 | Nikon Corp | 基板処理装置、積層半導体装置製造方法及び積層半導体装置 |
WO2011130040A3 (en) * | 2010-04-12 | 2012-01-19 | Suss Microtec Lithography, Gmbh | Apparatus for high throughput wafer bonding |
JP2012084574A (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-26 | Samco Inc | プラズマ処理装置 |
JP2012109319A (ja) * | 2010-11-15 | 2012-06-07 | Nikon Corp | 基板ホルダ、基板貼り合せ装置、積層半導体装置製造方法及び積層半導体装置 |
WO2015105149A1 (ja) * | 2014-01-08 | 2015-07-16 | 東レ株式会社 | 半導体装置の実装方法および実装装置 |
KR101562746B1 (ko) | 2014-09-03 | 2015-10-22 | 에스티에스반도체통신 주식회사 | 와이어 본더의 윈도우 클램프 및 이를 이용한 와이어 본딩 방법 |
WO2018061108A1 (ja) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板冷却ユニットおよび半導体装置の製造方法 |
CN110444508A (zh) * | 2019-07-22 | 2019-11-12 | 武汉高芯科技有限公司 | 堆叠式多对晶圆键合装置及键合方法 |
CN116313946A (zh) * | 2023-05-24 | 2023-06-23 | 长鑫存储技术有限公司 | 温度调节系统及调节方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006339191A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Nikon Corp | ウェハホルダ、ウェハ積層方法及び積層型半導体装置製造方法 |
-
2008
- 2008-06-30 JP JP2008171590A patent/JP5417751B2/ja active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006339191A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Nikon Corp | ウェハホルダ、ウェハ積層方法及び積層型半導体装置製造方法 |
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8490856B2 (en) | 2010-01-20 | 2013-07-23 | Tokyo Electron Limited | Joint apparatus, joint method, and computer storage medium |
WO2011089826A1 (ja) * | 2010-01-20 | 2011-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置、接合方法及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2011151127A (ja) * | 2010-01-20 | 2011-08-04 | Tokyo Electron Ltd | 接合装置、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
WO2011089827A1 (ja) * | 2010-01-20 | 2011-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置、接合方法及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2011165885A (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-25 | Nikon Corp | ホルダラック |
JP2011171684A (ja) * | 2010-02-22 | 2011-09-01 | Nikon Corp | 基板処理装置、積層半導体装置製造方法及び積層半導体装置 |
WO2011105325A1 (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2011192676A (ja) * | 2010-03-11 | 2011-09-29 | Nikon Corp | 基板処理装置、積層半導体装置製造方法及び積層半導体装置 |
KR20130098854A (ko) * | 2010-04-12 | 2013-09-05 | 수스 마이크로텍 리소그라피 게엠바하 | 고수율 웨이퍼 본딩 장치 |
KR101682072B1 (ko) | 2010-04-12 | 2016-12-02 | 수스 마이크로텍 리소그라피 게엠바하 | 고수율 웨이퍼 본딩 장치 |
US8425715B2 (en) | 2010-04-12 | 2013-04-23 | Suss Microtec Lithography, Gmbh | Apparatus for high throughput wafer bonding |
EP2559059A4 (en) * | 2010-04-12 | 2017-03-22 | Suss MicroTec Lithography GmbH | Apparatus for high throughput wafer bonding |
WO2011130040A3 (en) * | 2010-04-12 | 2012-01-19 | Suss Microtec Lithography, Gmbh | Apparatus for high throughput wafer bonding |
JP2012084574A (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-26 | Samco Inc | プラズマ処理装置 |
JP2012109319A (ja) * | 2010-11-15 | 2012-06-07 | Nikon Corp | 基板ホルダ、基板貼り合せ装置、積層半導体装置製造方法及び積層半導体装置 |
WO2015105149A1 (ja) * | 2014-01-08 | 2015-07-16 | 東レ株式会社 | 半導体装置の実装方法および実装装置 |
TWI656582B (zh) * | 2014-01-08 | 2019-04-11 | 日商東麗工程股份有限公司 | Semiconductor device mounting method and mounting device |
KR101562746B1 (ko) | 2014-09-03 | 2015-10-22 | 에스티에스반도체통신 주식회사 | 와이어 본더의 윈도우 클램프 및 이를 이용한 와이어 본딩 방법 |
WO2018061108A1 (ja) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板冷却ユニットおよび半導体装置の製造方法 |
JPWO2018061108A1 (ja) * | 2016-09-28 | 2019-01-31 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、基板冷却ユニットおよび半導体装置の製造方法 |
CN110444508A (zh) * | 2019-07-22 | 2019-11-12 | 武汉高芯科技有限公司 | 堆叠式多对晶圆键合装置及键合方法 |
CN110444508B (zh) * | 2019-07-22 | 2022-04-12 | 武汉高芯科技有限公司 | 堆叠式多对晶圆键合装置及键合方法 |
CN116313946A (zh) * | 2023-05-24 | 2023-06-23 | 长鑫存储技术有限公司 | 温度调节系统及调节方法 |
CN116313946B (zh) * | 2023-05-24 | 2023-10-17 | 长鑫存储技术有限公司 | 温度调节系统及调节方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5417751B2 (ja) | 2014-02-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5417751B2 (ja) | 接合装置および接合方法 | |
JP4599401B2 (ja) | 実装装置 | |
JP2010114208A (ja) | 冷却装置および接合システム | |
JPWO2010041317A1 (ja) | インターフェイス部材、テスト部ユニットおよび電子部品試験装置 | |
JP2010073727A (ja) | 基板載置台の降温方法、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体および基板処理システム | |
JP2011151127A (ja) | 接合装置、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP5387444B2 (ja) | 搬送装置および基板接合装置 | |
JP5765405B2 (ja) | 基板接合装置及び基板接合方法 | |
JP2017041642A (ja) | 半導体ウェーハの検査装置及び半導体ウェーハの検査方法 | |
TW201117257A (en) | Temperature increase control method for heating device for substrate treatment system, program, computer recording medium, and substrate treatment system | |
KR20080071929A (ko) | 가열 장치, 가열 방법 및 기억 매체 | |
JPWO2017169155A1 (ja) | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 | |
JP5549185B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法および基板貼り合せ装置 | |
KR101529338B1 (ko) | 기판 열처리 장치 | |
JP5552826B2 (ja) | 基板貼り合せ装置、積層半導体装置製造方法及び積層半導体装置 | |
JP2008170179A (ja) | オートハンドラ | |
JP5001877B2 (ja) | 板状物搬送装置および板状物搬送方法 | |
JP2019204832A (ja) | 部品実装システム、基板接合システム、部品実装方法および基板接合方法 | |
JP6011900B1 (ja) | プローバ | |
JP2015035583A (ja) | 熱処理装置及び成膜システム | |
JP4859156B2 (ja) | 温度特性試験装置 | |
JP5569169B2 (ja) | 基板貼り合せ装置の制御方法、基板貼り合せ装置、積層半導体装置製造方法及び積層半導体装置 | |
JP2006344986A (ja) | 塗布、現像装置及びパターン形成方法 | |
JP3851444B2 (ja) | 熱処理装置 | |
KR102592544B1 (ko) | 검사 장치 및 검사 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110629 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110802 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130618 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130620 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130808 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131022 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131104 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5417751 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |